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松下TowerJazz半导体公司研发毫米波RFCMOS
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作者 科信 《半导体信息》 2015年第6期24-24,共1页
<正>专业代工厂TowerJazz和日本的同类型松下TowerJazz松下半导体代工厂,近日共同推出行业内首款65nm毫米波110GHz射频CMOS平台,可应用范围广泛,例如无线通信(60~77GHz),汽车雷达(57~86GHz,大部分为77GHz),成像和扫描(100GHz)等... <正>专业代工厂TowerJazz和日本的同类型松下TowerJazz松下半导体代工厂,近日共同推出行业内首款65nm毫米波110GHz射频CMOS平台,可应用范围广泛,例如无线通信(60~77GHz),汽车雷达(57~86GHz,大部分为77GHz),成像和扫描(100GHz)等。根据MarketsandMarkets公司的报道。 展开更多
关键词 毫米波技术 rfcmos TowerJazz 汽车雷达 代工厂 首款 无线通信 汽车用户 SIGE 移动通信
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GPS接收机中1.57GHz CMOS锁相环的设计
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作者 杜占坤 郭慧民 陈杰 《电子器件》 CAS 2007年第5期1567-1570,共4页
设计了一种用于GPS接收机中采用CMOS工艺实现的1.57GHz锁相环.其中,预分频器采用高速钟控锁存器(LATCH)的结构,工作频率超过2GHz.VCO中采用LC谐振回路,具有4段连续的调节范围,输出频率范围可以达到中心频率的20%.电荷泵采用一种改进型... 设计了一种用于GPS接收机中采用CMOS工艺实现的1.57GHz锁相环.其中,预分频器采用高速钟控锁存器(LATCH)的结构,工作频率超过2GHz.VCO中采用LC谐振回路,具有4段连续的调节范围,输出频率范围可以达到中心频率的20%.电荷泵采用一种改进型宽摆幅自校准电路,可以进一步降低环路噪声.锁相环采用0.25μmRFCOMS工艺实现.测量表明VCO输出在偏移中心频率1MHz处的相位噪声为-110dBc/Hz,锁相环输出在偏移中心频率10kHz处的相位噪声小于-90dBc/Hz.供电电压为2.5V时,功耗小于15mW. 展开更多
关键词 GPS接收机 锁相环 rfcmos工艺 1.57GHz
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无线传感网SoC芯片中4.8GHz压控振荡器设计
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作者 樊祥宁 郑浩 陈晓光 《电子器件》 CAS 2009年第4期733-736,741,共5页
采用SMIC0.18μm1P6M RF CMOS工艺设计了一个4.8GHzLC压控振荡器,该压控振荡器应用于无线传感SoC芯片射频前端频率综合器中。电路核心采用带电阻反馈的差分负阻结构,因此具有良好的相位噪声性能;2bit的开关电容阵列进一步提高了电路的... 采用SMIC0.18μm1P6M RF CMOS工艺设计了一个4.8GHzLC压控振荡器,该压控振荡器应用于无线传感SoC芯片射频前端频率综合器中。电路核心采用带电阻反馈的差分负阻结构,因此具有良好的相位噪声性能;2bit的开关电容阵列进一步提高了电路的调谐范围;共源级输出缓冲提供了较好的反向隔离度。所设计的芯片版图面积为600μm×475μm。在电源电压为1.8V时,后仿真结果表明,电路调谐范围最高可达40%,有效地补偿了工艺角偏差;在4.95GHz处,后仿真测得的相位噪声为-125.3dBc/Hz@3MHz,优于系统要求5.3dB;核心电路工作电流约5.2mA。 展开更多
关键词 无线传感网 rfcmos工艺 LC压控振荡器 相位噪声 宽调谐范围
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具有片上巴伦的CMOS超宽带接收机
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作者 林水洋 孙晓玮 +5 位作者 陈威 多新中 梅年松 叶祖勋 杨立吾 于永学(译) 《电子设计应用》 2009年第1期45-47,共3页
本文介绍了一种具有片上巴伦的超宽带(UWB)3GHz~5GHz直接转换接收机。它由电容交叉耦合共栅极低噪声放大器(LNA)和改进型吉尔伯特混频器组成,采用SMIC RFCMOS技术。仿真结果表明,本文所设计的UWB接收机具有较好的输入匹配(<-9dB)、3... 本文介绍了一种具有片上巴伦的超宽带(UWB)3GHz~5GHz直接转换接收机。它由电容交叉耦合共栅极低噪声放大器(LNA)和改进型吉尔伯特混频器组成,采用SMIC RFCMOS技术。仿真结果表明,本文所设计的UWB接收机具有较好的输入匹配(<-9dB)、3.9dB~5.5dB的噪声系数和19dB~25dB的功率转换增益。在1.2V供电情况下消耗22mA电流,并占用0.66×0.8mm^2芯片面积(包括焊盘)。 展开更多
关键词 接收机 低噪声放大器 混频器 rfcmos 超宽带
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一种具有新型增益控制技术的CMOS宽带可变增益LNA 被引量:5
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作者 谌斐华 多新中 孙晓玮 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第11期2772-2775,共4页
高速超宽带无线通信的多标准融合是未来射频器件的发展趋势,该文提出一种基于CMOS工艺、具有新型增益控制技术的宽带低噪声放大器(LNA),采用并联电阻反馈实现宽带输入匹配,并引入噪声消除技术来减小噪声以提高低噪声性能;输出带有新型6... 高速超宽带无线通信的多标准融合是未来射频器件的发展趋势,该文提出一种基于CMOS工艺、具有新型增益控制技术的宽带低噪声放大器(LNA),采用并联电阻反馈实现宽带输入匹配,并引入噪声消除技术来减小噪声以提高低噪声性能;输出带有新型6位数字可编程增益控制电路以实现可变增益。采用中芯国际0.13μm RF CMOS工艺流片,芯片面积为0.76mm2。测试结果表明LNA工作频段为1.1-1.8GHz,最大增益为21.8dB、最小增益8.2dB,共7种增益模式。最小噪声系数为2.7dB,典型的IIP3为-7dBm。 展开更多
关键词 rfcmos 低噪声放大器(LNA) 噪声消除 宽带 可变增益
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Systematic Approaches of UWB Low-Power CMOS LNA with Body Biased Technique
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作者 Meng-Ting Hsu Kun-Long Wu Wen-Chen Chiu 《Wireless Engineering and Technology》 2015年第3期61-77,共17页
This paper presents research on a low power CMOS UWB LNA based on a cascoded common source and current-reused topology. A systematic approach for the design procedure from narrow band to UWB is developed and discussed... This paper presents research on a low power CMOS UWB LNA based on a cascoded common source and current-reused topology. A systematic approach for the design procedure from narrow band to UWB is developed and discussed in detail. The power reduction can be achieved by using body biased technique and current-reused topology. The optimum width of the major transistor device M1 is determined by the power-constraint noise optimization with inner parasitic capacitance between the gate and source terminal. The derivation of the signal amplification S21 by high frequency small signal model is displayed in the paper. The optimum design of the complete circuit was studied in a step by step analysis. The measurements results show that the proposed circuit has superior S11, gain, noise figure, and power consumption. From the measured results, S11 is lower than -12 dB, S22 is lower than -10 dB and forward gain S21 has an average value with 12 dB. The noise figure is from 4 to 5.7 dB within the whole band. The total power consumption of the proposed circuit including the output buffer is 4.6 mW with a supply voltage of 1 V. This work is implemented in a standard TSMC 0.18 μm CMOS process technology. 展开更多
关键词 Body BIAS Common Source LOW Noise Amplifier (LNA) LOW Power rfcmos ULTRA-WIDEBAND (UWB)
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针对CDMA2000 1X的双频RF CMOS接收芯片
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《国外电子元器件》 2004年第9期66-66,共1页
关键词 CDMA2000 1X 高通公司 rfcmos 接收芯片
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Atheros于NASDAQ上市
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作者 林治国 《电子与电脑》 2004年第3期69-71,共3页
无线局域网络芯片业者Atheros于2月12日宣称将于那思达克(NASDAQ)挂牌上市。Atheros目前约170名员工,该公司曾是IEEE802.11a主要推动者之一,也是全球第一个推出IEEE802.11a芯片的公司,是802.11a芯片组最大的供货商,同时也是以无... 无线局域网络芯片业者Atheros于2月12日宣称将于那思达克(NASDAQ)挂牌上市。Atheros目前约170名员工,该公司曾是IEEE802.11a主要推动者之一,也是全球第一个推出IEEE802.11a芯片的公司,是802.11a芯片组最大的供货商,同时也是以无线局域网络为核心成立的一家公司,此外,也是第一家公司推出以RFCMOS制程的射频芯片。 展开更多
关键词 Atheros公司 那思达克 NASDAQ IEEE802.11a芯片 无线局域网络 rfcmos制程 射频芯片
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