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DC～40GHz反射型GaAs MMIC SPST开关 被引量：2
1
作者 方园 李富强 +3 位作者 高学邦 吴洪江 魏洪涛 刘文杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1115-1118,共4页
介绍了基于GaAs PHEMT工艺设计的一款宽带反射型MMIC SPST开关的相关技术,基于成熟的微波单片集成电路设计平台开展了宽带SPST开关设计。工作频率范围为DC^40 GHz,插入损耗≤0.8 dB,隔离度≥25 dB,驻波比≤1.4∶1。同时,对电路的通孔特... 介绍了基于GaAs PHEMT工艺设计的一款宽带反射型MMIC SPST开关的相关技术,基于成熟的微波单片集成电路设计平台开展了宽带SPST开关设计。工作频率范围为DC^40 GHz,插入损耗≤0.8 dB,隔离度≥25 dB,驻波比≤1.4∶1。同时,对电路的通孔特性进行了分析,对电路设计流程进行了阐述。要获得期望带宽的开关,如何选择控制器件的通孔连接方式,以及通孔数量对插入损耗等性能的影响。最终,具有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成单刀单掷开关电路成功开发。 展开更多
关键词 宽带 低插入损耗 GAAS微波单片集成电路 单刀单掷开关
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一种高耐压SPST天线调谐开关设计 被引量：1
2
作者 夏小辉 林福江 《信息技术与网络安全》 2021年第5期68-73,共6页
设计实现了一款高耐压单刀单掷天线调谐开关,用于Sub-6 GHz的天线孔径调谐、阻抗调谐以及宽带开关。设计采用串-并联和体区自适应偏置结构,兼顾插入损耗和隔离度;此外基于传统的堆叠结构进行改进,通过设计各级晶体管的尺寸不均匀,极大... 设计实现了一款高耐压单刀单掷天线调谐开关,用于Sub-6 GHz的天线孔径调谐、阻抗调谐以及宽带开关。设计采用串-并联和体区自适应偏置结构,兼顾插入损耗和隔离度;此外基于传统的堆叠结构进行改进,通过设计各级晶体管的尺寸不均匀,极大程度地提高了开关并联支路承受电压的能力;通过采用两级偏置网络,减小了栅端和体端的泄露从而削弱关断状态下寄生电容不等效应,最终实现支路电压耐受能力的提高。所提出的设计采用130 nm SOI CMOS工艺,仿真结果表明工作频率为0.1 GHz~5 GHz,导通电阻为1.24Ω,关断电容为112 fF,插入损耗为0.14~0.48 dB,隔离度带内大于30 dB,电压承受能力大于60 V。 展开更多
关键词 spst天线调谐开关 非均匀堆叠结构 两级偏置网络 高耐压
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1～26．5GHz GaAs PIN单刀单掷开关单片 被引量：2
3
作者 陈新宇 冯欧 +3 位作者 蒋幼泉 许正荣 黄子乾 李拂晓 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期37-39,62,共4页
采用GaAsPIN二极管，完成1～26．5GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作。SPST开关单片带内插损小于0．5dB，驻波优于1．1，隔离度大于27dB，在10～26．5GHz，隔离度大于37dB。开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向PIN二极管材料结构，Ф76mm ... 采用GaAsPIN二极管，完成1～26．5GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作。SPST开关单片带内插损小于0．5dB，驻波优于1．1，隔离度大于27dB，在10～26．5GHz，隔离度大于37dB。开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向PIN二极管材料结构，Ф76mm GaAs圆片工艺加工制作。 展开更多
关键词 砷化镓 PIN二极管 单刀单掷 开关 单片
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毫米波GaAs pin单刀单掷开关单片 被引量：1
4
作者 陈新宇 蒋幼泉 +2 位作者 许正荣 黄子乾 李拂晓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2163-2166,共4页
采用GaAs pin二极管，完成了15-40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作．GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点，在15-20GHz带内插损0．6dB，驻波优于1．5，隔离度大于40dB;在20～40GHz带内插损小于1．1dB，驻波... 采用GaAs pin二极管，完成了15-40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作．GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点，在15-20GHz带内插损0．6dB，驻波优于1．5，隔离度大于40dB;在20～40GHz带内插损小于1．1dB，驻波优于1．35，隔离度大于35dB．pin二极管SPST开关单片的1dB功率压缩点P-1大于2W，GaAs pin二极管开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向pin二极管材料结构，Ф76mm GaAs圆片工艺加工制作． 展开更多
关键词 毫米波 GAAS PIN二极管 单刀单掷 开关 单片
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一种新颖的实现大小功率切换的技术 被引量：3
5
作者 卢小娜 李嘉颖 陈志宏 《电子科技》 2014年第4期95-97,共3页
针对大功率雷达发射组件大小功率切换技术的要求,利用环行器3个端口环行的特点,提出了一种新颖且更易于实现的大小功率切换技术。该技术只需一个PIN二极管单刀单掷的大功率射频开关,便可实现大小功率的切换,且射频开关无需通过大功率,... 针对大功率雷达发射组件大小功率切换技术的要求,利用环行器3个端口环行的特点,提出了一种新颖且更易于实现的大小功率切换技术。该技术只需一个PIN二极管单刀单掷的大功率射频开关,便可实现大小功率的切换,且射频开关无需通过大功率,只需对其进行反射,因此大幅降低了实现难度。同时,采用该技术研制了一部S波段发射组件,其大功率输出达到1 500 W以上,成功实现了大小功率的切换,且功率容量和切换速度均满足设计要求,具有较高的实用性。 展开更多
关键词 功率切换 环行器 PIN二极管 单刀单掷开关
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Ka波段高隔离单刀单掷开关设计 被引量：1
6
作者 周勇涛 凡守涛 +1 位作者 许春良 魏绍仁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期590-594,共5页
pin二极管具有导通电阻小、响应速度快及截止频率高等特点,在微波控制电路中常用于制作微波开关。基于pin二极管,研究了具有高隔离特性的Ka波段微带型单刀单掷开关。通过采用多级开关芯片统一馈电的新型电路结构,在Ka波段实现了优于90 d... pin二极管具有导通电阻小、响应速度快及截止频率高等特点,在微波控制电路中常用于制作微波开关。基于pin二极管,研究了具有高隔离特性的Ka波段微带型单刀单掷开关。通过采用多级开关芯片统一馈电的新型电路结构,在Ka波段实现了优于90 dB的开关隔离。采用ADS和HFSS软件对设计的电路进行联合仿真,并进行了实物加工。实测结果表明,在设计的频段内(f_0±1 GHz)开关电路的输入和输出回波损耗均不小于10 dB,插入损耗不大于3.5 dB,隔离度不小于90 dB以及开关时间(上升沿和下降沿)不大于2 ns。 展开更多
关键词 KA波段 PIN开关 高隔离 单刀单掷(spst)开关 芯片电路
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一种基于MMIC技术的S波段GaAs单刀单掷开关
7
作者 刘聪 周翼鸿 李天明 《现代电子技术》 2012年第2期139-141,共3页
射频开关作为一个系统的重要组成部分其性能直接影响整个系统的指标和功能。其中插入损耗和隔离度以及开关速度是射频开关最重要的几个指标。在实际测试中,S波段脉冲信号源需要产生快前沿的窄脉冲信号。在此基于上述需求,利用了射频开... 射频开关作为一个系统的重要组成部分其性能直接影响整个系统的指标和功能。其中插入损耗和隔离度以及开关速度是射频开关最重要的几个指标。在实际测试中,S波段脉冲信号源需要产生快前沿的窄脉冲信号。在此基于上述需求,利用了射频开关模块设计的基本原理,并结合了PCB上微带线的特性阻抗分析,且设计了合适的开关驱动电路,最终设计出一种高隔离度,低插入损耗,高速射频开关,开关控制电压为(0,-5V)。在频率2～4GHz的条件下,插入损耗小于1.7dB,隔离度大于48dB,结果满足设计要求。 展开更多
关键词 单刀单掷 射频开关 特性阻抗 S波段
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