Adaptive Continuous Current Source Drivers for 1-MHz Boost PFC Converters 被引量：2

1

作者 ZHANG Zhiliang XUPengcheng CAI Wei 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第27期I0014-I0014,共1页

针对高频功率因数校正（power factor correction，PFC）变换器，提出自适应电流源驱动电路（current source driver，CSD）。由于PFC变换器的占空比在一个输入工频周期内不断变化，半桥结构CSD驱动电路很难应用于PFC场合中。为了解决... 针对高频功率因数校正（power factor correction，PFC）变换器，提出自适应电流源驱动电路（current source driver，CSD）。由于PFC变换器的占空比在一个输入工频周期内不断变化，半桥结构CSD驱动电路很难应用于PFC场合中。为了解决上述问题，提出全桥结构CSD电路。该CSD电路具有连续电感电流，且驱动电流会随着主功率MOSFET开关电流的自适应调整，以实现最优设计。详细给出工作原理、损耗分析和设计优化方法，并进行实验验证。 展开更多

关键词 PFC 驱动器 电流源 自适应 BOOST 变换器 功率MOSFET 功率因数校正

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直线变压器驱动源模块中自放电气体火花开关绝缘恢复的研究

2

作者 文振明 王志国 +3 位作者 吕明辉 姜晓峰 范思源 邱爱慈 《高电压技术》 北大核心 2025年第2期686-697,共12页

直线变压器驱动源(linear transformer driver,LTD)模块中的气体开关在充电过程中发生自放电后,会通过充电隔离电阻与其余支路的储能电容构成放电回路,这使得开关气体间隙的绝缘无法立即恢复,影响整个LTD模块的充电可靠性和一致性。为... 直线变压器驱动源(linear transformer driver,LTD)模块中的气体开关在充电过程中发生自放电后,会通过充电隔离电阻与其余支路的储能电容构成放电回路,这使得开关气体间隙的绝缘无法立即恢复,影响整个LTD模块的充电可靠性和一致性。为此首先基于单级LTD模块的电路仿真模型分析了自放电开关中的电流特性,自放电开关在本支路放电完毕后还存在数安培过阻尼衰减形式的泄漏电流。然后搭建了1个等价性实验平台以探究存在电阻-电容(R-C)放电续流时气体开关的绝缘恢复特性。分别研究了储能电容充电电压、开关运行气压以及开关间隙数量对续流持续时间以及续流截止阈值的影响。实验结果表明,续流的存在使得气体开关绝缘恢复所需时间延长了几十毫秒。随着开关运行气压的上升,续流持续时间略有增加,续流截止阈值有所减小。其余2个因素基本不影响续流特性,大多数情况下续流的截止阈值为0.4~0.6 A。不同大小隔离电阻下自放电开关泄漏电流持续时间存在最大值,综合考虑隔离能力和对模块充电一致性的影响,推荐隔离电阻的取值为50~100 kΩ。 展开更多

关键词 直线变压器驱动源 气体开关 自放电 泄漏电流 绝缘恢复 充电隔离电阻

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一种基于0.35μm CMOS工艺的14位100MSPS DAC设计 被引量：5

3

作者 朱樟明 杨银堂 +4 位作者 柴常春 殷和国 张春朋 付永朝 杨冰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期191-195,共5页

基于 TSMC 0 .3 5μm CMOS工艺设计了一种工作电压为 3 V/ 5 V的 1 4位 1 0 0 MSPS DAC。 1 4位DAC在 5 0 Ω负载条件下满量程电流可达 2 0 m A,当采样速率为 1 0 0 MHz时 ,5 V电源的满量程条件下功耗为1 90 m W,而 3 V时的相应功耗为 4... 基于 TSMC 0 .3 5μm CMOS工艺设计了一种工作电压为 3 V/ 5 V的 1 4位 1 0 0 MSPS DAC。 1 4位DAC在 5 0 Ω负载条件下满量程电流可达 2 0 m A,当采样速率为 1 0 0 MHz时 ,5 V电源的满量程条件下功耗为1 90 m W,而 3 V时的相应功耗为 45 m W该 DAC的积分非线性误差 ( IN L )为± 1 .5 LSB,微分非线性误差( DN L)为± 0 .75 LSB。在 1 2 5 MSPS,输出频率为 1 0 MHz条件下的无杂波动态范围 ( SFDR)为 72 d Bc。 展开更多

关键词 电流舵DAC 开关序列 电流开关驱动器 带隙基准源

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基于高速电流舵数/模转换器动态性能的电流开关驱动器 被引量：3

4

作者 朱樟明 杨银堂 +1 位作者 刘莉 刘帘曦 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期701-704,共4页

基于电流开关驱动器对高速电流舵D/A转换器动态性能的影响因素分析,提出了结合驱动信号交叉点理论、同步锁存技术和低驱动信号摆幅的电流开关驱动器设计技术,并设计了新型的电流开关驱动器电路.基于TSMC0 35μmCMOS工艺采用Hspice仿真工... 基于电流开关驱动器对高速电流舵D/A转换器动态性能的影响因素分析,提出了结合驱动信号交叉点理论、同步锁存技术和低驱动信号摆幅的电流开关驱动器设计技术,并设计了新型的电流开关驱动器电路.基于TSMC0 35μmCMOS工艺采用Hspice仿真工具,对电流开关驱动器进行仿真分析和应用验证.基于电流开关驱动器所实现的4位D/A转换器具有很低的输出伪信号,所实现的8位D/A转换器具有很高的无杂波动态范围,表明这种电流开关驱动器能保证高速D/A转换器的良好动态性能. 展开更多

关键词 电流开关驱动器 D/A转换器 数/模转换器 驱动信号 SPICE仿真 杂波 TSMC 高速 动态性能 同步

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一种1.8V 10位120MS/s CMOS电流舵D/A转换器IP核 被引量：3

5

作者 朱樟明 李亚妮 杨银堂 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期588-592,共5页

采用低摆幅低交叉点的高速CMOS电流开关驱动器结构和中心对称Q2随机游动对策拓扑方式的pMOS电流源阵列版图布局方式,基于TSMC0.18μm CMOS工艺实现了一种1.8V10位120MS/s分段温度计译码电流舵CMOS电流舵D/A转换器IP核.当电源电压为1.8V... 采用低摆幅低交叉点的高速CMOS电流开关驱动器结构和中心对称Q2随机游动对策拓扑方式的pMOS电流源阵列版图布局方式,基于TSMC0.18μm CMOS工艺实现了一种1.8V10位120MS/s分段温度计译码电流舵CMOS电流舵D/A转换器IP核.当电源电压为1.8V时,D/A转换器的微分非线性误差和积分非线性误差分别为0.25LSB和0.45LSB,当采样频率为120MHz,输出频率为24.225MHz时的SFDR为64.9dB.10位D/A转换器的有效版图面积为0.43mm×0.52mm,符合SOC的嵌入式设计要求. 展开更多

关键词 数字模拟转换器 CMOS 电流开关驱动器 匹配误差 电流源阵列

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白光LED驱动电路的设计与实现 被引量：11

6

作者 齐家 邓周虎 +1 位作者 侯明月 齐文涛 《电子科技》 2011年第9期42-44,共3页

通过对LED电气特性分析,根据其工作特点设计了一种以HV9910B为核心的市电供电PWM工作模式高效白光LED驱动电路。通过理论计算和实验测量,确定了电路的工作频率,测试结果表明,该驱动电路工作电压范围宽、恒流输出,转换效率超过85%。

关键词 LED 恒流驱动 开关电源

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一种应用于高速电流型DAC的电流开关驱动器 被引量：2

7

作者 陈珍海 季惠才 张甘英 《中国电子科学研究院学报》 2010年第5期523-526,共4页

就电流开关驱动器对高速电流型DAC动态性能的影响因素进行了分析,给出了设计应对措施,并设计了一种结构简单使用了同步锁存技术、低驱动信号摆幅技术和低信号交叉点技术的电流开关驱动器电路。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺模型,采用Hspic... 就电流开关驱动器对高速电流型DAC动态性能的影响因素进行了分析,给出了设计应对措施,并设计了一种结构简单使用了同步锁存技术、低驱动信号摆幅技术和低信号交叉点技术的电流开关驱动器电路。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺模型,采用Hspice仿真工具,对电流开关驱动器进行仿真分析,结果表明所设计驱动器电路功能正确。测试结果表明,应用该电流开关驱动器的一款嵌入式14位400MSPS DAC电路在输出80 MHz正弦信号时,达到76.47 dB的无杂散动态范围,所设计电流开关驱动器能保证高速电流型DAC的良好动态性能。 展开更多

关键词 电流开关驱动器 电流舵数模转换器 分段译码

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基于恒定开关频率DC-DC变换器的大功率LED驱动芯片 被引量：1

8

作者 徐瑶 杨维明 鲍钰文 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期88-93,共6页

完成了一种降压型恒流LED驱动芯片的设计。采用迟滞控制模式以提高芯片工作时的瞬态响应速度;采用电阻分压式二阶曲率补偿方法设计出低温度系数和高电源抑制比的带隙基准电路;对导通时间与关断时间电路进行设计改进,使导通时间与关断时... 完成了一种降压型恒流LED驱动芯片的设计。采用迟滞控制模式以提高芯片工作时的瞬态响应速度;采用电阻分压式二阶曲率补偿方法设计出低温度系数和高电源抑制比的带隙基准电路;对导通时间与关断时间电路进行设计改进,使导通时间与关断时间均与输入电压有关,且相互抵消,从而使开关频率仅由负载和外接电阻决定,保证了开关频率的稳定,且可按需求选择。采用ASMC 0.5μm BCD 60V工艺,完成芯片的设计,流片测试结果表明：芯片可在10-40V的工作电压范围内提供350mA的恒定驱动电流,纹波为70mA;在输出电流为350mA、驱动3个LED时的输出效率高达90%,且在相同负载条件下,输出电流变化时,输出效率基本不变。 展开更多

关键词 恒流 开关频率 发光二极管驱动电路 大功率 效率

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开关磁阻电机驱动系统电流波形及其对系统性能的影响 被引量：4

9

作者 徐国卿 陈永校 《微特电机》 北大核心 1995年第6期2-5,共4页

开关磁阻电机驱动系统具有电机结构坚固、系统调速特性优良等特点,整个系统的输出特性与电机电流波形有密切的关系,本文在分析开关磁阻电机电流波形特点与电机输出特性的基础上,结合所研制的样机,分析了电机电流波形对系统运行特性的影... 开关磁阻电机驱动系统具有电机结构坚固、系统调速特性优良等特点,整个系统的输出特性与电机电流波形有密切的关系,本文在分析开关磁阻电机电流波形特点与电机输出特性的基础上,结合所研制的样机,分析了电机电流波形对系统运行特性的影响,导出了开关磁阻电机实现最优运行的电流控制策略. 展开更多

关键词 开关磁阻电机 驱动系统 电流波形

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基于驱动电流动态调节的低过冲低损耗SiC MOSFET有源门极驱动 被引量：10

10

作者 刘平 李海鹏 +3 位作者 苗轶如 陈常乐 陈梓健 孟锦豪 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第18期5730-5741,共12页

与硅基功率器件相比,碳化硅(silicon carbide,SiC)MOSFET具有开关速度更快、导通损耗更低等优点,将越来越广泛的应用于高效高功率密度场合。但是,其开关特性对寄生参数非常敏感,在高速开关过程中极易产生瞬态电压电流尖峰和高频开关振荡... 与硅基功率器件相比,碳化硅(silicon carbide,SiC)MOSFET具有开关速度更快、导通损耗更低等优点,将越来越广泛的应用于高效高功率密度场合。但是,其开关特性对寄生参数非常敏感,在高速开关过程中极易产生瞬态电压电流尖峰和高频开关振荡,严重威胁Si C基变换器的可靠运行。针对这一问题,文中对SiC MOSFET的开关暂态过程进行深入分析,揭示门极驱动电流对开关过程电压电流过冲、振荡与开关损耗的影响机理。在此基础上,提出一种驱动电流分段动态调节的SiC MOSFET有源门极驱动电路,即根据开关过程不同阶段的状态反馈动态调整器件门极驱动电流。实验结果表明,所提出的方法能够在维持低开关损耗的同时,实现了对SiC MOSFET开关过程中电压电流过冲和高频振荡的有效抑制,提升SiC基电力电子装置的动态性能与运行可靠性。 展开更多

关键词 SiC MOSFET 有源门极驱动 电流动态调节 过冲 振荡 开关损耗

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一种电流自适应的尖峰电压限制型功率管关断控制方法 被引量：5

11

作者 袁义生 伍群芳 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第30期5425-5433,共9页

针对传统的驱动电路固定化的驱动电流无法优化开关器件损耗的问题,提出了一种根据开关管电流调整器件关断速度的方法。在一个平均电流控制的Boost电路中,用电流指令信号来调节驱动电路的关断电流大小。当电流指令信号越大时,驱动电流的... 针对传统的驱动电路固定化的驱动电流无法优化开关器件损耗的问题,提出了一种根据开关管电流调整器件关断速度的方法。在一个平均电流控制的Boost电路中,用电流指令信号来调节驱动电路的关断电流大小。当电流指令信号越大时,驱动电流的关断电流越小;反之相反。这样就实现了在小电流(轻载)下开关管的关断速度更快,关断损耗更小。可以使用一个晶体管电路来实现电流指令对驱动关断电流的调整。设计的原则是,在一定的小电流下器件的关断电压尖峰不大于额定电流下器件的关断电压尖峰。分析了器件的关断特性,讨论了尖峰电压与驱动电流和漏感之间的关系。在一个200 V输入/380 V输出/功率1 kW的Boost电路上进行测试,结果表明采用所提出的驱动电路,轻载下效率比传统的方法提升了1%以上。 展开更多

关键词 驱动电路 功率开关管 电压尖峰 电流自适应 关断速度 功率损耗

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一种新颖的激光驱动器芯片温度补偿电路

12

作者 林双喜 陈晓飞 陈松涛 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期139-142,共4页

基于对激光二极管(LD)输出光功率与流过其上的电流及温度变化关系的分析,研究了激光驱动器芯片温度补偿电路的补偿原理和实现方案,提出了一种简单新颖的称之为温控电流开关的电路,通过片外编程对输出调制电流的温度补偿起点以及补偿力... 基于对激光二极管(LD)输出光功率与流过其上的电流及温度变化关系的分析,研究了激光驱动器芯片温度补偿电路的补偿原理和实现方案,提出了一种简单新颖的称之为温控电流开关的电路,通过片外编程对输出调制电流的温度补偿起点以及补偿力度进行调节。仿真结果显示3.3V工作电压下该电路调制电流的温度补偿斜率可从400 ppm/℃到2×104ppm/℃变化,调制电流的温度补偿起点可从20℃到75℃变化,从而能够灵活地满足不同激光二极管的不同特性的要求。 展开更多

关键词 温度补偿 调制电流 温控电流开关 激光驱动器

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延时效应对直线变压器电子束源的影响

13

作者 向飞 谭杰 王淦平 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期2951-2954,共4页

从长脉冲直线变压装置故障试验出发,对其波形顶部展宽、前沿变短现象进行了分析。利用电流传导理论,探讨了波叠加延迟效应。通过3维仿真分析,得到了不同时序激励的输出波形。结果表明:靠近二极管端单元为首模块时,开关触发延时与波叠加... 从长脉冲直线变压装置故障试验出发,对其波形顶部展宽、前沿变短现象进行了分析。利用电流传导理论,探讨了波叠加延迟效应。通过3维仿真分析,得到了不同时序激励的输出波形。结果表明:靠近二极管端单元为首模块时,开关触发延时与波叠加传输延迟可相互抵消,实现波形优化目标。 展开更多

关键词 直线变压器 长脉冲微波驱动源 电流传导 开关延时 首模块

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电晕均压多间隙串联气体开关特性实验 被引量：8

14

作者 姜晓峰 丛培天 +4 位作者 孙凤举 孙铁平 梁天学 魏浩 王志国 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期154-158,共5页

研制了一种电晕放电均压的小型多间隙串联气体开关,分析了电晕放电在开关工作过程中的作用,开展了开关自击穿特性、电晕放电伏安特性、针尖烧蚀以及开关寿命测试等特性实验。结果表明:老练后开关自击穿电压标准偏差小于3.5%,电晕均压效... 研制了一种电晕放电均压的小型多间隙串联气体开关,分析了电晕放电在开关工作过程中的作用,开展了开关自击穿特性、电晕放电伏安特性、针尖烧蚀以及开关寿命测试等特性实验。结果表明:老练后开关自击穿电压标准偏差小于3.5%,电晕均压效果明显;随着放电次数增加,电晕针尖逐渐钝化,触发性能变化不大;开关电晕放电电流随耐受电压升高增大,增长趋势逐渐变快;开关充400kPa干燥空气,±100kV工作电压下开关放电50 000次以上,触发性能稳定,触发击穿时延抖动约4.3ns,自放电概率低于1×10^(-4)。 展开更多

关键词 快脉冲直线变压器驱动源 多间隙串联气体开关 自击穿 伏安特性 电晕放电 烧蚀

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一种用于三相无刷直流电机驱动的软开关电路 被引量：1

15

作者 孙江 张波 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期680-683,共4页

提出了一种用于三相无刷直流电机(BLDCM)驱动芯片的软开关电路。利用提出的控制电路,实现了输出换相切换时的平稳过渡。该软开关控制电路在驱动相进入驱动状态或退出驱动时起作用,实现了驱动或退出驱动的平稳过渡,有效抑制电机换相时负... 提出了一种用于三相无刷直流电机(BLDCM)驱动芯片的软开关电路。利用提出的控制电路,实现了输出换相切换时的平稳过渡。该软开关控制电路在驱动相进入驱动状态或退出驱动时起作用,实现了驱动或退出驱动的平稳过渡,有效抑制电机换相时负载线圈上的电流波动及发热,实现了换相转动力矩的平稳切换。该控制电路完全集成于电机驱动芯片内部,不使用外部元件和引脚。通过UMC 0.6μm 5V2P3MBiCMOS工艺,对电路进行流片验证。芯片样品测试结果表明,该软开关控制电路可实现驱动换相的平稳切换。 展开更多

关键词 软开关 三相无刷直流电机 换相电流 电机驱动

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用于测试CMOS输出驱动器电流变化率的新电路

16

作者 徐栋麟 郭新伟 +1 位作者 徐志伟 任俊彦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1075-1080,共6页

提出了一种新的用于测试 CMOS输出驱动器电流变化率的电路结构 .它把片上电感引入到测试系统中作为对实际封装寄生电感的等效 ,从而排除了测试时复杂的芯片 -封装界面的影响 .这种电路结构不仅可以用于实际测算输出驱动器的性能指标 ,... 提出了一种新的用于测试 CMOS输出驱动器电流变化率的电路结构 .它把片上电感引入到测试系统中作为对实际封装寄生电感的等效 ,从而排除了测试时复杂的芯片 -封装界面的影响 .这种电路结构不仅可以用于实际测算输出驱动器的性能指标 ,还可以用于研究 VL SI电路中的同步开关噪声问题 .该设计方法在新加坡特许半导体公司的 0 .6μm CMOS工艺线上进行了流片验证 .测试结果表明 ,这一测试结构能有效地表征 CMOS输出驱动器的电流变化率的性能指标和 VL 展开更多

关键词 输出驱动器 电流变化率 CMOS VLSI 集成电路

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基于SSL1623的LED驱动器设计

17

作者 李强 李磊 +3 位作者 吕广强 陈嵘 张伟超 王刚 《照明工程学报》 2012年第6期99-102,共4页

论文介绍了基于SSL1623的LED驱动器设计过程,分别对芯片控制电路、反激变压器和反馈环路进行了讨论,计算了驱动器的参数,最后给出了测试结果以及波形,并进行了分析。

关键词 LED驱动器 SSL1623 变压器 波谷开关 恒流

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多路半导体激光器驱动电路设计 被引量：13

18

作者 梅剑春 叶青 田建国 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期245-248,共4页

为了可切换多个半导体激光器,实现分时工作,并降低驱动电路的体积,采用多路选择开关和多路模拟开关,实现激光二极管和光敏二极管的切换,通过设置数模转换芯片不同工作点电压,实现了一种可以驱动多路不同型号激光二极管的电路。进行了理... 为了可切换多个半导体激光器,实现分时工作,并降低驱动电路的体积,采用多路选择开关和多路模拟开关,实现激光二极管和光敏二极管的切换,通过设置数模转换芯片不同工作点电压,实现了一种可以驱动多路不同型号激光二极管的电路。进行了理论分析和实验验证,取得了长时间稳定性测试数据。结果表明,电路恒流输出精度可达0.005%,驱动830nm激光二极管的输出功率不稳定度为0.048%,驱动1550nm激光二极管的输出功率不稳定度为0.046%,实现了光源的稳定输出。这一结果对实现小体积的多路半导体激光器驱动电路设计是有帮助的。 展开更多

关键词 激光技术 半导体激光器 恒流驱动 模拟开关

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14位200MSPS三段式电流舵D／A转换器的设计 被引量：3

19

作者 梁上泉 尹勇生 高明伦 《电子测量与仪器学报》 CSCD 2008年第3期78-82,共5页

为满足现代通信系统和混合信号领域的要求,本文设计了一款14位、200MSPS的D/A转换器。通过对线性度、动态性能、功耗和面积的折中考虑并对二进制加权电流源与单位电流源的优化组合,设计采用了三段式电流舵结构。文中重点讨论了关键电路... 为满足现代通信系统和混合信号领域的要求,本文设计了一款14位、200MSPS的D/A转换器。通过对线性度、动态性能、功耗和面积的折中考虑并对二进制加权电流源与单位电流源的优化组合,设计采用了三段式电流舵结构。文中重点讨论了关键电路的设计,并基于SMIC 0.35μm Mixed Signal 2P3M工艺模型对电路进行了仿真验证。仿真结果表明D/A转换器的非线性误差和无杂散动态范围都达到了设计指标的要求。 展开更多

关键词 三段式电流舵 温度计译码器 开关驱动器 单位电流源 带隙基准源

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一种16位1 GS/s电流舵型DAC的设计 被引量：8

20

作者 杨扬 李福乐 张春 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期277-280,共4页

设计了一种基于UMC 0.18μm CMOS工艺的16位1GS/s的电流舵型D/A转换器。该DAC采用7+4+5分段结构,1.8V/3V双电源供电,满摆幅输出电流为20mA。采用四开关结构、限幅开关驱动电路、两个cascode管的单位电流源以及两层结构的逻辑译码器,实... 设计了一种基于UMC 0.18μm CMOS工艺的16位1GS/s的电流舵型D/A转换器。该DAC采用7+4+5分段结构,1.8V/3V双电源供电,满摆幅输出电流为20mA。采用四开关结构、限幅开关驱动电路、两个cascode管的单位电流源以及两层结构的逻辑译码器,实现了优异的性能。在1GHz采样率、101.07MHz输入信号下,无杂散动态范围(SFDR)达到78.06dB。 展开更多

关键词 数字模拟转换器 四开关结构 限幅开关驱动电路 电流舵

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