为解决碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,SiC MOSFET)硬开关故障(Hard Switch Fault,HSF)、负载故障(Fault Under Load,FUL)和过载故障(OverLoad fault,OL)的问题,本文提出...为解决碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,SiC MOSFET)硬开关故障(Hard Switch Fault,HSF)、负载故障(Fault Under Load,FUL)和过载故障(OverLoad fault,OL)的问题,本文提出了一种基于SiC MOSFET漏极电压和源极电压检测的过流保护方法(OverCurrent Protection method based on the Drain-voltage and Source-voltage Detection,DSD-OCP).该方法通过检测电路实时监控SiC MOSFET的漏极电压和源极电压来准确识别短路故障和过载故障,并利用驱动电路控制SiC MOSFET的开通和关断,从而实现快速短路保护和自适应过载保护,同时还集成软关断功能.基于0.5μm双极型-互补金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体(Bipolar-CMOS-DMOS,BCD)工艺,设计了DSD-OCP电路并进行流片,芯片面积为2.8 mm^(2).采用研制的芯片搭建1200 V/80 mΩSiC MOSFET测试平台,并验证了DSD-OCP方法的有效性.实验结果表明,SiC MOSFET在DSD-OCP芯片保护下的HSF和FUL持续时间分别为88 ns和105 ns.在不同母线电压下,DSD-OCP芯片能够为SiC MOSFET提供自适应的过载保护.因DSD-OCP芯片具有软关断功能,SiC MOSFET在过流保护时的漏极电压过冲不超过110 V.展开更多
目的:探讨压力负荷诱导大鼠心肌肥厚和左室舒张功能的评价方法。方法:采用横向主动脉缩窄法(TAC)建立压力负荷诱导大鼠心肌重塑模型,应用超声心动图、有创血流动力学检测及心肌组织中羟脯氨酸含量测定等方法评价左室结构和舒张功能。结...目的:探讨压力负荷诱导大鼠心肌肥厚和左室舒张功能的评价方法。方法:采用横向主动脉缩窄法(TAC)建立压力负荷诱导大鼠心肌重塑模型,应用超声心动图、有创血流动力学检测及心肌组织中羟脯氨酸含量测定等方法评价左室结构和舒张功能。结果:(1)超声心动图测定的TAC组术后3周大鼠左室壁厚度显著大于假手术组[前壁:(1.71±0.11)mm vs(1.43±0.06)mm,P<0.01;后壁(1.78±0.03)mm vs(1.44±0.02)mm,P<0.01];TAC组术后3周左室后壁心肌舒张早期运动速度(E')与假手术组相比显著下降[(52.1±0.8)mm.s-1vs(63.8±1.5)mm.s-1,P<0.01],术后6周进一步降低。(2)解剖称重左室重量/胫骨长度在TAC组显著高于假手术组[3周:(19.6±1.1)mg.mm-1 vs(14.8±0.6)mg.mm-1,P<0.01;6周:(23.2±0.9)mg.mm-1 vs(15.6±0.7)mg.mm-1,P<0.01]。(3)TAC组校正的左室内压力最大下降速度(dp/dtmin/LVSP)在术后3周有下降趋势(48.9±5.9 vs 63.5±9.9),术后6周下降显著(35.4±4.0 vs 54.4±2.9,P<0.01)。(4)天狼猩红染色可见TAC组血管周围胶原沉积明显多于假手术组,术后6周TAC组心肌组织中羟脯氨酸含量显著高于假手术组[(465.3±17.3)μg vs(351.4±8.2)μg,P<0.05]。结论:超声心动图组织多普勒测定左室后壁心肌运动速度是评价压力负荷心肌重塑大鼠早期左室舒张功能异常的可靠指标。展开更多
文摘为解决碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,SiC MOSFET)硬开关故障(Hard Switch Fault,HSF)、负载故障(Fault Under Load,FUL)和过载故障(OverLoad fault,OL)的问题,本文提出了一种基于SiC MOSFET漏极电压和源极电压检测的过流保护方法(OverCurrent Protection method based on the Drain-voltage and Source-voltage Detection,DSD-OCP).该方法通过检测电路实时监控SiC MOSFET的漏极电压和源极电压来准确识别短路故障和过载故障,并利用驱动电路控制SiC MOSFET的开通和关断,从而实现快速短路保护和自适应过载保护,同时还集成软关断功能.基于0.5μm双极型-互补金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体(Bipolar-CMOS-DMOS,BCD)工艺,设计了DSD-OCP电路并进行流片,芯片面积为2.8 mm^(2).采用研制的芯片搭建1200 V/80 mΩSiC MOSFET测试平台,并验证了DSD-OCP方法的有效性.实验结果表明,SiC MOSFET在DSD-OCP芯片保护下的HSF和FUL持续时间分别为88 ns和105 ns.在不同母线电压下,DSD-OCP芯片能够为SiC MOSFET提供自适应的过载保护.因DSD-OCP芯片具有软关断功能,SiC MOSFET在过流保护时的漏极电压过冲不超过110 V.
文摘目的:探讨压力负荷诱导大鼠心肌肥厚和左室舒张功能的评价方法。方法:采用横向主动脉缩窄法(TAC)建立压力负荷诱导大鼠心肌重塑模型,应用超声心动图、有创血流动力学检测及心肌组织中羟脯氨酸含量测定等方法评价左室结构和舒张功能。结果:(1)超声心动图测定的TAC组术后3周大鼠左室壁厚度显著大于假手术组[前壁:(1.71±0.11)mm vs(1.43±0.06)mm,P<0.01;后壁(1.78±0.03)mm vs(1.44±0.02)mm,P<0.01];TAC组术后3周左室后壁心肌舒张早期运动速度(E')与假手术组相比显著下降[(52.1±0.8)mm.s-1vs(63.8±1.5)mm.s-1,P<0.01],术后6周进一步降低。(2)解剖称重左室重量/胫骨长度在TAC组显著高于假手术组[3周:(19.6±1.1)mg.mm-1 vs(14.8±0.6)mg.mm-1,P<0.01;6周:(23.2±0.9)mg.mm-1 vs(15.6±0.7)mg.mm-1,P<0.01]。(3)TAC组校正的左室内压力最大下降速度(dp/dtmin/LVSP)在术后3周有下降趋势(48.9±5.9 vs 63.5±9.9),术后6周下降显著(35.4±4.0 vs 54.4±2.9,P<0.01)。(4)天狼猩红染色可见TAC组血管周围胶原沉积明显多于假手术组,术后6周TAC组心肌组织中羟脯氨酸含量显著高于假手术组[(465.3±17.3)μg vs(351.4±8.2)μg,P<0.05]。结论:超声心动图组织多普勒测定左室后壁心肌运动速度是评价压力负荷心肌重塑大鼠早期左室舒张功能异常的可靠指标。
