由于传统的磁盘甚至已广泛应用的Flash固态盘已无法很好地满足当前对存储器在集成度、读写速度、可靠性方面的需求,故须积极寻找新一代存储介质尝试与当前存储器混合使用甚至替代之.而磁阻随机存储器(magnetic random access memory,MR...由于传统的磁盘甚至已广泛应用的Flash固态盘已无法很好地满足当前对存储器在集成度、读写速度、可靠性方面的需求,故须积极寻找新一代存储介质尝试与当前存储器混合使用甚至替代之.而磁阻随机存储器(magnetic random access memory,MRAM)作为一种非易失性存储器,拥有静态随机存储器(satic random access memory,SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(dynamic random access memory,DRAM)的高集成度,同时比DRAM更低的能耗,并具有无限的读写次数,这些优秀的特性使得MRAM拥有很好的潜力成为下一代主流存储介质.为了对MRAM的读写性能、功耗等有深入的理解,设计并实现了一个MRAM测试平台,完成对MRAM读写性能测试和特性数据采集.该测试平台主要由MRAM控制器设计、MRAM特性数据采集、读写性能测试3个方面组成,由MRAM控制器对MRAM芯片进行读写完成读写性能测试,采集MRAM在读、写、空闲等状态下的特性数据.实验表明,MRAM具有良好的读写性能和低功耗,有条件成为下一代主流存储介质.展开更多
经常有人将磁阻RAM（MRAM，Magnetoresistive Random Access Memory）称作是非易失性存储器（nvRAM，Non—Volatile RAM）的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM可以在掉电时保留数据，并且不需要定期刷新。MRAM利用磁性材料...经常有人将磁阻RAM（MRAM，Magnetoresistive Random Access Memory）称作是非易失性存储器（nvRAM，Non—Volatile RAM）的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM可以在掉电时保留数据，并且不需要定期刷新。MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，它的寿命几乎是没有限制的。MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其官要求高辣、耐用和非易失性的商业应用。展开更多
利用磁阻效应的非易失性存储器MRAM最近开始复苏，全球很多存储器厂商正在加速开发采用自旋注入反磁化方式的新型MRAM（见图1）。在与磁存储相关的国际会议一第52届磁学与磁性材料年会（52nd Annual Conference on Magnetism and Magnet...利用磁阻效应的非易失性存储器MRAM最近开始复苏，全球很多存储器厂商正在加速开发采用自旋注入反磁化方式的新型MRAM（见图1）。在与磁存储相关的国际会议一第52届磁学与磁性材料年会（52nd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials，MMM）上，多家厂商相继发布了多种技术方案，可以将自旋注入MRAM的制造工艺提升到45nm-32nm，展开更多
文摘由于传统的磁盘甚至已广泛应用的Flash固态盘已无法很好地满足当前对存储器在集成度、读写速度、可靠性方面的需求,故须积极寻找新一代存储介质尝试与当前存储器混合使用甚至替代之.而磁阻随机存储器(magnetic random access memory,MRAM)作为一种非易失性存储器,拥有静态随机存储器(satic random access memory,SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(dynamic random access memory,DRAM)的高集成度,同时比DRAM更低的能耗,并具有无限的读写次数,这些优秀的特性使得MRAM拥有很好的潜力成为下一代主流存储介质.为了对MRAM的读写性能、功耗等有深入的理解,设计并实现了一个MRAM测试平台,完成对MRAM读写性能测试和特性数据采集.该测试平台主要由MRAM控制器设计、MRAM特性数据采集、读写性能测试3个方面组成,由MRAM控制器对MRAM芯片进行读写完成读写性能测试,采集MRAM在读、写、空闲等状态下的特性数据.实验表明,MRAM具有良好的读写性能和低功耗,有条件成为下一代主流存储介质.
文摘经常有人将磁阻RAM（MRAM，Magnetoresistive Random Access Memory）称作是非易失性存储器（nvRAM，Non—Volatile RAM）的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM可以在掉电时保留数据，并且不需要定期刷新。MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，它的寿命几乎是没有限制的。MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其官要求高辣、耐用和非易失性的商业应用。
文摘利用磁阻效应的非易失性存储器MRAM最近开始复苏，全球很多存储器厂商正在加速开发采用自旋注入反磁化方式的新型MRAM（见图1）。在与磁存储相关的国际会议一第52届磁学与磁性材料年会（52nd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials，MMM）上，多家厂商相继发布了多种技术方案，可以将自旋注入MRAM的制造工艺提升到45nm-32nm，
