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题名MBE自组装量子点生长和结构形态研究
被引量：1
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作者
吴巨
金鹏
吕小晶
王占国
曾一平
王宝强
姚然
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机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
中国科学院半导体研究所半导体材料中心
中国科学院半导体研究所白光中心
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出处
《微纳电子技术》
CAS
2008年第8期435-439,457,共6页
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基金
自然科学基金资助项目(60676029)
973项目(2006CB604904
2006CB604908)
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文摘
综述了对自组装量子点形态和生长过程所做的探讨和研究。介绍了关于量子点成核和形态的热力学理论、量子点生长过程的计算机模拟及Ge/Si(001)和InAs/GaAs(001)量子点生长和形态的实验观察。鉴于InAs/GaAs(001)体系的复杂性,把对InAs量子点的观察和研究分为"微观"和"宏观"两种。微观研究对象包括量子点原子尺度上的结构、量子点表面小晶面的晶体学的精确取向等,这些性质可能受热运动的影响比较大,在一定程度上是随机的,它们代表了量子点生长行为的复杂性;宏观研究的对象是指量子点密度、纳米尺度形态等大量粒子统计意义上的集体行为,这些性质和行为可能更具有实际意义。因此作者认为,目前研究量子点生长和形态更为有效的方法应该是探寻以量子点宏观行为所表征的简单性。重点介绍中科院半导体所半导体材料重点实验室最近所做的对InAs/GaAs(001)量子点生长过程的实验观察。结果表明,在一般生长条件下(富As,500℃,0.1ML/s),InAs量子点成核和生长应该都是连续的,没有经历被普遍认为的不连续(一级)相变。按照作者的观察,把InAs量子点成核看作是连续(二级)相变更为贴切。
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关键词
分子束外延
sk生长模式
量子点
形态和生长
Ge/Si(001)
InAs/GaAs(001)
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Keywords
MBE （molecular beam epitaxy）
sk growth mode
QD （quantum dot）
configura-tions and growth
Ge/Si （001）
InAs/GaAs （001）
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分类号
TN201
[电子电信—物理电子学]
TN405.984
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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