期刊导航
期刊开放获取
vip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
用GAT器件实现高电压与高频率、高电流增益兼容的定量分析
1
作者
庄宝煌
黄美纯
+3 位作者
朱梓忠
张志鹏
李开航
吴丽清
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期831-836,共6页
通过作者最近建立的关于GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型。
关键词
功率器件
基区穿通电压
频率
电流增益
GAT器件
在线阅读
下载PDF
职称材料
硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析
2
作者
黄流兴
魏同立
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
1994年第2期8-14,共7页
具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管（ＰＨＢＴ），其能带结构类似于真实异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的能带结构，本文研究了硅赝异质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系，...
具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管（ＰＨＢＴ），其能带结构类似于真实异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的能带结构，本文研究了硅赝异质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系，并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。
展开更多
关键词
双极晶体管
赝异质结
硅
电子参数
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
用GAT器件实现高电压与高频率、高电流增益兼容的定量分析
1
作者
庄宝煌
黄美纯
朱梓忠
张志鹏
李开航
吴丽清
机构
厦门大学物理学系
出处
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期831-836,共6页
基金
国家自然科学基金!(69896260-06)
国家高技术研究发展计划资助!(863-715-010)
文摘
通过作者最近建立的关于GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型。
关键词
功率器件
基区穿通电压
频率
电流增益
GAT器件
Keywords
Pow er device, GAT, Base region punchthrough voltage, Frequency, Avalanche breakdow n voltage,
currentgain
, Com patibility
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析
2
作者
黄流兴
魏同立
机构
东南大学微电子中心
出处
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
1994年第2期8-14,共7页
基金
国家自然科学基金
文摘
具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管（ＰＨＢＴ），其能带结构类似于真实异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的能带结构，本文研究了硅赝异质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系，并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。
关键词
双极晶体管
赝异质结
硅
电子参数
Keywords
bipolar transistors
cutoff frequency
low temperature/ pseudo heterojunction
currentgain
base sheet resistance
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用GAT器件实现高电压与高频率、高电流增益兼容的定量分析
庄宝煌
黄美纯
朱梓忠
张志鹏
李开航
吴丽清
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1999
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析
黄流兴
魏同立
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
1994
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
