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具有漏端Offset的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的特性及开态电流模型
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作者 赵金凤 杜孟君 +3 位作者 张冬利 王槐生 单奇 王明湘 《电子器件》 CAS 北大核心 2020年第5期953-958,共6页
本文研究了具有不同漏端Offset长度(LDO)的非晶铟镓锌氧化物(Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide,a-IGZO)薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)的电学特性,发现器件的阈值电压(Vth)、亚阈值摆幅(SS)、关态电流(Ioff)与LDO无明显依... 本文研究了具有不同漏端Offset长度(LDO)的非晶铟镓锌氧化物(Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide,a-IGZO)薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)的电学特性,发现器件的阈值电压(Vth)、亚阈值摆幅(SS)、关态电流(Ioff)与LDO无明显依赖关系。通过分析漏端Offset区域的电流与电压关系,发现其遵循欧姆定律,由此提取出漏端Offset区域电阻(RDO)。研究发现RDO与LDO成幂函数关系且幂次随栅源电压(VGS)的增加而增加,由此我们提出RDO的经验模型,同时利用此模型得到漏端Offset a-IGZO TFT的开态电流模型并通过与电流-电压曲线拟合得以验证。 展开更多
关键词 漏端offset 薄膜晶体管 非晶铟镓锌氧化物 电阻 开态电流模型
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Design of a CMOS Adaptive Charge Pump with Dynamic Current Matching 被引量:1
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作者 ZHANG Tao ZOU Xuecheng +1 位作者 ZHAO Guangzhou SHEN Xubang 《Wuhan University Journal of Natural Sciences》 EI CAS 2006年第2期405-408,共4页
A novel structure for a charge pump circuit is proposed, in which the charge-pump (CP) current can adaptively regulated according to phase-locked loops (PLL) frequency synthesis demand. The current follow technolo... A novel structure for a charge pump circuit is proposed, in which the charge-pump (CP) current can adaptively regulated according to phase-locked loops (PLL) frequency synthesis demand. The current follow technology is used to make perfect current matching characteristics, and the two differential inverters are implanted to increase the speed of charge pump and decrease output spur due to theory of low voltage difference signal. Simulation results, with 1st silicon 0. 25μm 2. 5 V complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) mixed-signal process, show the good current matching characteristics regardless of the charge pump output voltages. 展开更多
关键词 phase-locked loop charge pump phase offset phase frequency detector current matching low voltagedifference signal
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一种多通道高精度运放芯片自动化测试方法
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作者 殷宗瑾 谭庶欣 《中国集成电路》 2025年第12期79-84,共6页
对于多通道运放芯片的高精度量产测试需求,基于华峰测控STS8200测试平台,设计出一种能应对这种需求的测试方案并进行优化。首先对各个测试功能参数进行分析并设计出对应测试电路;其次针对各个指标依次设计出测试程序;然后使用测试板在... 对于多通道运放芯片的高精度量产测试需求,基于华峰测控STS8200测试平台,设计出一种能应对这种需求的测试方案并进行优化。首先对各个测试功能参数进行分析并设计出对应测试电路;其次针对各个指标依次设计出测试程序;然后使用测试板在测试机上进行测试方案验证;最后由于测试输入失调电流使用的传统电阻法精度不够,电容法测试不稳定而导致测试通过率不达标,所以对于传统的电阻法进行优化,用来更精准地测试输入失调电流。改进后的测试方案大幅度缩短了单颗芯片测试时间,从1838 ms缩短到了1242 ms,并且芯片的测试通过率从70%提高到了100%,大大降低了原料成本。实验结果说明该方法能够实现运放芯片较为全面以及高精度的测试,在运放芯片的质量与可靠性保证方面具有良好的应用价值。 展开更多
关键词 模拟芯片 运算放大器测试 ATE测试 输入失调电流 测试验证
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基于四相旋转电流技术的CMOS霍尔器件研究分析
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作者 唐毓尚 马毛旦 +5 位作者 赵晓凡 张涛 杨座江 李自龙 郑俊玲 李彦广 《微电子学》 北大核心 2025年第3期473-480,共8页
十字形水平霍尔器件以及三接触四阱垂直霍尔器件凭借其高对称性、灵敏度以及低失调电压等优点而广泛应用于三轴霍尔传感器中,并能够利用旋转电流技术进一步消除器件本身的霍尔失调电压。基于Sentaurus TCAD三维仿真以及理论建模计算,研... 十字形水平霍尔器件以及三接触四阱垂直霍尔器件凭借其高对称性、灵敏度以及低失调电压等优点而广泛应用于三轴霍尔传感器中,并能够利用旋转电流技术进一步消除器件本身的霍尔失调电压。基于Sentaurus TCAD三维仿真以及理论建模计算,研究十字形、三阱四接触霍尔器件在关键参数下的电压、电流偏置相关灵敏度变化。仿真结果表明,对于十字形霍尔器件,电流、电压偏置条件下长宽比(L/W)分别在0.8~1.2、0.3~0.5范围时具有最佳相关灵敏度;对于三阱四接触霍尔器件,随着接触电极间距增加,电流偏置相关灵敏度逐渐增加并趋于饱和,而电压偏置相关灵敏度持续下降。此外,增加P^(+)覆盖层能够有效提高器件灵敏度,而四相旋转电流法能够显著降低其霍尔失调电压。 展开更多
关键词 CMOS霍尔器件 霍尔电压 灵敏度 旋转电流技术 失调电压
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加权平均电流控制下基于观测器的准Z源逆变器直流偏置抑制策略
5
作者 林俊芳 何国锋 +1 位作者 周子淳 王航 《电源学报》 北大核心 2025年第6期152-161,共10页
针对准Z源逆变器采用无隔离变压器并网时电流存在直流偏置问题,提出一种加权平均电流控制下基于观测器的直流偏置抑制策略。首先,分析准Z源逆变器的拓扑及其直流偏置产生的原因。其次,利用加权平均电流控制将三阶LCL滤波器降为一阶,简... 针对准Z源逆变器采用无隔离变压器并网时电流存在直流偏置问题,提出一种加权平均电流控制下基于观测器的直流偏置抑制策略。首先,分析准Z源逆变器的拓扑及其直流偏置产生的原因。其次,利用加权平均电流控制将三阶LCL滤波器降为一阶,简化系统模型,同时消除谐振问题。然后,采用扰动观测器对逆变器输出电压直流偏置量进行实时观测,通过反馈对直流偏置量扰动进行动态补偿,并对其稳定性进行分析。最后,通过实验对所提策略进行验证。实验结果表明,所提策略可以有效减小入网电流的直流偏置量,满足并网直流偏置小于0.5%的要求,同时使逆变器具有良好的稳态和动态性能。 展开更多
关键词 准Z源逆变器 直流偏置抑制 加权平均电流 观测器
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异种金属铌-钛焊缝埋深缺陷涡流检测研究
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作者 吴晨哲 任文坚 +3 位作者 赵本勇 王永红 王荣彪 宋凯 《兵器装备工程学报》 北大核心 2025年第3期267-274,共8页
为解决液体火箭发动机铌-钛电子束对接焊缝埋深缺陷小、异种金属对接焊缝信号干扰检测、检测空间狭小等难题,研制了一款高灵敏度且检测线圈垂直于焊缝切向放置方式的新型结构涡流探头。通过异种金属焊缝有限元仿真研究,分析了切面涡流... 为解决液体火箭发动机铌-钛电子束对接焊缝埋深缺陷小、异种金属对接焊缝信号干扰检测、检测空间狭小等难题,研制了一款高灵敏度且检测线圈垂直于焊缝切向放置方式的新型结构涡流探头。通过异种金属焊缝有限元仿真研究,分析了切面涡流密度值和电压幅值等仿真数据,为新型探头结构检测提供理论基础;进行手动扫查路径偏移试验,绘制检测缺陷信号变化趋势图,验证探头灵敏度高、抗干扰信号的可行性。结果表明:该探头检测5 mm×0.1 mm×0.5 mm(长×宽×深)、埋深0.5 mm的缺陷信噪比可达10:1;偏移焊缝中心4 mm情况下,检测相同尺寸缺陷信噪比仍可达到3∶1。该新型探头结构具备高灵敏度检测能力且抑制异种金属对接焊缝干扰信号,有望应用于其他金属焊缝质量检测。 展开更多
关键词 涡流检测 异种金属焊缝 扫查偏移 埋深缺陷 液体火箭发动机
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应用于雷达模拟基带的自动DCOC有源RC滤波器设计
7
作者 山凌云 阮颖 +1 位作者 陈磊 陈猛 《上海电力大学学报》 2025年第5期432-439,共8页
为解决毫米波雷达芯片中混频器和模拟基带失调导致的输出饱和问题,设计了一种基于逐次比较逻辑的自动直流失调校准(DCOC)有源阻容(RC)滤波器。该滤波器采用通带与增益可重构的四阶巴特沃斯拓扑结构,核心部件采用前馈密勒补偿二级全差分... 为解决毫米波雷达芯片中混频器和模拟基带失调导致的输出饱和问题,设计了一种基于逐次比较逻辑的自动直流失调校准(DCOC)有源阻容(RC)滤波器。该滤波器采用通带与增益可重构的四阶巴特沃斯拓扑结构,核心部件采用前馈密勒补偿二级全差分运算放大器(OTA)。后仿真结果表明,在初始550 mV直流失调条件下,校准处理后失调可被降至1.4 mV;在1 pF负载下,核心OTA的增益带宽积可达340 MHz,相位裕度可达87.2°,可以满足雷达芯片接收机的使用需求。 展开更多
关键词 雷达 模拟基带 四阶巴特沃斯 自动直流失调校准 有源RC滤波器 运算放大器
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电压/电流转换器AD694原理及应用 被引量:22
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作者 付金龙 朱林剑 《电测与仪表》 北大核心 2000年第11期51-53,50,共4页
介绍了美国Analog Device公司生产的电压-电流转换器AD694的主要特点、管脚功能、工作原理、使用方法及应用。
关键词 电压/电流转换器 偏置电流 接口 集成电路
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电子式互感器暂态特性测试系统的研制 被引量:8
9
作者 姚俊 张杰 +3 位作者 姚翔宇 张松强 邵显清 喻明江 《电测与仪表》 北大核心 2019年第2期134-138,144,共6页
电子式互感器暂态特性必须采用直接法进行测试,现有的测试方法投资大、试验控制复杂,并不适合工程化的现场应用,针对该问题,提出了一种以三套电源装置为核心的暂态特性测试系统,测试系统通过计算机进行波形的计算、分解以及组合控制,提... 电子式互感器暂态特性必须采用直接法进行测试,现有的测试方法投资大、试验控制复杂,并不适合工程化的现场应用,针对该问题,提出了一种以三套电源装置为核心的暂态特性测试系统,测试系统通过计算机进行波形的计算、分解以及组合控制,提供宽范围的调节能力,合成一次侧全偏移暂态电流。该试验装置能够提供真实的暂态电流试验条件,对互感器的出厂检验和高压电力系统交接试验具有一定的指导意议和应用价值。 展开更多
关键词 电子式互感器 全偏移电流 直接法 合成回路 试验系统
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一种高精密集成运算放大器的研制 被引量:2
10
作者 王岳生 徐世六 +3 位作者 刘伦才 张敏 黄文刚 尚正国 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期258-261,共4页
基于运算放大器的基本原理和一些关键技术(基流自举补偿、偏置微调等)的运用,成功地研制出一种双极型高精度低失调集成运算放大器。测试结果显示,该运算放大器失调电压仅为10μV,失调电流小于1 nA,开环增益为120 dB,单位增益带宽680 kHz。
关键词 运算放大器 低失调 基流自举补偿 偏置微调
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基于组合补偿网络的抗偏移恒流输出无线电能传输系统研究 被引量:12
11
作者 谢文燕 陈为 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第6期1495-1512,共18页
针对无线电能传输(WPT)系统线圈相对位置偏移引起传输效率降低、输出电流不稳定和发射线圈过电流问题,提出一种抗偏移恒流输出型WPT系统及其参数配置方法。该系统将LCC-LCC和串联-串联(S-S)补偿网络进行输入串联和输出串联,并采用QDQPs... 针对无线电能传输(WPT)系统线圈相对位置偏移引起传输效率降低、输出电流不稳定和发射线圈过电流问题,提出一种抗偏移恒流输出型WPT系统及其参数配置方法。该系统将LCC-LCC和串联-串联(S-S)补偿网络进行输入串联和输出串联,并采用QDQPs磁耦合结构。在此基础上,通过合理的参数配置,不仅实现了与负载无关的恒流输出,而且可以实现抗x方向、y方向、z方向以及xy方向线圈同时偏移的性能,还可以避免发射线圈过电流。该文分析所提系统的传输特性,从理论上证明了系统具有良好的抗偏移性能。最后,搭建了一个280W实验平台,验证了理论分析的正确性和可行性。 展开更多
关键词 无线电能传输 抗偏移 恒流输出 组合补偿网络 参数配置
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1000kV交流断路器开断电流的直流分量时间常数和零偏现象 被引量:33
12
作者 周沛洪 戴敏 +1 位作者 娄颖 修木洪 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期722-730,共9页
为了确定特高压断路器短路开断电流的试验直流分量时间常数,依托本期和远期1000kV晋东南-南阳-荆门示范工程,采用EMTP程序模拟计算方法,研究了影响示范工程断路器直流分量衰减时间常数和零偏现象的因素;提出了将模拟计算的直流时间常数... 为了确定特高压断路器短路开断电流的试验直流分量时间常数,依托本期和远期1000kV晋东南-南阳-荆门示范工程,采用EMTP程序模拟计算方法,研究了影响示范工程断路器直流分量衰减时间常数和零偏现象的因素;提出了将模拟计算的直流时间常数折算至断路器试验值的计算公式;统计分析出远期示范工程三相短路直流分量时间常数折算后最长为112ms,因此建议我国特高压断路器直流分量衰减时间常数可选120ms,并得到示范工程采用。特高压断路器开断时间内电流产生零偏现象有接地短路故障、合空线、并网前单相接地和合空变4种工况,这4种工况都不会损坏断路器,可不采取装分闸电阻的应对措施。 展开更多
关键词 特高压 断路器 开断电流 直流分量 时间常数 电流零偏
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带高抗500kV长线路合闸引起的电流直流偏置问题及应对措施 被引量:5
13
作者 杜宁 徐瑞林 +4 位作者 项祖涛 韩彬 韩亚楠 周佩朋 陈涛 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2012年第12期200-204,共5页
以重庆电网张家坝—隆盛带高抗500kV长线路为研究对象,通过电磁暂态仿真,研究了典型线路合分闸操作时的电流直流偏置问题,包括不同合闸相位进行各种合分闸联动操作时的电流直流偏置情况。此外还研究了采用合闸电阻及控制相角合闸技术抑... 以重庆电网张家坝—隆盛带高抗500kV长线路为研究对象,通过电磁暂态仿真,研究了典型线路合分闸操作时的电流直流偏置问题,包括不同合闸相位进行各种合分闸联动操作时的电流直流偏置情况。此外还研究了采用合闸电阻及控制相角合闸技术抑制电流直流偏置的效果,结果表明,采用这2种方法可以加快电流过零,降低电流延迟过零出现的概率,但并不能完全消除电流过零延迟现象,对此进行了讨论并给出了建议。 展开更多
关键词 高压并联电抗器 长线路 电流直流偏置
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特高压系统中的短路电流直流分量与零点漂移 被引量:33
14
作者 林集明 顾霓鸿 +5 位作者 项祖涛 班连庚 王承玉 孙岗 王晓刚 郑彬 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2006年第24期1-5,共5页
结合1000kV特高压试验示范工程及规划的中国特高压电网,研究了交流1100kV断路器瞬态问题中的短路电流直流分量衰减时间常数及交流电流过零点的漂移现象,在此基础上提出了我国交流1100kV特高压断路器的工作条件建议,如特髙压断路器试验... 结合1000kV特高压试验示范工程及规划的中国特高压电网,研究了交流1100kV断路器瞬态问题中的短路电流直流分量衰减时间常数及交流电流过零点的漂移现象,在此基础上提出了我国交流1100kV特高压断路器的工作条件建议,如特髙压断路器试验的短路电流直流分量衰减的时间常数等。 展开更多
关键词 特高压系统 断路器 短路电流 直流分量 时间 常数 零点漂移
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带通滤波器法电压积分型定子磁链观测器 被引量:32
15
作者 李红 罗裕 +1 位作者 韩邦成 陈彦鹏 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第9期8-16,共9页
针对定子磁链观测的低通滤波器法电压积分模型受电压电流零漂,积分初值和定子电阻误差的影响,使得观测结果存在直流偏置的问题,提出了能消除直流偏置的带通滤波器法电压积分模型。针对电压积分型定子磁链观测器基本模型进行了误差分析,... 针对定子磁链观测的低通滤波器法电压积分模型受电压电流零漂,积分初值和定子电阻误差的影响,使得观测结果存在直流偏置的问题,提出了能消除直流偏置的带通滤波器法电压积分模型。针对电压积分型定子磁链观测器基本模型进行了误差分析,建立了带通滤波器法定子磁链观测器模型,分析了带通滤波器法定子磁链观测器能够消除直流偏置的原理,并给出了幅值和相位的误差补偿方法。对带通滤波器法定子磁链观测器进行仿真和实验表明:带通滤波器法定子磁链观测器解决了低通滤波器法中的直流偏置问题,消除了观测结果的直流偏置,对观测结果进行幅值和相位误差补偿后,观测的定子磁链与参考磁链波形一致。 展开更多
关键词 磁链 观测 误差分析 低通滤波器法 消除直流偏置 带通滤波器法 误差补偿
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一种微弱电流测量仪的设计 被引量:8
16
作者 彭建学 马永军 汤天浩 《上海海事大学学报》 北大核心 2008年第4期55-59,共5页
为设计1种具有较高精度和较好重复再现性的微弱电流测量仪器,采用开关调制、差分对消技术,消除微弱电流测量系统的直流误差;通过屏蔽、低通滤波有效抑制工频噪声和放大电路的噪声;边放大信号边衰减噪声提高系统的信噪比;多级放大和预调... 为设计1种具有较高精度和较好重复再现性的微弱电流测量仪器,采用开关调制、差分对消技术,消除微弱电流测量系统的直流误差;通过屏蔽、低通滤波有效抑制工频噪声和放大电路的噪声;边放大信号边衰减噪声提高系统的信噪比;多级放大和预调零解决高放大倍数与运算放大器饱和的矛盾.对设计的微弱电流测量仪进行测试,仪器最小量程达10 pA,最小分辨率达0.5 pA;结果显示工频噪声和直流失调对微弱电流测量有重要影响,表明设计所采用的技术有效. 展开更多
关键词 微弱电流 微弱信号 开关调制 差分电路 工频噪声 偏置电流 失调电压
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CMMB系统中RSSI电路设计 被引量:2
17
作者 庄海孝 马成炎 +3 位作者 叶甜春 潘文光 黄伟 何晓丰 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期840-845,906,共7页
为了设计一款应用于中国移动多媒体广播标准(CMMB)系统射频前端的限幅器电路及场强指示器电路,提出一种新的直流失调补偿方案,该方案采用分段反馈原理实现限幅器内抵消直流失调部分电路的片内集成并且对直流失调量能起到有效抑制.该电... 为了设计一款应用于中国移动多媒体广播标准(CMMB)系统射频前端的限幅器电路及场强指示器电路,提出一种新的直流失调补偿方案,该方案采用分段反馈原理实现限幅器内抵消直流失调部分电路的片内集成并且对直流失调量能起到有效抑制.该电路采用台集电(TSMC)0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺实现,测试结果表明,该限幅器达到64 dB的电压增益,可以对载波为5 MHz、带宽为9.9 MHz的中频信号进行放大;场强指示器的动态范围大于70 dB,场强检测的误差小于3 dB,符合CMMB标准接收机系统对信号强度指示电路(RSSI)电路的设计要求. 展开更多
关键词 RSSI 限幅器 非平衡源耦合对 分段反馈 直流失调抑制
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串联电抗器对电力系统短路电流特性影响的研究 被引量:31
18
作者 周明 曹炜 +2 位作者 陈文涛 马勤勇 张旭航 《电力系统保护与控制》 EI CSCD 北大核心 2017年第11期147-153,共7页
合理配置串联电抗器可有效抑制系统短路电流,但同时也会对短路电流特性产生一定影响。结合电网接线和运行状态,研究了串抗配置对电力系统短路电流周期分量、直流分量、冲击电流以及短路电流零偏的影响,分析评估了串抗后断路器的开断及... 合理配置串联电抗器可有效抑制系统短路电流,但同时也会对短路电流特性产生一定影响。结合电网接线和运行状态,研究了串抗配置对电力系统短路电流周期分量、直流分量、冲击电流以及短路电流零偏的影响,分析评估了串抗后断路器的开断及关合能力校核标准。研究结果表明:串抗值越大,短路电流越小,且其对串抗的灵敏度也越小。当母联串抗增大到一定值时,将可能产生零偏现象。安装串抗抑制短路电流时,建议考虑短路电流中直流分量的影响,采用短路全电流有效值作为校核对断路器开断能力的指标。 展开更多
关键词 串联电抗器 短路电流 直流分量 零偏 断路器 开断能力
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特高压交流输电系统短路电流零点漂移影响因素分析及防治措施 被引量:18
19
作者 林莘 谢寅志 +1 位作者 王飞鸣 徐建源 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期280-287,共8页
在特高压输电系统中,当线路发生故障时,断路器动作会产生较高的瞬态过电压,其中直流分量部分可能会使故障电流出现零点漂移现象,使断路器灭弧室内燃弧时间延长,影响断路器的开断能力。为此,首先结合特高压示范工程,对影响零点漂移的因... 在特高压输电系统中,当线路发生故障时,断路器动作会产生较高的瞬态过电压,其中直流分量部分可能会使故障电流出现零点漂移现象,使断路器灭弧室内燃弧时间延长,影响断路器的开断能力。为此,首先结合特高压示范工程,对影响零点漂移的因素进行了理论分析,并根据浙江北—上海西特高压输电线路,考虑断路器断开时的电弧模型,利用ATP/EMTP进行了仿真计算,得出:影响特高压零点漂移的因素有故障发生时刻、故障点的接地电阻大小、故障点的位置,以及负载电流的大小,其中负载电流的变化可能会引起长达2个周波以上较严重的零点漂移。最后总结出断路器串联50Ω的合闸电阻可有效减小短路电流首次过零时间。 展开更多
关键词 特高压交流 直流分量 短路电流 零点漂移 断路器 电弧模型 合闸电阻
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一种基于横向PNP管的低失调CMOS带隙基准源 被引量:1
20
作者 蔡伟 陆铁军 王宗民 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第7期156-159,共4页
基于横向寄生PNP管,提出了一种新颖结构的低失调CMOS带腺基准源。该带隙能够降低运放失调电压和镜像电流对基准电压的影响.提高带腺抗工艺失调的能力。仿真结果表明,基准电压为1.2280V,在—40℃~125℃.典型偏差小于2.7mV,温度... 基于横向寄生PNP管,提出了一种新颖结构的低失调CMOS带腺基准源。该带隙能够降低运放失调电压和镜像电流对基准电压的影响.提高带腺抗工艺失调的能力。仿真结果表明,基准电压为1.2280V,在—40℃~125℃.典型偏差小于2.7mV,温度系数为13.9ppm/℃。该带腺具有较好的工艺稳定性,在各工艺角情况下,失调电压小于±25.3mV.比传统带腺相对精度提高了3.3倍。最后,基于0.35μm CMOS工艺实现了该电压基准源。 展开更多
关键词 带隙基准 横向PNP管 失调电压 电流失配
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