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高压自愈式电容器及其装置性能、故障与应用的关键问题研究
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作者 赵彦军 左强林 《电力电容器与无功补偿》 2025年第5期65-73,共9页
围绕干式自愈式电容器展开研究。从其关键特性出发,剖析击穿机理变化引发的问题,简述基膜与粗化膜粒料差异。基于金属化膜圆元件特性,分析卷绕张力对自愈能量影响,得出膜层间最大压强与元件直径成正比结论。针对导电极板薄致损耗大的特... 围绕干式自愈式电容器展开研究。从其关键特性出发,剖析击穿机理变化引发的问题,简述基膜与粗化膜粒料差异。基于金属化膜圆元件特性,分析卷绕张力对自愈能量影响,得出膜层间最大压强与元件直径成正比结论。针对导电极板薄致损耗大的特点,探讨成因,介绍油浸式全膜电容器“净化”位垒效应,分析其外壳温升高于油浸式的原因。依据热传导理论,分析干式电容器对壳绝缘及散热难题,建议降低对壳绝缘电压,对10kV级电容器装置提出分级绝缘设计,由绝缘平台承担系统绝缘水平。此外,分析温度、过压力等非电保护现存问题并提建议。针对电容无级变化特性,探讨内部故障保护问题,提出容衰与故障保护协同及安全容衰概念,依据IEC63210标准,建议以破坏性试验验证安全容衰可靠性。 展开更多
关键词 干式电容器 自愈式 高电压电容器装置 分级绝缘 安全容衰
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感应等离子纳米钽粉制备技术研究 被引量:5
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作者 尚福军 史洪刚 +3 位作者 王有祁 黄伟 田开文 吴红 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1119-1123,共5页
为了实现对感应等离子技术制备电容器级钽粉粒度、形貌的控制,进行了改变等离子工艺参数的粉体制备工艺试验,试验中考察等离子功率、送粉速率对制备粉体的粒度、粒度分布及其形貌的影响。试验结果表明:在一定等离子体功率下,随着送粉速... 为了实现对感应等离子技术制备电容器级钽粉粒度、形貌的控制,进行了改变等离子工艺参数的粉体制备工艺试验,试验中考察等离子功率、送粉速率对制备粉体的粒度、粒度分布及其形貌的影响。试验结果表明:在一定等离子体功率下,随着送粉速率的增加,粉体平均粒径增加,比表面积下降;在一定送粉速率下,随着等离子体功率的增加,粉体平均粒径减小,比表面积增加。感应等离子工艺参数的变化可以改变制备粉体性能。 展开更多
关键词 材料实验 感应等离子 电容器级 纳米 钽粉
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等离子体技术对钽粉杂质含量降低作用机制 被引量:5
3
作者 尚福军 黄伟 +2 位作者 史洪刚 田开文 吴红 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2009年第2期63-67,共5页
为摸清连续式、感应等离子体粉体制备技术对电容器级钽粉杂质含量水平的降低作用机制,进行不同原料粉体针对同一等离子工艺和不同等离子工艺参数针对同一粉体的制备试验,并对比分析不同原料处理前后钽粉的杂质含量和不同等离子工艺处理... 为摸清连续式、感应等离子体粉体制备技术对电容器级钽粉杂质含量水平的降低作用机制,进行不同原料粉体针对同一等离子工艺和不同等离子工艺参数针对同一粉体的制备试验,并对比分析不同原料处理前后钽粉的杂质含量和不同等离子工艺处理后钽粉的杂质含量。结果表明,感应等离子体技术制备对降低电容器级钽粉的杂质含量具有显著作用,与国家有色金属工业标准YS/T573—2007中比电容最高的牌号为FTa-120K钽粉的杂质含量对比分析发现,氧质量分数降低20%以上,碳、钾、钠元素的质量分数降低90%以上;等离子体与原料粉体的耦合作用越强,对粉体杂质含量的降低效果越明显。 展开更多
关键词 感应等离子体 电容器级 纳米 钽粉 杂质含量 机制
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原料粉体对感应等离子制备钽粉性能影响 被引量:5
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作者 尚福军 史洪刚 +3 位作者 王有祁 黄伟 田开文 吴红 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2009年第5期64-68,共5页
利用连续式、感应等离子体技术进行电容器级纳米钽粉制备技术研究,对制备的粉体进行比表面积测试、扫描电镜的形貌观察和粒度分布的统计。结果表明:感应等离子体技术制备的钽粉形貌为球形;手套箱粉体比表面积最高达到40 m2/g以上;随原... 利用连续式、感应等离子体技术进行电容器级纳米钽粉制备技术研究,对制备的粉体进行比表面积测试、扫描电镜的形貌观察和粒度分布的统计。结果表明:感应等离子体技术制备的钽粉形貌为球形;手套箱粉体比表面积最高达到40 m2/g以上;随原料粉体粒径的减小,分散性越好,粉体与感应等离子体的能量耦合程度越高。 展开更多
关键词 感应等离子体 电容器级 钽粉 纳米
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感应等离子工艺参数对制备电容器级钽粉性能的影响 被引量:5
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作者 梁栋 侯击波 +4 位作者 殷涛 尚福军 史洪刚 黄伟 史文璐 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2010年第3期46-50,共5页
为实现对感应等离子技术制备电容器级钽粉粒度、形貌的控制,进行改变等离子工艺参数的粉体制备工艺试验,研究冷却气体流量、送入粉体的进口位置、等离子气氛对粉体粒度及其形貌的影响。结果表明,感应等离子工艺参数的变化可以显著改变... 为实现对感应等离子技术制备电容器级钽粉粒度、形貌的控制,进行改变等离子工艺参数的粉体制备工艺试验,研究冷却气体流量、送入粉体的进口位置、等离子气氛对粉体粒度及其形貌的影响。结果表明,感应等离子工艺参数的变化可以显著改变制备粉体的性能。制备的钽粉全部为球形,感应等离子技术可以完成纳米级电容器钽粉的制备。 展开更多
关键词 感应等离子 电容器级 纳米 钽粉
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40.5kV投切电容器组用双断口真空断路器的研究 被引量:11
6
作者 耿英三 陈榆秀 +4 位作者 孙超 闫静 颜莉萍 秦成伟 王荃 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期24-28,共5页
针对40.5 k V真空断路器投切电容器组时重击穿概率高这一亟待解决的技术难题,利用串联断口技术实现电容器组电流开合,提出了40.5 k V双断口真空断路器的设计方案并进行了深入研究,以满足电力系统的要求。建立了由高频涌流振荡回路和工... 针对40.5 k V真空断路器投切电容器组时重击穿概率高这一亟待解决的技术难题,利用串联断口技术实现电容器组电流开合,提出了40.5 k V双断口真空断路器的设计方案并进行了深入研究,以满足电力系统的要求。建立了由高频涌流振荡回路和工频振荡回路组成的容性电流开合试验回路,在试验样机上完成了多组背对背电容器组开合试验,表明双断口真空断路器可显著降低投切电容器组时的重击穿概率。采用合成试验方法对该样机进行了短路电流开合试验,表明双断口真空断路器具有足够的短路开断能力。为保证每个断口的工作负荷相近,对并联均压电容数值的选取进行了试验研究并确定了样机的优选值为400 p F。因此,文中提出的用于投切电容器组的40.5 k V双断口真空断路器设计方案是完全可行的。 展开更多
关键词 双断口真空断路器 投切电容器组 重击穿 合闸涌流 均压电容
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断路器均压电容爆炸原因的仿真分析与研究 被引量:13
7
作者 周莉 童雪芳 +1 位作者 文习山 鲁海亮 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期34-37,共4页
用ATP仿真程序模拟了某断路器均压电容器正常操作时爆炸的过程以确定故障原因。断路器重燃过程和电容器击穿过程的模拟通过自动暂态控制开关(TACS)编程实现,3种故障原因的仿真波形图与故障录波图吻合,从而确定故障的真正原因是并联均压... 用ATP仿真程序模拟了某断路器均压电容器正常操作时爆炸的过程以确定故障原因。断路器重燃过程和电容器击穿过程的模拟通过自动暂态控制开关(TACS)编程实现,3种故障原因的仿真波形图与故障录波图吻合,从而确定故障的真正原因是并联均压电容本身的绝缘缺陷未能承受正常的操作过电压而多次击穿。 展开更多
关键词 均压电容器 爆炸 ATP仿真 重燃
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500kV断路器均压电容器介质损耗超标分析 被引量:21
8
作者 何杰 吕永红 +7 位作者 王四保 陈山中 郭建宏 吴怀玉 李红喜 吴斌 宋晓琳 陈昱同 《中国电力》 CSCD 北大核心 2011年第5期34-37,64,共5页
针对目前变电站中500 kV高压断路器均压电容器在10 kV试验电压下介损试验值超标的现象,对均压电容器的特性进行分析,并在实验室进行了升高试验电压下介质损耗试验。试验数据分析表明:在均压电容器中存在Garton效应,加上现场的高电压及... 针对目前变电站中500 kV高压断路器均压电容器在10 kV试验电压下介损试验值超标的现象,对均压电容器的特性进行分析,并在实验室进行了升高试验电压下介质损耗试验。试验数据分析表明:在均压电容器中存在Garton效应,加上现场的高电压及强磁场的干扰,常规10 kV介质损耗试验电压远低于额定电压,很难真实反映均压电容器的绝缘缺陷。而升高试验电压或额定电压下的介损试验可以反映绝缘内部潜在缺陷的类型和发展情况,可以消除Garton效应的影响,更真实地反映均压电容器在运行状况下的介质损耗情况,该方法对于500 kV高压断路器均压电容器的现场试验和绝缘分析有较大的参考价值。 展开更多
关键词 均压电容器:介质损耗 GARTON效应 绝缘状况
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特高压无间隙金属氧化物避雷器均压电容柱电位分布研究 被引量:13
9
作者 张金凤 郭洁 +3 位作者 李可伦 陈舒 周越 乔兵兵 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期170-175,共6页
超、特高压避雷器电位分布的改善通常采用综合均压措施,即在高压端加均压环,同时在避雷器元件上并联均压电容柱。虽然均压电容柱能有效改善避雷器电压分布,但也带来了性能难以检验及参数选择不当会使避雷器运行可靠性下降等诸多不安全... 超、特高压避雷器电位分布的改善通常采用综合均压措施,即在高压端加均压环,同时在避雷器元件上并联均压电容柱。虽然均压电容柱能有效改善避雷器电压分布,但也带来了性能难以检验及参数选择不当会使避雷器运行可靠性下降等诸多不安全因素。通常均压柱中电容器电容比避雷器电阻片电容小很多,电容柱自身的电位分布比电阻片柱更不均匀,局部电容器的荷电率很高,会导致其加速老化,直至毁坏。文中采用有限元法建立1 000kV交流系统无间隙金属氧化物避雷器挂网运行时的三维仿真模型,在给定的均压环配置基础上,计算分析了均压电容柱的电位分布,得出电容值和电容器、垫片的排布对电容柱电位分布的影响显著,特别是避雷器元件两端靠近法兰的电容器承担的电压需要关注,必须合理选择电容器参数,为特高压避雷器均压电容器参数的合理选取提供参考依据。 展开更多
关键词 避雷器 电阻片 均压电容 荷电率 电位分布
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多断口真空断路器均压电容研究综述 被引量:33
10
作者 吴高波 阮江军 +2 位作者 黄道春 舒胜文 张坤 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期77-81,共5页
由于杂散电容的影响,多断口真空断路器的电压分布是不均匀的,但是目前尚无针对多断口真空断路器的均压电容选择方法。笔者对多断口真空断路器均压电容的研究现状进行了综述,总结了均压电容对提高多断口真空断路器开断能力的积极作用和... 由于杂散电容的影响,多断口真空断路器的电压分布是不均匀的,但是目前尚无针对多断口真空断路器的均压电容选择方法。笔者对多断口真空断路器均压电容的研究现状进行了综述,总结了均压电容对提高多断口真空断路器开断能力的积极作用和可能带来的负面效应,并对积极作用以及负面效应的产生机理进行了分析。指出了现有研究的局限性,并进行了初步的分析。在此基础上,提出了多断口真空断路器均压电容的研究建议,可为多断口真空断路器均压电容的深入研究提供参考。 展开更多
关键词 多断口真空断路器 均压电容 开断能力 杂散电容
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双断口真空开关瞬态恢复电压分布特性的仿真与实验研究 被引量:27
11
作者 程显 廖敏夫 +1 位作者 段雄英 邹积岩 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第1期171-178,3,共8页
双断口真空开关介质恢复特性及暂态过程均压关系的探明是其成功开断的理论依据。运用暂态分析软件ATP搭建双断口真空开关仿真平台,利用其暂态分析控制系统实现了暂态真空电弧模型,在真空开关两断口有、无均压电容的情况下分别进行故障... 双断口真空开关介质恢复特性及暂态过程均压关系的探明是其成功开断的理论依据。运用暂态分析软件ATP搭建双断口真空开关仿真平台,利用其暂态分析控制系统实现了暂态真空电弧模型,在真空开关两断口有、无均压电容的情况下分别进行故障电流开断的仿真实验。搭建两真空灭弧室串联的双断口真空开关实验模型进行瞬态恢复电压分布特性的实验研究。实验与仿真结果吻合,共同证明双断口真空开关分断是否成功主要取决于介质恢复过程断口间电压分布是否均匀,两断口间的分压关系在动态介质恢复过程中主要由电弧电阻决定,而动态介质恢复完成后主要由断口两端的电容决定。因此,低分散性操动机构的设计与灭弧室两端均压电容的选定是双断口及多断口真空开关成功开断的关键因素。 展开更多
关键词 真空开关 双断口 动态介质恢复 暂态恢复电压 均压电容
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双断口真空断路器开断能力的探讨 被引量:18
12
作者 廖敏夫 邹积岩 段雄英 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期34-36,共3页
论述了提高双断口真空断路器开断能力的原理 ,比较了双断口和单断口真空断路器的开断能力。实验结果表明 ,双断口真空断路器的开断能力较单断口高 2倍。讨论了均压电容对开断能力的影响 ,提出了对操动机构的要求 ,最后 ,介绍了多断口真... 论述了提高双断口真空断路器开断能力的原理 ,比较了双断口和单断口真空断路器的开断能力。实验结果表明 ,双断口真空断路器的开断能力较单断口高 2倍。讨论了均压电容对开断能力的影响 ,提出了对操动机构的要求 ,最后 ,介绍了多断口真空断路器的优点。 展开更多
关键词 双断口真空断路器 开断能力 均压电容
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双断口真空断路器开断特性的试验与仿真研究 被引量:31
13
作者 舒胜文 阮江军 +1 位作者 黄道春 吴高波 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期2381-2388,共8页
为分析双断口真空断路器的开断特性,建立了双断口真空断路器的合成开断试验平台和基于一种改进真空电弧模型的电磁暂态仿真平台。对开断电流、电弧电压、燃弧时间和瞬态恢复电压(transient recovery voltage,TRV)分配比例等参数进行了... 为分析双断口真空断路器的开断特性,建立了双断口真空断路器的合成开断试验平台和基于一种改进真空电弧模型的电磁暂态仿真平台。对开断电流、电弧电压、燃弧时间和瞬态恢复电压(transient recovery voltage,TRV)分配比例等参数进行了试验测量,通过仿真诊断等离子体参数,对试验结果进行了机理分析。结果表明:过长的燃弧时间会导致过大的燃弧能量和转移电荷,可能使电弧发生集聚;高压断口的延迟分闸会造成弧后残余等离子体特性的差异,从而加剧双断口真空断路器TRV分配的不均匀性;这2种情况均不利于开断。此外,双断口真空断路器均压电容的取值除了考虑TRV均匀分布外,还应兼顾弧后阴极表面电场分布的一致性,过大的均压电容反而不利于开断。因此,燃弧时间及其同步控制和合理均压电容值的选取是双断口真空断路器成功开断的关键。 展开更多
关键词 真空断路器 双断口 开断特性 电弧电压 瞬态恢复电压 均压电容
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一起500kV断路器均压电容器故障分析 被引量:5
14
作者 吴德贯 周禹 +3 位作者 黎卫国 李红元 许毅 夏辉 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期195-199,共5页
对某换流站一起500 kV断路器均压电容器在断路器分闸时发生放电击穿的故障进行分析,依据现场检查情况、故障录波情况、返厂解体检查情况及相关试验数据,对均压电容器击穿原因展开判断分析,并对绝缘筒击穿及碳化的原因进行了探讨。经分析... 对某换流站一起500 kV断路器均压电容器在断路器分闸时发生放电击穿的故障进行分析,依据现场检查情况、故障录波情况、返厂解体检查情况及相关试验数据,对均压电容器击穿原因展开判断分析,并对绝缘筒击穿及碳化的原因进行了探讨。经分析,该次故障发生的原因为在断路器分闸的过程中的操作过电压及较大的放电电流引起了均压电容器的击穿;此外,对直流站控系统存在的逻辑问题提出了处理意见。针对该故障,提出改进措施,以提高设备的运维可靠性。 展开更多
关键词 均压电容器 击穿 操作过电压 液电效应 改进措施
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高压断路器断口均压电容器介质损失角增大原因分析及解决措施 被引量:15
15
作者 孙鹏举 吕洪明 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期97-98,105,共3页
笔者通过对高压断路器均压电容器均压原理论述以及损耗的产生和tanδ值易于偏大的原因分析,着重介绍了电容介质材料在交流电压作用下的极化损耗和电导损耗,解析了均压电容器在各种场强下tanδ的变化情况,并提出了降低离子杂质体积分数... 笔者通过对高压断路器均压电容器均压原理论述以及损耗的产生和tanδ值易于偏大的原因分析,着重介绍了电容介质材料在交流电压作用下的极化损耗和电导损耗,解析了均压电容器在各种场强下tanδ的变化情况,并提出了降低离子杂质体积分数以改善tanδ增大的解决措施。 展开更多
关键词 均压电容器 损耗角正切TANΔ 杂质
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126kV模块化三断口真空断路器静、动态均压设计 被引量:28
16
作者 吴高波 阮江军 +2 位作者 黄道春 舒胜文 涂其华 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第19期215-223,1,共9页
选择合适的均压电容值是多断口真空断路器开断能力的重要保证。针对126 kV模块化三断口真空断路器,根据电位分布计算结果,分析确定采用U型布置方式。采用有限元法计算了U型三断口真空断路器的分布电容参数,并通过工频分压特性试验验证... 选择合适的均压电容值是多断口真空断路器开断能力的重要保证。针对126 kV模块化三断口真空断路器,根据电位分布计算结果,分析确定采用U型布置方式。采用有限元法计算了U型三断口真空断路器的分布电容参数,并通过工频分压特性试验验证了计算的准确性,根据静态分压比计算结果选择了合适的静态均压电容值。建立了双断口真空断路器动态仿真模型,仿真结果表明:动态均压设计应该考虑残余电荷(residual charge,RC)的影响,其影响程度与各断口RC参数的差异特性有关。根据暂态恢复电压分配比计算结果选择了合适的动态均压电容值。综合考虑静、动态均压要求和其他相关因素,三断口真空断路器均压电容值选取为1000pF,并通过合成开断试验验证了均压的有效性。 展开更多
关键词 模块化三断口真空断路器 有限元法 电压分布 均压设计 暂态恢复电压 均压电容
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500kV断路器用均压电容器渗漏油故障分析及改进措施 被引量:16
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作者 黎卫国 张长虹 +3 位作者 杨旭 赵国栋 楚金伟 黄忠康 《电力电容器与无功补偿》 北大核心 2020年第2期53-58,共6页
为了查明500 kV断路器用均压电容器渗漏油故障的原因,对故障均压电容器进行了连接部位电位差计算、密封圈性能检测、均压电容器电场仿真计算、密封端板材质检测等研究。结果表明:均压电容器端板连接部位电位差约为13.78 V,均压电容器端... 为了查明500 kV断路器用均压电容器渗漏油故障的原因,对故障均压电容器进行了连接部位电位差计算、密封圈性能检测、均压电容器电场仿真计算、密封端板材质检测等研究。结果表明:均压电容器端板连接部位电位差约为13.78 V,均压电容器端板故障处附近区域最大场强为2.74 kV/cm,均压电容器渗漏油的根本原因为密封端板密封面出现电化学腐蚀现象。针对故障原因提出有效整改措施:端板密封槽由台阶式改为U型槽,端板材质从LY12铝棒改为6061铝棒,阳极氧化膜厚提高到AA15等级。经整改优化后的均压电容器投运1年来未再出现漏油现象。 展开更多
关键词 500 KV断路器 均压电容器 渗漏油 故障分析 改进措施
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126kV 3断口真空断路器的重燃特性 被引量:18
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作者 舒胜文 阮江军 +3 位作者 黄道春 陈轩恕 吴高波 李辉 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期999-1005,共7页
为分析126kV 3断口真空断路器(VCB)的重燃特性,建立了包含重燃判据的126kV 3断口真空断路器的暂态等值模型。仿真得到了承担瞬态恢复电压(TRV)较高的1个断口发生重燃时的电流波形,为实现重燃电流尽早过零熄灭,在均压电容支路串联一阻尼... 为分析126kV 3断口真空断路器(VCB)的重燃特性,建立了包含重燃判据的126kV 3断口真空断路器的暂态等值模型。仿真得到了承担瞬态恢复电压(TRV)较高的1个断口发生重燃时的电流波形,为实现重燃电流尽早过零熄灭,在均压电容支路串联一阻尼电阻,结果表明:阻尼电阻取为振荡与非振荡衰减临界值时效果最佳;仿真分析了有无均压电容时,非重燃和重燃断口分别出现的过高TRV和工频恢复电压(PFRV),为保证断路器可靠开断及保护重燃断口外绝缘,在各断口并联金属氧化物避雷器(MOA)来限制过电压,结果表明:在1000pF均压电容上并联参考电压约为50kV的MOA时限压效果较好,且能满足热稳定要求。研究成果可为126kV 3断口真空断路器合理选取动态均压措施提供一定的依据。 展开更多
关键词 3断口真空断路器(VCB) 重燃 均压电容 阻尼电阻 金属氧化物避雷器(MOA) 动态均压措施
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断路器结构参数对GIS中特快速暂态过电压波形的影响 被引量:19
19
作者 邵冲 杨钰 +1 位作者 刘卫东 王赞基 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期577-584,共8页
550kV及以上电压等级的气体绝缘变电站(GIS)系统中一般采用双断口断路器,并装有均压电容。本文着重分析断路器均压电容、空载母线、接地开关状态等对GIS系统中特快速暂态过电压(VFTO)波形的影响。首先建立了考虑断路器结构的简化GIS分... 550kV及以上电压等级的气体绝缘变电站(GIS)系统中一般采用双断口断路器,并装有均压电容。本文着重分析断路器均压电容、空载母线、接地开关状态等对GIS系统中特快速暂态过电压(VFTO)波形的影响。首先建立了考虑断路器结构的简化GIS分析模型,推导了系统中节点电压的频域解析解答,然后分析了断路器结构参数和接地开关状态对VFTO的影响。结果表明,随着断路器均压电容、对地电容变大以及断路器到隔离开关母线长度的增加,系统中VFTO主要频率变小,但各频率分量的幅值在不同节点处有不同的变化规律;空载母线末端VFTO幅值呈减小趋势,上升沿变平缓,变压器线圈处幅值变化比较小,上升沿陡度变化不大,但上升时间增大;接地开关断开时,断路器断口间电压较小,但断口对地可能产生过电压;接地开关闭合时,断口间和断口对地可能出现谐振过电压,在设计时应予以避免。 展开更多
关键词 气体绝缘变电站 特快速暂态过电压 双断口断路器 均压电容 接地开关 频率
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双断口真空断路器的瞬态恢复电压分配机理与均压电容研究 被引量:24
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作者 舒胜文 阮江军 +2 位作者 黄道春 吴高波 刘畅 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2012年第11期252-259,共8页
瞬态恢复电压(transient recovery voltage,TRV)均匀分配是双断口真空断路器安全可靠运行必须解决的关键问题。从双断口真空断路器的暂态等值电路出发,建立了描述其TRV分配特性的数学模型,揭示了杂散电容和弧后等离子体特性差异是导致... 瞬态恢复电压(transient recovery voltage,TRV)均匀分配是双断口真空断路器安全可靠运行必须解决的关键问题。从双断口真空断路器的暂态等值电路出发,建立了描述其TRV分配特性的数学模型,揭示了杂散电容和弧后等离子体特性差异是导致双断口真空断路器TRV分配不均匀的2个主要因素。基于真空电弧模型,仿真验证了双断口真空断路器TRV分配数学模型的有效性。不同均压电容下双断口真空断路器TRV分配特性的仿真和试验结果均表明:均压电容能有效提高TRV分配的均匀性;然而,过大的均压电容会显著提高重燃电流的幅值和持续时间,不利于双断口真空断路器的成功开断,即表现出负效应。因此,均压电容取值不宜过大,能保证TRV分配比较均匀即可。 展开更多
关键词 双断口真空断路器 瞬态恢复电压分配 杂散电容 弧后等离子体特性差异 真空电弧模型 均压电容
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