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模拟集成电路仿真中的UDSM MOSFET建模
1
作者
段成华
柳美莲
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期320-325,共6页
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,重点分析了在模拟集成电路设计中较为流行的几种模型:BSIM3、EKV和SP2001模型,对其各自的优缺点进行了比较。结果表明,获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的;...
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,重点分析了在模拟集成电路设计中较为流行的几种模型:BSIM3、EKV和SP2001模型,对其各自的优缺点进行了比较。结果表明,获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的;几种模型中,EKV模型在模拟集成电路的低功耗设计中具有一定的优势。
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关键词
模拟集成电路
MOSFET建模
BSIM3模型
sp2001
模型
EKV模型
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职称材料
题名
模拟集成电路仿真中的UDSM MOSFET建模
1
作者
段成华
柳美莲
机构
中国科学院研究生院信息科学与工程学院中国科学院研究生院电子学研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期320-325,共6页
基金
国家高技术研究发展(863)计划资助项目(2002AA141041)
文摘
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,重点分析了在模拟集成电路设计中较为流行的几种模型:BSIM3、EKV和SP2001模型,对其各自的优缺点进行了比较。结果表明,获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的;几种模型中,EKV模型在模拟集成电路的低功耗设计中具有一定的优势。
关键词
模拟集成电路
MOSFET建模
BSIM3模型
sp2001
模型
EKV模型
Keywords
Analog IC
MOSFET
model
ing, BSIM3
model
sp2001 model
EKV
model
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
模拟集成电路仿真中的UDSM MOSFET建模
段成华
柳美莲
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006
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