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一种圆柱型液晶化合物的合成与研究
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作者 李自法 张子勇 +1 位作者 张春晓 陈志军 《郑州大学学报(自然科学版)》 CAS 1993年第2期63-66,共4页
本文合成了一种圆柱型液晶化合物,通过元素分析、lR和NMR等手段对其结构进行了表征。采用DSC和偏光显微镜方法研究了它的液晶行为。
关键词 热致性液晶 圆柱型液晶 液晶化合物 合成
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聚(乙烯基对苯二甲酸二烷基酯)的非寻常相转变 被引量:2
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作者 刘鑫 郑晓慧 +5 位作者 刘小青 赵瑞颖 赵体鹏 刘琛阳 孙平川 陈尔强 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第9期1506-1516,共11页
以聚(乙烯基对苯二甲酸二烷基酯)(PDAVT)为对象,用热分析、X射线衍射、流变及固体核磁共振等方法考察了甲壳型液晶高分子中存在的"低温无序、高温有序"的非寻常相行为.实验证明,在升温过程中,烷基基团为丁基、己基和辛基的PDA... 以聚(乙烯基对苯二甲酸二烷基酯)(PDAVT)为对象,用热分析、X射线衍射、流变及固体核磁共振等方法考察了甲壳型液晶高分子中存在的"低温无序、高温有序"的非寻常相行为.实验证明,在升温过程中,烷基基团为丁基、己基和辛基的PDAVT(P4、P6和P8)可从无定形态发育出柱状(Col)液晶相,导致在高温区体系模量升高.降温时P6和P8可完全回到无定形态,表现出典型的"各向同性相重入"行为.PDAVT液晶相畴的生长具有一维生长的特点,是成核控制的,升高温度可加快Col相的形成.固体核磁共振实验表明,样品从无定形态转变为Col相的过程与侧链运动性的不断加强有密切关系.我们也初步探索了剪切场或拉伸场对液晶转变的影响,发现当温度不高时,剪切或拉伸既不改变液晶转变温度,也没有提高液晶态样品的液晶化程度.综合分析多方面的实验结果可以看出,PDAVT的非寻常相行为是熵主导的.侧链的加速运动会增强"甲壳效应",Col相是侧链熵最大化的结果. 展开更多
关键词 甲壳效应 柱状液晶相 各向同性相重入 熵致有序
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非晶Tb-Gd-Co合金薄膜特性研究
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作者 宛德福 胡用时 李佐宜 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1989年第6期151-154,共4页
磁光存储材料的研充,最重要的是探求实用化磁光介质薄膜材料和制备工艺.非晶稀土-过渡金属(以下缩写为RE-TM)材料,适于使用制作磁光盘已崭露头角,由三元合金Gd-Fe-Co或Tb-Fe-Co膜做成的磁光盘样机已经问世.在以(Tb,Gd)<sub>x&... 磁光存储材料的研充,最重要的是探求实用化磁光介质薄膜材料和制备工艺.非晶稀土-过渡金属(以下缩写为RE-TM)材料,适于使用制作磁光盘已崭露头角,由三元合金Gd-Fe-Co或Tb-Fe-Co膜做成的磁光盘样机已经问世.在以(Tb,Gd)<sub>x</sub>-(Fe,Co)<sub>1-x</sub>为基础的合金薄膜系列里,Tb-Gd-Co比Gd-Fe-Co有更大的矫顽力,这对提高存储密度是有利的.此外,Tb-Gd-Co材料还可以提供稍大的克尔(Kerr)旋转角θ<sub>k</sub>和宽温特性.近年来,人们很重视非晶Tb-Gd-Co膜的研究,Togami首先报道Tb-Gd-Co膜,随后,Luborsky等人从实验肯定Tb-Gd-Co膜用作磁光介质的稳定性.为使Tb-Gd-Co材料达到实用化,本文研究了溅射参数对非晶Tb-Gd-Co合金薄膜特性的影响。 展开更多
关键词 Tb─Gd─Co 合金薄膜 磁性材料
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聚苯乙烯-b-聚乙烯基吡啶超分子可控自组装及其表征
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作者 焦雅培 张辉 李学 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期405-411,共7页
嵌段共聚物超分子自组装体形成的有序结构能够提供比共价键更加稳定的连接位点,而有效且快速的退火方法是嵌段共聚物自组装技术中的研究热点。将嵌段共聚物聚苯乙烯-b-聚(4-乙烯基吡啶)(PS-b-P4VP)和3-n十五烷基苯酚(PDP)作为模型体系,... 嵌段共聚物超分子自组装体形成的有序结构能够提供比共价键更加稳定的连接位点,而有效且快速的退火方法是嵌段共聚物自组装技术中的研究热点。将嵌段共聚物聚苯乙烯-b-聚(4-乙烯基吡啶)(PS-b-P4VP)和3-n十五烷基苯酚(PDP)作为模型体系,三氯甲烷作为溶剂,制备出柱状结构的超分子组装体。功能性链段P4VP与小分子PDP之间具有强氢键作用,在饱和氯仿蒸汽退火的过程中,通过控制退火时间制备出高度有序的柱状结构固体样品。对柱状结构演变过程进行详细探究,扩展了其在多孔碳材料的制备、化妆品纳米载体技术、能量储存/转换装置等方面的应用。 展开更多
关键词 嵌段共聚物 超分子自组装 溶剂退火 有序柱状结构
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单层柱状结构薄膜体散射的理论研究 被引量:4
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作者 吴晗 张锦龙 +1 位作者 李刚正 孙英会 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期290-295,共6页
电子束蒸发的单层光学薄膜具有明显的柱状结构,薄膜内部折射率的变化较大,由此引起的体散射现象也较明显。基于一阶电磁微扰理论,建立了单层光学薄膜的体散射理论模型,分析了膜层厚度、入射光偏振态、柱状结构因子、非均质性对体散射的... 电子束蒸发的单层光学薄膜具有明显的柱状结构,薄膜内部折射率的变化较大,由此引起的体散射现象也较明显。基于一阶电磁微扰理论,建立了单层光学薄膜的体散射理论模型,分析了膜层厚度、入射光偏振态、柱状结构因子、非均质性对体散射的影响。研究了纯柱状结构下,电子束蒸发的单层二氧化铪(Hf O2)薄膜体散射的角分布散射值(ARS)随着膜层厚度的变化规律,结果表明纯柱状结构Hf O2薄膜体散射的ARS量级与表面散射完全非相关模型的ARS值相近,并且在特定的膜厚范围内,体散射的ARS值随着膜厚的增大而增大。对于非均质性薄膜,当非均质性一定时,体散射的ARS值随着膜厚的增大而增大;当膜层厚度一定时,体散射的ARS值随着非均质性绝对值的增大而减小。 展开更多
关键词 薄膜 体散射 一阶微扰理论 柱状结构因子 非均质性
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