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无机EL显示器件用高性能介电层的研究
被引量：
2
1
作者
肖田
林明通
+3 位作者
徐毅
陈晨曦
陈国荣
杨云霞
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期99-102,共4页
用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530～730nm的SrTiO3／Ta2O5复合介电层，获得在500Hz下介电常数为48～73，反映介电损耗的参数△Vy在0．06～0．15V之间，击穿场强为106～139MV／m，在0．05V／nm的电场下正、反向漏电流在10...
用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530～730nm的SrTiO3／Ta2O5复合介电层，获得在500Hz下介电常数为48～73，反映介电损耗的参数△Vy在0．06～0．15V之间，击穿场强为106～139MV／m，在0．05V／nm的电场下正、反向漏电流在10^-9～10^-7A／cm^2之间，品质因子（εrεoEb）大于5μc／cm^2。同时比较了SrTiO3／Ta2O5复合介电层和SrTiJO3和Ta2O5单层薄膜的介电性能。把复合膜应用于以ZnS：Mn和Zn2Si0.5Ge0.5O4：Mn为发光材料的器件中，获得了适当的阈值电压和较高的亮度。
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关键词
无机EL
srtio
3
薄膜
ta
2
o
5
薄膜
srtio
3
/ta
2
o
5
复合膜
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职称材料
题名
无机EL显示器件用高性能介电层的研究
被引量：
2
1
作者
肖田
林明通
徐毅
陈晨曦
陈国荣
杨云霞
机构
华东理工大学材料科学与工程学院
上海广电电子股份有限公司
出处
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期99-102,共4页
文摘
用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530～730nm的SrTiO3／Ta2O5复合介电层，获得在500Hz下介电常数为48～73，反映介电损耗的参数△Vy在0．06～0．15V之间，击穿场强为106～139MV／m，在0．05V／nm的电场下正、反向漏电流在10^-9～10^-7A／cm^2之间，品质因子（εrεoEb）大于5μc／cm^2。同时比较了SrTiO3／Ta2O5复合介电层和SrTiJO3和Ta2O5单层薄膜的介电性能。把复合膜应用于以ZnS：Mn和Zn2Si0.5Ge0.5O4：Mn为发光材料的器件中，获得了适当的阈值电压和较高的亮度。
关键词
无机EL
srtio
3
薄膜
ta
2
o
5
薄膜
srtio
3
/ta
2
o
5
复合膜
Keywords
in
o
rganic EL
srtio
3
thin film
ta
2
o
5
thin film
srtio3/ta2o5 stacked layer
分类号
TN104.3 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
无机EL显示器件用高性能介电层的研究
肖田
林明通
徐毅
陈晨曦
陈国荣
杨云霞
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
2
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职称材料
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