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冲击波合成立方氮化硅 被引量:2
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作者 姚怀 徐巧玉 +1 位作者 唐敬友 唐翠霞 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期6-10,共5页
以α-Si3N4粉体作原材料,采用平面飞片加载装置和样品回收装置进行了冲击波压缩合成实验,完整地回收到c-Si3N4,其单次合成出的c-Si3N4达到克量级。在40GPa,3600K或在65GPa,6200K的条件下,都有c-Si3N4生成;在45~55GPa,4000~4500K的条件... 以α-Si3N4粉体作原材料,采用平面飞片加载装置和样品回收装置进行了冲击波压缩合成实验,完整地回收到c-Si3N4,其单次合成出的c-Si3N4达到克量级。在40GPa,3600K或在65GPa,6200K的条件下,都有c-Si3N4生成;在45~55GPa,4000~4500K的条件下,c-Si3N4的转化率比较高,最高可达80%。在冲击波合成c-Si3N4的过程中,伴随着生成一定量的β-Si3N4。合成出的c-Si3N4粉体团聚体的颗粒尺寸约为1μm。 展开更多
关键词 冲击压缩 平面飞片装置 立方氮化硅 合成
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