LICVD制备纳米SiO_2粉末工艺研究 被引量：6

1

作者 王智 吴重庆 简水生 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期22-26,共5页

对ＬＩＣＶＤ制备纳米ＳｉＯ２粉末工艺作了理论分析，探索了工艺参数与粒子特征的关系，并且利用正交装置成功地制备出纳米ＳｉＯ２粉末。

关键词 licvd工艺 红外吸收 二氧化硅 粉末工艺

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LICVD法制备a-Si_3N_4纳米粒子光谱研究 被引量：2

2

作者 凤雷 郑韬 李道火 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期952-956,共5页

用激光化学气相沉积法制备出平均粒径为１０ｎｍ 左右的ａＳｉ３Ｎ４ 纳米粒子．红外吸收和喇曼光谱研究表明ａＳｉ３Ｎ４ 纳米粒子中存在Ｓｉ—Ｎ，Ｓｉ—Ｈ，Ｎ—Ｈ，Ｓｉ—Ｏ—Ｓｉ键，分析了ａＳｉ３Ｎ４纳米粒子在不同的温... 用激光化学气相沉积法制备出平均粒径为１０ｎｍ 左右的ａＳｉ３Ｎ４ 纳米粒子．红外吸收和喇曼光谱研究表明ａＳｉ３Ｎ４ 纳米粒子中存在Ｓｉ—Ｎ，Ｓｉ—Ｈ，Ｎ—Ｈ，Ｓｉ—Ｏ—Ｓｉ键，分析了ａＳｉ３Ｎ４纳米粒子在不同的温度和气氛退火后的变化情况．并对ａＳｉ３Ｎ４ 纳米粒子胶体溶液的紫外可见吸收进行了测试分析． 展开更多

关键词 纳米材料 纳米粒子光谱 α-Si3N4 licvd

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LICVD法纳米硅制备过程中的成核及生长 被引量：5

3

作者 尹衍升 刘英才 李静 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期1-5,共5页

自行设计制备了激光诱导化学气相沉积法(LICVD)纳米制粉装置,利用该装置制备的纳米硅粉其粒度波动在30～60nm之间。通过对不同反应气体流量条件下的激光能量阈值研究表明,随反应气体流量的增加,所需激光能量阈值大致成线性增加。利用透... 自行设计制备了激光诱导化学气相沉积法(LICVD)纳米制粉装置,利用该装置制备的纳米硅粉其粒度波动在30～60nm之间。通过对不同反应气体流量条件下的激光能量阈值研究表明,随反应气体流量的增加,所需激光能量阈值大致成线性增加。利用透射电镜和高分辨电镜对其形貌进行了表征,并对其成核与生长进行了分析,在成核长大初期,晶核周围的Si原子浓度较高,纳米硅晶应以层状长大方式为主。当纳米晶中有螺型位错等晶体缺陷形成时,会为Si原子的"落座"提供生长所需的台阶源,晶粒将以螺旋状生长方式长大。在长大过程中,纳米晶会发生跳跃式长大现象。以跳跃方式长大的晶粒通常在两晶粒的结合面处伴有晶体缺陷发生或亚晶界产生。较低的反应气体流速条件下,纳米硅的择优生长方向为<112>晶向;而在较高的反应气体流速条件下其择优生长方向变为<111>晶向。 展开更多

关键词 licvd法 纳米硅 激光诱导化学气相沉积法 激光能量阈值 气体流量 亚晶界 气相成核率 晶粒

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LICVD法纳米硅粉的制备及激光能量阈值研究 被引量：4

4

作者 范素芹 吕红霞 《河北科技大学学报》 CAS 2004年第3期38-40,61,共4页

利用自制的LICVD法纳米粉设备对在不同反应气体流量和SiH4含量条件下的激光能量阈值进行了研究,对由该方法在不同反应气体流速条件下制备的纳米硅颗粒进行了微结构表征,同时就反应气体流量对纳米硅颗粒的微结构影响机制进行了探讨。

关键词 反应气体 制备 颗粒 纳米硅 研究 表征 纳米粉 激光能量 阈值 微结构

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高纯超细 SiO_2 粉末制备工艺研究 被引量：8

5

作者 王智 吴重庆 +1 位作者 赵宏静 简水生 《铁道学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期105-110,共6页

对高温ＣＶＤ和ＬＩＣＶＤ制备高纯纳米ＳｉＯ２粉末工艺进行了理论分析，并通过系统的实验研究，制取了大量极细颗粒ＳｉＯ２粉末。对制备的粉末进行透射电镜分析，比较了两种工艺的优劣。

关键词 高温 CVD licvd 纳米粉末 二氧化硅

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退火处理对激光诱导化学气相沉积制备纳米硅红外光谱的影响

6

作者 张海燕 陈可心 +2 位作者 刘颂豪 梁礼正 王卫乡 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第S2期169-173,共5页

研究激光诱导化学相沉积（ＬＩＣＶＤ）法制备纳米硅粒子的工艺过程，分析了影响纳米硅形成及尺寸的主要工艺参数，获得了最佳的工艺条件并讨论了退火处理对纳米硅红外光谱各吸收峰的强度。

关键词 纳米硅 激光诱导化学气相沉积(licvd) 红外光谱

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激光法制备纳米氮化硅及其光谱特性研究 被引量：2

7

作者 陈磊 黄永攀 +3 位作者 浦坦 郭晓勇 赵文武 张为俊 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期268-272,共5页

介绍了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工艺原理,通过增加正交紫外光束激励NH3分解,提高气相中n(N)／n(Si)比,从而减少产物中游离硅的浓度,制备出粒径7-15 nm的无团聚、理想化学剂量(n(N)／n(Si)=1．314)的非晶纳米氮化硅粉体... 介绍了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工艺原理,通过增加正交紫外光束激励NH3分解,提高气相中n(N)／n(Si)比,从而减少产物中游离硅的浓度,制备出粒径7-15 nm的无团聚、理想化学剂量(n(N)／n(Si)=1．314)的非晶纳米氮化硅粉体。采用透射电子显微镜观察粉体形貌,并指出表面效应和量子尺寸效应导致粉体红外吸收光谱和拉曼光谱的“蓝移”和“宽化”现象。采用双光束激励的光诱导化学气相沉积法是制备高纯度纳米氮化硅粉体的理想方法。 展开更多

关键词 光电子学 licvd 氮化硅 双光束激发 红外吸收光谱 拉曼光谱

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制备参数和退火对激光诱导化学汽相沉积合成纳米硅的粒径和红外光谱的影响 被引量：10

8

作者 梁礼正 张海燕 +3 位作者 何艳阳 陈可心 王卫乡 刘颂豪 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2001年第5期382-386,共5页

用激光诱导化学汽相沉积 (LICVD)法制备纳米硅 ,发现 :激光强度存在低限阈值 ,SiH4的流速存在着高限阈值 ,二者正相关 ,以维持SiH4 裂解所需的高温。为了使纳米硅粒小而均匀 ,应加大激光强度 ,并相应加快SiH4 的流速 ,以提高纳米硅粒的... 用激光诱导化学汽相沉积 (LICVD)法制备纳米硅 ,发现 :激光强度存在低限阈值 ,SiH4的流速存在着高限阈值 ,二者正相关 ,以维持SiH4 裂解所需的高温。为了使纳米硅粒小而均匀 ,应加大激光强度 ,并相应加快SiH4 的流速 ,以提高纳米硅粒的成核率 ,减少每一个纳米硅核所吸收的硅原子数 ,并缩短每一个纳米硅核的生长期。纳米硅制取后退火脱H ,纳米硅的红外吸收光谱发生变化 :4条特征吸收带的位置、强度和形状各有改变。这是因为纳米硅的表面积很大 ,表面氧化使组态改变。为了减轻这样的氧化 ,纳米硅应在Ar气氛中而不是在空气中退火 ,并且开始退火的温度低于 30 0℃。 展开更多

关键词 激光诱导 化学汽相沉积 纳米硅粉 红外光谱 粒径 退火

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激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅及粉体光谱特性研究 被引量：7

9

作者 王锐 李道火 +2 位作者 黄永攀 罗丽明 浦坦 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2004年第3期6-9,共4页

氮化硅是优良的陶瓷材料,应用广泛。本文研究了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工作原理,提出了减少游离硅的措施,利用双光束激发制备了超微的、非晶纳米氮化硅粉体。实验证明,纳米氮化硅粉体具有一些特殊的物理性能和光谱特性。

关键词 激光诱导 化学气相沉积法 制备 纳米氮化硅 光谱特性 陶瓷材料 SI3N4 双光束激发

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纳米硅制备过程中微结构与反应气体流量之间的关系研究(英文)

10

作者 刘英才 尹衍升 +2 位作者 李静 李嘉 初蕾 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期644-646,共3页

利用LICVD方法制备了纳米硅颗粒。研究了不同反应气体流量条件下 ,纳米硅微结构的转变规律 ,分析了制备工艺参数对纳米硅微结构的影响机制。研究表明 ,在激光功率密度恒定条件下 ,随着反应气体流量的增加 ,所制备纳米硅颗粒的尺寸逐渐变... 利用LICVD方法制备了纳米硅颗粒。研究了不同反应气体流量条件下 ,纳米硅微结构的转变规律 ,分析了制备工艺参数对纳米硅微结构的影响机制。研究表明 ,在激光功率密度恒定条件下 ,随着反应气体流量的增加 ,所制备纳米硅颗粒的尺寸逐渐变小 ,微结构中非晶态比例随反应气流的增加而增加。 展开更多

关键词 纳米硅 制备 微结构 反应气体流量 licvd方法 晶体生长 激光诱导化学气相沉积法

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激光诱导化学气相沉积法制备纳米晶硅的制备参数和退火工艺的研究

11

作者 梁礼正 张海燕 +3 位作者 何艳阳 陈可心 王卫乡 刘颂豪 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期48-51,共4页

用CO2 红外激光诱导化学气相沉积的方法制备纳米Si,激光强度越大 ,则SiH4受热温度越高 ,纳米Si的成核率越高 ,纳米Si核的密度越大 ,每一个核生长所吸收的Si原子数目越少 ,从而所得的纳米Si粒小而均匀。当激光强度减小到一个低限阈值 ,则... 用CO2 红外激光诱导化学气相沉积的方法制备纳米Si,激光强度越大 ,则SiH4受热温度越高 ,纳米Si的成核率越高 ,纳米Si核的密度越大 ,每一个核生长所吸收的Si原子数目越少 ,从而所得的纳米Si粒小而均匀。当激光强度减小到一个低限阈值 ,则SiH4温度太低 ,不能裂解。SiH4的流速越快 ,则纳米Si成核后生长期越短 ,纳米Si粒也小而均匀。当SiH4流速快到一个高限阈值 ,则SiH4受热时间太短 ,升不到裂解所需的高温。以上 2个产生纳米Si的阈值正相关。纳米Si制取后退火脱H ,344 0cm-1光谱带红移并增强 ,2 15 0cm-1光谱带形状变化 ,110 0cm-1光谱带由低频处蓝移而来并展宽。这都表明含O键在纳米Si很大的表面上出现。为了减轻含O键出现 ,纳米Si应在Ar气氛中而不是在空气中 ,从低于 30 展开更多

关键词 激光诱导 化学气相沉积法 制备 纳米晶硅 制备参数 退火工艺 红外吸收光谱 集成电路

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纳米Si_3N_4制备及光学特性研究 被引量：6

12

作者 王锐 李道火 +2 位作者 黄永攀 罗丽明 浦坦 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2004年第5期557-560,共4页

为了制备高纯度的非晶纳米氮化硅粉体,在传统的激光诱导化学气相沉积法反应装置的基础上,加入正交紫外光束以激励NH3分解,从而提高气相中n(N)/n(Si)比,减少产物中游离硅的摩尔浓度.利用TEM技术和光谱分析技术研究了粒子的形貌和特性.结... 为了制备高纯度的非晶纳米氮化硅粉体,在传统的激光诱导化学气相沉积法反应装置的基础上,加入正交紫外光束以激励NH3分解,从而提高气相中n(N)/n(Si)比,减少产物中游离硅的摩尔浓度.利用TEM技术和光谱分析技术研究了粒子的形貌和特性.结果表明:在一定的工艺参数条件下,可制备出粒径超微(7-15nm)、无团聚、理想化学剂量(n(N)/n(Si)=1.314)的非晶纳米氮化硅粉体;表面效应和量子尺寸效应导致粉体红外吸收光谱和拉曼光谱的'蓝移'和'宽化'现象;采用双光束激励的激光诱导化学气相沉积法是制备高纯度纳米氮化硅粉体的理想方法. 展开更多

关键词 粉体 制备 高纯度 纳米 氮化硅 硅粉 游离硅 化学气相沉积法 光束 光学特性

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激光诱导六甲基乙硅胺烷制备氮化硅纳米粉体 被引量：2

13

作者 陈磊 王锐 +1 位作者 黄永攀 李道火 《光电子技术与信息》 2005年第3期10-13,共4页

针对激光气相合成氮化硅纳米粉体的性能与成本的矛盾,在对激光合成反应物的研究与分析的基础上,选择廉价、无氯硫、对CO2激光有强吸收、易于处理的有机硅烷反应物六甲基乙硅胺烷(HMDS)作为价格昂贵、难以处理的硅烷(SiH4)的替代反应物,... 针对激光气相合成氮化硅纳米粉体的性能与成本的矛盾,在对激光合成反应物的研究与分析的基础上,选择廉价、无氯硫、对CO2激光有强吸收、易于处理的有机硅烷反应物六甲基乙硅胺烷(HMDS)作为价格昂贵、难以处理的硅烷(SiH4)的替代反应物,进行了激光合成氮化硅纳米粉体的研究。 展开更多

关键词 激光诱导化学气相合成 六甲基乙硅胺烷 氮化硅纳米粉体

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双光束激发改进纳米氮化硅合成工艺

14

作者 王锐 李道火 +2 位作者 黄永攀 罗丽明 浦坦 《佛山陶瓷》 2004年第5期1-3,共3页

氮化硅是优良的陶瓷材料,应用十分广泛。本文论述了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工作原理,提出了减少游离硅的措施;采用双光束激发制备得到了超微非晶纳米氮化硅粉体。

关键词 氮化硅 合成技术 陶瓷材料 SI3N4 激光诱导化学气相沉积法 吸收系数 双光束激发技术

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用双光束激发改进纳米Si_3N_4激光合成工艺

15

作者 王锐 李道火 +2 位作者 黄永攀 罗丽明 浦坦 《光电子技术与信息》 2003年第3期25-27,共3页

氮化硅(Si_3N_4)是优良的陶瓷材料,应用十分广泛。本文论述了激光诱导化学气相沉积法制备纳米Si_3N_4的工作原理,提出了减少游离硅的措施,采用双光束激发制备得到了超微的、非晶纳米 Si_3N_4粉体。

关键词 激光诱导化学气相沉积 纳米SI3N4 双光束激发

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