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一种I^2C总线接口的串行时钟芯片
被引量：
9
1
作者
应建华
陈艳
郭艳
《华中科技大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期62-64,共3页
论述了一种采用I2C总线接口的串行实时时钟芯片的设计方法.该芯片是一个低功耗、完全BCD码的时钟/日历芯片,地址和数据通过I2C双向数据总线串行传输.时钟/日历提供秒、分、时、日、星期、月和年的时间信息;集成的249 byte的静态随机存储...
论述了一种采用I2C总线接口的串行实时时钟芯片的设计方法.该芯片是一个低功耗、完全BCD码的时钟/日历芯片,地址和数据通过I2C双向数据总线串行传输.时钟/日历提供秒、分、时、日、星期、月和年的时间信息;集成的249 byte的静态随机存储器(SRAM)可用于存储临时信息;内置了电源电压监控电路,可使芯片在掉电时自动转入电池供电模式,并对SRAM进行掉电保护;与微处理器连接时,只占用CPU的2条I/O口线(SDA口线和SCL口线),数据传输速率最高可达400 kHz.
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关键词
I^2C总线
实时时钟
串行接口
静态随机存储器
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职称材料
基于PXA255 XScale的外部存储器接口设计
被引量：
1
2
作者
李外云
刘锦高
黄振华
《电子器件》
EI
CAS
2006年第4期1250-1254,共5页
在利用ARM微处理器进行实际应用开发时,存储器接口设计是整个应用系统设计的关键。不同的ARM微处理器具有不同的存储器接口,所支持的存储器芯片型号和种类也不尽相同,但在设计方法上却大同小异。文中首先对PXA255微处理器所支持的三类...
在利用ARM微处理器进行实际应用开发时,存储器接口设计是整个应用系统设计的关键。不同的ARM微处理器具有不同的存储器接口,所支持的存储器芯片型号和种类也不尽相同,但在设计方法上却大同小异。文中首先对PXA255微处理器所支持的三类存储器接口设计进行了分析,并以接口设计实例阐明PXA255在进行存储器接口设计时的方法,最后给出了PXA255在实际应用系统中存储器接口设计原理图。
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关键词
PXA255微处理器
存储器接口
SDRAM
sram
PC/CF存储卡
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职称材料
高端SOC芯片的外部存储器接口设计
被引量：
2
3
作者
季爱慈
王世明
汪辉
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2006年第1期71-73,76,共4页
文章以一款24位高端SOC的设计经历,简单描述了SOC芯片的外部存储器接口设计以及实现方式。该方案的一个特点是:提出了在不同类型存储器存储空间之间可以进行存储空间的切换。并以SRAM的接口设计为例简单的介绍了如何进行外部存储器的接...
文章以一款24位高端SOC的设计经历,简单描述了SOC芯片的外部存储器接口设计以及实现方式。该方案的一个特点是:提出了在不同类型存储器存储空间之间可以进行存储空间的切换。并以SRAM的接口设计为例简单的介绍了如何进行外部存储器的接口设计。
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关键词
SOC
接口设计
sram
NandFiash
VERILOG
memory
SWITCH
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职称材料
TMS320C80与静态存储器的接口
4
作者
王明辉
李飚
任建芳
《微处理机》
1998年第4期24-28,共5页
本文简要地介绍了TMS320C80的外部存储器接口的功能和接口信号，讨论了TMS320C80通过传输控制器的存储器接口与外部静态存储器的接口方式、电路原理和设计方法，最后给出了设计实例。
关键词
TMS320C80
静态存储器
接口
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职称材料
栅介质氧化层缺失缺陷的形成原因及解决方案
被引量：
2
5
作者
张红伟
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第3期205-210,共6页
氮氧化技术是45 nm及以下技术节点栅介质制备的关键工艺,严格控制由氮氧化工艺所诱发的界面缺陷是提高栅介质质量的重点。研究了形成栅介质氧化层缺失缺陷的原因,并提出了解决方案。结果表明,原位水蒸气生成(ISSG)热氧化形成栅介质氧化...
氮氧化技术是45 nm及以下技术节点栅介质制备的关键工艺,严格控制由氮氧化工艺所诱发的界面缺陷是提高栅介质质量的重点。研究了形成栅介质氧化层缺失缺陷的原因,并提出了解决方案。结果表明,原位水蒸气生成(ISSG)热氧化形成栅介质氧化层后的实时高温纯惰性氮化热处理工艺是形成栅介质氧化层缺失缺陷的主要原因;在实时高温纯惰性氮化热处理工艺中引入适量的O2,可以消除栅介质氧化层的缺失缺陷。数据表明,引入适量O2后,栅介质氧化层的界面陷阱密度(Dit)和界面总电荷密度(ΔQtot)分别减少了12.5%和26.1%;p MOS器件负偏压不稳定性(NBTI)测试中0.1%样品失效时间(t0.1%)和50%样品失效时间(t50%)分别提高了18%和39%;32 MB静态随机存储器(SRAM)在正常工作电压和最小工作电压分别提高了9%和13%左右。
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关键词
原位水蒸气生成(ISSG)
栅介质氧化层缺失
界面态
负偏压不稳定性(NBTI)
静态随机存储器(
sram
)成品率
原文传递
题名
一种I^2C总线接口的串行时钟芯片
被引量：
9
1
作者
应建华
陈艳
郭艳
机构
华中科技大学电子科学与技术系
出处
《华中科技大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期62-64,共3页
基金
湖北省信息产业专项资金资助项目(05060)
文摘
论述了一种采用I2C总线接口的串行实时时钟芯片的设计方法.该芯片是一个低功耗、完全BCD码的时钟/日历芯片,地址和数据通过I2C双向数据总线串行传输.时钟/日历提供秒、分、时、日、星期、月和年的时间信息;集成的249 byte的静态随机存储器(SRAM)可用于存储临时信息;内置了电源电压监控电路,可使芯片在掉电时自动转入电池供电模式,并对SRAM进行掉电保护;与微处理器连接时,只占用CPU的2条I/O口线(SDA口线和SCL口线),数据传输速率最高可达400 kHz.
关键词
I^2C总线
实时时钟
串行接口
静态随机存储器
Keywords
I^2C bus
real-time clock
serial
interfaces
static radom access
memory
（
sram
）
分类号
TN46 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于PXA255 XScale的外部存储器接口设计
被引量：
1
2
作者
李外云
刘锦高
黄振华
机构
华东师范大学电子科学与技术系
出处
《电子器件》
EI
CAS
2006年第4期1250-1254,共5页
基金
上海市科委AM基金资助(0512)
文摘
在利用ARM微处理器进行实际应用开发时,存储器接口设计是整个应用系统设计的关键。不同的ARM微处理器具有不同的存储器接口,所支持的存储器芯片型号和种类也不尽相同,但在设计方法上却大同小异。文中首先对PXA255微处理器所支持的三类存储器接口设计进行了分析,并以接口设计实例阐明PXA255在进行存储器接口设计时的方法,最后给出了PXA255在实际应用系统中存储器接口设计原理图。
关键词
PXA255微处理器
存储器接口
SDRAM
sram
PC/CF存储卡
Keywords
PXA255 microprocessor
memory interfaces sdrm
,
sram
PC card/Compact Flash Card.
分类号
TP368.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
在线阅读
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职称材料
题名
高端SOC芯片的外部存储器接口设计
被引量：
2
3
作者
季爱慈
王世明
汪辉
机构
上海交通大学微电子学院
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2006年第1期71-73,76,共4页
文摘
文章以一款24位高端SOC的设计经历,简单描述了SOC芯片的外部存储器接口设计以及实现方式。该方案的一个特点是:提出了在不同类型存储器存储空间之间可以进行存储空间的切换。并以SRAM的接口设计为例简单的介绍了如何进行外部存储器的接口设计。
关键词
SOC
接口设计
sram
NandFiash
VERILOG
memory
SWITCH
Keywords
SOC, Interface design,
sram
, NandFlash, Verilog,
memory
switch
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
TMS320C80与静态存储器的接口
4
作者
王明辉
李飚
任建芳
机构
湖南长沙国防科技大学
出处
《微处理机》
1998年第4期24-28,共5页
文摘
本文简要地介绍了TMS320C80的外部存储器接口的功能和接口信号，讨论了TMS320C80通过传输控制器的存储器接口与外部静态存储器的接口方式、电路原理和设计方法，最后给出了设计实例。
关键词
TMS320C80
静态存储器
接口
Keywords
TMS320C80
external
memory
interface
sram
分类号
TP334.7 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
栅介质氧化层缺失缺陷的形成原因及解决方案
被引量：
2
5
作者
张红伟
机构
上海华力微电子有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第3期205-210,共6页
基金
国家重大科技02专项资助项目(2011ZX02501)
文摘
氮氧化技术是45 nm及以下技术节点栅介质制备的关键工艺,严格控制由氮氧化工艺所诱发的界面缺陷是提高栅介质质量的重点。研究了形成栅介质氧化层缺失缺陷的原因,并提出了解决方案。结果表明,原位水蒸气生成(ISSG)热氧化形成栅介质氧化层后的实时高温纯惰性氮化热处理工艺是形成栅介质氧化层缺失缺陷的主要原因;在实时高温纯惰性氮化热处理工艺中引入适量的O2,可以消除栅介质氧化层的缺失缺陷。数据表明,引入适量O2后,栅介质氧化层的界面陷阱密度(Dit)和界面总电荷密度(ΔQtot)分别减少了12.5%和26.1%;p MOS器件负偏压不稳定性(NBTI)测试中0.1%样品失效时间(t0.1%)和50%样品失效时间(t50%)分别提高了18%和39%;32 MB静态随机存储器(SRAM)在正常工作电压和最小工作电压分别提高了9%和13%左右。
关键词
原位水蒸气生成(ISSG)
栅介质氧化层缺失
界面态
负偏压不稳定性(NBTI)
静态随机存储器(
sram
)成品率
Keywords
in-situ stream generation（ISSG）
gate dielectric oxide missing
interface state
negative bias temperature instability（NBTI）
static random access
memory
（
sram
） yield
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种I^2C总线接口的串行时钟芯片
应建华
陈艳
郭艳
《华中科技大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
9
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于PXA255 XScale的外部存储器接口设计
李外云
刘锦高
黄振华
《电子器件》
EI
CAS
2006
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
高端SOC芯片的外部存储器接口设计
季爱慈
王世明
汪辉
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2006
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
TMS320C80与静态存储器的接口
王明辉
李飚
任建芳
《微处理机》
1998
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
5
栅介质氧化层缺失缺陷的形成原因及解决方案
张红伟
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015
2
原文传递
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