期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
核级Ag-In-Cd合金中Ag,In,Cd的测定
1
作者 江燕妮 李波 孙宝莲 《稀有金属快报》 CSCD 2007年第6期38-40,共3页
研究了一种测定核级Ag-In-Cd合金中Ag,In,Cd的新方法。以电位滴定法用氯化钠标准溶液测定Ag;氯化钠溶液沉淀Ag与In,Cd分离,移取部分滤液,调节pH至2.5,以EDTA标准溶液测定In;继续调节pH至5.5,以EDTA标准溶液测定Cd。其RSD为:Ag 0.11%,In ... 研究了一种测定核级Ag-In-Cd合金中Ag,In,Cd的新方法。以电位滴定法用氯化钠标准溶液测定Ag;氯化钠溶液沉淀Ag与In,Cd分离,移取部分滤液,调节pH至2.5,以EDTA标准溶液测定In;继续调节pH至5.5,以EDTA标准溶液测定Cd。其RSD为:Ag 0.11%,In 0.2%,Cd 0.5%。试样分析回收率为:In 101.9%~102.4%,Cd 99.6%~101.1%。 展开更多
关键词 滴定法 核级Ag—incd合金 连续测定in cd
在线阅读 下载PDF
Cd掺杂对ZnO∶In薄膜光电性质的影响
2
作者 孟祥丹 孔春阳 +4 位作者 李万俊 秦国平 阮海波 赵永红 卞萍 《重庆师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期107-110,共4页
采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了不同Cd掺杂浓度的ZnO∶(In,Cd)薄膜,并研究了Cd掺杂浓度对薄膜光学和电学性质的影响。透射光谱测试发现,掺Cd对薄膜的透射率影响不大,都在80%以上,且随着Cd掺杂浓度的增加,薄膜的禁带宽度在3.253... 采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了不同Cd掺杂浓度的ZnO∶(In,Cd)薄膜,并研究了Cd掺杂浓度对薄膜光学和电学性质的影响。透射光谱测试发现,掺Cd对薄膜的透射率影响不大,都在80%以上,且随着Cd掺杂浓度的增加,薄膜的禁带宽度在3.253~3.148eV范围内减小。霍尔测试表明,Cd掺杂增强了薄膜的导电性,当Cd掺杂浓度为0at.%、2at.%和4at.%时,薄膜的电阻率分别为(2.68×10-1)、(1.30×10-1)和(6.83×10-2)Ω.cm。结合理论计算和光致发光谱分析认为,Cd掺入后ZnO的导带明显下移,这不仅导致ZnO∶(In,Cd)薄膜的带隙变窄,同时使施主杂质(Zni和InZn等)的电离能减小,从而增强了薄膜的导电性能。 展开更多
关键词 ZnO∶(in cd)薄膜 光学性质 电学性质
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部