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塔里木盆地塔深1井深层油气相态预测 被引量：12
1
作者 张海坤 周世新 +4 位作者 付德亮 巩书华 李靖 王保忠 柳少鹏 《天然气地球科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期999-1004,1068,共7页
塔深1井是中国目前第一深井，其钻探深度为8408m，在6800～7358m处的下奥陶统一上寒武统碳酸盐岩中见有气态烃存在，而在底部8404～8406m处寒武系岩心中见有褐黄色的液态烃，如何解释该井深层油气相态特征是人们非常关注的问题。通过使... 塔深1井是中国目前第一深井，其钻探深度为8408m，在6800～7358m处的下奥陶统一上寒武统碳酸盐岩中见有气态烃存在，而在底部8404～8406m处寒武系岩心中见有褐黄色的液态烃，如何解释该井深层油气相态特征是人们非常关注的问题。通过使用经验判识法和PVT相图法对深层油气相态进行了研究，组分Z值法和三角图经验法研究表明，该井在6800～7358m处的下奥陶统一上寒武统烃类流体可能为带油环凝析气藏。另外对塔深1井8406m处的烃类流体组成进行了恢复，并使用PVTsim相态模拟软件对深层油气的相态进行了模拟，研究表明塔深1井深层油气的临界温度为182℃，临界压力为52MPa，临界点温度位于临界凝析压力点与临界凝析温度点之间，且与临界凝析压力点非常接近，从深层流体组成、温度和压力条件分析，该井8406m处深部流体具有典型挥发性轻质油的相态特征，并非岩心中见到的纯液态烃或气态烃。 展开更多
关键词 塔深1井 油气相态 PVTsim 深层油气
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6英寸高纯半绝缘SiC生长技术 被引量：1
2
作者 吴会旺 赵丽霞 +1 位作者 刘英斌 李胜华 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第7期581-585,593,共6页
利用自蔓延法进行SiC粉料合成、物理气相传输法进行6英寸(1英寸=2.54 cm)高纯半绝缘(HPSI)SiC晶体生长。采用高温下通入HCl和H2的方法,对SiC粉料合成及晶体生长所使用的石墨件和石墨粉进行前处理,该方法可有效降低系统中N、B和Al等杂质... 利用自蔓延法进行SiC粉料合成、物理气相传输法进行6英寸(1英寸=2.54 cm)高纯半绝缘(HPSI)SiC晶体生长。采用高温下通入HCl和H2的方法,对SiC粉料合成及晶体生长所使用的石墨件和石墨粉进行前处理,该方法可有效降低系统中N、B和Al等杂质的背景浓度,提高SiC晶体的电阻率。使用二次离子质谱(SIMS)法对获得的晶体进行杂质浓度检测。检测结果表明,N和Al的浓度均小于检测极限(分别为1×10^16和1×10^14 cm^-3),B的浓度为4.24×10^14 cm^-3。对晶体进行切片和抛光后得到的晶片进行测试。测试结果表明,整个晶片所有测试点的电阻率均在1×10^8Ω·cm以上,微管密度小于0.2 cm^-2,X射线摇摆曲线半高宽为28 arcsec。使用该方法成功制备了6英寸高纯半绝缘4H-SiC晶体。 展开更多
关键词 杂质控制 高纯半绝缘(HPSI) 碳化硅(SiC) 物理气相传输(PVT)法 二次离子质谱(SIMS)
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物理汽相传输法生长掺钒碳化硅单晶新鲜表面的实验研究
3
作者 王香泉 洪颖 +3 位作者 章安辉 冯玢 郝建民 严如岳 《现代仪器》 2010年第3期75-76,79,共3页
采用SEM观察物理汽相传输(PVT)法生长掺钒SiC单晶新鲜表面时,发现有特定形状的析出相,经SIMS、SEM能谱(EDX)、XRD、台阶仪综合分析,确定析出相的主要成分是钒,且是凸起的,推断其在单晶生长降温过程中产生。
关键词 SIC 掺钒 PVT 新鲜表面 SEM SIMS
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高纯半绝缘SiC电阻率影响因素
4
作者 吴会旺 赵丽霞 +1 位作者 刘英斌 李胜华 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第4期320-323,338,共5页
采用物理气相传输(PVT)法进行高纯半绝缘SiC晶体生长,利用高温真空解吸附以及在系统中通入HCl和H2的方法,有效降低了系统中N、B和Al等杂质的背景浓度。使用二次离子质谱(SIMS)对晶体中杂质浓度测试,N、B和Al浓度分别小于1×1016、1&... 采用物理气相传输(PVT)法进行高纯半绝缘SiC晶体生长,利用高温真空解吸附以及在系统中通入HCl和H2的方法,有效降低了系统中N、B和Al等杂质的背景浓度。使用二次离子质谱(SIMS)对晶体中杂质浓度测试,N、B和Al浓度分别小于1×1016、1×1015和2×1014 cm-3。对加工得到的晶片进行测试,全片的电阻率均在1×1010Ω·cm以上,微管密度小于0.02 cm-2,(004)衍射面的X射线摇摆曲线半高宽为34″。结果表明,该方法可以有效降低SiC晶体中N、B和Al等杂质浓度,提升SiC晶片的电阻率。使用该方法成功制备了4英寸(1英寸=2.54 cm)高纯半绝缘4H-SiC晶体。 展开更多
关键词 高纯半绝缘 碳化硅(SiC) 电阻率 物理气相传输(PVT)法 二次离子质谱(SIMS)
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