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自适应拥塞控制系统中LDoS攻击仿真和分析 被引量:3
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作者 刘陶 何炎祥 熊琦 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1026-1031,共6页
针对自适应拥塞控制系统操作特性所出现的低速率拒绝服务攻击(LDoS,Low-rate Denial of Service attacks)是近年来的一类新型DoS攻击。与传统洪范式DoS攻击相比,LDoS具有攻击效率更高、检测难度更大等特点。在对常用攻击模拟分析平台NS... 针对自适应拥塞控制系统操作特性所出现的低速率拒绝服务攻击(LDoS,Low-rate Denial of Service attacks)是近年来的一类新型DoS攻击。与传统洪范式DoS攻击相比,LDoS具有攻击效率更高、检测难度更大等特点。在对常用攻击模拟分析平台NS2进行缺陷分析的基础上,提出了一种基于有色Petri网(CPN)的LDoS攻击系统建模方法,应用仿真工具CPN Tools实现了对目标系统行为及LDoS攻击效果的仿真,并在此基础上提出了一种基于自适应资源投放的系统防范方案,仿真结果表明此方案能够有效降低LDoS攻击对目标系统服务质量的影响。 展开更多
关键词 自适应拥塞控制系统 ldos攻击 系统流程CPN建模 攻击防范
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针对SIP服务器的LDOS生死链攻击模型 被引量:2
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作者 王传安 王亚军 +1 位作者 郭晓 宋雪亚 《计算机应用与软件》 CSCD 2015年第8期300-303,共4页
集中于针对SIP服务器的低速率拒绝服务攻击(LDoS)的研究。通过分析LDoS攻击过程中各个阶段中不同的攻击策略,建立攻击流程,并量化攻击系统的相关参数。在此基础上,构建一个生死链攻击模型,该模型采用马尔可夫链和生死过程来刻画攻击过程... 集中于针对SIP服务器的低速率拒绝服务攻击(LDoS)的研究。通过分析LDoS攻击过程中各个阶段中不同的攻击策略,建立攻击流程,并量化攻击系统的相关参数。在此基础上,构建一个生死链攻击模型,该模型采用马尔可夫链和生死过程来刻画攻击过程,通过计算平稳概率分布,来评估攻击的有效性。最后,将仿真实验结果与理论预期结果进行对比分析,实验结果表明,建立的攻击模型是有效的、可行的。 展开更多
关键词 攻击模型 ldos SIP服务器 参数量化
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一种基于网络行为特征的分布式LDoS攻击 被引量:2
3
作者 王丽娜 张笑盈 +1 位作者 郭迟 黄来女 《中国科技论文在线》 CAS 2010年第2期85-91,共7页
利用遗传算法设计了一种分布式低速率拒绝服务攻击。在该攻击中,各攻击分布结点的行为是正常的、非周期性的,但它们的攻击叠加效果等同于经典的低速率拒绝服务攻击;同时,该攻击模式符合网络流量行为特征,所以更加难以检测和追踪定位攻... 利用遗传算法设计了一种分布式低速率拒绝服务攻击。在该攻击中,各攻击分布结点的行为是正常的、非周期性的,但它们的攻击叠加效果等同于经典的低速率拒绝服务攻击;同时,该攻击模式符合网络流量行为特征,所以更加难以检测和追踪定位攻击源。分析了攻击分布结点数与攻击速率之间的关系,从而可以根据攻击速率推断攻击分布规模,对这种攻击特征的研究为网络安全防范提供了参照。 展开更多
关键词 ldos攻击 网络行为 ON/OFF模型 幂律分布 遗传算法
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针对RED脆弱性的分布式LDoS攻击构造 被引量:1
4
作者 赵磊 张笑盈 +1 位作者 王丽娜 郭迟 《武汉大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期199-202,共4页
针对随机早期检测(random early detection,RED)算法在慢速拒绝服务攻击(low-rate deny of serv-ice,LDoS)面前的脆弱性问题,本文通过对比路由器分别在RED和尾丢弃Drop-Tail算法管理下遭受LDoS攻击时的队列平均占用率及吞吐量,指出虽然... 针对随机早期检测(random early detection,RED)算法在慢速拒绝服务攻击(low-rate deny of serv-ice,LDoS)面前的脆弱性问题,本文通过对比路由器分别在RED和尾丢弃Drop-Tail算法管理下遭受LDoS攻击时的队列平均占用率及吞吐量,指出虽然路由器在RED算法下具有较大的空闲缓冲区,却不能对网络流量攻击起到缓冲作用.仿真对比实验表明,LDoS攻击使得路由器在RED下比Drop-Tail具有更大的链路损失带宽.指出现有LDoS的防范和检测方法的不足,构造了一种分布式LDoS攻击模型并给出一组模型实例,该模型说明现有突发流量检测方法不足以弥补RED脆弱性,也说明网络流量行为的关联复杂性. 展开更多
关键词 随机早期检测算法(RED) 网络流量攻击 脆弱性分析 分布式ldos
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基于改进神经网络的LDoS攻击感知 被引量:3
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作者 陈静 《信息通信》 2017年第7期1-2,共2页
低速率拒绝服务(LDoS)攻击又称为降质服务攻击(RoQ),是一种新型的拒绝服务攻击方式,其特点是利用TCP重传超时机制的漏洞,周期性地发送短时高速脉冲攻击数据包,降低TCP吞吐量,由于反复发送LDoS攻击包的速率很高,流量会重复超时,导致网络... 低速率拒绝服务(LDoS)攻击又称为降质服务攻击(RoQ),是一种新型的拒绝服务攻击方式,其特点是利用TCP重传超时机制的漏洞,周期性地发送短时高速脉冲攻击数据包,降低TCP吞吐量,由于反复发送LDoS攻击包的速率很高,流量会重复超时,导致网络拒绝服务。由于平均速率较低,即使TCP的吞吐量减少,攻击者仍然不容易被发现,隐蔽性极强,不易检测。文中提出基于LDoS攻击流量在频域的自身特征进行检测,改进BP神经网络,降低训练样本"异常值"对收敛速度的影响,对LDoS特征进行训练学习,综合诊断,从而提高LDoS攻击感知的检测率和鲁棒性。 展开更多
关键词 拒绝服务 ldos BP神经网络 误差估计器 离散小波分析
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基于拟态安全防御的LDoS攻击防御研究 被引量:1
6
作者 陈静 《福建电脑》 2017年第2期6-7,共2页
LDoS是一种新型的拒绝服务攻击(DoS),对网络空间安全造成很大的威胁,受到了众多学者的重视,已成为网络空间安全很重要的课题之一。拟态安全防御是一种网络空间主被动融合防御体系,它有效改善了网络空间威胁的被动防御状态。文中分析了L... LDoS是一种新型的拒绝服务攻击(DoS),对网络空间安全造成很大的威胁,受到了众多学者的重视,已成为网络空间安全很重要的课题之一。拟态安全防御是一种网络空间主被动融合防御体系,它有效改善了网络空间威胁的被动防御状态。文中分析了LDoS攻击原理及现有检测防御方法,概述了拟态安全防御的特点。基于拟态安全防御的特点,对LDoS攻击进行防御的可行性进行了分析,希望对该领域的研究提供一些有益的启示。 展开更多
关键词 ldos防御 拟态安全防御 网络安全
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SDN环境下的LDoS攻击检测与防御技术 被引量:7
7
作者 颜通 白志华 +2 位作者 高镇 闫丽娜 周蕾 《计算机科学与探索》 CSCD 北大核心 2020年第4期566-577,共12页
低速率拒绝服务(LDoS)攻击是一种新型的网络攻击方式,其特点是攻击成本低,隐蔽性强。作为一种新型的网络架构,软件定义网络(SDN)同样面临着LDoS攻击的威胁。但SDN网络的控制与转发分离、网络行为可编程等特点又为LDoS攻击的检测和防御... 低速率拒绝服务(LDoS)攻击是一种新型的网络攻击方式,其特点是攻击成本低,隐蔽性强。作为一种新型的网络架构,软件定义网络(SDN)同样面临着LDoS攻击的威胁。但SDN网络的控制与转发分离、网络行为可编程等特点又为LDoS攻击的检测和防御提供了新的思路。提出了一种基于OpenFlow协议的LDoS攻击检测和防御方法。通过对每条OpenFlow数据流的速率单独进行统计,并利用信号检测中的双滑动窗口法实现对攻击流量的检测,一旦检测到攻击流量,控制器便可以通过下发流表的方式实现对攻击行为的实时防御。实验表明,该方法能够有效检测出LDoS攻击,并能够在较短时间内实现对攻击行为的防御。 展开更多
关键词 低速率拒绝服务(ldos)攻击 软件定义网络(SDN) 检测 防御 开放式网络操作系统(ONOS)
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一种大电流低压差线性稳压器
8
作者 文传瑶 钟琼丽 +1 位作者 马奎 杨发顺 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期45-56,76,共13页
基于40 V双极型工艺设计了一种输出电压可调的大电流、低压差线性稳压器(LDO)。在带隙基准源电路中引入二极管修调技术,有效减小了工艺波动的影响;采用达林顿结构的横向pnp功率晶体管作为输出调整管,确保大电流条件下LDO具有较低的输入... 基于40 V双极型工艺设计了一种输出电压可调的大电流、低压差线性稳压器(LDO)。在带隙基准源电路中引入二极管修调技术,有效减小了工艺波动的影响;采用达林顿结构的横向pnp功率晶体管作为输出调整管,确保大电流条件下LDO具有较低的输入-输出电压差;设计了过温、限流、过压以及防反接4种保护电路,保证电路的稳定运行。基于Cadence Spectre进行电路设计和仿真,后仿结果表明电路可在输入电压为5.4~26 V、温度为-55~125℃下正常运行;实现5~20 V的可调输出电压;当输出电压为5 V、输出电流为1 A时,输入-输出电压差低至375 mV;线性调整率及负载调整率分别为0.375 mV/V和4.02 mV/A。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(LDO) 大电流 达林顿调整管 二极管修调 输出电压可调
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An approach for detecting LDoS attack based on cloud model 被引量:1
9
作者 Wei SHI Dan TANG +2 位作者 Sijia ZHAN Zheng QIN Xiyin WANG 《Frontiers of Computer Science》 SCIE EI CSCD 2022年第6期123-134,共12页
Cybersecurity has always been the focus of Internet research.An LDoS attack is an intelligent type of DoS attack,which reduces the quality of network service by periodically sending high-speed but short-pulse attack t... Cybersecurity has always been the focus of Internet research.An LDoS attack is an intelligent type of DoS attack,which reduces the quality of network service by periodically sending high-speed but short-pulse attack traffic.Because of its concealment and low average rate,the traditional DoS attack detection methods are challenging to be effective.The existing LDoS attack detection methods generally have the problems of high FPR and FNR.A cloud model-based LDoS attack detection method is proposed,and a classifier based on SVM is used to train and classify the feature parameters.The detection method is verified and tested in the NS2 simulation platform and Test-bed network environment.Compared with the existing research results,the proposed method requires fewer samples,and it has lower FPR and FNR. 展开更多
关键词 CYBERSECURITY ldos attack cloud model SVM
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一种低功耗瞬态响应增强的无片外电容LDO
10
作者 于子靖 陈元平 +1 位作者 朱承同 谢月娥 《电子元件与材料》 北大核心 2026年第1期18-26,共9页
针对当前低功耗下低压差线性稳压器(LDO)瞬态响应差的问题,设计了一种兼具低功耗和瞬态响应增强的无片外电容LDO。该设计提出了一种带交叉耦合对管的电流型跨导误差放大器,在维持超低静态电流的同时提高了误差放大器跨导,从而提升了LDO... 针对当前低功耗下低压差线性稳压器(LDO)瞬态响应差的问题,设计了一种兼具低功耗和瞬态响应增强的无片外电容LDO。该设计提出了一种带交叉耦合对管的电流型跨导误差放大器,在维持超低静态电流的同时提高了误差放大器跨导,从而提升了LDO环路增益和单位增益带宽,改善了LDO的瞬态响应性能和线性调整率;设计了体端调制电路和瞬态响应增强电路,进一步提高了LDO的瞬态响应性能。整体电路设计基于TSMC 180 nm CMOS工艺,实现了1.15~1.8 V电压输入下,输出电压1 V,最大输出电流100 mA。后仿真结果表明,全负载范围内LDO的最大静态电流为804 nA,当负载从0.1到100 mA以500 ns切换时,欠冲和过冲电压分别为126和135 mV,稳定恢复时间分别为1.5和1.8μs。 展开更多
关键词 低功耗 瞬态响应增强 无片外电容LDO 体端调制技术
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高稳定性LDO集成电路设计 被引量:4
11
作者 李亮 黄思仪 +3 位作者 宋惠安 钮小超 成珏飞 汪义旺 《中国集成电路》 2025年第1期59-64,共6页
本文设计了一款高稳定性的LDO集成电路,它具有输出稳定性高的优点。在考虑参数指标折中的条件下设计了性能可靠的带隙电压基准源电路和两级共源共栅误差放大器电路以及限流保护电路,通过调节各模块的参数来平衡LDO的性能。设计完成在UMC... 本文设计了一款高稳定性的LDO集成电路,它具有输出稳定性高的优点。在考虑参数指标折中的条件下设计了性能可靠的带隙电压基准源电路和两级共源共栅误差放大器电路以及限流保护电路,通过调节各模块的参数来平衡LDO的性能。设计完成在UMC 0.11μm工艺下,通过Cadence仿真与验证,结果表明设计的LDO在输入电压2V到5V间均可以稳定输出1.8V的电压值;温度系数为5.33ppm/℃;线性调整率为0.00012%/V;负载调整率为0.0173%/mA,显示出本设计的LDO线性稳压器性能优异,满足实际应用的需求。 展开更多
关键词 电源管理 LDO 带隙基准源 误差放大器 限流电路
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一款低功耗高稳定性LDO电路设计
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作者 李新 高志鑫 李海川 《中国集成电路》 2025年第11期28-34,68,共8页
针对常规LDO低静态电流工作时电路存在稳定性问题,提出一种低功耗高稳定性LDO电路。采用耗尽基准复用为误差放大器的第一级,减小芯片面积,降低静态电流。同时,利用动态电流偏置与米勒补偿相结合的方式,提高LDO稳定性。基于华虹0.35μmC... 针对常规LDO低静态电流工作时电路存在稳定性问题,提出一种低功耗高稳定性LDO电路。采用耗尽基准复用为误差放大器的第一级,减小芯片面积,降低静态电流。同时,利用动态电流偏置与米勒补偿相结合的方式,提高LDO稳定性。基于华虹0.35μmCMOS工艺,电源电压为3V、负载电容为1μF,对设计的电路进行仿真验证。仿真结果表明,总静态电流为1.06μA,低频下PSR为-71dB@1kHZ,相位裕度大于45°,在-40°~150°温度范围,电压温度系数为16.4ppm/℃。 展开更多
关键词 LDO 低静态电流 耗尽基准放大器
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碱性位和缺陷对MgAl-LDHs催化芴与CO_(2)直接羧基化反应的影响
13
作者 郝洪波 高卿 +2 位作者 叶翠平 穆建丽 李文英 《燃料化学学报(中英文)》 北大核心 2025年第4期472-480,共9页
将CO_(2)转化为高附加值的化学品,对于缓解CO_(2)造成的环境污染和减少对化石能源的依赖至关重要。而以CO_(2)为羧基源直接合成羧酸是其资源化利用的重要途径。为了实现CO_(2)在温和条件下的高效转化,实验考察了无水K_(2)CO_(3)、K_(2)C... 将CO_(2)转化为高附加值的化学品,对于缓解CO_(2)造成的环境污染和减少对化石能源的依赖至关重要。而以CO_(2)为羧基源直接合成羧酸是其资源化利用的重要途径。为了实现CO_(2)在温和条件下的高效转化,实验考察了无水K_(2)CO_(3)、K_(2)CO_(3)/LDHs、K_(2)CO_(3)+LDHs/LDO等固体碱对CO_(2)直接羧基化合成9-芴甲酸(9-FCA)的影响,结合XPS、XRD、CO_(2)-TPD及FT-IR等探讨了其催化活性存在差异的原因。结果表明,仅使用K_(2)CO_(3)时,9-芴甲酸的产率为64.61%。再生过程中K_(2)CO_(3)从γ-K_(2)CO_(3)相转变为低活性的β-K_(2)CO_(3)相,碱性位点减少,碱量降低,导致催化活性下降。负载K_(2)CO_(3)会影响LDHs碱性中心的数量和碱强度,Mg_(2)Al-LDH-C-40%和Mg_(3)Al-LDH-H-40%对应的9-芴甲酸产率分别为66.15%和44.45%。焙烧后Mg_(2)Al-LDO-500尖晶石相(MgAl_(2)O_(4))增加,羟基(-OH)减少、结晶度降低、中等强度碱性位点和氧空位(Ov)增加,添加量为K_(2)CO_(3)的7%时,9-芴甲酸的产率提升至78.36%。 展开更多
关键词 碱性位 缺陷 MgAl-LDHs/LDO CO_(2) 羧基化反应
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坡缕石负载Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)复合材料对甲基橙的光催化降解
14
作者 马雪娥 胡美凤 +2 位作者 宋雪丽 常玥 查飞 《材料研究学报》 北大核心 2025年第6期413-424,共12页
以坡缕石负载Zn-In LDO(PGS@Zn-In LDO)和硫代乙酰胺为原料,通过水热法在PGS@Zn-In LDO上原位生长ZnS、In_(2)S_(3)制备PGS@Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)复合材料,利用X射线衍射仪(XRD)、比表面积-孔径分析仪(BET)、扫描电子显微镜(SEM)... 以坡缕石负载Zn-In LDO(PGS@Zn-In LDO)和硫代乙酰胺为原料,通过水热法在PGS@Zn-In LDO上原位生长ZnS、In_(2)S_(3)制备PGS@Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)复合材料,利用X射线衍射仪(XRD)、比表面积-孔径分析仪(BET)、扫描电子显微镜(SEM)、热场发射透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、紫外-可见分光光度计(Uv-vis DRS)、荧光光谱仪、电化学交流阻抗(EIS)测试等手段对其表征,研究其对甲基橙(MO)的光催化降解性能。结果表明,这种材料的吸光范围比Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)的宽。并且坡缕石有利于Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)复合材料的光生载流子的迁移。模拟可见光光照60 min后50%PGS@Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)-2复合材料对甲基橙(MO)的降解率为99.1%,其催化稳定性也比较高。在这种材料的光降解反应中起关键作用的是超氧负离子和空穴,在相同的实验条件下对酸性品红、结晶紫、罗丹明B、孔雀石绿、亚甲基蓝等常见染料的降解率不低于97.2%。 展开更多
关键词 复合材料 工业催化 染料废水 光催化降解 坡缕石负载Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)
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一种无片外电容的低功耗瞬态增强LDO 被引量:1
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作者 程铁栋 金枭涵 《电子测量技术》 北大核心 2025年第12期26-31,共6页
针对无片外电容低压差线性稳压器(LDO)低功耗快速瞬态响应问题,提出了一种基于前馈补偿的瞬态增强LDO电路。误差放大器使用电流回收型折叠共源共栅放大器,具有低功耗、高增益等特点。前馈补偿采用多个小增益级连接,在低静态电流下提高... 针对无片外电容低压差线性稳压器(LDO)低功耗快速瞬态响应问题,提出了一种基于前馈补偿的瞬态增强LDO电路。误差放大器使用电流回收型折叠共源共栅放大器,具有低功耗、高增益等特点。前馈补偿采用多个小增益级连接,在低静态电流下提高系统稳定性。输出电压尖峰通过电容耦合至瞬态增强电路,为功率管栅极提供充、放电路径,提高瞬态响应性能。电路基于SMIC 180 nm CMOS工艺设计,仿真结果显示,在100μA~50 mA负载电流跳变范围内,LDO瞬态增强后,输出电压上冲尖峰减小343 mV,下降39%;输出电压下冲尖峰减小592 mV,下降57%。负载调整率为0.0057 mV/mA,线性调整率为0.22 mV/V。电路静态电流约为3μA,LDO电流效率高达99.99%。 展开更多
关键词 LDO 前馈补偿 密勒补偿 瞬态增强
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一种低功耗环路复用的LDO
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作者 童洒洒 喻思禹 +2 位作者 郑孝辰 刘欣洋 周泽坤 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第4期408-415,共8页
为进一步降低片上系统供电电路的面积和功耗,提出了一种无片外电容的低功耗环路复用低压差线性稳压器(LLM-LDO)电路。首先,该电路无需引入外部基准,输出电压仅由带隙核心和电阻比例决定。其次,带隙核心和LDO系统环路复用同一个误差放大... 为进一步降低片上系统供电电路的面积和功耗,提出了一种无片外电容的低功耗环路复用低压差线性稳压器(LLM-LDO)电路。首先,该电路无需引入外部基准,输出电压仅由带隙核心和电阻比例决定。其次,带隙核心和LDO系统环路复用同一个误差放大器,减小了电路的面积和功耗。最后,LLM-LDO系统在单位增益带宽内近似为单极点系统,在无片外电容的情况下,系统可以产生稳定的电源轨。本文基于180 nm BCD对系统各项性能参数进行仿真验证,结果显示:系统的静态电流为8.5μA,线性调整率为0.18μV/V;当负载电流在10μA~100 mA变化范围内时,负载调整率为1.9μV/mA,系统的相位裕度最小为71.4°,PSR在100 Hz时为-121 dB,系统的最长启动时间为39.6μs。 展开更多
关键词 低功耗 环路复用 无片外电容LDO 环路稳定性 电源抑制
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一种用于低功耗Buck的自适应供电轨LDO电路
17
作者 彭怡然 罗萍 +2 位作者 赵忠 连卓凡 李云泽 《微电子学》 北大核心 2025年第6期1013-1019,共7页
设计了一种旨在降低整体电路损耗的Buck变换器片内LDO电路。重点针对Buck变换器中片内电源轨生成电路LDO的损耗进行分析;通过复用Buck变换器的输出,在检测到Buck输出电压达到预设阈值时,自动将LDO供电轨从输入电压切换至Buck变换器的输... 设计了一种旨在降低整体电路损耗的Buck变换器片内LDO电路。重点针对Buck变换器中片内电源轨生成电路LDO的损耗进行分析;通过复用Buck变换器的输出,在检测到Buck输出电压达到预设阈值时,自动将LDO供电轨从输入电压切换至Buck变换器的输出电压,从而实现了LDO功率管损耗的降低以及Buck变换器转换效率的提高。所提出的LDO电路可用于宽输入范围的Buck变换器。实验结果表明,在输入电压12 V、输出电压5 V的典型工作条件下,基于该结构的LDO,Buck变换器的转换效率最大可提升5%。 展开更多
关键词 低功耗Buck变换器 自适应控制 LDO
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一种高稳定性带过流保护的LDO电路设计
18
作者 韩富璇 何庆国 +1 位作者 王鑫 马琳 《微纳电子技术》 2025年第5期46-53,共8页
采用0.25μm CMOS工艺设计了一种高稳定性带过流保护功能的低压差线性稳压器(LDO)。该LDO包括带隙基准电路、误差放大器、过流保护电路等。过流保护电路可以在LDO负载超过设定值时关闭LDO电路。误差放大器主环路采用负载电容等效串联电... 采用0.25μm CMOS工艺设计了一种高稳定性带过流保护功能的低压差线性稳压器(LDO)。该LDO包括带隙基准电路、误差放大器、过流保护电路等。过流保护电路可以在LDO负载超过设定值时关闭LDO电路。误差放大器主环路采用负载电容等效串联电阻(ESR)和密勒电容倍增补偿进行频率补偿,保证全负载条件下电路的稳定性。仿真结果表明,设计的LDO实现了7~15 V的输入电压范围,输出电压典型值为5 V,带载能力为0~20 mA,过流保护开启阈值为24 mA,全负载范围内最差相位裕度为76°。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(LDO) 过流保护 高稳定性 频率补偿 误差放大器(EA)
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活化PMS氧化RhB的铁基三元LDH/LDO的研发与制备条件优化
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作者 晏梦园 姜应和 《武汉理工大学学报》 2025年第1期75-83,共9页
通过双滴共沉淀法,制备了一系列铁基LDH/LDO,以其活化过氧单硫酸盐(PMS)降解RhB的效果为评价标准,通过对比试验,优选得到了性价比最高的三元铁基LDH/LDO催化剂——ZnCuFe-LDO。该产品的最佳制备条件为:前体盐为氯盐,Zn/Cu/Fe的摩尔比例... 通过双滴共沉淀法,制备了一系列铁基LDH/LDO,以其活化过氧单硫酸盐(PMS)降解RhB的效果为评价标准,通过对比试验,优选得到了性价比最高的三元铁基LDH/LDO催化剂——ZnCuFe-LDO。该产品的最佳制备条件为:前体盐为氯盐,Zn/Cu/Fe的摩尔比例为3∶3∶2,水浴陈化温度为40℃,pH为9。研究成果可为该类催化剂的研发及推广应用提供理论支持。 展开更多
关键词 LDH LDO 催化氧化 PMS RHB
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