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TiO_2/n-Si/p-Si及n-PS/p-PS/Si的光伏特性 被引量：4
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作者 向梅 贾振红 涂楚辙 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期218-220,共3页
在抛光的p型单晶硅上通过扩散工艺制备pn结,采用此种硅片利用阳极腐蚀法制备多孔硅（PS）。用磁控溅射镀膜机在有pn结的单晶硅表面镀上一层TiO2纳米结构薄膜,并用表面光电压谱（SPS）研究了n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的表面光伏特性... 在抛光的p型单晶硅上通过扩散工艺制备pn结,采用此种硅片利用阳极腐蚀法制备多孔硅（PS）。用磁控溅射镀膜机在有pn结的单晶硅表面镀上一层TiO2纳米结构薄膜,并用表面光电压谱（SPS）研究了n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的表面光伏特性。结果表明TiO2/n-Si/p-Si和n-PS/p-PS/Si的光伏效应比n-Si/p-Si在不同程度上有所提高。在300～600℃热处理温度范围内TiO2/n-Si/p-Si的光伏效应随温度的升高而增强,600～800℃范围内随温度的升高而降低。 展开更多
关键词 n-PS/p—PS/Si tio2/n-si/p—Si n—Si/p—Si 光伏效应
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