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Study of Autosomal Short Tandem Repeat Loci Using ITO Method in Full‑Sibling Identification
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作者 Li Yuan Xu Xu +6 位作者 He Ren Zhao Zhao Tong Wang Shicheng Hao Jinpei Zhang Yan Liu Yan Xu 《Journal of Forensic Science and Medicine》 2020年第1期5-11,I0002-I0005,共11页
This study aimed to investigate the application of autosomal short tandem repeat(STR)loci using the ITO method and discriminant function algorithm for full‑sibling(FS)identification.A total of 342 pairs of full siblin... This study aimed to investigate the application of autosomal short tandem repeat(STR)loci using the ITO method and discriminant function algorithm for full‑sibling(FS)identification.A total of 342 pairs of full siblings(FSs)and 3900 pairs of unrelated individuals(UIs)were genotyped at 51 STR loci.The groups were in accordance with discrimination power(DP)values and the number of loci,and the values of FS index(FSI)of FSs and UIs were calculated by the ITO method.The discriminant functions of FS–UI were established using the Fisher’s discriminant analysis method with SPSS 19.0 software.All the lgFSI values in the FS and UI groups followed a normal distribution,and there were significant differences between the two pairs.A higher average DP value was associated with a more significant difference,as was a greater number of STR loci detected.Receiver operator characteristic curves showed that the accuracy of FS identification can be affected by both locus polymorphism and the number of loci detected.Comparing the rate of false positives and false negatives of discriminant function between the two groups,a higher average DP value and larger number of loci detected were associated with a lower rate of miscarriage of justice and were more helpful for FS–UI identification.The ITO‑based discriminant analysis method has high applicability in FS–UI tests.Testing of a greater number of STR loci promotes FS identification. 展开更多
关键词 Discriminant analysis forensic biological evidence full-sib relation ito method short tandem repeat
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SmBO_(3)@ITO的制备及激光吸收性能研究
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作者 李文新 鹿辛践 +2 位作者 冯潇强 张同庆 张林博 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第4期470-476,共7页
随着探测技术的不断发展,单一频段的隐身手段已经难以满足现代战场对隐身技术的实际需求。采用共沉淀法制备了掺杂半导体ITO包覆的SmBO_(3)复合粉体,旨在开发具有激光和雷达兼容隐身功能的新型材料。通过XRD、SEM、元素分布Mapping和XP... 随着探测技术的不断发展,单一频段的隐身手段已经难以满足现代战场对隐身技术的实际需求。采用共沉淀法制备了掺杂半导体ITO包覆的SmBO_(3)复合粉体,旨在开发具有激光和雷达兼容隐身功能的新型材料。通过XRD、SEM、元素分布Mapping和XPS等表征手段,确认了SmBO_(3)@ITO核壳结构的成功构建。激光性能测试表明,包覆粉体的反射率最低为42.9%。进一步的电磁参数测试与计算显示,在2 mm厚度条件下,于13.5 GHz频段处得到最低反射损耗(RL)约为-11.1 dB,有效吸波带宽(EAB)为1.5 GHz。这项工作将为激光和雷达兼容的隐身技术提供新的材料选择和研究方向。 展开更多
关键词 共沉淀法 包覆 SmBO_(3)@ito 激光兼容
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STRSeqTyperY68二代测序试剂盒与ITO法联用助力侦破一起命案积案
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作者 吴庆玲 伊鹏 +8 位作者 陈智 张驰 权宗雪 肖莉 马晶晶 郑蕾 王瑗 王乐 叶健 《刑事技术》 2025年第2期206-210,共5页
目前,基于毛细管电泳技术的Y-STR检案试剂盒单次最多检测约40个Y-STR基因座,仅报告各等位基因分型的长度多态性信息而无法报告其序列信息。STRSeqTyper Y68男性家系精细化排查试剂盒,一次实验可检测1个性别基因座及67个Y-STR基因座,依托... 目前,基于毛细管电泳技术的Y-STR检案试剂盒单次最多检测约40个Y-STR基因座,仅报告各等位基因分型的长度多态性信息而无法报告其序列信息。STRSeqTyper Y68男性家系精细化排查试剂盒,一次实验可检测1个性别基因座及67个Y-STR基因座,依托MiSeq FGx二代测序平台同时检测Y-STR的长度及序列多态性,从而提高检验效率,为家系精细化区分提供帮助。ITO法是根据孟德尔遗传分离定律计算两个体亲缘关系指数,评估两个体间可能的五级内亲缘关系的方法。联合应用二代测序技术与ITO法,可以有效缩小家系范围。本文报道一起8年未破的强奸命案,通过联合应用STRSeqTyperY68男性家系精细化排查试剂盒检验及ITO法评估现场检材与比对样本间可能的亲缘关系远近,逐步缩小范围,最终案件告破。 展开更多
关键词 法医遗传学 二代测序 序列多态性 Y-STR ito
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ITO法和判别函数法在同胞关系鉴定中的应用 被引量:55
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作者 陆惠玲 周科伟 +2 位作者 吕德坚 姚亚楠 章雅清 《法医学杂志》 CAS CSCD 2009年第2期118-122,共5页
目的探讨ITO法和判别函数法在全同胞、半同胞关系鉴定中的应用价值。方法根据500对全同胞、50对半同胞及500对无关个体的15个STR基因座(PowerPlexTM16体系)的分型结果,采用ITO法分别计算全同胞关系指数(FSI)、半同胞关系指数(HSI)及其比... 目的探讨ITO法和判别函数法在全同胞、半同胞关系鉴定中的应用价值。方法根据500对全同胞、50对半同胞及500对无关个体的15个STR基因座(PowerPlexTM16体系)的分型结果,采用ITO法分别计算全同胞关系指数(FSI)、半同胞关系指数(HSI)及其比值(FSI∶HSI)。比较三组配对个体的等位基因匹配情况,计算分型结果全不同的基因座数(x0)、半相同的基因座数(x1)和完全相同的基因座数(x2),利用SPSS13.0分析软件建立全同胞、半同胞和无关个体的判别函数。结果(1)以FSI≥19、FSI<1作为全同胞与无关个体的判别标准,交互准确率为96.4%;以HSI≥19、HSI<1作为半同胞与无关个体的判别标准,交互准确率为85.3%;以FSI∶HSI≥1、FSI∶HSI<1作为全同胞与半同胞的判别标准,交互准确率为87.5%。(2)分别建立了全同胞-半同胞-无关个体、全同胞-无关个体、半同胞-无关个体、全同胞-半同胞4组判别函数,判别函数交互准确率为84.4%~97.7%,其中同胞-无关个体判别准确率最高。结论ITO法与判别函数法在全同胞、半同胞鉴定中均具有较高的应用价值。 展开更多
关键词 法医遗传学 同胞关系 短串联重复序列 判别分析 ito
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采用自主研发似然比率计算器进行ITO亲缘关系分析 被引量:4
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作者 周密 张韩秋 +2 位作者 韦帆 丁仁杰 王成权 《中国法医学杂志》 CSCD 北大核心 2011年第5期365-367,共3页
目的探讨采用自主研发的似然比率计算器进行ITO法亲缘关系鉴定的可行性。方法针对GoldeneyeTMDNA ID System 20A系统的19个常染色体STR基因座分型数据,使用自主研发的似然比率计算器,人工模拟100 000对无关个体及100 000个家系的父子、... 目的探讨采用自主研发的似然比率计算器进行ITO法亲缘关系鉴定的可行性。方法针对GoldeneyeTMDNA ID System 20A系统的19个常染色体STR基因座分型数据,使用自主研发的似然比率计算器,人工模拟100 000对无关个体及100 000个家系的父子、同胞、半同胞、一、二代堂表兄弟,应用ITO法,自动分析计算亲权指数(PI)和亲缘关系概率(RCP)。结果父子和无关个体关系概率界值下无重叠,具有显著差异。同胞关系概率大于99.99%时,同胞占66.48%,无关个体占0%,具有显著差异;概率小于99.99%时,同胞个体和无关个体有部分重叠,具有一定差异。半同胞关系概率大于99.99%时,半同胞占1.52%,无关个体占0%,具有显著差异;概率小于99.99%时,两组有部分重叠,具有一定差异。一、二代堂表兄弟关系概率为10%~90%范围内时,无关个体分别占90%,99.98%,无法推断。结论本文方法可用于推断父子关系、同胞关系、半同胞关系。 展开更多
关键词 法医物证学 亲缘鉴定 ito 似然比率计算器
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51个常染色体STR基因座在ITO法判断全同胞中的应用 被引量:3
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作者 徐旭 任贺 +6 位作者 胡超辉 陈文 陈冲 石妍 刘雅诚 鲁涤 袁丽 《中国法医学杂志》 CSCD 2016年第2期117-121,125,共6页
目的探讨ITO法和判别函数法在全同胞鉴定中的应用价值。方法根据342对全同胞和3 900对无关个体的19、21、39、51个常染色STR基因座的分型结果,采用ITO法计算全同胞关系指数(FSI)。用SPSS软件Fisher判别分析法,分别建立lg FSI全同胞-无... 目的探讨ITO法和判别函数法在全同胞鉴定中的应用价值。方法根据342对全同胞和3 900对无关个体的19、21、39、51个常染色STR基因座的分型结果,采用ITO法计算全同胞关系指数(FSI)。用SPSS软件Fisher判别分析法,分别建立lg FSI全同胞-无关个体的判别函数。结果每组全同胞对和无关个体对的lg FSI符合正态分布,具有显著性差异。在19、21、39、51个STR基因座,全同胞组判别函数分别为L同胞=1.666 6×lg FSI-5.208 0,L同胞=1.643 9×lg FSI-5.512 0,L同胞=1.569 4×lg FSI-8.076 4,L同胞=1.480 7×lg FSI-9.860 9;无关个体组分别为L无关=-1.346 1×lg FSI-3.638 5,L无关=-1.330 9×lg FSI-3.851 7,L无关=-1.319 2×lg FSI-5.910 2,L无关=-1.273 8×lg FSI-7.477 6。平均错判率分别为:1.361 9%、1.228 5%、0.438 6%和0.146 2%。结论 ITO判别函数法在全同胞-无关个体鉴定中具有很高的应用价值,且检测基因座越多,系统效能越高,并能降低错判风险。 展开更多
关键词 法医物证学 全同胞关系 短串联重复序列 判别分析 ito
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FTO/ITO复层导电薄膜的研究 被引量:11
7
作者 胡志强 张晨宁 +3 位作者 丘鹏 刘俐宏 奥谷昌之 金子正治 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1886-1888,共3页
采用溶胶凝胶法与溶液水解法分别制备ITO、FTO以及FTO/ITO复层导电膜,利用分光光度仪测量在可见光范围内的透光率,用四探针法精确测量薄膜的电阻率,通过扫描电镜观测薄膜的表面形态,微观颗粒形貌以及薄膜的厚度。实验表明,用SnCl4.5H2OI... 采用溶胶凝胶法与溶液水解法分别制备ITO、FTO以及FTO/ITO复层导电膜,利用分光光度仪测量在可见光范围内的透光率,用四探针法精确测量薄膜的电阻率,通过扫描电镜观测薄膜的表面形态,微观颗粒形貌以及薄膜的厚度。实验表明,用SnCl4.5H2OI、n(NO3)3.4.5H2O、NH4F作为主要原料,通过溶胶凝胶法和溶液水解法可制备出低电阻率,高透光性的FTO/ITO复合导电薄膜。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 FTO/ito复层导电膜 电阻率 透光率
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胶体法制备透明导电ITO薄膜 被引量:3
8
作者 刘家祥 甘勇 朴圣洁 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1169-1172,共4页
以锡盐和金属铟为原料采用胶体法制备ITO前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。用TEM测定ITO前驱物浆料颗粒大小;用XRD、SEM、AES分别对ITO薄膜的结构和表面形貌进行表征;用分光光度计和四探针电... 以锡盐和金属铟为原料采用胶体法制备ITO前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。用TEM测定ITO前驱物浆料颗粒大小;用XRD、SEM、AES分别对ITO薄膜的结构和表面形貌进行表征;用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜光电性能。结果表明:ITO前驱物浆料的颗粒粒径为2nm^15nm,具有较好的分散性和稳定性;ITO薄膜厚度越大,方电阻越小,平均透过率下降;ITO薄膜在波长为360nm^800nm区的透过率随膜厚增加有不同的影响;退火温度越高,膜方电阻越低;当膜厚为300nm、退火温度600℃时,膜方电阻达到258?/□,其透过率在波长550nm处达到89.6%,且薄膜表面平整。 展开更多
关键词 胶体法 ito 薄膜 微结构
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直流磁控溅射ITO薄膜的正交试验分析 被引量:5
9
作者 王军 林慧 +2 位作者 杨刚 蒋亚东 张有润 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期68-71,75,共5页
利用直流磁控溅射系统制备ITO薄膜,采用正交试验表格L32(48)安排试验。测试了薄膜的方阻和透过率,分析了8个工艺参数对薄膜电光特性的影响,其中沉积气压、氩氧流量比和退火温度的影响最大。分析得到优化工艺参数为:沉积气压2×133.3... 利用直流磁控溅射系统制备ITO薄膜,采用正交试验表格L32(48)安排试验。测试了薄膜的方阻和透过率,分析了8个工艺参数对薄膜电光特性的影响,其中沉积气压、氩氧流量比和退火温度的影响最大。分析得到优化工艺参数为:沉积气压2×133.3224 mPa、氩氧流量比16∶0.5、退火温度427℃、靶基间距15、退火时间1 h、溅射功率300 W、退火氛围为真空、沉积温度227℃。在此工艺参数下制备的ITO薄膜方阻为17Ω/□,电阻率为1.87×10-4Ω.cm,在可见光区域平均透过率为85.13%。 展开更多
关键词 薄膜 氧化铟锡 正交试验法 直流磁控溅射
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铟离子总浓度对铟锡氧化物(ITO)粉末粒径的影响 被引量:2
10
作者 陈林 肖素萍 +5 位作者 刘悦 文忠和 王献忠 向芸 张西玲 宋杰光 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期89-91,共3页
以纯铟、SnCl4·5H2O为原料,采用络盐法制备了纳米晶的铟锡氧化物(ITO)粉末。通过对铟锡复合络合盐(NH4)1.91(In0.91Sn0.09)Cl5·?H2O的制备研究,充分证实了反应初始溶液中络离子的存在。研究了铟离子总浓度对ITO粒径的影响,结... 以纯铟、SnCl4·5H2O为原料,采用络盐法制备了纳米晶的铟锡氧化物(ITO)粉末。通过对铟锡复合络合盐(NH4)1.91(In0.91Sn0.09)Cl5·?H2O的制备研究,充分证实了反应初始溶液中络离子的存在。研究了铟离子总浓度对ITO粒径的影响,结果表明:由于络离子的存在控制了游离In3+的浓度,从而可以在一定浓度范围内增加铟离子总浓度而达到提高产量的目的。通过XRD和激光粒度仪对ITO粉末进行了表征。 展开更多
关键词 ito 络盐法 纳米粉末 络离子
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ITO薄膜的光学性能研究 被引量:6
11
作者 王敏 蒙继龙 陈明光 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 2003年第5期27-29,32,共4页
采用溶胶-凝胶法制备了ITO薄膜,并对溶胶-凝胶法中Sn掺杂量、后续热处理温度以及热处理时间3种工艺参数对ITO薄膜可见光区透射率的影响进行了分析和研究。研究结果表明: w(Sn)掺杂量小于10 %时,ITO薄膜的透射率下降缓慢,掺杂量大于10 %... 采用溶胶-凝胶法制备了ITO薄膜,并对溶胶-凝胶法中Sn掺杂量、后续热处理温度以及热处理时间3种工艺参数对ITO薄膜可见光区透射率的影响进行了分析和研究。研究结果表明: w(Sn)掺杂量小于10 %时,ITO薄膜的透射率下降缓慢,掺杂量大于10 %后,薄膜的透射率急剧下降;随着热处理时间的延长,ITO薄膜的透射率直线型下降;热处理温度与ITO薄膜透射率呈曲线关系,热处理温度为500℃时,ITO薄膜的透射率出现最大值。 展开更多
关键词 ito薄膜 溶胶-凝胶法 光学性能 透射率
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制备工艺对铟锡氧化物(ITO)粉末粒度的影响 被引量:13
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作者 陈林 吴伯麟 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1452-1456,共5页
以纯In,SnCl4.5H2O和盐酸为原料,采用络盐法制备了纳米晶铟锡氧化物(ITO)粉末。通过对铟和锡的络合盐——(NH4)2InCl5.H2O和(NH4)2SnCl6的制备研究,充分证实了反应初始溶液中络离子的存在;通过调节氯离子与铟离子的总浓度比(TCl/TIn)研... 以纯In,SnCl4.5H2O和盐酸为原料,采用络盐法制备了纳米晶铟锡氧化物(ITO)粉末。通过对铟和锡的络合盐——(NH4)2InCl5.H2O和(NH4)2SnCl6的制备研究,充分证实了反应初始溶液中络离子的存在;通过调节氯离子与铟离子的总浓度比(TCl/TIn)研究了络离子对ITO粉末粒度的影响,还系统地研究了沉淀剂的浓度、终点pH值、前驱体洗涤次数和煅烧温度对ITO粉末粒度的影响;通过XRD和激光粒度仪对所制粉体进行了表征。结果表明:当TCl/TIn=5,沉淀剂为20%的NH4HCO3溶液,终点pH值为6.0~7.0,前驱体的洗涤次数为6次,煅烧温度为700~800℃时所得ITO粉末粒度最佳。 展开更多
关键词 铟锡氧化物(ito)络盐法 络离子 纳米粉体 制备工艺
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ITO薄膜的气敏特性 被引量:6
13
作者 张正勇 张耀华 《传感技术学报》 CAS CSCD 1999年第1期52-56,共5页
本文研究了用胶体法制备的ITO薄膜的气敏特性;并同时研究了各种掺杂杂质对ITO薄膜的气敏特性的影响.通过实验发现ITO薄膜对乙醇气体具有最高的灵敏度,对二氧化氮等也有较好的敏感特性,一般催化剂型掺杂物如资金属等掺杂对... 本文研究了用胶体法制备的ITO薄膜的气敏特性;并同时研究了各种掺杂杂质对ITO薄膜的气敏特性的影响.通过实验发现ITO薄膜对乙醇气体具有最高的灵敏度,对二氧化氮等也有较好的敏感特性,一般催化剂型掺杂物如资金属等掺杂对提高ITO薄膜的灵敏度没有多大帮助.ITO薄膜与 SnO_2薄膜相比具有更高的稳定性.ITO薄膜的气敏特性既具有表面控制型的特征,又具有体效应气敏材料的敏感特性. 展开更多
关键词 ito薄膜 胶体法 气敏特性 掺杂 敏感器件
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激光显微光谱法测定ITO导电膜中的Sn 被引量:2
14
作者 郭庆林 杨志平 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第6期57-60,共4页
本文利用激光显微光谱,涂片法制备样品,采用“S-M”法对ITO导电膜中Sn进行定量分析,结果比较满意。
关键词 S-M法 ito 导电膜 激光显微光谱
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水热法制备ITO薄膜的研究 被引量:2
15
作者 职利 徐华蕊 +1 位作者 朱归胜 周怀营 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期136-138,共3页
以铟锡氯化物为原料,采用水热法在玻璃基片上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,并利用X射线衍射 (XRD)、能谱分析(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)等手段对薄膜的相结构、化学组成及形貌进行了表征,研究了水热温度和时间等条件对ITO薄膜光吸收特性的... 以铟锡氯化物为原料,采用水热法在玻璃基片上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,并利用X射线衍射 (XRD)、能谱分析(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)等手段对薄膜的相结构、化学组成及形貌进行了表征,研究了水热温度和时间等条件对ITO薄膜光吸收特性的影响。结果表明,水热法制备的ITO薄膜呈体心立方多晶结构且均匀、致密。薄膜在可见光区透射比可达98.2%,具备低成本大规模制备ITO薄膜的潜力。 展开更多
关键词 水热法 ito薄膜 光吸收性能
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锡掺杂量对胶体法制备ITO薄膜光电性能的影响 被引量:3
16
作者 张楠 刘家祥 曾胜男 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期164-168,共5页
以金属铟和锡盐为原料采用胶体法制备Sn掺杂三氧化二铟(ITO)前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。研究了不同Sn掺杂量5%~20%(质量分数,下同)对ITO薄膜光电性能的影响。用分光光度计和四... 以金属铟和锡盐为原料采用胶体法制备Sn掺杂三氧化二铟(ITO)前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。研究了不同Sn掺杂量5%~20%(质量分数,下同)对ITO薄膜光电性能的影响。用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜,样品的光电性能,并对其进行X射线衍射分析。结果表明:当Sn掺杂量为10%时薄膜的方电阻最小,为153Ω/□,不同Sn掺杂的ITO膜均为单一的立方铁锰矿结构;薄膜在可见光区平均透过率≥82%。基于对不同Sn掺杂量的ITO薄膜XRD数据分析,研究了ITO薄膜的结构特性,并讨论了薄膜的导电机制。结果表明:胶体法制备的ITO薄膜的自由载流子主要来源于氧缺位提供的导电电子。通过对ITO薄膜吸收系数的线性拟合表明,薄膜中自由电子由价带至导带的跃迁属于直接跃迁,且光学能隙值随Sn掺杂量的增加呈先增加后减小的趋势,在Sn掺杂量为15%时为最大值3.65eV。 展开更多
关键词 ito薄膜 胶体法 掺杂 导电机制 光学能隙
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化学共沉淀法制备纳米ITO粉体及结构表征 被引量:13
17
作者 张艳峰 张久兴 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期573-574,共2页
 以InCl3·5H2O和SnCl4·5H2O为原料,在掺杂浓度In2O3与SnO2的质量比为9∶1的条件下,采用化学共沉淀法合成了纳米ITO粉体。利用TEM、XRD、IR、粒度分布仪等实验手段对粉体的形貌、物相、粒度进行了表征,讨论了煅烧温度对粉体...  以InCl3·5H2O和SnCl4·5H2O为原料,在掺杂浓度In2O3与SnO2的质量比为9∶1的条件下,采用化学共沉淀法合成了纳米ITO粉体。利用TEM、XRD、IR、粒度分布仪等实验手段对粉体的形貌、物相、粒度进行了表征,讨论了煅烧温度对粉体物相和粒度的影响。研究结果表明:当煅烧温度>300℃时,可以获得立方In2O3结构的球形纳米ITO粉体。 展开更多
关键词 ito 纳米粉体 结构表征 化学共沉淀 TEM XRD 粒度
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ITO靶材的研究与发展 被引量:10
18
作者 阮进 陈敬超 +1 位作者 于杰 杜晔平 《电工材料》 CAS 2008年第2期35-37,42,共4页
简要介绍了铟(In)的用途及国内铟产业的现状。重点介绍了国内外ITO(铟锡氧化物)靶材的研究现状、主要制备方法(热等静压法、热压法和烧结法)及发展趋势。
关键词 铟(In) ito(铟锡氧化物)靶材 制备方法
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电弧气化法制备纳米ITO粉末及高密度ITO靶的研制 被引量:4
19
作者 张雪凤 潘震 +1 位作者 王政红 邢朋飞 《材料开发与应用》 CAS 2009年第3期1-3,7,共4页
以纯度为99.99%的纯金属In和Sn为原料,采用电弧气化法制备了单一立方In2O3结构的纳米ITO合金粉末,所制备的粉末以四方和类球形两种形貌存在,粒度主要位于30-70nm,分散性良好;并在此基础上采用常压烧结制备了相对密度高达99.74... 以纯度为99.99%的纯金属In和Sn为原料,采用电弧气化法制备了单一立方In2O3结构的纳米ITO合金粉末,所制备的粉末以四方和类球形两种形貌存在,粒度主要位于30-70nm,分散性良好;并在此基础上采用常压烧结制备了相对密度高达99.74%,平均电阻率达到1.52×10^-4Ω·cm,结构成份均匀,晶粒尺寸5—10μm左右的超高密度ITO靶材。 展开更多
关键词 电弧气化法 纳米 ito ito
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纳米级ITO粉体对烧结法制备靶材的影响 被引量:3
20
作者 王玥 刘家祥 刘宸 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2179-2183,共5页
采用化学共沉淀法制备ITO前驱物,分别于600及1000℃下热处理前驱物,得到两种ITO粉体。粉体模压成型得到素坯,在400~1550℃内采用烧结法、氧气氛下烧结素坯制备出ITO靶材。对粉体及靶材进行表征和分析,研究了烧结过程中晶粒生长情况、... 采用化学共沉淀法制备ITO前驱物,分别于600及1000℃下热处理前驱物,得到两种ITO粉体。粉体模压成型得到素坯,在400~1550℃内采用烧结法、氧气氛下烧结素坯制备出ITO靶材。对粉体及靶材进行表征和分析,研究了烧结过程中晶粒生长情况、靶材微结构与温度之间关系及靶材的失氧现象。得出600℃粉体为单相ITO固溶体、粒径为15nm,1000℃粉体有少量SnO2析出、粒径为28nm且其分散性和晶化程度优于600℃的粉体。两种粉体烧结制备靶材过程符合Coble固相烧结理论,1550℃时晶体出现类似二维成核生长方式的生长台阶。靶材密度随温度升高而增加,1550℃时随保温时间延长而增加。靶材致密化过程由团聚程度及团聚体大小决定,1000℃粉体制备的靶材密度高于600℃粉体所制靶材。两类靶材含氧量均低于理论值,1000℃粉体所制靶材含氧量高于600℃的含氧量。 展开更多
关键词 ito靶材 纳米粉体:烧结法
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