期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到9篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
GC-MS测定中的小体积样品浓缩技术 被引量：1
1
作者 王立 齐刚 +3 位作者 王尚军 刘鸿雁 张玉玲 刘晓华 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期138-139,共2页
New preparation methods for the GC-MS analytical sample are reviewed in this paper.There are MT,SH-MT,PMT,ME-MT,MCT,and so on mainly.
关键词 REVIEW GC-MS Sample preparation microtrap
在线阅读 下载PDF
对影响现场混装乳化炸药孔内爆速因素的探究 被引量：7
2
作者 朱宽 曹进军 +4 位作者 郝亚飞 李晓虎 秦锦鸿 周桂松 杜华善 《爆破》 CSCD 北大核心 2016年第4期118-122,共5页
采用Micro Trap孔内爆速测试仪测试了现场混装乳化炸药在炮孔内、外的爆速情况,并通过工程测试研究了影响现场混装乳化炸药孔内爆速的各种因素。结果表明:由于约束条件的不同,同种条件下孔内爆速为5430.6 m/s,明显高于孔外爆速4515.8 m... 采用Micro Trap孔内爆速测试仪测试了现场混装乳化炸药在炮孔内、外的爆速情况,并通过工程测试研究了影响现场混装乳化炸药孔内爆速的各种因素。结果表明:由于约束条件的不同,同种条件下孔内爆速为5430.6 m/s,明显高于孔外爆速4515.8 m/s;随着孔径的增加,炸药孔内爆速呈明显增大的趋势;岩性对炸药孔内爆速影响较大,铁矿石孔内爆速达6035.8 m/s,明显高于在石灰石矿中孔内爆速5321.0 m/s;炸药密度对孔内爆速与孔外爆速的影响基本一致;炸药在孔底爆速相对较低,在炮孔中部形成相对稳定的爆速,在靠近孔口位置爆速逐渐降低;由于采用的乳化剂不同,地面站制乳爆速明显高于车上制乳孔内爆速。 展开更多
关键词 microtrap孔内爆速测试仪 工程测试 影响因素 混装乳化炸药
在线阅读 下载PDF
一种可控的Ioffe型冷分子表面微电阱 被引量：1
3
作者 许雪艳 侯顺永 印建平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期113-119,共7页
囚禁于阱中的粒子(原子或分子)可获得更长的相互作用时间,因而在精密测量中可获得更高的分辨率.阱中的粒子与外界隔离,从而可以被冷却到更低的温度.因此原子(或分子)阱已广泛应用到许多研究领域.然而中心电场强度为零的势阱会导致粒子... 囚禁于阱中的粒子(原子或分子)可获得更长的相互作用时间,因而在精密测量中可获得更高的分辨率.阱中的粒子与外界隔离,从而可以被冷却到更低的温度.因此原子(或分子)阱已广泛应用到许多研究领域.然而中心电场强度为零的势阱会导致粒子发生非绝热跃迁,这是原子或分子损失的主要来源.该损失曾是制备原子玻色-爱因斯坦凝聚的最后一道障碍.本文提出了一种可控的Ioffe型表面微电阱,其电场强度处处不为零,可有效避免分子的非绝热损失.另外,通过调节电压等参数,势阱中心电场强度以及势阱中心距芯片表面的高度可以在较大范围内调节,例如在本文参数下,势阱中心电场强度可在0.15—5.5 kV/cm变化,势阱中心高度可在6.0—17.0μm变化.本文通过有限元软件计算了芯片表面微电阱的电场分布,并用Monte Carlo模拟验证了该方案的可行性.该表面微电阱不仅可用于分子芯片的集成,而且可用于表面量子简并气体的制备.为精密测量、量子计算、表面冷碰撞和冷化学等领域提供了一个平台. 展开更多
关键词 冷分子 分子芯片 微电阱
在线阅读 下载PDF
Micro Trap孔内爆速测试系统在铁矿山中的应用 被引量：4
4
作者 吴国群 《露天采矿技术》 CAS 2017年第6期59-62,共4页
介绍了Micro Trap测试系统,并实际利用Micro Trap测试系统对现场混装乳化炸药和现场混装重铵油炸药孔内爆速进行测量对比。结果显示现场混装乳化炸药次孔内爆速为5 467.0 m/s,现场混装重铵油炸药孔内爆速为5 926.5 m/s。分析得出在铁矿... 介绍了Micro Trap测试系统,并实际利用Micro Trap测试系统对现场混装乳化炸药和现场混装重铵油炸药孔内爆速进行测量对比。结果显示现场混装乳化炸药次孔内爆速为5 467.0 m/s,现场混装重铵油炸药孔内爆速为5 926.5 m/s。分析得出在铁矿石爆破中孔内岩石的约束作用是炸药孔内爆速比地表爆速高的主要原因。 展开更多
关键词 混装炸药 爆速 microtrap测试系统 比对
在线阅读 下载PDF
多孔膜萃取/微捕集方法及在线测定水中挥发性有机物 被引量：8
5
作者 赵迪 沈铮 +3 位作者 闫晓辉 吴大朋 丁坤 关亚风 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1153-1158,共6页
基于多孔膜萃取水中挥发性有机物和微捕集技术,构建了一套水中挥发性有机物(Volatile OrganicCompounds,VOCs)样品前处理装置,可自动、在线、连续完成水中挥发性有机物萃取、富集、热解析,传输给气相色谱分离检测。实验分别对膜萃取材... 基于多孔膜萃取水中挥发性有机物和微捕集技术,构建了一套水中挥发性有机物(Volatile OrganicCompounds,VOCs)样品前处理装置,可自动、在线、连续完成水中挥发性有机物萃取、富集、热解析,传输给气相色谱分离检测。实验分别对膜萃取材料、萃取温度、萃取时间、吹扫气流速等进行了系统优化,并用于氯仿、1,2-二氯甲烷、四氯化碳、三氯乙烯、甲苯、四氯乙烯、乙苯、氯苯、苯乙烯9种挥发性有机物的检测。研究结果表明,采用膜萃取/微捕集装置,与气相色谱联用,在萃取温度60℃,萃取时间30 min,吹扫气流速8 mL/min条件下,采用氢焰离子化检测器(Flame ionization detector,FID),对氯代烃的检出限达到0.003～0.041μg/L,精确度为2.7%～13.0%,线性相关系数均大于0.9936,适用于在线检测水中挥发性有机物。 展开更多
关键词 膜萃取 微捕集 挥发性有机物
在线阅读 下载PDF
用原子芯片操纵中性原子 被引量：3
6
作者 柯敏 李晓林 王育竹 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2005年第1期48-81,共34页
　原子芯片提供了一个稳定、精确且功能强大的实验平台来制备和操纵中性超冷原子。本文概述了近年来原子芯片的研究发展状况,并介绍了原子芯片上微势阱的设计原理以及几个典型的原子芯片实验,然后讨论了芯片实验中的原子损失、加热和退... 　原子芯片提供了一个稳定、精确且功能强大的实验平台来制备和操纵中性超冷原子。本文概述了近年来原子芯片的研究发展状况,并介绍了原子芯片上微势阱的设计原理以及几个典型的原子芯片实验,然后讨论了芯片实验中的原子损失、加热和退相干机制,最后对原子芯片可能的发展方向进行了预测。 展开更多
关键词 中性原子 势阱 超冷原子 退相干 实验平台 研究发展 加热 芯片 功能 设计原理
在线阅读 下载PDF
微捕集在GCMS测定痕量有机污染物中的应用
7
作者 张玉玲 《广州化工》 CAS 2012年第5期49-50,共2页
微捕集技术可作为连接样品与GCMS之间的桥梁,使分析过程实现了样品的采样-浓缩-进样分析在线操作,具有操作简单、快速、无需溶剂,回收率高,样品预处理时间短,分析运行成本低等特点,可用于大气样品中痕量有机污染物的全自动分析。
关键词 大气 有机污染物 微捕集 热解吸
在线阅读 下载PDF
冷原子的双阱微磁表面囚禁 被引量：5
8
作者 胡建军 印建平 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期769-776,共8页
提出了两种新颖的采用载流导线的双阱微磁表面囚禁方案 (即双U形与双Z形导线囚禁 )。通过改变囚禁方案中直导线中的电流方向 ,即可将双U形导线囚禁改变为双Z形导线囚禁 ;如果逐渐减小直导线中的电流大小 ,即可将一个双阱微磁囚禁连续地... 提出了两种新颖的采用载流导线的双阱微磁表面囚禁方案 (即双U形与双Z形导线囚禁 )。通过改变囚禁方案中直导线中的电流方向 ,即可将双U形导线囚禁改变为双Z形导线囚禁 ;如果逐渐减小直导线中的电流大小 ,即可将一个双阱微磁囚禁连续地合并为一个单阱微磁囚禁 ,反之亦然。详细计算和分析了上述两种载流导线囚禁方案的磁场及其梯度的空间分布。研究发现在导线中通以较小的电流 ,即可在导线表面附近产生很大的磁场梯度及其曲率。例如当电流为 0 .2A时 ,其磁场梯度和曲率可分别达到 0 .2T/cm和 1 0T/cm2 以上。由于双U形导线囚禁中存在磁场零点 ,而双Z形导线囚禁中仅存在磁场最小值 ,所以双U形导线囚禁仅适用于制备双样品磁光囚禁 (MOT)或研究中性原子的冷碰撞 ,而双Z形导线囚禁除了可用于研究原子的冷碰撞之外 ,还可以用于制备双样品玻色爱因斯坦凝聚 (BEC) 展开更多
关键词 冷原子 双阱微磁表面囚禁 载流导线 原子囚禁 双样品玻色-爱因斯坦凝聚 冷碰撞 双样品磁光囚禁
原文传递
芯片表面的冷极性分子静电阱与微阱阵列 被引量：1
9
作者 吴言 刘思琪 李胜强 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2019年第4期483-490,共8页
提出一种利用三根载荷金属杆来实现在芯片表面陷俘冷极性分子的静电阱.给出空间静电场等高线分布.通过调节电极电压操控阱中心距离芯片表面的高度.用经典的蒙特卡罗方法模拟冷分子被装载和囚禁的动力学过程.方案对中心速度为11 m·... 提出一种利用三根载荷金属杆来实现在芯片表面陷俘冷极性分子的静电阱.给出空间静电场等高线分布.通过调节电极电压操控阱中心距离芯片表面的高度.用经典的蒙特卡罗方法模拟冷分子被装载和囚禁的动力学过程.方案对中心速度为11 m·s-1的冷分子束,最大装载效率可以达到40%,阱中分子的温度大约为25 mK.方案可以进一步微型化、集成化,形成一维和二维静电微阱阵列,在量子计算、低维物理等方面有应用价值. 展开更多
关键词 冷极性分子 静电表面阱 微阱阵列 蒙特卡罗(Monte Carlo)模拟
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部