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乙二酸掺杂对KDP晶体光学和热学性质的影响
1
作者 周广刚 文歆艾 +6 位作者 毛彩菊 陈文轩 王晓春 陈松昊 周湘雨 张万松 吴冲 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第11期1916-1922,共7页
本文将不同浓度的乙二酸加入到磷酸二氢钾水溶液,通过“点籽晶”快速生长技术成功制备了乙二酸掺杂的KDP晶体。对于0%~2%(摩尔分数)掺杂浓度范围内得到的乙二酸掺杂KDP样品,粉末X射线衍射(PXRD)和傅里叶变换红外光谱(FT-IR)分析表明乙... 本文将不同浓度的乙二酸加入到磷酸二氢钾水溶液,通过“点籽晶”快速生长技术成功制备了乙二酸掺杂的KDP晶体。对于0%~2%(摩尔分数)掺杂浓度范围内得到的乙二酸掺杂KDP样品,粉末X射线衍射(PXRD)和傅里叶变换红外光谱(FT-IR)分析表明乙二酸分子已成功地掺入KDP晶体中,晶体结构没有显著影响,晶体样品保持了良好的结晶度。为了探究乙二酸掺杂对晶体光学和热学性能的影响,采用紫外可见近红外(UV-Vis-NIR)分光光度计和差示扫描量热仪(DSC)测量了样品的光学透过率和热学稳定性,结果表明当掺入低浓度的乙二酸后晶体的透过率有明显提高,当掺杂浓度为1%时光学透过率达到最优值,而掺杂过高浓度的乙二酸时光学透过率有所下降。DSC结果表明在一定的掺杂浓度范围内晶体的热稳定性有所提高。 展开更多
关键词 乙二酸 kdp晶体 掺杂 点籽晶 光学透过率 热稳定性
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不同界面接触下KDP晶体表面损伤缺陷研究
2
作者 孙殿富 查正月 +2 位作者 李芃谕 孙付仲 王康 《南京工业大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第1期66-72,81,共8页
磷酸二氢钾(KH_(2)PO_(4),简称KDP)晶体作为激光倍频转换的重要材料,在激光器等设备中被广泛应用。但由于KDP晶体质软、易碎,在夹持过程中易产生表面损伤和缺陷,这对加工和夹持提出了更高的要求。为揭示不同接触状态下晶体的表面损伤和... 磷酸二氢钾(KH_(2)PO_(4),简称KDP)晶体作为激光倍频转换的重要材料,在激光器等设备中被广泛应用。但由于KDP晶体质软、易碎,在夹持过程中易产生表面损伤和缺陷,这对加工和夹持提出了更高的要求。为揭示不同接触状态下晶体的表面损伤和缺陷,笔者对不同界面接触方式下的晶体和铝合金(5A06)表面形貌开展研究。一方面,针对KDP晶体和铝合金(5A06)直接接触下的形貌损伤和缺陷开展研究;另一方面,在晶体和金属表面填充不同的纳米级热界面接触材料,分析不同纳米材料和体积分数的纳米级热界面接触材料对晶体表面的损伤。结果表明:石墨烯复合材料产生的损伤最小,为0.045μm,但当体积分数超过30%时,由于团聚效应,易造成复合材料的力学性能缺陷。 展开更多
关键词 kdp晶体 表面损伤 导热填料 界面损伤 铝合金 纳米材料
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激光辐照过程KDP晶体相变与应力演化模拟:损伤机理分析
3
作者 董浩茗 付威伶 +1 位作者 程曦月 邓水全 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第10期1823-1835,共13页
本研究系统探讨了磷酸二氢钾(KDP)晶体激光诱导体损伤与其四方-单斜相变之间的关联。基于热-力耦合模拟,定量分析了激光辐照下晶体的温度场与应力场分布特征。结果表明,激光辐照中心区域的峰值温度显著超过材料的相变临界温度,但激光诱... 本研究系统探讨了磷酸二氢钾(KDP)晶体激光诱导体损伤与其四方-单斜相变之间的关联。基于热-力耦合模拟,定量分析了激光辐照下晶体的温度场与应力场分布特征。结果表明,激光辐照中心区域的峰值温度显著超过材料的相变临界温度,但激光诱导的热应力尚未达到引发塑性变形或结构损伤的临界阈值。通过相场模拟发现,四方-单斜相变过程中在相界处会产生显著的应力集中现象,其应力值超过KDP晶体的屈服强度,导致塑性变形发生。值得注意的是,模拟得到的高应力区分布与实验中观测到的特征性十字形损伤裂纹形貌高度吻合。进一步研究表明,随着温度持续升高或位移约束减弱,相变应力可超过材料的屈服强度甚至断裂极限,从而直接诱发裂纹萌生。本研究证实,四方-单斜相变导致的高应力是形成KDP晶体特征性十字形损伤的关键因素,为深入理解其激光损伤机制提供了新的理论依据。 展开更多
关键词 kdp晶体 激光诱导损伤 四方-单斜相变 相场建模 相变应力
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基于深度学习的KDP晶体三维已加工表面形貌预测
4
作者 闫祖龙 庞启龙 熊建龙 《中国机械工程》 北大核心 2025年第10期2329-2334,2342,共7页
以单点金刚石车削加工磷酸二氢钾(KH2PO4,KDP)的已加工表面形貌为研究对象,采用连续小波变换和功率谱密度方法提取已加工KDP晶体三维形貌的低频、中频、高频的波长和幅值作为样本集,将切削参数作为关键变量,建立双向长短期神经网络(BiLS... 以单点金刚石车削加工磷酸二氢钾(KH2PO4,KDP)的已加工表面形貌为研究对象,采用连续小波变换和功率谱密度方法提取已加工KDP晶体三维形貌的低频、中频、高频的波长和幅值作为样本集,将切削参数作为关键变量,建立双向长短期神经网络(BiLSTM)、门循环单元(GRU)、随机森林网络(RF)和卷积神经网络(CNN)分别预测已加工KDP晶体各频段的波长和幅值,最终实现三维已加工表面形貌的预测。结果表明,BiLSTM模型对中频和高频波长、低频和高频幅值的预测结果最优,预测结果误差均值分别为2.14%和3.03%、4.62%和7.19%;GRU网络对低频波长和中频幅值的的预测结果最优,预测结果误差均值分别为3.83%和5.68%;由深度学习模型预测的高频、中频、低频的幅值和波长所生成KDP晶体的三维已加工表面形貌与验证集的实验结果高度一致,验证了结合连续小波、功率谱密度与深度学习方法建立切削参数与KDP晶体三维已加工表面的对应关系的正确性。 展开更多
关键词 kdp晶体 表面形貌 深度学习 连续小波变换
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两种模式下KDP晶体潮解抛光中运动轨迹的对比
5
作者 郭少龙 刘佳航 +1 位作者 徐泽林 李阳 《哈尔滨商业大学学报(自然科学版)》 2025年第3期320-325,共6页
对KDP晶体潮解抛光过程进行了运动学分析,得到了两种模式下KDP晶体表面上一点相对于抛光垫的运动轨迹表达式.根据运动轨迹表达式和仿真条件,绘制出了两种模式下的运动轨迹仿真图形,通过对两种模式下的运动轨迹进行分析,得出了摆动因素... 对KDP晶体潮解抛光过程进行了运动学分析,得到了两种模式下KDP晶体表面上一点相对于抛光垫的运动轨迹表达式.根据运动轨迹表达式和仿真条件,绘制出了两种模式下的运动轨迹仿真图形,通过对两种模式下的运动轨迹进行分析,得出了摆动因素对运动轨迹的影响规律,并据此确定了KDP晶体潮解抛光中使用的抛光机的类型. 展开更多
关键词 晶体 kdp 抛光 潮解 运动轨迹 表面质量
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两种模式下KDP晶体潮解抛光中抛光行程的对比
6
作者 郭少龙 刘佳航 +1 位作者 李阳 徐泽林 《佳木斯大学学报(自然科学版)》 2025年第3期63-66,113,共5页
根据抛光行程表达式计算了两种模式下KDP晶体潮解抛光行程,并对抛光行程进行了对比,确定了摆动因素对抛光效率的影响规律,并据此确定了KDP晶体潮解抛光中使用的抛光机的类型。
关键词 kdp晶体 潮解抛光 抛光行程 抛光效率
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KDP晶体加工表面的亚表面损伤检测与分析 被引量：31
7
作者 吴东江 曹先锁 +3 位作者 王强国 王奔 高航 康仁科 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1721-1726,共6页
采用截面显微法和择优蚀刻法分别对磷酸二氢钾(KDP)晶体从线切割样品制备到磨削、抛光亚表面损伤进行检测,利用OLYMPUS MX40光学显微镜对表面腐蚀现象与亚表面裂纹形状进行观测,并对裂纹深度进行测量。结果表明,由线切割产生的亚表面损... 采用截面显微法和择优蚀刻法分别对磷酸二氢钾(KDP)晶体从线切割样品制备到磨削、抛光亚表面损伤进行检测,利用OLYMPUS MX40光学显微镜对表面腐蚀现象与亚表面裂纹形状进行观测,并对裂纹深度进行测量。结果表明,由线切割产生的亚表面损伤裂纹形状以"斜线状"为主,裂纹深度最大值为85.59μm;由#600砂轮磨削产生的亚表面损伤深度最大值为8.55μm。在(001)晶面出现了四方形的分布密度较高的位错腐蚀坑;而在三倍频晶面上出现的是密度较低、形状类似梯形的位错腐蚀坑。该研究为KDP晶体亚表面损伤提供了一种检测与分析手段。 展开更多
关键词 kdp晶体 损伤检测 裂纹形状 裂纹深度
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KDP晶体柱面生长速率实时测量研究 被引量：18
8
作者 刘冰 王圣来 +3 位作者 房昌水 顾庆天 孙洵 李毅平 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期22-28,共7页
KDP晶体生长速率高精度地实时测量有助于研究各种因素对晶体生长的影响．本文用激光偏振干涉法实现了对KDP晶体柱面生长速率和死区的实时测量,精度达到0．01μm／min．籽晶尺寸等实验条件影响测量的结果,小尺寸(约2mm×2mm)的晶体... KDP晶体生长速率高精度地实时测量有助于研究各种因素对晶体生长的影响．本文用激光偏振干涉法实现了对KDP晶体柱面生长速率和死区的实时测量,精度达到0．01μm／min．籽晶尺寸等实验条件影响测量的结果,小尺寸(约2mm×2mm)的晶体更有利于死区的表征, 溶解阶段造成的晶体表面位错坑是出现干扰测量的“异常”现象的根源． 展开更多
关键词 kdp晶体 死区 生长速率 实时测量
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KDP晶体增透膜和保护膜性能研究 被引量：20
9
作者 张伟清 唐永兴 +3 位作者 乐月琴 蒋敏华 刘小林 孙今人 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期220-224,共5页
报道了溶胶－凝胶工艺制备的ＫＤＰ晶体保护膜、增透膜和它们的性能。多孔二氧化硅增透膜峰值透射率大于９９％，膜层折射率约１．２３。对１．０６μｍ，脉宽约１ｎｓ的激光，单层膜的激光破坏阈值约１０Ｊ／ｃｍ２左右，有保护膜和增... 报道了溶胶－凝胶工艺制备的ＫＤＰ晶体保护膜、增透膜和它们的性能。多孔二氧化硅增透膜峰值透射率大于９９％，膜层折射率约１．２３。对１．０６μｍ，脉宽约１ｎｓ的激光，单层膜的激光破坏阈值约１０Ｊ／ｃｍ２左右，有保护膜和增透膜的膜层激光破坏阈值约５～８Ｊ／ｃｍ２。 展开更多
关键词 kdp晶体 增透膜 保护膜 薄膜性能
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KDP晶体各向异性力学特性分析 被引量：24
10
作者 曹先锁 吴东江 +2 位作者 王奔 高航 康仁科 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期704-709,共6页
利用压痕实验研究了KDP晶体在(001)晶面不同晶向上的硬度和断裂韧性力学特性,在此基础上利用划痕实验对(001)晶面不同晶向上的脆塑性转变点位置进行了研究。结果表明:在KDP晶体(001)晶面的[110]晶向上硬度值最小,断裂韧性值最大,最易产... 利用压痕实验研究了KDP晶体在(001)晶面不同晶向上的硬度和断裂韧性力学特性,在此基础上利用划痕实验对(001)晶面不同晶向上的脆塑性转变点位置进行了研究。结果表明:在KDP晶体(001)晶面的[110]晶向上硬度值最小,断裂韧性值最大,最易产生塑性变形,最不易产生脆性断裂,在该方向上可以得到较大的临界切削深度,而在[100]晶向上硬度最大,最易产生脆性断裂,不易产生塑性变形,临界切削深度最小。此研究结果为磨削实验提供指导意义,即在(001)晶面上沿[110]晶向能加工出表面质量较好的KDP晶体。 展开更多
关键词 kdp晶体 硬度 断裂韧性 塑性变形 脆性断裂
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Fe^(3+)对KDP晶体生长影响的研究 被引量：19
11
作者 王波 王圣来 +5 位作者 房昌水 孙洵 顾庆天 李义平 王坤鹏 李云南 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期205-208,共4页
金属离子对KDP晶体的影响是多方面的。本文采用不同的过饱和度,在不同的Fe3+掺杂浓度的生长溶液中生长KDP晶体,定量地研究了Fe3+对KDP晶体生长的影响。实验发现,无论是在高过饱和度还是在低过饱和度下生长KDP晶体,在一定的浓度范围内,F... 金属离子对KDP晶体的影响是多方面的。本文采用不同的过饱和度,在不同的Fe3+掺杂浓度的生长溶液中生长KDP晶体,定量地研究了Fe3+对KDP晶体生长的影响。实验发现,无论是在高过饱和度还是在低过饱和度下生长KDP晶体,在一定的浓度范围内,Fe3+的掺入既可以增加生长溶液的稳定性,又可以有效抑制晶体柱面的扩展,而且晶体基本不楔化,同时,对晶体光学性能的影响也不大。 展开更多
关键词 kdp晶体 晶体生长 铁离子 过饱和度 生长习性
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KDP晶体力学参数测试与分析 被引量：17
12
作者 张强勇 刘德军 +3 位作者 王圣来 张宁 牟晓明 孙云 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1313-1319,共7页
采用全自动、高精度RMT-150C力学试验系统开展了KDP晶体的力学参数测试,获得了KDP晶体[001]和[100]晶向的弹性模量、泊松比、抗压强度和抗拉强度。结果表明:[001]和[100]晶向的弹性模量分别为39.25MPa和16.82 MPa,泊松比分别为0.24和0.1... 采用全自动、高精度RMT-150C力学试验系统开展了KDP晶体的力学参数测试,获得了KDP晶体[001]和[100]晶向的弹性模量、泊松比、抗压强度和抗拉强度。结果表明:[001]和[100]晶向的弹性模量分别为39.25MPa和16.82 MPa,泊松比分别为0.24和0.16,KDP晶体为典型的弹脆性横观各向同性材料。KDP晶体在[001]晶向的抗压强度、抗拉强度均较[100]晶向的高,其在[100]晶向更容易发生脆性破坏。结合KDP晶体的生长受力状态,揭示了KDP生长过程中产生的破坏以拉破坏为主,为开展KDP晶体开裂的力学损伤分析、提出防止开裂的力学措施奠定了重要的基础。 展开更多
关键词 kdp晶体 力学参数 弹脆性 横观各向同性 拉破坏
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热退火对KDP晶体微结构的影响 被引量：11
13
作者 王圣来 李丽霞 +5 位作者 胡小波 高樟寿 付有君 孙洵 李义平 曾红 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期331-333,共3页
　用X射线衍射和Raman光谱技术研究了KDP晶体165℃退火前后微观结构的变化。实验发现退火24h可以减小晶体生长过程中带来的晶格的畸变,提高了晶体的完整性,缩小晶体中键长和键角的变化范围,使晶体内应力得以部分释放。对于快速生长的晶... 　用X射线衍射和Raman光谱技术研究了KDP晶体165℃退火前后微观结构的变化。实验发现退火24h可以减小晶体生长过程中带来的晶格的畸变,提高了晶体的完整性,缩小晶体中键长和键角的变化范围,使晶体内应力得以部分释放。对于快速生长的晶体,退火的效果更加显著。 展开更多
关键词 惯性约束聚变 kdp晶体 微结构 热退火 X射线衍射 RAMAN光谱 晶体生长 晶格畸变
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KDP晶体单点金刚石切削脆塑转变机理的研究 被引量：21
14
作者 王景贺 陈明君 +1 位作者 董申 张龙江 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期67-70,88,共5页
加工超光滑表面的KDP晶体是现代超精密加工技术领域的重点研究课题。实验采用维氏压痕法研究KDP晶体脆性材料(001)面不同晶向的硬度、断裂韧性的变化规律。通过建立KDP晶体脆塑转变临界切削厚度模型,研究了KDP晶体金刚石切削脆塑转变机... 加工超光滑表面的KDP晶体是现代超精密加工技术领域的重点研究课题。实验采用维氏压痕法研究KDP晶体脆性材料(001)面不同晶向的硬度、断裂韧性的变化规律。通过建立KDP晶体脆塑转变临界切削厚度模型,研究了KDP晶体金刚石切削脆塑转变机理。结果表明,脆塑转变临界最小切削厚度出现在断裂韧性最小而硬度最大的[110]方向;脆塑转变临界切削最大厚度出现在断裂韧性最大而硬度最小的[001]方向。并利用超精密机床加工了KDP晶体,加工结果与理论推导结论相符合,在[001]方向加工出表面粗糙度为7.5nm(RMS)的超光滑表面。 展开更多
关键词 kdp晶体 金刚石切削 超精密加工 断裂韧性
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KDP晶体折射率不均匀性对三倍频转换效率的影响 被引量：13
15
作者 王芳 粟敬钦 +2 位作者 李恪宇 任寰 袁静 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期746-749,共4页
采用正交偏振干涉测量法获得了典型的快速(RG)和传统(CG)生长的KDP晶体折射率空间分布,数值模拟了倍频晶体固定失谐角分别为0和220μrad时晶体折射率不均匀性对高功率三倍频光转换效率的影响。结果表明:快速生长晶体的折射率不均匀性的... 采用正交偏振干涉测量法获得了典型的快速(RG)和传统(CG)生长的KDP晶体折射率空间分布,数值模拟了倍频晶体固定失谐角分别为0和220μrad时晶体折射率不均匀性对高功率三倍频光转换效率的影响。结果表明:快速生长晶体的折射率不均匀性的均方根约为传统生长晶体的6倍;三倍频转换效率在低功率密度下对折射率不均匀性不敏感,在高功率密度下尤其是转换效率较高时很敏感;当混频过程中的二倍频光不过剩时,在晶体折射率变化对三倍频效率的影响方面,倍频晶体比混频晶体严重;目前国产的传统生长晶体可以满足高功率三倍频实验要求。 展开更多
关键词 kdp晶体 折射率不均匀性 转换效率 快速生长 传统生长
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KDP晶体超声辅助磨削的亚表面损伤研究 被引量：14
16
作者 王强国 高航 +3 位作者 裴志坚 鲁春朋 王碧玲 滕晓辑 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期67-71,共5页
通过采用角度抛光和逐层抛光法以及择优化学腐蚀,对基于超声辅助磨削的KDP晶体试件进行亚表面损伤形式观察以及损伤深度检测,以便为后续加工提供指导。损伤检测实验表明:在超声辅助磨削工艺条件下,亚表面损伤以与磨粒运动方向平行的中... 通过采用角度抛光和逐层抛光法以及择优化学腐蚀,对基于超声辅助磨削的KDP晶体试件进行亚表面损伤形式观察以及损伤深度检测,以便为后续加工提供指导。损伤检测实验表明:在超声辅助磨削工艺条件下,亚表面损伤以与磨粒运动方向平行的中位裂纹为主,且裂纹间距具有一定的规律性;亚表面损伤深度为19～48μm,磨头形状(有无倒角)较之磨头磨粒粒度对亚表面损伤深度具有更大的影响,使用有倒角的磨头可得最小亚表面损伤。 展开更多
关键词 kdp晶体 磨削 超声辅助加工 亚表面损伤 角度抛光
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磷酸二氢钾(KDP)晶体纳米压痕过程的有限元分析 被引量：11
17
作者 王洪祥 马恩财 +3 位作者 高石 黄志群 许乔 侯晶 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期40-42,46,共4页
为了求得KDP晶体的应力-应变曲线以及材料的屈服应力,基于圣维南定理和实验得到的材料性能参数建立了KDP晶体的压痕过程仿真模型,利用ABAQUS有限元分析软件对KDP晶体压痕过程进行了有限元仿真,得到了KDP晶体的载荷-位移曲线和加/卸载过... 为了求得KDP晶体的应力-应变曲线以及材料的屈服应力,基于圣维南定理和实验得到的材料性能参数建立了KDP晶体的压痕过程仿真模型,利用ABAQUS有限元分析软件对KDP晶体压痕过程进行了有限元仿真,得到了KDP晶体的载荷-位移曲线和加/卸载过程中的等效应力变化规律.仿真结果表明:加载过程中最大应力集中在压头尖角处,卸载后最大应力分布在压头棱边所留下的压痕处,KDP晶体材料的屈服应力为120MPa. 展开更多
关键词 kdp晶体 力学性能 压痕试验 有限元分析
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硫酸盐掺杂对KDP晶体生长的影响 被引量：12
18
作者 张建芹 王圣来 +7 位作者 房昌水 孙洵 顾庆天 李毅平 王坤鹏 王波 李云南 刘冰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1505-1508,共4页
SO42-是KDP原料中一种常见的杂质离子,通过传统降温法和“点籽晶”快速生长法研究了掺杂K2SO4的KDP晶体的生长。实验表明,硫酸根低浓度掺杂时可提高溶液的稳定性,促进晶体的生长,造成柱面扩展;高浓度时溶液稳定性遭到破坏,出现杂晶,晶... SO42-是KDP原料中一种常见的杂质离子,通过传统降温法和“点籽晶”快速生长法研究了掺杂K2SO4的KDP晶体的生长。实验表明,硫酸根低浓度掺杂时可提高溶液的稳定性,促进晶体的生长,造成柱面扩展;高浓度时溶液稳定性遭到破坏,出现杂晶,晶体生长速度变慢,晶体出现开裂,柱面发生“楔化”。 展开更多
关键词 硫酸根 kdp晶体 晶体生长 快速生长
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快速生长KDP晶体的光学性质研究 被引量：10
19
作者 孙洵 许心光 +5 位作者 王正平 王圣来 李毅平 顾庆天 房昌水 高樟寿 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期440-444,共5页
本文研究了快速生长的KDP晶体光学性质 ,结果表明快速生长的KDP晶体的光学性质低于传统降温法生长的晶体 ,原料中阴离子杂质的存在是造成这一结果的主要原因 ,确保快速生长晶体质量的首要条件是提高原料的纯度。
关键词 研究 kdp晶体 快速生长 光学性质 阴离子杂质
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实时控制过饱和度降温法生长KDP晶体 被引量：7
20
作者 王圣来 付有君 +3 位作者 孙洵 李义平 曾红 高樟寿 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期37-44,共8页
用变压器型电导仪实现了ＫＤＰ晶体生长过程中溶液的浓度和过饱和度的实时测量与控制，测量精度±０．０３ｇ ＫＤＰ／１００ｇ Ｈ２Ｏ（±０．１０％相对过饱和度），控制精度与测量精度相当．过饱和度实时控制系统提供了一种... 用变压器型电导仪实现了ＫＤＰ晶体生长过程中溶液的浓度和过饱和度的实时测量与控制，测量精度±０．０３ｇ ＫＤＰ／１００ｇ Ｈ２Ｏ（±０．１０％相对过饱和度），控制精度与测量精度相当．过饱和度实时控制系统提供了一种方法，可以研究在不同工艺条件生长ＫＤＰ晶体时，过饱和度与晶体生长和性能的关系．用分析纯原料生长ＫＤＰ晶体，发现随着过饱和度的增大，晶体的生长速度加快，晶体的均匀性降低．过饱和度实时控制系统可以使ＫＤＰ晶体在相对恒定的过饱和度下生长，提高了晶体生长的均匀性，抑制了生长层和散射颗粒的产生，有利于提高晶体的光学透过率和光伤阈值． 展开更多
关键词 过饱和度 晶体质量 实时控制 kdp晶体 降温法 晶体生长
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