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多发射极Si/SiGe异质结晶体管 被引量：1
1
作者 邹德恕 袁颖 +7 位作者 史辰 徐晨 杜金玉 陈建新 董欣 王东风 高国 沈光地 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期179-181,共3页
在硅衬底上外延生长一层Si_(1-x)Ge_x合金材料,它的带隙随组分x的增加而变窄,如果用Si_(1-x)Ge_x窄带材料作晶体管基区,利用硅作为集电极和发射极构成双极晶体管,就可以很容易实现器件的高频、高速、大功率。设计了一种以Si/Si_(1-x)Ge_... 在硅衬底上外延生长一层Si_(1-x)Ge_x合金材料,它的带隙随组分x的增加而变窄,如果用Si_(1-x)Ge_x窄带材料作晶体管基区,利用硅作为集电极和发射极构成双极晶体管,就可以很容易实现器件的高频、高速、大功率。设计了一种以Si/Si_(1-x)Ge_x/Si为纵向结构,梳状10指发射区为横向结构的异质结晶体管,利用双台面工艺方法制造出具有如下参数的器件:电流增益β=26、V_(CB)=7V、I_(CM)≥180mA、f_T≤ 2GHz,实现了高频大功率,充分显示出Si/Si_(1-x)Ge_x材料的优越性。 展开更多
关键词 Si/SiGe异质结双极晶体管 梳状结构 双台面工艺 功率晶体管
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微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用
2
作者 吴小利 张可峰 +3 位作者 唐恒敬 韩冰 李雪 龚海梅 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B09期951-953,共3页
微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段,本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中In-CaAs样品的少子寿命分布,结果表明,离子刻蚀使得样品少子寿命降低,非... 微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段,本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中In-CaAs样品的少子寿命分布,结果表明,离子刻蚀使得样品少子寿命降低,非均匀性增大,而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤,损伤区域中心的少子寿命增大,寿命分布也更加均匀,硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命,却使寿命分布均匀性变差。可见,微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布,对工艺改进具有重要的指导意义。 展开更多
关键词 微波反射光电导衰退法 InCaAs 台面 单项工艺
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OEIC台面腐蚀工艺研究
3
作者 范超 栗锐 +6 位作者 陈堂胜 杨立杰 冯欧 冯忠 陈辰 焦世龙 叶玉堂 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期241-244,共4页
深入研究了牺牲层腐蚀机制,摸索出完整的台面自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作。实验中发现了侧蚀、台面变形以及表面清洁等问题。从实验现象着手分析,并由此对工艺进行了改进,采用了新的腐蚀剂和工艺步骤。改进后的工艺解决了上述问... 深入研究了牺牲层腐蚀机制,摸索出完整的台面自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作。实验中发现了侧蚀、台面变形以及表面清洁等问题。从实验现象着手分析,并由此对工艺进行了改进,采用了新的腐蚀剂和工艺步骤。改进后的工艺解决了上述问题,可以完全满足后续工艺的要求。 展开更多
关键词 腐蚀自停止 光电集成电路 台面工艺
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基于MasterCAMX转台台面数控加工方法设计 被引量：1
4
作者 陈建刚 《煤矿机械》 北大核心 2012年第4期128-129,共2页
介绍了一种利用MasterCAMX对回转工作台台面进行参数化建模的结果,提高了回转工作台台面设计的效率,缩短台面工艺结构的开发周期,提高设计质量。由于回转工作台的台面自身的工艺结构特点,使得其制造过程相当复杂,这里借助MasterCAMX软... 介绍了一种利用MasterCAMX对回转工作台台面进行参数化建模的结果,提高了回转工作台台面设计的效率,缩短台面工艺结构的开发周期,提高设计质量。由于回转工作台的台面自身的工艺结构特点,使得其制造过程相当复杂,这里借助MasterCAMX软件对其进行仿真加工。同时自动生成数控NC代码,为回转工作台的数控加工工艺规程文件的设计提供了重要方法和数据。 展开更多
关键词 回转工作台 台面 MasterCAMX 仿真加工
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SiGe/Si异质结双极晶体管工艺技术研究
5
作者 贾素梅 杨瑞霞 +2 位作者 刘英坤 邓建国 高渊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期276-279,304,共5页
介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧... 介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧姆接触等工艺技术进行研究,探索出关键工艺的控制方法,并对采用以上工艺技术制作的多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管进行了I-V特性及频率特性测试。结果显示该器件饱和压降小,欧姆接触良好,直流电流放大倍数β随Ic变化不大,截止频率最高达到11.2 GHz。 展开更多
关键词 SIGE/SI异质结双极晶体管 能带工程 掺杂工程 台面结构 关键工艺
原文传递
台面造型腐蚀工艺技术改进的研究
6
作者 高建峰 王双谋 张猛 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2009年第9期81-82,共2页
通过将手动台面造型腐蚀工艺改进成为自动腐蚀工艺,从而使得台面造型腐蚀工艺量产化成为现实,而且芯片台面造型腐蚀厚度的均匀性,电气性能的一致性及其工艺成品率有了保障,收到了良好的效果。
关键词 腐蚀/台面造型 自动腐蚀工艺 量产化
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