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真空高阻区熔Si单晶中的微缺陷及其少子寿命 被引量：6
1
作者 闫萍 张殿朝 +1 位作者 庞丙远 索开南 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1003-1006,共4页
通过在Ar气氛及真空环境中进行的高阻区熔Si单晶生长实验,分析了晶体直径、晶体生长环境及晶体生长速率对晶体中微缺陷及少子寿命的影响及产生这种影响的原因。单晶生长实验表明,与在Ar气氛下的单晶生长相比,在真空环境下采用较低的晶... 通过在Ar气氛及真空环境中进行的高阻区熔Si单晶生长实验,分析了晶体直径、晶体生长环境及晶体生长速率对晶体中微缺陷及少子寿命的影响及产生这种影响的原因。单晶生长实验表明,与在Ar气氛下的单晶生长相比,在真空环境下采用较低的晶体生长速率即可生长出无漩涡缺陷的单晶,而当晶体生长速度较高时,尽管可以消除漩涡,但单晶的少子寿命却有明显的下降。 展开更多
关键词 高阻硅单晶 微缺陷 少子寿命
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Si晶体中螺位错滑移特性的分子动力学 被引量：3
2
作者 杨立军 孟庆元 +2 位作者 李根 李成祥 果立成 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期259-264,共6页
在保持Si晶体模型完全周期性的边界条件下,采用位错偶极子模型在其内部建立一对螺位错.通过Parrinello-Rahman方法对模型施加剪应力,并应用分子动力学计算位错运动速度及交滑移的发生与外加剪应力间的关系.在此基础上进一步研究晶体内... 在保持Si晶体模型完全周期性的边界条件下,采用位错偶极子模型在其内部建立一对螺位错.通过Parrinello-Rahman方法对模型施加剪应力,并应用分子动力学计算位错运动速度及交滑移的发生与外加剪应力间的关系.在此基础上进一步研究晶体内的空位缺陷对螺位错运动的影响.结果表明,在位错滑移面上的六边形环状空位聚集体可加速螺位错的运动,并且螺位错能通过交滑移跨越该空位缺陷,避免产生钉扎现象.揭示了低温层中大量存在的空位缺陷是降低位错密度的原因. 展开更多
关键词 计算物理学 位错运动 分子动力学 空位缺陷 位错运动速度 si晶体
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中子和电子辐照Si中的氧相关缺陷研究进展 被引量：6
3
作者 孟祥提 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期247-,共1页
氧相关缺陷是中子和电子辐照Si中的重要缺陷。虽然对这些缺陷已经研究很多 ,如对空位 -氧 (V 0 )复合体即A中心已有大量研究报告发表 ,但是因为所用的材料、辐照通量、测量方法及测量仪器的精度不同 ,所报道的A中心的能级和退火行为特... 氧相关缺陷是中子和电子辐照Si中的重要缺陷。虽然对这些缺陷已经研究很多 ,如对空位 -氧 (V 0 )复合体即A中心已有大量研究报告发表 ,但是因为所用的材料、辐照通量、测量方法及测量仪器的精度不同 ,所报道的A中心的能级和退火行为特征包括退火温度不一致。由此 ,对氧相关缺陷的研究仍然是一个引人注目的课题。本文报告了这方面研究的一些新进展。中子辐照CZSi中有 82 8cm 1红外 (IR)峰 (A中心 ) ,2 0 0～ 30 0℃退火后强度增加 ,然后强度急剧下降 ,4 0 0℃后稳定 ,550℃退火消失。已将 2 0 0～ 30 0℃强度的增加归于X1中心的聚集 ,它与杂质 -缺陷团相关。 82 8cm 1IR峰在高于 4 0 0℃的稳定已归于无序区或大缺陷附近陷阱大量的A中心 ,这引起较大的结合能。我们的IR测量曾表明 ,在 6× 10 17中子 /cm2 (镉比为 12 .4 )辐照态CZSi中 ,82 9cm 1IR峰强度很大 ,～ 2 0 0℃退火后强度增加 ,350℃退火后强度急剧下降 ,～ 6 0 0℃退火消失。用正电子湮没技术测量了低温和室温不同电子通量辐照Si中的缺陷 ,发现一直存在着浅正电子陷阱 ,它在电子辐照CZSi中比在电子辐照FZSi中的浓度高 ,由此得出它含有 0 ,可能是辐照致A中心。辐照缺陷可以陷阱高浓度自由载流子 ,电阻率增加。已经用快中子辐照和IR技术测量确定? 展开更多
关键词 硅单晶 中子辐照 电子辐照 氧相关缺陷
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nc-Ge/Si岛基光子晶体单点缺陷腔的数值模拟与分析
4
作者 唐海侠 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2139-2143,共5页
阐述了利用光子晶体单点缺陷微腔来提高Ge/Si纳米岛发光效率的机理.通过3DFDTD方法计算出在平板厚度为300nm时,谐振波长随a和r/a变化的规律,即当给定r/a,h时,波长随晶格常数成次线性增加;当给定a,h时,波长随r/a的增加而减小.并从理论上... 阐述了利用光子晶体单点缺陷微腔来提高Ge/Si纳米岛发光效率的机理.通过3DFDTD方法计算出在平板厚度为300nm时,谐振波长随a和r/a变化的规律,即当给定r/a,h时,波长随晶格常数成次线性增加;当给定a,h时,波长随r/a的增加而减小.并从理论上给予分析. 展开更多
关键词 光子晶体 单缺陷腔 nc-Ge/si岛
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直拉硅单晶中子辐照后的退火研究 被引量：3
5
作者 张维连 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1994年第3期191-194,共4页
直拉硅单晶（ＣＺＳｉ）中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）后，晶体内会产生大量辐照损伤缺陷。退火处理时，辐照缺陷的退火及其与硅单晶中氧、碳杂质的相互作用，使得辐照后的ＣＺＳｉ退火行为比较复杂，在７００～９００℃退火范围内电阻率值低... 直拉硅单晶（ＣＺＳｉ）中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）后，晶体内会产生大量辐照损伤缺陷。退火处理时，辐照缺陷的退火及其与硅单晶中氧、碳杂质的相互作用，使得辐照后的ＣＺＳｉ退火行为比较复杂，在７００～９００℃退火范围内电阻率值低于真实电阻率值，即出现了施主现象。本文通过对中子辐照ＣＺＳｉ的退火行为的研究，认为大于９００℃退火是中子辐照ＣＺＳｉ的比较合适的退火条件。 展开更多
关键词 硅 单晶 退火 中子辐照
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高纯硅辐射损伤的正电子湮没和扰动角关联研究
6
作者 朱升云 李安利 +3 位作者 黄汉臣 李东宏 郑胜男 勾振辉 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第10期613-615,共3页
采用正电子湮没和扰动角关联方法研究了１．４５×１０２０、３．１０×１０１７ｎ／ｃｍ２中子辐照和５×１０１１／ｃｍ２１７８Ｗ重离子辐照单晶硅引起的辐射损伤及其退火效应。实验测量的正电子湮没寿命和四极相互作用... 采用正电子湮没和扰动角关联方法研究了１．４５×１０２０、３．１０×１０１７ｎ／ｃｍ２中子辐照和５×１０１１／ｃｍ２１７８Ｗ重离子辐照单晶硅引起的辐射损伤及其退火效应。实验测量的正电子湮没寿命和四极相互作用频率表明在Ｓｉ中存在氧一单空位对．高中子剂量和重离子辐照Ｓｉ后，用两种方法都观察到了双空位复合成四空位。 展开更多
关键词 硅 辐射效应 正电子湮灭 退火
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硅单晶中辐照缺陷对氧的非均匀成核和沉淀的影响
7
作者 张维连 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1993年第3期264-267,共4页
辐照缺陷可作为氧非均匀成核的核心加速氧沉淀的发生,使中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)一步高温退火即可完成内吸除(IG)处理,对其机理进行了简单的探讨。
关键词 硅单晶 中子辐照 缺陷 非均匀成核
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晶体生长速度对硅单晶微缺陷影响的数值模拟 被引量：3
8
作者 常麟 崔彬 +3 位作者 周旗钢 戴小林 吴志强 肖清华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期206-211,共6页
利用有限元分析软件对为300 mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了硅单晶体中微缺陷的类型和分布随不同晶体生长速度的变化规律。随着晶体生长速度的不断增大,硅单晶体中以空位为主的微缺陷区域逐渐增大,如水晶起源粒子(crystal origi... 利用有限元分析软件对为300 mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了硅单晶体中微缺陷的类型和分布随不同晶体生长速度的变化规律。随着晶体生长速度的不断增大,硅单晶体中以空位为主的微缺陷区域逐渐增大,如水晶起源粒子(crystal originated particles,COP),以间隙原子为主的微缺陷区域逐渐减小,同时,间隙型微缺陷的浓度呈现不断减小的趋势,空位型微缺陷的浓度呈现不断增大的趋势。晶体生长速度的不断增大,硅单晶体中间隙型微缺陷的浓度与空位型微缺陷的浓度近似相等的区域先增大,后减小。通过Cu缀饰实验和流体图案缺陷(flow pattern defect,FPD)密度测量,将所得微缺陷类型、浓度的实验结果与晶体生长速度对硅晶体微缺陷影响的数值模拟结果进行了对比,实验结果验证了数值模拟的结果。 展开更多
关键词 直拉硅单晶 晶体生长速度 微缺陷 有限元分析 数值模拟
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离子注入对图像传感器两种白色像素的影响
9
作者 张武志 《中国集成电路》 2017年第8期79-83,共5页
白色像素(WP)是CMOS图像传感器(CIS)的关键参数指标,而光电二极管的离子注入是影响白色像素的主要因素。本文基于4-T结构N型光电二极管(NPPD)CMOS图像传感器,从光电二极管离子注入的剂量、能量和离子源种类三个方面,研究了对于两种不同... 白色像素(WP)是CMOS图像传感器(CIS)的关键参数指标,而光电二极管的离子注入是影响白色像素的主要因素。本文基于4-T结构N型光电二极管(NPPD)CMOS图像传感器,从光电二极管离子注入的剂量、能量和离子源种类三个方面,研究了对于两种不同白色像素的影响。首先,通过实验表明NPPD离子注入剂量是WP的主要产生因素,降低注入剂量可以同时减少两种WP的数量。其次,研究了NPPD离子注入能量对WP的降低作用,较低的注入能量同时减少了两种WP数量。第三,离子源种类也被研究用以改善WP,实验表明砷离子注入较磷离子注入主要减少了peak2区域的WP数量。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 白色像素 NPPD离子注入 晶格损伤
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直径52～65mm探测器级Si单晶的真空制备
10
作者 蒋娜 万金平 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2301-2307,共7页
为了制备纯度11N以上、直径φ大于45mm并且各项性能指标满足探测器级要求的大直径超高纯单晶Si材料，本文在真空气氛下提纯并生长垂52～65mm探测器级区熔（FZ，float zone）Si单晶，并对真空气氛和直径增加所带来的晶体不稳定生长、高... 为了制备纯度11N以上、直径φ大于45mm并且各项性能指标满足探测器级要求的大直径超高纯单晶Si材料，本文在真空气氛下提纯并生长垂52～65mm探测器级区熔（FZ，float zone）Si单晶，并对真空气氛和直径增加所带来的晶体不稳定生长、高断面电阻率不均匀率和漩涡缺陷等问题的产生原因和解决方式进行了深入研究。结果表明，丹麦加热线圈表面带有台阶和十字开口，是提纯和生长φ大于45mm多晶Si和单晶Si的理想线圈；适当提高单晶转速和生长速度有利于降低断面电阻率不均匀率，且提高转速的效果更加明显；真空气氛下，提高热场对中性可抑制漩涡缺陷的产生，其对漩涡缺陷的影响比单晶Si生长速度更加显著，这是与Ar气气氛FZ不同的；多晶Si提纯次数越多单晶Si寿命越低，降低多晶Si原料中的P／B和重金属原始含量有利于提高单晶2Si寿命；若要制备少子寿命大于800μs，符合探测器级标准的φ52～65mm Si单晶，多晶Si原料少子寿命应大于3000μs。 展开更多
关键词 区熔(FZ) 真空 大直径 探测器级 si单晶 断面电阻率不均匀率 漩涡缺陷
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