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GE Signa Profile Platinum3磁共振故障分析与维修
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作者 周作福 韩迪 严桂华 《医疗装备》 2003年第4期59-60,共2页
本款设备主要构成部分是IPS、SRU、OC、table、magnet。其中IPS和OC在操作室 ,table和magnet在扫描室 ,由于扫描室必须磁屏蔽 ,两者之间的信号传输通过SRU连接。由于本机在安装时受到房屋装修的影响 ,故障较多 ,本文将举两例故障现象及... 本款设备主要构成部分是IPS、SRU、OC、table、magnet。其中IPS和OC在操作室 ,table和magnet在扫描室 ,由于扫描室必须磁屏蔽 ,两者之间的信号传输通过SRU连接。由于本机在安装时受到房屋装修的影响 ,故障较多 ,本文将举两例故障现象及其分析 。 展开更多
关键词 ge SIGNA profile Platinum3磁共振 故障 维修 IPS SRU OC table MAGNET
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GE Profile磁共振伪影维修一例
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作者 辛丽华 张志平 万爱国 《医疗装备》 2015年第4期85-86,共2页
1故障描述扫描的图像上,出现伪影如图1,图像的背景部分出现横状伪影。2故障排查(1)本着由易到难的原则,首先检查可能的外界场地干扰的问题,在咨询院方后了解到最近有老鼠,于是检查所有CABLE,都是正常的。接着检测屏蔽,分别执行了:... 1故障描述扫描的图像上,出现伪影如图1,图像的背景部分出现横状伪影。2故障排查(1)本着由易到难的原则,首先检查可能的外界场地干扰的问题,在咨询院方后了解到最近有老鼠,于是检查所有CABLE,都是正常的。接着检测屏蔽,分别执行了:①常规检测屏蔽;②检测滤波电源;③将滤波器断开后再检测屏蔽;④检测所有墙面的屏蔽;⑤检查地线。结果都正常,于是可以排除外界干扰的可能性。 展开更多
关键词 ge profile 故障描述 故障排查 供电单元 电源线 温度传感器 加热原理 噪声源 预定值 保温棉
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GE Profile——双开门冰箱新品
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《微型计算机》 北大核心 2006年第8期70-70,共1页
GE冰箱是世界高档冰箱的领头羊它虽然不是最大的冰箱企业但一直是技术含量最高,以及—价格品高的冰箱品牌!GE在2006年推出的这款新Profile双开门冰箱运用了Climate Keeper多风流送风系统提供温度管理它能使冰箱各层拥有相同大小的冷... GE冰箱是世界高档冰箱的领头羊它虽然不是最大的冰箱企业但一直是技术含量最高,以及—价格品高的冰箱品牌!GE在2006年推出的这款新Profile双开门冰箱运用了Climate Keeper多风流送风系统提供温度管理它能使冰箱各层拥有相同大小的冷风封使冷气循环达到最佳效果。它能在几分钟内而不是几小时内冷却饮料.解冻肉类的时间是传统冰箱的一半,冷冻柜能制出比以往多50%的冰,连续工作时功耗仅相当于一个75w的灯泡。此外,GE当然在这款高档冰箱中内置了由它发明的门中门小酒吧,轻触式冰块及冰水输出器和微电脑监测系统等。 展开更多
关键词 ge profile 开门冰箱 新品 技术含量 温度管理 送风系统 监测系统 内冷却 冷冻柜
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SiGe HBT基区渡越时间与基区Ge组分剖面优化 被引量:9
4
作者 张鹤鸣 戴显英 +2 位作者 林大松 孙建诚 何林 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期305-308,共4页
建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰... 建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰值 ,并保持到收集结处 .α是大于 1的数 ,随基区中收集结侧相对发射结侧禁带变化量的增加而减小 ,x0 展开更多
关键词 HBT 组分剖面 基区渡越时间 锗化硅
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SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析 被引量:4
5
作者 苏文勇 李蕊 邵彬 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期522-525,共4页
对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布... 对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布时,可得到最小的基区渡越时间;Ge分布对SiGe和Si的有效态密度之比的影响很小,但对迁移率的影响较大;基区掺杂为指数分布或高斯分布对基区渡越时间影响很小. 展开更多
关键词 SIge异质结双极晶体管 基区渡越时间 ge分布
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Ge组分对SiGe HBT主要电学特性的影响 被引量:1
6
作者 王煊 徐碧野 何乐年 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期683-687,共5页
采用SiGe异质结结构提高晶体管的性能,分析了Ge对器件电流增益和频率特性提高的物理机制。综合考虑了Si1-xGex薄膜的稳定性、工艺特点和器件结构对Ge含量以及分布的要求和Ge组分的设计及其对器件电学特性的影响。从理论上推算了SiGe HB... 采用SiGe异质结结构提高晶体管的性能,分析了Ge对器件电流增益和频率特性提高的物理机制。综合考虑了Si1-xGex薄膜的稳定性、工艺特点和器件结构对Ge含量以及分布的要求和Ge组分的设计及其对器件电学特性的影响。从理论上推算了SiGe HBT的β和fT等主要特性参数,Ge的引入以及Ge的分布情况对提高这些参数有着显著的影响。Ge的引入对晶体管主要特性参数的提高使得SiGe HBT技术在微波射频等高频电子领域可以有更重要的应用前景。 展开更多
关键词 Sige质结晶体管 ge组分 超高真空/化学气相沉积
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Density 'Functional Theory Study on Mechanism of Forming Spiro-Geheterocyclic Ring Compound from Me2Ge--Ge: and Acetaldehyde
7
作者 卢秀慧 李永庆 +1 位作者 鲍伟杰 刘东婷 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2013年第1期43-50,I0003,共9页
The H2Ge=Ge:, as well as and its derivatives (X2Ge=Ge:, X=H, Me, F, C1, Br, Ph, At, ...) is a kind of new species. Its cycloaddition reactions is a new area for the study of germylene chemistry. The mechanism of t... The H2Ge=Ge:, as well as and its derivatives (X2Ge=Ge:, X=H, Me, F, C1, Br, Ph, At, ...) is a kind of new species. Its cycloaddition reactions is a new area for the study of germylene chemistry. The mechanism of the cycloaddition reaction between singlet Me2Ge=Ge: and acetaldehyde was investigated with the B3LYP/6-31G* method in this work. From the potential energy profile, it could be predicted that the reaction has one dominant reaction pathway. The reaction rule is that the two reactants firstly form a four-membered Ge-heterocyclic ring germylene through the [2+2] cycloaddition reaction. Because of the 4p unoccupied orbital of Ge: atom in the four-membered Ge-heterocyclic ring germylene and the ~ orbital of acetaldehyde forming a r^--~p donor-acceptor bond, the four-membered Ge-heterocyclic ring germylene further combines with acetaldehyde to form an intermedi- ate. Because the Ge atom in intermediate happens sp3 hybridization after transition state, then, intermediate isomerizes to a spiro-Ge-heterocyclic ring compound via a transition state. The research result indicates the laws of cycloaddition reaction between Me2Ge=Ge: and ac- etaldehyde, and lays the theory foundation of the cycloaddition reaction between H2Ge=Ge: and its derivatives (X2Ge=Ge:, X=H, Me, F, C1, Br, Ph, At, ...) and asymmetric ^-bonded compounds, which are significant for the synthesis of small-ring and spiro-Ge-heterocyclic ring compounds. 展开更多
关键词 Me2ge=ge Four-membered ge-heterocyclic ring germylene Spiro-ge-heterocyclic compound Potential energy profile
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p型重掺杂应变Si_(1-x)Ge_x基区内建电场的物理机制
8
作者 赵传阵 唐吉玉 +2 位作者 文于华 吴靓臻 孔蕴婷 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期873-877,共5页
采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布,Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况.重新拟合了价带有效态密度公式,并在计算内建电场时考虑了导带有效态密度的影响.发现加入Ge组分后引起的导带有效态密度变... 采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布,Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况.重新拟合了价带有效态密度公式,并在计算内建电场时考虑了导带有效态密度的影响.发现加入Ge组分后引起的导带有效态密度变化、价带有效态密度变化以及禁带宽度变窄量变化对基区内建电场的影响要大于掺杂对内建电场的影响.Ge组分为三角形分布时,在总的Ge组分一定的条件下,内建电场从发射结到集电结逐渐变大.在任一给定位置x处,内建电场随着Ge组分的增加而增大.当Ge组分分布为矩形三角形分布时,对于给定的Ge组分转折点x1,基区内建电场从发射结到集电结缓慢地增大.在Ge组分恒定的区域,内建电场变化甚微,在Ge组分为线性缓变区域的同一位置x处,内建电场随Ge组分转折点x1的增大而缓慢地增大.此外,在x1附近内建电场变化有一个很大的陡坡. 展开更多
关键词 硅锗合金 内建电场 三角形ge分布 矩形三角形ge分布 高斯分布
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Ab initio Study on Formation Mechanism of Spiro-Si-Heterocyclic Ring Compound Involving Ge from H2Ge=Si: and Formaldehyde
9
作者 卢秀慧 王党生 明静静 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2016年第2期193-198,I0001,共7页
H2Ge=Si: and its derivatives (X2Ge=Si:, X=H, Me, F, C1, Br, Ph, Ar, ...) are new species. Its cycloaddition reactions are new area for the study of silylene chemistry. The cycloaddition reaction mechanism of singl... H2Ge=Si: and its derivatives (X2Ge=Si:, X=H, Me, F, C1, Br, Ph, Ar, ...) are new species. Its cycloaddition reactions are new area for the study of silylene chemistry. The cycloaddition reaction mechanism of singlet H2Ge=Si: and formaldehyde has been investigated with the MP2/aug-cc-pVDZ method. From the potential energy profile, it could be predicted that the reaction has one dominant reaction pathway. The reaction rule is that two reactants firstly form a four-membered Ge-heterocyclic ring silylene through the [2+2] cycloaddition reaction. Because of the 3p unoccupied orbital of Si: atom in the four-membered Ge-heterocyclic ring silylene and the π orbital of formaldehyde forming a π--p donor-acceptor bond, the four-membered Ge-heterocyclic ring silylene further combines with formaldehyde to form an intermediate. Because the Si: atom in the intermediate undergoes sp3 hybridization after transition state, then the intermediate isomerizes to a spiro-Si-heterocyclic ring compound involving Ge via a transition state. The result indicates the laws of cycloaddition reaction between H2Ge=Si: or its derivatives (X2Ge=Si:, X=H, Me, F, Cl, Br, Ph, Ar, ...) and asymmetric π-bonded compounds are significant for the synthesis of small-ring involving Si and Ge and spiro-Si-heterocyclic ring compounds involving Ge. 展开更多
关键词 H2ge=Si: Four-membered ge-heterocyclic ring silylene Spiro-Si-heterocyclicring compound Potential energy profile
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宽温区高热稳定性SiGe HBT的基区优化设计
10
作者 付强 张万荣 +2 位作者 金冬月 赵彦晓 张良浩 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期686-692,共7页
为了提高SiGe异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistors,HBTs)电流增益和特征频率温度热稳定性,首先研究基区杂质浓度分布对基区Ge组分分布为矩形分布的SiGe HBT电流增益和特征频率温度敏感性的影响,基区峰值浓度位置逐... 为了提高SiGe异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistors,HBTs)电流增益和特征频率温度热稳定性,首先研究基区杂质浓度分布对基区Ge组分分布为矩形分布的SiGe HBT电流增益和特征频率温度敏感性的影响,基区峰值浓度位置逐渐向集电极靠近可削弱器件的电流增益和特征频率对温度变化的敏感性.随后在选取基区峰值杂质浓度靠近集电极处分布的基础上,研究基区Ge组分分布对SiGe HBT的电流增益和特征频率温度敏感性的影响,减小基区发射极侧Ge组分和增加基区Ge组分梯度可削弱SiGe HBT的电流增益对温度变化的敏感性,增加基区发射极侧Ge组分的摩尔分数和减小基区Ge组分梯度可削弱SiGe HBT的特征频率对温度变化的敏感性.在此研究结果基础上,提出了一种新型基区Ge组分分布的SiGe HBT,它拥有较高的电流增益和特征频率且其温度敏感性较弱. 展开更多
关键词 Sige异质结双极型晶体管(HBTs) 温度敏感性 杂质浓度分布 ge组分分布
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基区Ge组分分布对SiGe HBT热学特性的影响
11
作者 赵昕 张万荣 +3 位作者 金冬月 谢红云 付强 张东晖 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期289-292,296,共5页
建立了SiGe HBT热电反馈模型,对基区Ge组分矩形分布、三角形分布和梯形分布的SiGe HBT的热特性进行研究。结果表明,在Ge总量一定的前提下,Ge组分为三角形和梯形分布结构的SiGe HBT峰值温度较低、温差较小,温度分布的均匀性优于Ge组分矩... 建立了SiGe HBT热电反馈模型,对基区Ge组分矩形分布、三角形分布和梯形分布的SiGe HBT的热特性进行研究。结果表明,在Ge总量一定的前提下,Ge组分为三角形和梯形分布结构的SiGe HBT峰值温度较低、温差较小,温度分布的均匀性优于Ge组分矩形分布结构的SiGeHBT,具有更好的热特性。对不同Ge组分分布下器件增益与温度的依赖关系进行研究,发现当基区Ge组分为三角形和梯形分布时,随着温度升高,器件增益始终低于Ge组分矩形分布的器件,且增益变化较小,提高了器件的热学和电学稳定性,扩大了器件的应用范围。 展开更多
关键词 SIge 异质结双极晶体管 热学特性 ge组分分布
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基区不同Ge组分分布的多指SiGe HBT热学特性
12
作者 张瑜洁 张万荣 +3 位作者 金冬月 陈亮 付强 赵昕 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期437-441,共5页
基于半导体器件仿真工具SILVACO TCAD,研究了三种常见的基区Ge组分分布(矩形、梯形和三角形)对多指功率SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的热学特性的影响。结果表明,基区Ge组分为梯形分布和三角形分布的多指SiGe HBT的增益随温度变化比较平... 基于半导体器件仿真工具SILVACO TCAD,研究了三种常见的基区Ge组分分布(矩形、梯形和三角形)对多指功率SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的热学特性的影响。结果表明,基区Ge组分为梯形分布和三角形分布的多指SiGe HBT的增益随温度变化比较平缓,各发射极指的峰值温度明显小于矩形分布的各指峰值温度,器件纵向和表面温度分布也更加均匀,因此,与矩形分布相比,梯形分布和三角形分布的多指SiGe HBT在热学特性上有了很大的改善,电学特性也相对热稳定。在这三种结构中,梯形分布可以更好地兼顾增益特性和热学特性。 展开更多
关键词 多指功率Sige HBT ge组分分布 温度分布 热学特性 增益特性
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不同基区Ge组分分布对SiGe HBT特性的影响 被引量:3
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作者 张志华 刘玉奎 +3 位作者 谭开洲 崔伟 申均 张静 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期859-862,866,共5页
研究了传统基区Ge组分分布(矩形分布、三角形分布、梯形分布)在210K~410K范围内对SiGe HBT特性的影响。借助TCAD工具进行实验,结果表明,在Ge杂质总量相同的情况下,器件的电流增益β,厄尔利电压VA,截止频率fT随着温度升高而降低;靠近基... 研究了传统基区Ge组分分布(矩形分布、三角形分布、梯形分布)在210K~410K范围内对SiGe HBT特性的影响。借助TCAD工具进行实验,结果表明,在Ge杂质总量相同的情况下,器件的电流增益β,厄尔利电压VA,截止频率fT随着温度升高而降低;靠近基区发射结的Ge组分越高,β越大;基区Ge组分梯度升高,VA增大,fT增大。提出了一种优化的Ge分布,与传统Ge分布相比,该分布器件的电流增益β对温度的敏感性分别降低72.1%,56.4%和58.7%,扩大了器件的应用领域。 展开更多
关键词 SIgeHBT ge组分 电流增益 厄尔利电压 截止频率
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一种提高SiGe HBT器件电学特性的Ge组分分布 被引量:1
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作者 张志华 刘玉奎 +3 位作者 谭开洲 崔伟 申均 张静 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期527-530,共4页
介绍了一种提高SiGe HBT器件电学特性的基区Ge组分分布方式。这种优化的Ge分布模型在靠近发射极与集电极处为均匀分布,中间为梯度分布。借助于TCAD仿真工具,在基区Ge组分总量不变的条件下,相比于传统的Ge分布和其他文献中的Ge分布,该Ge... 介绍了一种提高SiGe HBT器件电学特性的基区Ge组分分布方式。这种优化的Ge分布模型在靠近发射极与集电极处为均匀分布,中间为梯度分布。借助于TCAD仿真工具,在基区Ge组分总量不变的条件下,相比于传统的Ge分布和其他文献中的Ge分布,该Ge分布极大地增加了器件厄尔利电压VA以及击穿电压BVCEO。同时,厄尔利电压增益积βVA分别提高了53%和91%,品质因子fT*BVCEO分别提高了10.3%和14.1%。 展开更多
关键词 SIge HBT ge组分 厄尔利电压 击穿电压
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Ab Initio Study of the Mechanism of Cycloaddition Reaction between H_2Ge=Ge: and Acetaldehyde 被引量:2
15
作者 卢秀慧 李永庆 明静静 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2015年第1期7-14,共8页
The mechanism of cycloaddition reaction between singlet state H2Ge=Ge: and acetaldehyde has been investigated with the MP2/6-311++G** method. From the potential energy profile, it could be predicted that the reac... The mechanism of cycloaddition reaction between singlet state H2Ge=Ge: and acetaldehyde has been investigated with the MP2/6-311++G** method. From the potential energy profile, it could be predicted that the reaction has two competitive dominant reaction pathways. The reaction rule presented is that the two reactants firstly form a four-membered Ge-heterocyclic ring germylene through the [2+2] cycloaddition reaction. As the 4p unoccupied orbital of Ge: atom in the four-membered Ge-heterocyclic ring germylene and the π orbital of acetaldehyde form a π→p donor-acceptor bond, the four-membered Ge-heterocyclic ring germylene further combines with acetaldehyde to give an intermediate. Because the Ge atom in intermediate exhibits sp3 hybridization after transition state, the intermediate isomerizes to a spiro-Ge-heterocyclic ring compound via a transition state. Simultaneously, the ring strain of the four-membered Ge-heterocyclic ring germylene makes it isomerize to a twisted four-membered ring product. 展开更多
关键词 H2ge=ge four-membered ge-heterocyclic ring germylene spiro-ge-heterocyclic compound potential energy profile
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A novel approach for justification of box-triangular germanium profile in SiGe HBTs 被引量:1
16
作者 Gagan Khanduri Brishbhan Panwar 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2015年第2期48-55,共8页
This work presents a unique and robust approach for validation of using the box-triangular germanium profile in the base of SiGe heterojunction bipolar transistors, where the methodology considers the simultaneous opt... This work presents a unique and robust approach for validation of using the box-triangular germanium profile in the base of SiGe heterojunction bipolar transistors, where the methodology considers the simultaneous optimization of the p-type base doping profile in conjunction with the germanium profile in the base. The study analyses the electron motion across the SiGe base in SiGe HBTs, owing to different accelerating electric fields. The analysis first presents a figure of merit, to achieve the minimum electron transit time across the base in conjunction with the increased current gain in n-p-n-SiGe HBTs, which shows a general trend vis-a-vis the advantage of a trapezoid germanium profile, but with additional accuracy as we considered simultaneously optimized p-type base doping. The effect of minority carrier velocity saturation is then included to make the study more detailed. The analysis then investigates the shifted germanium profile in the base to further minimize the base transit time. Finally, it is shown that a shifted germanium profile eventually evolves into a box-triangular Ge-profile in the SiGe base, which could simultaneously minimize the base transit time and reduce emitter delay by virtue of the high current gain. The analysis verifies that for an average Ge-dose of 7.5% Ge across the base, a box-triangular germanium profile in conjunction with an optimum base doping profile has an approximately identical base transit time and a 30% higher current gain, in comparison with an optimum base doping and triangular Ge-profile across the whole base. 展开更多
关键词 Sige HBTs base transit time optimum base doping shifted ge profile box-triangular germanium profile
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Ab Initio Study of the Mechanism of Forming a Spiro-Ge-heterocyclic Ring Compound Involving Si from Me_2Si=Ge: and Formaldehyde 被引量:2
17
作者 卢秀慧 王党生 +1 位作者 李涛 廉贞霞 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2015年第4期481-487,共7页
X2Si=Ge: (X = H, Me, F, CI, Br, Ph, Ar...) is a new species. Its cycloaddition reaction is a new area for the study of germylene chemistry. The mechanism of cycloaddition reaction between singlet state Me2Si=Ge: a... X2Si=Ge: (X = H, Me, F, CI, Br, Ph, Ar...) is a new species. Its cycloaddition reaction is a new area for the study of germylene chemistry. The mechanism of cycloaddition reaction between singlet state Me2Si=Ge: and formaldehyde has been investigated with the CCSD(T)//MP2/cc-pvtz method. From the potential energy profile, it could be predicted that the reaction has one dominant reaction pathway. The reaction rule presented is that the two reactants first form a four-membered Si-heterocyclic ring germylene through the [2+2] cycloaddition reaction. Because of the 4p unoccupied orbital of Ge: atom in the four-membered Si-heterocyclic ring germylene and the π orbital of formaldehyde form a π→p donor-acceptor bond, the four-membered Si-heterocyclic ring germylene further combines with formaldehyde to form an intermediate. Because the Ge atom in the intermediate undergoes sp^3 hybridization after transition state, then the intermediate isomerizes to a spiro-Ge-heterocyclic ring compound involving Si via a transition state. The research result indicates the laws of cycloaddition reaction between HzSi=Ge: and formaldehyde. It has important reference value for the cycloaddition reaction between X2Si=Ge: (X = H, Me, F, CI, Br, Ph, Ar…) and asymmetric to-bonded compounds, which is significant for the synthesis of small-ring and spiro-Ge-heterocyclic compounds involving Si. The study extends research area and enriches the research content of germylene chemistry. 展开更多
关键词 Me2Si=ge four-membered Si-heterocyclic ring germylene spiro-ge-heterocyclicring compounds potential energy profile
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Ab Initio Study of the Mechanism of Forming a Spiro-Si-heterocyclic Ring Compound Involving Ge from Cl_2Ge=Si:and Formaldehyde 被引量:2
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作者 明静静 韩军锋 卢秀慧 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2014年第9期1267-1274,共8页
The X2Ge=Si: (X = H, Me, F, reaction is a new area for the study of silylene between singlet CI2Ge=Si: and formaldehyde CI, Br, Ph, At...) is a new species. Its cycloaddition chemistry. The mechanism of cycloaddit... The X2Ge=Si: (X = H, Me, F, reaction is a new area for the study of silylene between singlet CI2Ge=Si: and formaldehyde CI, Br, Ph, At...) is a new species. Its cycloaddition chemistry. The mechanism of cycloaddition reaction has been investigated with CCSD(T)//MP2/6-31G* method. From the potential energy profile, it can be predicted that the reaction has two competitive dominant reaction pathways. The reaction rule presented is that the two reactants firstly form a four-membered Ge-heterocyclic ring silylene through the [2+2] cycloaddition reaction. Owing to the 3p unoccupied orbital of Si: atom in the four-membered Ge-heterocyclic ring silylene and the π orbital of formaldehyde forming a π-p donor-acceptor bond, the four-membered Ge-heterocyclic ring silylene further combines with formaldehyde to form an intermediate. Because the Si: atom in intermediate shows sp3 hybridization after transition state, the intermediate isomerizes to a spiro-Si-heterocyclic ring compound involving Ge via a transition state. Simultaneously, the ring strain of the four-membered Ge-heterocyclic ring silylene makes it isomerize to a twisted four-membered ring product. The research result indicates the laws of cycloaddition reaction between X2Ge=Si: (X = H, Me, F, C1, Br, Ph, Ar...) and the asymmetric g-bonded compounds, which are significant for the synthesis of small-ring and spiro-Si-heterocyclic ring compound involving Ge The study extends the research area and enriches the research content of silvlene chemistrv. 展开更多
关键词 CI2ge=Si: four-membered ge-heterocyclic ring silylene spiro-Si-heterocyclic ring compound potential energy profile
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SOI基横向SiGe HBT高频功率性能改善技术 被引量:1
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作者 金冬月 吴玲 +5 位作者 张万荣 那伟聪 杨绍萌 贾晓雪 刘圆圆 杨滢齐 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第12期1280-1288,共9页
为了在高频下兼顾电流增益β和击穿电压V_(CBO)、V_(CEO)的同步改善,从而有效提升器件的高频功率性能,利用SILVACO TCAD建立了npn型绝缘层上硅(silicon-on-insulator,SOI)基横向硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(heterojunction bipolar tran... 为了在高频下兼顾电流增益β和击穿电压V_(CBO)、V_(CEO)的同步改善,从而有效提升器件的高频功率性能,利用SILVACO TCAD建立了npn型绝缘层上硅(silicon-on-insulator,SOI)基横向硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)的器件模型.研究结果表明:通过基区Ge的摩尔分数的梯形分布设计,可在基区引入电子加速场,并减小有效基区宽度,一方面有利于缩短基区渡越时间,提高器件的特征频率f_(T);另一方面也有利于降低电子在基区的复合,提高基区输运系数,从而增大β.然而,在基区Ge的物质的量一定的情况下,随着Ge的摩尔分数的梯形拐点位置向集电结一侧不断靠近,集电结一侧对应的Ge的摩尔分数也将随之增加,此时,器件的集电极电流处理能力将显著下降,因此,需对摩尔分数值进行优化.同时,通过在衬底施加正偏压的衬底偏压结构设计,可在埋氧层上方形成电子积累层,提高发射结注入效率,从而增大β,但会退化击穿特性.进一步通过优化衬底偏压结构,设计出了兼具复合衬底偏压结构和基区Ge的摩尔分数的梯形分布设计的SOI基横向SiGe HBT.结果表明,与常规器件相比,新器件在保持峰值特征频率f_(Tm)=306.88 GHz的情况下,峰值电流增益βm提高了84.8,V_(CBO)和V_(CEO)分别改善了41.3%和21.2%. 展开更多
关键词 SOI基横向Sige HBT ge的摩尔分数的梯形分布 衬底偏压结构 电流增益 特征频率 击穿电压
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减弱SiGe HBT势垒效应
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作者 李蕊 《重庆工学院学报(自然科学版)》 2008年第10期104-106,116,共4页
讨论了基区Ge分布、集电极电流密度对势垒高度的影响,分析了减弱势垒效应的方法.计算结果表明:基区Ge分布对势垒高度有很大的影响,随着BC结处Ge含量的增大,势垒高度也迅速增大,并且使得基区渡越时间也迅速增大;当集电极电流密度增加时,... 讨论了基区Ge分布、集电极电流密度对势垒高度的影响,分析了减弱势垒效应的方法.计算结果表明:基区Ge分布对势垒高度有很大的影响,随着BC结处Ge含量的增大,势垒高度也迅速增大,并且使得基区渡越时间也迅速增大;当集电极电流密度增加时,势垒高度有着明显的饱和趋势;通过集电结处Ge组分缓变,并不能很好地减弱势垒效应的影响,而采用将Ge组分引入到集电区的方法可以有效地推迟势垒效应的发生. 展开更多
关键词 SIge HBT 基区ce分布 势垒效应
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