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SRAM K6R4016V1D单粒子闩锁及防护试验研究 被引量：10
1
作者 余永涛 封国强 +2 位作者 陈睿 上官士鹏 韩建伟 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第B09期587-591,共5页
本工作利用脉冲激光单粒子效应模拟试验装置对三星公司的SRAM K6R4016V1D进行了单粒子闩锁效应试验研究。试验测得了此器件的单粒子闩锁效应脉冲激光能量阈值、闩锁截面曲线和闩锁电流。针对这款器件,还对工程中防护闩锁过流常用的限流... 本工作利用脉冲激光单粒子效应模拟试验装置对三星公司的SRAM K6R4016V1D进行了单粒子闩锁效应试验研究。试验测得了此器件的单粒子闩锁效应脉冲激光能量阈值、闩锁截面曲线和闩锁电流。针对这款器件,还对工程中防护闩锁过流常用的限流和断电方法进行了试验研究。试验结果表明,该器件具有非常低的单粒子闩锁效应阈值能量和很高的闩锁饱和截面,对空间辐射环境极其敏感。 展开更多
关键词 脉冲激光 单粒子闩锁效应 限流电阻 断电解除闩锁
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瞬时辐射对80C31单片机性能的影响 被引量：7
2
作者 周开明 谢泽元 杨有莉 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期981-984,共4页
研究了80C31单片机瞬时剂量率辐射特性和闭锁电流随“闪光-1”γ射线剂量率的变化规律,分析了80C31单γ片机在浅和深闭锁时具有不同的电流特性。
关键词 80C31单片机 剂量率 闭锁电流
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反熔丝型现场可编程门阵列单粒子锁定实验研究 被引量：5
3
作者 田恺 曹洲 +4 位作者 薛玉雄 杨世宇 周新发 刘群 彭飞 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期855-859,共5页
利用单粒子效应脉冲激光和锎源模拟试验系统,对反熔丝型A42MX36现场可编程门阵列进行了单粒子锁定敏感性评估试验。脉冲激光试验确定了单粒子锁定脉冲激光阈值能量及其等效重离子LET、锁定电流等敏感参数;锎源模拟试验确定了单粒子锁定... 利用单粒子效应脉冲激光和锎源模拟试验系统,对反熔丝型A42MX36现场可编程门阵列进行了单粒子锁定敏感性评估试验。脉冲激光试验确定了单粒子锁定脉冲激光阈值能量及其等效重离子LET、锁定电流等敏感参数;锎源模拟试验确定了单粒子锁定截面。对试验中出现的由单粒子绝缘击穿和单粒子伪锁定引起的电流跃变现象进行了讨论和分析。 展开更多
关键词 A42MX36现场可编程门阵列 电流跃变 单粒子绝缘击穿 单粒子伪锁定
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