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X-ray detection based on complementary metal-oxide-semiconductor sensors
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作者 Qian-Qian Cheng Chun-Wang Ma +3 位作者 Yan-Zhong Yuan Fang Wang Fu Jin Xian-Feng Liu 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2019年第1期43-48,共6页
Complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS) sensors can convert X-rays into detectable signals; therefore, they are powerful tools in X-ray detection applications. Herein, we explore the physics behind X-ray detecti... Complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS) sensors can convert X-rays into detectable signals; therefore, they are powerful tools in X-ray detection applications. Herein, we explore the physics behind X-ray detection performed using CMOS sensors. X-ray measurements were obtained using a simulated positioner based on a CMOS sensor, while the X-ray energy was modified by changing the voltage, current, and radiation time. A monitoring control unit collected video data of the detected X-rays. The video images were framed and filtered to detect the effective pixel points(radiation spots).The histograms of the images prove there is a linear relationship between the pixel points and X-ray energy. The relationships between the image pixel points, voltage, and current were quantified, and the resultant correlations were observed to obey some physical laws. 展开更多
关键词 X-ray detection SIMULATED POSITIONER complementary metal-oxide-semiconductor sensor Effective PIXEL POINTS
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DESIGN AND IMPLEMENTATION OF CMOS IMAGE SENSOR
2
作者 Liu Yu Wang Guoyu 《Journal of Electronics(China)》 2007年第1期95-99,共5页
A single Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) image sensor based on 0.35μm process along with its design and implementation is introduced in this paper. The pixel ar-chitecture of Active Pixel Sensor (APS) ... A single Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) image sensor based on 0.35μm process along with its design and implementation is introduced in this paper. The pixel ar-chitecture of Active Pixel Sensor (APS) is used in the chip,which comprises a 256×256 pixel array together with column amplifiers,scan array circuits,series interface,control logic and Analog-Digital Converter (ADC). With the use of smart layout design,fill factor of pixel cell is 43%. Moreover,a new method of Dynamic Digital Double Sample (DDDS) which removes Fixed Pattern Noise (FPN) is used. The CMOS image sensor chip is implemented based on the 0.35μm process of chartered by Multi-Project Wafer (MPW). This chip performs well as expected. 展开更多
关键词 complementary metal oxide semiconductor cmos Active Pixel sensor (APS) Fill factor Dynamic Digital Double Sample (DDDS) Fixed Pattern Noise (FPN)
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CMOS低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路设计
3
作者 徐雷钧 马宇杰 +2 位作者 黄磊 白雪 陈建锋 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期296-303,共8页
为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差... 为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差分驱动的自混频功率探测电路将辐射信号耦合至场效应管的栅极和源极,实现高响应度。通过电压缓冲级降低总体噪声,通过运算放大器有效放大探测信号。探测器线阵电路面积为0.8 mm^(2)。测试结果表明,当偏置电压为0.5 V时,该探测系统对0.37 THz辐射信号的电压响应度最大可达441 kV/W,对应的最小噪声等效功率为48 pW/Hz^(1/2)。相比单像素探测器,该探测器阵列可有效提升探测成像速度;相比传统的探测器阵列,该探测器阵列具有更优的性能参数。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos) 太赫兹 探测器 高响应度 低噪声
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Analysis of proton and γ-ray radiation effects on CMOS active pixel sensors 被引量:4
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作者 马林东 李豫东 +7 位作者 郭旗 文林 周东 冯婕 刘元 曾骏哲 张翔 王田珲 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第11期264-268,共5页
Radiation effects on complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS) active pixel sensors(APS) induced by proton and γ-ray are presented. The samples are manufactured with the standards of 0.35 μm CMOS technology.... Radiation effects on complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS) active pixel sensors(APS) induced by proton and γ-ray are presented. The samples are manufactured with the standards of 0.35 μm CMOS technology. Two samples have been irradiated un-biased by 23 MeV protons with fluences of 1.43 × 10^11 protons/cm^2 and 2.14 × 10^11 protons/cm-2,respectively, while another sample has been exposed un-biased to 65 krad(Si) ^60Co γ-ray. The influences of radiation on the dark current, fixed-pattern noise under illumination, quantum efficiency, and conversion gain of the samples are investigated. The dark current, which increases drastically, is obtained by the theory based on thermal generation and the trap induced upon the irradiation. Both γ-ray and proton irradiation increase the non-uniformity of the signal, but the nonuniformity induced by protons is even worse. The degradation mechanisms of CMOS APS image sensors are analyzed,especially for the interaction induced by proton displacement damage and total ion dose(TID) damage. 展开更多
关键词 complementary metal-oxide-semiconductorcmos active pixel sensor dark current fixedpattern noise quantum efficiency
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Path Recognition Algorithm of Tracking Robots Based on Image Sensor
5
作者 韩华 曹志强 +2 位作者 胡一帆 方易圆 黄镇 《Journal of Donghua University(English Edition)》 EI CAS 2014年第2期137-140,共4页
Path recognition is an inevitable core technology in the development of tracking robot. In this paper,the path tracking system of tracking robot can be realized by image sensor module based on camera to obtain lane im... Path recognition is an inevitable core technology in the development of tracking robot. In this paper,the path tracking system of tracking robot can be realized by image sensor module based on camera to obtain lane image information,and then extract the path through visual servo. The whole system can be divided into seven modules: micro control unit( MCU) processor module,image acquisition module,debugging module,motor drive module,servo drive module,speed sensor module,and voltage conversion module.In image pre-processing part,there is an introduction of binarization processing and the median filtering to strengthen the image information. About recognition algorithm,three key variables which are changed in the movement state are discussed and there are also many auxiliary algorithms that help to improve the path recognition.The experiment can verify that the whole system can accurately abstract the black guide lines from the white track and make the robot moving fast and stable by following the road parameters and conditions. 展开更多
关键词 complementary metal oxide semiconductor(cmos) tracking robots path recognition BINARIZATION median filtering
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基于忆阻器-CMOS的典型组合逻辑电路设计 被引量:2
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作者 吴建新 夏景圆 +2 位作者 王锡胜舜 戴高乐 钟祎 《华中科技大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第3期127-134,共8页
首先介绍忆阻器的通用模型原理及性能;随后对比例逻辑方法进行改良,优化逻辑单元结构;最后利用新型比例逻辑方法设计编码器、译码器、全加器、数据选择器等逻辑电路,并使用LTSPICE对设计的电路进行仿真验证和性能测试.分析结果表明:设... 首先介绍忆阻器的通用模型原理及性能;随后对比例逻辑方法进行改良,优化逻辑单元结构;最后利用新型比例逻辑方法设计编码器、译码器、全加器、数据选择器等逻辑电路,并使用LTSPICE对设计的电路进行仿真验证和性能测试.分析结果表明:设计的逻辑电路功能正确,具有功耗低、器件数量少的特点,使电路的复杂度大幅降低,为电路设计提供一种新的思路. 展开更多
关键词 忆阻器 互补金属氧化物半导体(cmos) 逻辑电路 LTSPICE 比例逻辑
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质子辐照星用CMOS图像传感器诱发RTS像素的试验研究
7
作者 赵子韬 文林 +3 位作者 李豫东 冯婕 刘炳凯 郭旗 《上海航天(中英文)》 2025年第4期89-96,共8页
空间高能质子会导致CMOS图像传感器(CIS)性能退化及像素异常,严重影响空间目标探测。为深入认识空间高能质子导致的CIS随机电报信号(RTS)像素问题,通过对空间用CIS进行质子辐照试验,结合室温及高温退火试验,获得了RTS像素的产生规律,分... 空间高能质子会导致CMOS图像传感器(CIS)性能退化及像素异常,严重影响空间目标探测。为深入认识空间高能质子导致的CIS随机电报信号(RTS)像素问题,通过对空间用CIS进行质子辐照试验,结合室温及高温退火试验,获得了RTS像素的产生规律,分析了RTS像素的产生机制。试验结果表明:质子导致的RTS像素暗信号会在至多9个台阶上跳变,RTS像素的台阶数目越高,其数量就越少,暗信号在各个台阶之间的跳变也越频繁。本文认为RTS像素暗信号的跳变来自缺陷构型波动,其中磷-空位(VP)缺陷对RTS像素的形成有重要贡献,本研究可为CIS抗辐射加固及在轨维护提供依据。 展开更多
关键词 cmos图像传感器(CIS) 质子辐照 位移损伤效应 随机电报信号(RTS) 异常像素
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基于田口方法的CMOS栅极掩膜层清洗工艺优化研究
8
作者 吴国才 张玉龙 +2 位作者 孙瑞 时建成 杨彪 《微纳电子技术》 2025年第5期87-93,共7页
返工清洗互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管栅极上的光刻胶掩膜层,不合理的工艺将会导致栅极膜层电阻的偏高。制备多晶硅/WSi2结构的CMOS栅极膜层,然后对栅极进行光刻图形化处理并明确光刻胶清洗的机理。通过引入田口方法组合清洗工艺... 返工清洗互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管栅极上的光刻胶掩膜层,不合理的工艺将会导致栅极膜层电阻的偏高。制备多晶硅/WSi2结构的CMOS栅极膜层,然后对栅极进行光刻图形化处理并明确光刻胶清洗的机理。通过引入田口方法组合清洗工艺中的变量和分析实验数据,确定了栅极膜层电阻偏高的主要因素。再结合WSi2的膜厚变化情况,推测引起电阻偏高的主要原因,提出调换清洗顺序的工艺优化方案并进行对比实验。结果显示,工艺优化后电阻差降低到了0.9Ω/□,相比优化前降低了84%,有效避免了因返工导致的CMOS栅极膜层电阻偏高的问题。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos)晶体管栅极 光刻胶清洗 田口方法 工艺优化 电阻差
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面向5G毫米波通信的低功耗CMOS射频前端集成电路设计
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作者 孙振凯 《通信电源技术》 2025年第21期13-15,共3页
为满足5G毫米波通信对高频段下低功耗、高集成度及高性能的需求,采用互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)工艺设计一套低功耗射频前端集成电路。通过优化低噪声放大器、功率放大器、混频器及接收机前... 为满足5G毫米波通信对高频段下低功耗、高集成度及高性能的需求,采用互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)工艺设计一套低功耗射频前端集成电路。通过优化低噪声放大器、功率放大器、混频器及接收机前端等核心模块的架构与性能,解决了毫米波频段下功耗高、寄生效应显著等问题。研究结果表明,该设计在28 GHz频段实现了高增益、高线性度及低噪声的协同工作,有效平衡了功耗与通信性能,为5G毫米波通信的低成本大规模应用提供了技术支撑。 展开更多
关键词 5G毫米波通信 互补金属氧化物半导体(cmos)工艺 射频前端 低功耗
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CMOS传感器紫外敏化膜层的厚度优化及其光电性能测试 被引量:10
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作者 刘琼 马守宝 +3 位作者 钱晓晨 阮俊 卢忠荣 陶春先 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期225-230,共6页
采用真空热阻蒸方式在CMOS图像传感器感光面上镀制不同厚度性比价高的Lumogen薄膜.研究发现不同Lumogen薄膜厚度的CMOS传感器的暗电流噪声未发生明显变化,说明真空热蒸发方式对互补金属氧化物半导体器件本身未造成热损伤;光响应非均匀... 采用真空热阻蒸方式在CMOS图像传感器感光面上镀制不同厚度性比价高的Lumogen薄膜.研究发现不同Lumogen薄膜厚度的CMOS传感器的暗电流噪声未发生明显变化,说明真空热蒸发方式对互补金属氧化物半导体器件本身未造成热损伤;光响应非均匀度随膜厚增加而增大;动态范围却随膜厚增加而减小;量子效率随膜厚增加呈现先增大后减小.同时,研究发现敏化膜层最佳厚度为389nm,此时CMOS传感器的量子效率提高了10%,且光响应非均匀度,动态范围均在相对较好的范围内. 展开更多
关键词 传感器技术 薄膜技术 紫外敏化 互补金属氧化物半导体传感器 荧光材料 量子效率 动态范围
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基于CMOS摄像头的智能车控制系统设计及实现 被引量:32
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作者 李旭东 廖中浩 孟娇 《吉林大学学报(信息科学版)》 CAS 2013年第4期414-418,共5页
针对智能车因单条引导线信息量少而引起的误识别问题,设计一种能自动识别和跟踪双边引导线的智能车系统。智能车以Freescale公司MC9S12XSl28作为核心控制器,利用COMS(Complementary Metal OxideSemiconductor)摄像头OV7620作为路径信息... 针对智能车因单条引导线信息量少而引起的误识别问题,设计一种能自动识别和跟踪双边引导线的智能车系统。智能车以Freescale公司MC9S12XSl28作为核心控制器,利用COMS(Complementary Metal OxideSemiconductor)摄像头OV7620作为路径信息采集装置,对采集图像进行二值化处理、去噪操作和边缘检测后提取路径信息、进而准确地判别跑道的形状,为舵机和电机提供控制依据,以使小车平稳快速地行驶。同时,提出将行驶状态与赛道信息综合考虑的措施,并通过PID(Proportional Integral Differential)控制策略以及实验测试,实现了对各种典型跑道的优化处理,使高速行进中的智能车具有良好的转向调节能力和加减速响应能力。智能车可以在以白色为底面颜色,两边有黑色引导线的跑道上运行,克服了因单条引导线信息量少而引起的误识别问题。 展开更多
关键词 cmos摄像头 智能车 图像处理 路径识别 PID控制
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一种改进型的CMOS电荷泵锁相环电路 被引量:7
12
作者 李演明 仝倩 +4 位作者 倪旭文 邱彦章 文常保 吴凯凯 柴红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期248-253,共6页
设计了一种宽频率范围的CMOS锁相环(PLL)电路,通过提高电荷泵电路的电流镜镜像精度和增加开关噪声抵消电路,有效地改善了传统电路中由于电流失配、电荷共享、时钟馈通等导致的相位偏差问题。另外,设计了一种倍频控制单元,通过编程锁频... 设计了一种宽频率范围的CMOS锁相环(PLL)电路,通过提高电荷泵电路的电流镜镜像精度和增加开关噪声抵消电路,有效地改善了传统电路中由于电流失配、电荷共享、时钟馈通等导致的相位偏差问题。另外,设计了一种倍频控制单元,通过编程锁频倍数和压控振荡器延迟单元的跨导,有效扩展了锁相环的锁频范围。该电路基于Dongbu HiTek 0.18μm CMOS工艺设计,仿真结果表明,在1.8 V的工作电压下,电荷泵电路输出电压在0.25~1.5 V变化时,电荷泵的充放电电流一致性保持很好,在100 MHz^2.2 GHz的输出频率内,频率捕获时间小于2μs,稳态相对相位误差小于0.6%。 展开更多
关键词 锁相环 电荷泵 鉴频鉴相器 压控振荡器 互补金属氧化物半导体(cmos )
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基于CMOS SOI工艺的射频开关设计 被引量:9
13
作者 蒋东铭 陈新宇 +1 位作者 许正荣 张有涛 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期142-145,162,共5页
采用0.18μm CMOS SOI工艺技术研制加工的单刀双掷射频开关,集成了开关电路、驱动器和静电保护电路。在DC^6GHz频带内,测得插入损耗0.7dB@2GHz、1dB@4GHz、1.5dB@6GHz,隔离度37dB@2GHz、31dB@4GHz、27dB@6GHz,在5GHz以内端口输入输出驻... 采用0.18μm CMOS SOI工艺技术研制加工的单刀双掷射频开关,集成了开关电路、驱动器和静电保护电路。在DC^6GHz频带内,测得插入损耗0.7dB@2GHz、1dB@4GHz、1.5dB@6GHz,隔离度37dB@2GHz、31dB@4GHz、27dB@6GHz,在5GHz以内端口输入输出驻波比≤1.5:1,输入功率1dB压缩点达到33dBm,IP3达到42dBm。可应用于移动通信系统。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 绝缘衬底上硅 射频开关 驱动器 集成
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CMOS图像传感器在太阳磁场观测中的应用研究 被引量:6
14
作者 段帷 宋谦 +5 位作者 白先勇 郭晶晶 冯志伟 邓元勇 林佳本 张建立 《天文学报》 CSCD 北大核心 2020年第4期43-52,共10页
磁场是太阳物理的第1观测量,当前太阳磁场观测研究正迈向大视场、高时空分辨率、高偏振测量精度以及空间观测的时代.中国首颗太阳观测卫星-先进天基太阳天文台(ASO-S)也配置了具有高时空分辨率、高磁场灵敏度的全日面矢量磁像仪(FMG)载... 磁场是太阳物理的第1观测量,当前太阳磁场观测研究正迈向大视场、高时空分辨率、高偏振测量精度以及空间观测的时代.中国首颗太阳观测卫星-先进天基太阳天文台(ASO-S)也配置了具有高时空分辨率、高磁场灵敏度的全日面矢量磁像仪(FMG)载荷,针对FMG载荷的需求,讨论了大面阵、高帧频互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器应用于太阳磁场观测的可行性.首先,基于滤光器型太阳磁像仪观测的原理,比较分析了目前CMOS图像传感器(可用的或是可选的两种快门模式)的特点,指出全局快门类型更适合FMG;其次搭建了CMOS传感器实验室测试系统,测量了CMOS图像传感器的像素增益及其分布规律;最后在怀柔太阳观测基地的全日面太阳望远镜上开展了实测验证,获得预期成果.在这些研究基础上,形成了FMG载荷探测器选型方向. 展开更多
关键词 仪器:探测器 太阳:磁场 cmos图像传感器 全局快门 有效载荷:FMG 滤光器型太阳磁像仪
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CCD与CMOS像素传感器γ射线电离辐射响应特性对比研究 被引量:6
15
作者 徐守龙 邹树梁 +2 位作者 黄有骏 郭赞 匡雅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期815-822,共8页
为了研究CCD与CMOS像素传感器对γ射线电离辐射的响应差异,对比研究了4类像素传感器的结构特点和辐射响应特性。通过辐射实验,对各传感器在不同辐射水平条件下的光子响应事件分布、平均灰度值以及典型光子响应事件进行研究。研究结果表... 为了研究CCD与CMOS像素传感器对γ射线电离辐射的响应差异,对比研究了4类像素传感器的结构特点和辐射响应特性。通过辐射实验,对各传感器在不同辐射水平条件下的光子响应事件分布、平均灰度值以及典型光子响应事件进行研究。研究结果表明:光子响应程度均与辐射剂量率相关;CCD像素传感器的沟道传输方式使每列像元间的辐射响应更容易相互干扰;平均灰度值随剂量率的增大存在明显的梯度,各积分周期内输出信号灰度值围绕均值上下波动,CCD像素传感器输出信号灰度浮动范围较小;CMOS像素传感器各像元对光子的响应更加明显,CCD像素传感器各像元的响应信号易与相邻像元发生串扰;各类像素传感器典型辐射响应事件区域中发生光子响应的像元数量随剂量率的增大而增多,响应事件并非单个光子的行为,而是反映了多个光子在区域内同时沉积能量的过程。本研究为开发像素传感器的γ射线辐射探测技术和应用提供了重要的理论分析和实验数据支撑。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 电荷耦合元件 像素传感器 光子电离辐射 辐射响应特性
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两通道按列输出CMOS图像的非均匀性及校正方法 被引量:6
16
作者 杨国鹏 周欣 +1 位作者 陈东 胡昌苗 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期2087-2093,共7页
为确保航空遥感图像产品相对辐射质量,提出了一种对两通道按列输出CMOS(互补金属氧化物半导体)图像的非均匀性进行校正的方法。以美国仙童公司CMOS探测器CIS2521F为例,通过实验室积分球观测试验研究了暗电流噪声、平均灰度、两通道输出... 为确保航空遥感图像产品相对辐射质量,提出了一种对两通道按列输出CMOS(互补金属氧化物半导体)图像的非均匀性进行校正的方法。以美国仙童公司CMOS探测器CIS2521F为例,通过实验室积分球观测试验研究了暗电流噪声、平均灰度、两通道输出等因素造成的图像非均匀性;然后,基于实验室积分球观测数据,采用两点线性法,校正了由按列放大输出导致的列状条带噪声;接着,通过优化拼接线附近图像灰度差异统计结果,校正了两通道响应不一致造成的图像辐射差异。试验表明,单通道图像非均匀校正使积分球观测图像的平均非均匀度量值由4.4下降至2.4,两通道图像非均匀校正消除了两通道图像的目视差异。原始航空遥感图像经过非均匀性校正后,图像灰度均匀,能够满足遥感图像判读要求。 展开更多
关键词 遥感图像 cmos 图像非均匀性 两通道输出 辐射校正
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无源温度标签中的超低功耗CMOS温度传感器设计 被引量:2
17
作者 冯鹏 邓元明 +5 位作者 伯林 刘力源 于双铭 李贵柯 王开友 吴南健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期572-578,602,共8页
设计了一种适用于无源超高频(UHF)温度标签的超低功耗CMOS温度传感器电路。该电路利用衬底pnp晶体管产生随温度变化的电压信号,同时采用了逐次逼近寄存器(SAR)转换和Σ-Δ调制相结合的模拟数字转换方式。为了降低电源电压波动以及... 设计了一种适用于无源超高频(UHF)温度标签的超低功耗CMOS温度传感器电路。该电路利用衬底pnp晶体管产生随温度变化的电压信号,同时采用了逐次逼近寄存器(SAR)转换和Σ-Δ调制相结合的模拟数字转换方式。为了降低电源电压波动以及采样电容电荷泄漏对传感器测温精度的不利影响,提出了一种具有漏电保护机制的采样电路。基于0.18μm CMOS工艺设计实现了该传感器的电路和版图,其中版图面积为550μm×450μm,并利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真。仿真结果表明,在-40~125℃,传感器的系统误差为-1.4~2.0℃,测温分辨率达到0.02℃;在1.2~2.6 V电源电压内,传感器输出温度波动小于0.3℃;在1.2 V电源电压下传感器电路(不含控制逻辑及数字滤波器)的功耗仅为2.4μW。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos) 温度传感器 超低功耗 无源 温度标签
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CMOS图像传感器在航天遥感中的应用 被引量:21
18
作者 王军 李国宏 《航天返回与遥感》 2008年第2期42-47,共6页
文章对互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器的应用情况进行了综述,对CMOS传感器的优缺点与CCD进行了比较。通过计算CMOS遥感器的理论信噪比,证明CMOS传感器能满足航天遥感应用。
关键词 互补金属氧化物半导体 图像传感器 信噪比 航天遥感
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基于FPGA的实时CMOS视频图像预处理系统 被引量:6
19
作者 徐渊 周清海 +1 位作者 张智 朱明程 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS 北大核心 2013年第4期416-422,共7页
架构一种实时互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)视频图像预处理系统的FPGA实现,该系统实现了图像传感器预处理的关键部分即色彩插值与色彩校正两大模块.在色彩插值处理中,引入一种简捷且有效的边界... 架构一种实时互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)视频图像预处理系统的FPGA实现,该系统实现了图像传感器预处理的关键部分即色彩插值与色彩校正两大模块.在色彩插值处理中,引入一种简捷且有效的边界处理方法;色彩校正中,针对CMOS传感器的特点提出一种RGB空间校正矩阵的便捷生成方法,并在该预处理系统实现了包括自动白平衡、色差校正和伽马校正的功能.设计实现在Xilinx spartan6 LX45T FPGA上,处理速度达120.758 MHz,能实时处理标准高清720P@60fps和1080P@30fps视频图像. 展开更多
关键词 集成电路技术 数据收集和处理系统 互补金属氧化物半导体 大规模集成电路芯片 现场可编程门阵列 实时 图像预处理 伽马校正 白平衡
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典型CMOS器件总剂量加速试验方法验证 被引量:3
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作者 罗尹虹 龚建成 +2 位作者 郭红霞 何宝平 张凤祁 《辐射研究与辐射工艺学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期241-245,共5页
应用美军标试验方法1019.5和1019.4分别对两种典型(ComplementaryMetal?Oxide?SemiconductorTransistor,CMOS)器件进行试验验证,论述了试验原理,对试验现象进行了详细的分析,了解实验室条件下评估空间氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷的可... 应用美军标试验方法1019.5和1019.4分别对两种典型(ComplementaryMetal?Oxide?SemiconductorTransistor,CMOS)器件进行试验验证,论述了试验原理,对试验现象进行了详细的分析,了解实验室条件下评估空间氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷的可行性和保守性。实验表明,两种不同工艺的CC4069器件没有通过1019.5所做出的试验验证,从实验现象观察认为是由于界面陷阱电荷大量建立所引起的。加固LC4007?RHANMOS却通过了与1019.5相比过分保守的1019.4的试验验证。 展开更多
关键词 美军标1019.5 互补型金属氧化物半导体器件 辐射效应评估
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