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题名LDD MOS器件模拟及热载流子效应分析
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作者
徐杰
张文俊
张锐
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机构
黑龙江科技学院电气与信息工程学院
清华大学微电子学研究所
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出处
《电测与仪表》
北大核心
2008年第4期57-60,共4页
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基金
国家自然基金资助项目(60772019)
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文摘
在深亚微米的工艺条件下,随着栅氧厚度、结深、沟道长度的减小,漏端最大电场强度增大,热载流子效应的影响变大,它对器件的寿命、可靠性等有很大影响。因此,要得到一个最佳的器件性能,通过对热载流子效应的分析,特别是通过对LDD MOS器件的模拟,分析了轻掺杂漏对热载流子效应的抑制作用,以及轻掺杂源漏的注入剂量和能量对器件的影响。通过分析我们可以看到:LDD结构通过两条途径来抑制热载流子效应:弱化漏端电场和使得漏端最大电场离开栅极。增大注入剂量对于提高电流驱动能力有好处,但在剂量达到约1×1013cm-2以后,驱动电流的增加就显得困难。最后我们得出n-区掺杂浓度1×1013cm-2附近,注入能量定为30keV时器件性能最佳。
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关键词
场效应管
热载流子效应
lddmos
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Keywords
MOSFET, hot carrier effect, LDD MOS
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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