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SmBO_(3)@ITO的制备及激光吸收性能研究
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作者 李文新 鹿辛践 +2 位作者 冯潇强 张同庆 张林博 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第4期470-476,共7页
随着探测技术的不断发展,单一频段的隐身手段已经难以满足现代战场对隐身技术的实际需求。采用共沉淀法制备了掺杂半导体ITO包覆的SmBO_(3)复合粉体,旨在开发具有激光和雷达兼容隐身功能的新型材料。通过XRD、SEM、元素分布Mapping和XP... 随着探测技术的不断发展,单一频段的隐身手段已经难以满足现代战场对隐身技术的实际需求。采用共沉淀法制备了掺杂半导体ITO包覆的SmBO_(3)复合粉体,旨在开发具有激光和雷达兼容隐身功能的新型材料。通过XRD、SEM、元素分布Mapping和XPS等表征手段,确认了SmBO_(3)@ITO核壳结构的成功构建。激光性能测试表明,包覆粉体的反射率最低为42.9%。进一步的电磁参数测试与计算显示,在2 mm厚度条件下,于13.5 GHz频段处得到最低反射损耗(RL)约为-11.1 dB,有效吸波带宽(EAB)为1.5 GHz。这项工作将为激光和雷达兼容的隐身技术提供新的材料选择和研究方向。 展开更多
关键词 共沉淀法 包覆 SmBO_(3)@ito 激光兼容
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STRSeqTyperY68二代测序试剂盒与ITO法联用助力侦破一起命案积案
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作者 吴庆玲 伊鹏 +8 位作者 陈智 张驰 权宗雪 肖莉 马晶晶 郑蕾 王瑗 王乐 叶健 《刑事技术》 2025年第2期206-210,共5页
目前,基于毛细管电泳技术的Y-STR检案试剂盒单次最多检测约40个Y-STR基因座,仅报告各等位基因分型的长度多态性信息而无法报告其序列信息。STRSeqTyper Y68男性家系精细化排查试剂盒,一次实验可检测1个性别基因座及67个Y-STR基因座,依托... 目前,基于毛细管电泳技术的Y-STR检案试剂盒单次最多检测约40个Y-STR基因座,仅报告各等位基因分型的长度多态性信息而无法报告其序列信息。STRSeqTyper Y68男性家系精细化排查试剂盒,一次实验可检测1个性别基因座及67个Y-STR基因座,依托MiSeq FGx二代测序平台同时检测Y-STR的长度及序列多态性,从而提高检验效率,为家系精细化区分提供帮助。ITO法是根据孟德尔遗传分离定律计算两个体亲缘关系指数,评估两个体间可能的五级内亲缘关系的方法。联合应用二代测序技术与ITO法,可以有效缩小家系范围。本文报道一起8年未破的强奸命案,通过联合应用STRSeqTyperY68男性家系精细化排查试剂盒检验及ITO法评估现场检材与比对样本间可能的亲缘关系远近,逐步缩小范围,最终案件告破。 展开更多
关键词 法医遗传学 二代测序 序列多态性 Y-STR ito
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Study of Autosomal Short Tandem Repeat Loci Using ITO Method in Full‑Sibling Identification
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作者 Li Yuan Xu Xu +6 位作者 He Ren Zhao Zhao Tong Wang Shicheng Hao Jinpei Zhang Yan Liu Yan Xu 《Journal of Forensic Science and Medicine》 2020年第1期5-11,I0002-I0005,共11页
This study aimed to investigate the application of autosomal short tandem repeat(STR)loci using the ITO method and discriminant function algorithm for full‑sibling(FS)identification.A total of 342 pairs of full siblin... This study aimed to investigate the application of autosomal short tandem repeat(STR)loci using the ITO method and discriminant function algorithm for full‑sibling(FS)identification.A total of 342 pairs of full siblings(FSs)and 3900 pairs of unrelated individuals(UIs)were genotyped at 51 STR loci.The groups were in accordance with discrimination power(DP)values and the number of loci,and the values of FS index(FSI)of FSs and UIs were calculated by the ITO method.The discriminant functions of FS–UI were established using the Fisher’s discriminant analysis method with SPSS 19.0 software.All the lgFSI values in the FS and UI groups followed a normal distribution,and there were significant differences between the two pairs.A higher average DP value was associated with a more significant difference,as was a greater number of STR loci detected.Receiver operator characteristic curves showed that the accuracy of FS identification can be affected by both locus polymorphism and the number of loci detected.Comparing the rate of false positives and false negatives of discriminant function between the two groups,a higher average DP value and larger number of loci detected were associated with a lower rate of miscarriage of justice and were more helpful for FS–UI identification.The ITO‑based discriminant analysis method has high applicability in FS–UI tests.Testing of a greater number of STR loci promotes FS identification. 展开更多
关键词 Discriminant analysis forensic biological evidence full-sib relation ito method short tandem repeat
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双膜层ITO/SiO_(2)薄膜制备及其膜电阻均匀性研究
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作者 朱治坤 陈婉婷 +2 位作者 陈静 朱常青 刘荣梅 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第24期188-196,共9页
目的通过双膜层结构设计制备ITO/SiO_(2)薄膜,研究了靶面磁场强度、镀膜工件移动速度、镀膜功率对ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻均匀性的影响,并研究了优化条件制备的ITO/SiO_(2)薄膜物相、形貌和结构,并通过元素分布分析探讨了SiO_(2)薄膜的... 目的通过双膜层结构设计制备ITO/SiO_(2)薄膜,研究了靶面磁场强度、镀膜工件移动速度、镀膜功率对ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻均匀性的影响,并研究了优化条件制备的ITO/SiO_(2)薄膜物相、形貌和结构,并通过元素分布分析探讨了SiO_(2)薄膜的作用。方法利用磁控溅射法在TN玻璃基板上沉积生成SiO_(2)薄膜,然后再沉积氧化铟锡(ITO)薄膜,制备ITO/SiO_(2)薄膜样品。利用X射线衍射仪(XRD)、ST-21L型薄膜膜电阻测试仪、原子力显微镜(AFM)、透射电镜(TEM)等仪器,研究了靶面磁场强度、镀膜工件移动速度、镀膜功率对ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻均匀性的影响,并研究了优化条件制备的ITO/SiO_(2)薄膜样品的物相结构、表面形貌、截面膜层结构、元素分布与有膜电阻均匀性的关系,探讨了SiO_(2)薄膜结构与晶粒尺寸效应可能发挥的作用。结果(1)磁控溅射优化条件下,磁场强度为780~820 Gs,镀膜工件移动速度为1.2 m/min,镀膜功率为2.5 kW(A21)和3 kW(A23)时,ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻极差最小为10~11Ω/sq,平均值为75~76Ω/sq,ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻的均匀性最好。(2)ITO/SiO_(2)薄膜表现出晶体谱线和非晶谱线的叠加,In_(2)O_(3)和SnO_(2)特征峰发生轻微左偏移现象,SiO_(2)特征峰较宽,说明薄膜中的SiO_(2)处于非晶态结构,且可能部分发生晶粒尺寸效应,以微晶或纳米晶的形式存在。(3)ITO/SiO_(2)薄膜表面形貌比起SiO_(2)薄膜更均匀、连续、平滑且较致密,且具有明显的双膜层结构,其中ITO薄膜表面均匀平整且膜厚均匀,这与膜电阻均匀性一致;SiO_(2)薄膜与ITO薄膜和玻璃基底都形成了界面层,应该也是ITO薄膜结合力较好的原因;In元素的流失受到一定阻隔,应该与薄膜中的SiO_(2)的非晶态结构或发生晶粒尺寸效应,以及多晶ITO结构有关。结论通过优化控制靶面磁场强度、镀膜工件移动速度和镀膜功率等工艺因素,可以提高ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻均匀性,同时通过控制SiO_(2)薄膜成膜质量可以改善ITO薄膜质量,并起到阻隔In元素流失的作用。 展开更多
关键词 磁控溅射法 ito/SiO_(2)双膜层 微观结构 膜电阻均匀性
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同轴ITO-TiO_(2)纳米管复合材料的储锂性能研究
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作者 陈俊俊 王梦桃 +6 位作者 李广忠 李凤仙 刘意春 卜恒勇 李才巨 方东 Olim Ruzimuradov 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1429-1436,共8页
TiO_(2)负极因其在锂离子电池充放电过程中具有良好的结构稳定性和安全性而受到广泛的关注。然而,TiO_(2)固有的导电性差限制了其在高电流密度下的容量及循环稳定性。本研究采用真空机械压注法和随后的退火处理成功制备了同轴氧化铟锡-T... TiO_(2)负极因其在锂离子电池充放电过程中具有良好的结构稳定性和安全性而受到广泛的关注。然而,TiO_(2)固有的导电性差限制了其在高电流密度下的容量及循环稳定性。本研究采用真空机械压注法和随后的退火处理成功制备了同轴氧化铟锡-TiO_(2)纳米管复合物(ITO-TiO_(2)NTs)。作为锂离子电池的负极材料,在0.2 A·g^(-1)的电流密度下,ITO-TiO_(2)NTs在350次循环后表现出295.9 mAh·g^(-1)的高容量。ITO在三维结构中充当导电电芯的角色,提高整体的导电性,促进电子和锂离子快速传输,从而提高复合材料循环稳定性和倍率性能。所提出的真空机械压注法对TiO_(2)纳米管阵列薄膜材料的复合改性提供了简单、高效的方法,具有重要意义。 展开更多
关键词 ito TiO_(2)纳米管阵列 真空机械压注法 锂离子电池
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退火温度对ITO/Cu/AZO透明导电薄膜结构及性能的影响
6
作者 孙冰成 张健 +1 位作者 张贤旺 于尉 《微纳电子技术》 CAS 2024年第11期155-162,共8页
采用射频与直流磁控交替溅射法在石英玻璃载玻片上制备了氧化铟锡(ITO)/Cu/Al掺杂ZnO(AZO)(45 nm/10 nm/45 nm)组合结构的透明导电薄膜,并在不同退火温度下对薄膜进行真空热处理。利用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计、四探针电... 采用射频与直流磁控交替溅射法在石英玻璃载玻片上制备了氧化铟锡(ITO)/Cu/Al掺杂ZnO(AZO)(45 nm/10 nm/45 nm)组合结构的透明导电薄膜,并在不同退火温度下对薄膜进行真空热处理。利用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测试仪等表征手段,系统地研究了退火温度对ITO/Cu/AZO复合薄膜晶体结构和光电性能的影响。结果显示,经过不同温度的真空退火处理,薄膜的晶体结构和导电性能得到显著改善和提高,薄膜可见光平均透过率随着退火温度的升高先增加后降低。对比发现,在气压5×10^(-3)Pa、温度150℃下退火制备的ITO/Cu/AZO结构薄膜表现出最佳的综合性能,薄膜具有较强的(222)和(440)晶面衍射峰,在400~800 nm光波范围平均透过率约为80.5%,电导率约为1.76×10^(3) S/cm,综合品质因数达到约2.12×10^(-3)/Ω。 展开更多
关键词 磁控溅射 真空热处理 氧化铟锡(ito)薄膜 Al掺杂ZnO(AZO)薄膜 交替溅射法
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ITO法和判别函数法在同胞关系鉴定中的应用 被引量:55
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作者 陆惠玲 周科伟 +2 位作者 吕德坚 姚亚楠 章雅清 《法医学杂志》 CAS CSCD 2009年第2期118-122,共5页
目的探讨ITO法和判别函数法在全同胞、半同胞关系鉴定中的应用价值。方法根据500对全同胞、50对半同胞及500对无关个体的15个STR基因座(PowerPlexTM16体系)的分型结果,采用ITO法分别计算全同胞关系指数(FSI)、半同胞关系指数(HSI)及其比... 目的探讨ITO法和判别函数法在全同胞、半同胞关系鉴定中的应用价值。方法根据500对全同胞、50对半同胞及500对无关个体的15个STR基因座(PowerPlexTM16体系)的分型结果,采用ITO法分别计算全同胞关系指数(FSI)、半同胞关系指数(HSI)及其比值(FSI∶HSI)。比较三组配对个体的等位基因匹配情况,计算分型结果全不同的基因座数(x0)、半相同的基因座数(x1)和完全相同的基因座数(x2),利用SPSS13.0分析软件建立全同胞、半同胞和无关个体的判别函数。结果(1)以FSI≥19、FSI<1作为全同胞与无关个体的判别标准,交互准确率为96.4%;以HSI≥19、HSI<1作为半同胞与无关个体的判别标准,交互准确率为85.3%;以FSI∶HSI≥1、FSI∶HSI<1作为全同胞与半同胞的判别标准,交互准确率为87.5%。(2)分别建立了全同胞-半同胞-无关个体、全同胞-无关个体、半同胞-无关个体、全同胞-半同胞4组判别函数,判别函数交互准确率为84.4%~97.7%,其中同胞-无关个体判别准确率最高。结论ITO法与判别函数法在全同胞、半同胞鉴定中均具有较高的应用价值。 展开更多
关键词 法医遗传学 同胞关系 短串联重复序列 判别分析 ito
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采用自主研发似然比率计算器进行ITO亲缘关系分析 被引量:4
8
作者 周密 张韩秋 +2 位作者 韦帆 丁仁杰 王成权 《中国法医学杂志》 CSCD 北大核心 2011年第5期365-367,共3页
目的探讨采用自主研发的似然比率计算器进行ITO法亲缘关系鉴定的可行性。方法针对GoldeneyeTMDNA ID System 20A系统的19个常染色体STR基因座分型数据,使用自主研发的似然比率计算器,人工模拟100 000对无关个体及100 000个家系的父子、... 目的探讨采用自主研发的似然比率计算器进行ITO法亲缘关系鉴定的可行性。方法针对GoldeneyeTMDNA ID System 20A系统的19个常染色体STR基因座分型数据,使用自主研发的似然比率计算器,人工模拟100 000对无关个体及100 000个家系的父子、同胞、半同胞、一、二代堂表兄弟,应用ITO法,自动分析计算亲权指数(PI)和亲缘关系概率(RCP)。结果父子和无关个体关系概率界值下无重叠,具有显著差异。同胞关系概率大于99.99%时,同胞占66.48%,无关个体占0%,具有显著差异;概率小于99.99%时,同胞个体和无关个体有部分重叠,具有一定差异。半同胞关系概率大于99.99%时,半同胞占1.52%,无关个体占0%,具有显著差异;概率小于99.99%时,两组有部分重叠,具有一定差异。一、二代堂表兄弟关系概率为10%~90%范围内时,无关个体分别占90%,99.98%,无法推断。结论本文方法可用于推断父子关系、同胞关系、半同胞关系。 展开更多
关键词 法医物证学 亲缘鉴定 ito 似然比率计算器
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51个常染色体STR基因座在ITO法判断全同胞中的应用 被引量:3
9
作者 徐旭 任贺 +6 位作者 胡超辉 陈文 陈冲 石妍 刘雅诚 鲁涤 袁丽 《中国法医学杂志》 CSCD 2016年第2期117-121,125,共6页
目的探讨ITO法和判别函数法在全同胞鉴定中的应用价值。方法根据342对全同胞和3 900对无关个体的19、21、39、51个常染色STR基因座的分型结果,采用ITO法计算全同胞关系指数(FSI)。用SPSS软件Fisher判别分析法,分别建立lg FSI全同胞-无... 目的探讨ITO法和判别函数法在全同胞鉴定中的应用价值。方法根据342对全同胞和3 900对无关个体的19、21、39、51个常染色STR基因座的分型结果,采用ITO法计算全同胞关系指数(FSI)。用SPSS软件Fisher判别分析法,分别建立lg FSI全同胞-无关个体的判别函数。结果每组全同胞对和无关个体对的lg FSI符合正态分布,具有显著性差异。在19、21、39、51个STR基因座,全同胞组判别函数分别为L同胞=1.666 6×lg FSI-5.208 0,L同胞=1.643 9×lg FSI-5.512 0,L同胞=1.569 4×lg FSI-8.076 4,L同胞=1.480 7×lg FSI-9.860 9;无关个体组分别为L无关=-1.346 1×lg FSI-3.638 5,L无关=-1.330 9×lg FSI-3.851 7,L无关=-1.319 2×lg FSI-5.910 2,L无关=-1.273 8×lg FSI-7.477 6。平均错判率分别为:1.361 9%、1.228 5%、0.438 6%和0.146 2%。结论 ITO判别函数法在全同胞-无关个体鉴定中具有很高的应用价值,且检测基因座越多,系统效能越高,并能降低错判风险。 展开更多
关键词 法医物证学 全同胞关系 短串联重复序列 判别分析 ito
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胶体法制备透明导电ITO薄膜 被引量:3
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作者 刘家祥 甘勇 朴圣洁 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1169-1172,共4页
以锡盐和金属铟为原料采用胶体法制备ITO前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。用TEM测定ITO前驱物浆料颗粒大小;用XRD、SEM、AES分别对ITO薄膜的结构和表面形貌进行表征;用分光光度计和四探针电... 以锡盐和金属铟为原料采用胶体法制备ITO前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。用TEM测定ITO前驱物浆料颗粒大小;用XRD、SEM、AES分别对ITO薄膜的结构和表面形貌进行表征;用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜光电性能。结果表明:ITO前驱物浆料的颗粒粒径为2nm^15nm,具有较好的分散性和稳定性;ITO薄膜厚度越大,方电阻越小,平均透过率下降;ITO薄膜在波长为360nm^800nm区的透过率随膜厚增加有不同的影响;退火温度越高,膜方电阻越低;当膜厚为300nm、退火温度600℃时,膜方电阻达到258?/□,其透过率在波长550nm处达到89.6%,且薄膜表面平整。 展开更多
关键词 胶体法 ito 薄膜 微结构
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FTO/ITO复层导电薄膜的研究 被引量:11
11
作者 胡志强 张晨宁 +3 位作者 丘鹏 刘俐宏 奥谷昌之 金子正治 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1886-1888,共3页
采用溶胶凝胶法与溶液水解法分别制备ITO、FTO以及FTO/ITO复层导电膜,利用分光光度仪测量在可见光范围内的透光率,用四探针法精确测量薄膜的电阻率,通过扫描电镜观测薄膜的表面形态,微观颗粒形貌以及薄膜的厚度。实验表明,用SnCl4.5H2OI... 采用溶胶凝胶法与溶液水解法分别制备ITO、FTO以及FTO/ITO复层导电膜,利用分光光度仪测量在可见光范围内的透光率,用四探针法精确测量薄膜的电阻率,通过扫描电镜观测薄膜的表面形态,微观颗粒形貌以及薄膜的厚度。实验表明,用SnCl4.5H2OI、n(NO3)3.4.5H2O、NH4F作为主要原料,通过溶胶凝胶法和溶液水解法可制备出低电阻率,高透光性的FTO/ITO复合导电薄膜。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 FTO/ito复层导电膜 电阻率 透光率
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直流磁控溅射ITO薄膜的正交试验分析 被引量:5
12
作者 王军 林慧 +2 位作者 杨刚 蒋亚东 张有润 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期68-71,75,共5页
利用直流磁控溅射系统制备ITO薄膜,采用正交试验表格L32(48)安排试验。测试了薄膜的方阻和透过率,分析了8个工艺参数对薄膜电光特性的影响,其中沉积气压、氩氧流量比和退火温度的影响最大。分析得到优化工艺参数为:沉积气压2×133.3... 利用直流磁控溅射系统制备ITO薄膜,采用正交试验表格L32(48)安排试验。测试了薄膜的方阻和透过率,分析了8个工艺参数对薄膜电光特性的影响,其中沉积气压、氩氧流量比和退火温度的影响最大。分析得到优化工艺参数为:沉积气压2×133.3224 mPa、氩氧流量比16∶0.5、退火温度427℃、靶基间距15、退火时间1 h、溅射功率300 W、退火氛围为真空、沉积温度227℃。在此工艺参数下制备的ITO薄膜方阻为17Ω/□,电阻率为1.87×10-4Ω.cm,在可见光区域平均透过率为85.13%。 展开更多
关键词 薄膜 氧化铟锡 正交试验法 直流磁控溅射
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铟离子总浓度对铟锡氧化物(ITO)粉末粒径的影响 被引量:2
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作者 陈林 肖素萍 +5 位作者 刘悦 文忠和 王献忠 向芸 张西玲 宋杰光 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期89-91,共3页
以纯铟、SnCl4·5H2O为原料,采用络盐法制备了纳米晶的铟锡氧化物(ITO)粉末。通过对铟锡复合络合盐(NH4)1.91(In0.91Sn0.09)Cl5·?H2O的制备研究,充分证实了反应初始溶液中络离子的存在。研究了铟离子总浓度对ITO粒径的影响,结... 以纯铟、SnCl4·5H2O为原料,采用络盐法制备了纳米晶的铟锡氧化物(ITO)粉末。通过对铟锡复合络合盐(NH4)1.91(In0.91Sn0.09)Cl5·?H2O的制备研究,充分证实了反应初始溶液中络离子的存在。研究了铟离子总浓度对ITO粒径的影响,结果表明:由于络离子的存在控制了游离In3+的浓度,从而可以在一定浓度范围内增加铟离子总浓度而达到提高产量的目的。通过XRD和激光粒度仪对ITO粉末进行了表征。 展开更多
关键词 ito 络盐法 纳米粉末 络离子
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ITO薄膜的光学性能研究 被引量:6
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作者 王敏 蒙继龙 陈明光 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 2003年第5期27-29,32,共4页
采用溶胶-凝胶法制备了ITO薄膜,并对溶胶-凝胶法中Sn掺杂量、后续热处理温度以及热处理时间3种工艺参数对ITO薄膜可见光区透射率的影响进行了分析和研究。研究结果表明: w(Sn)掺杂量小于10 %时,ITO薄膜的透射率下降缓慢,掺杂量大于10 %... 采用溶胶-凝胶法制备了ITO薄膜,并对溶胶-凝胶法中Sn掺杂量、后续热处理温度以及热处理时间3种工艺参数对ITO薄膜可见光区透射率的影响进行了分析和研究。研究结果表明: w(Sn)掺杂量小于10 %时,ITO薄膜的透射率下降缓慢,掺杂量大于10 %后,薄膜的透射率急剧下降;随着热处理时间的延长,ITO薄膜的透射率直线型下降;热处理温度与ITO薄膜透射率呈曲线关系,热处理温度为500℃时,ITO薄膜的透射率出现最大值。 展开更多
关键词 ito薄膜 溶胶-凝胶法 光学性能 透射率
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制备工艺对铟锡氧化物(ITO)粉末粒度的影响 被引量:13
15
作者 陈林 吴伯麟 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1452-1456,共5页
以纯In,SnCl4.5H2O和盐酸为原料,采用络盐法制备了纳米晶铟锡氧化物(ITO)粉末。通过对铟和锡的络合盐——(NH4)2InCl5.H2O和(NH4)2SnCl6的制备研究,充分证实了反应初始溶液中络离子的存在;通过调节氯离子与铟离子的总浓度比(TCl/TIn)研... 以纯In,SnCl4.5H2O和盐酸为原料,采用络盐法制备了纳米晶铟锡氧化物(ITO)粉末。通过对铟和锡的络合盐——(NH4)2InCl5.H2O和(NH4)2SnCl6的制备研究,充分证实了反应初始溶液中络离子的存在;通过调节氯离子与铟离子的总浓度比(TCl/TIn)研究了络离子对ITO粉末粒度的影响,还系统地研究了沉淀剂的浓度、终点pH值、前驱体洗涤次数和煅烧温度对ITO粉末粒度的影响;通过XRD和激光粒度仪对所制粉体进行了表征。结果表明:当TCl/TIn=5,沉淀剂为20%的NH4HCO3溶液,终点pH值为6.0~7.0,前驱体的洗涤次数为6次,煅烧温度为700~800℃时所得ITO粉末粒度最佳。 展开更多
关键词 铟锡氧化物(ito)络盐法 络离子 纳米粉体 制备工艺
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ITO薄膜的气敏特性 被引量:6
16
作者 张正勇 张耀华 《传感技术学报》 CAS CSCD 1999年第1期52-56,共5页
本文研究了用胶体法制备的ITO薄膜的气敏特性;并同时研究了各种掺杂杂质对ITO薄膜的气敏特性的影响.通过实验发现ITO薄膜对乙醇气体具有最高的灵敏度,对二氧化氮等也有较好的敏感特性,一般催化剂型掺杂物如资金属等掺杂对... 本文研究了用胶体法制备的ITO薄膜的气敏特性;并同时研究了各种掺杂杂质对ITO薄膜的气敏特性的影响.通过实验发现ITO薄膜对乙醇气体具有最高的灵敏度,对二氧化氮等也有较好的敏感特性,一般催化剂型掺杂物如资金属等掺杂对提高ITO薄膜的灵敏度没有多大帮助.ITO薄膜与 SnO_2薄膜相比具有更高的稳定性.ITO薄膜的气敏特性既具有表面控制型的特征,又具有体效应气敏材料的敏感特性. 展开更多
关键词 ito薄膜 胶体法 气敏特性 掺杂 敏感器件
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激光显微光谱法测定ITO导电膜中的Sn 被引量:2
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作者 郭庆林 杨志平 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第6期57-60,共4页
本文利用激光显微光谱,涂片法制备样品,采用“S-M”法对ITO导电膜中Sn进行定量分析,结果比较满意。
关键词 S-M法 ito 导电膜 激光显微光谱
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水热法制备ITO薄膜的研究 被引量:2
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作者 职利 徐华蕊 +1 位作者 朱归胜 周怀营 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期136-138,共3页
以铟锡氯化物为原料,采用水热法在玻璃基片上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,并利用X射线衍射 (XRD)、能谱分析(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)等手段对薄膜的相结构、化学组成及形貌进行了表征,研究了水热温度和时间等条件对ITO薄膜光吸收特性的... 以铟锡氯化物为原料,采用水热法在玻璃基片上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,并利用X射线衍射 (XRD)、能谱分析(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)等手段对薄膜的相结构、化学组成及形貌进行了表征,研究了水热温度和时间等条件对ITO薄膜光吸收特性的影响。结果表明,水热法制备的ITO薄膜呈体心立方多晶结构且均匀、致密。薄膜在可见光区透射比可达98.2%,具备低成本大规模制备ITO薄膜的潜力。 展开更多
关键词 水热法 ito薄膜 光吸收性能
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锡掺杂量对胶体法制备ITO薄膜光电性能的影响 被引量:3
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作者 张楠 刘家祥 曾胜男 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期164-168,共5页
以金属铟和锡盐为原料采用胶体法制备Sn掺杂三氧化二铟(ITO)前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。研究了不同Sn掺杂量5%~20%(质量分数,下同)对ITO薄膜光电性能的影响。用分光光度计和四... 以金属铟和锡盐为原料采用胶体法制备Sn掺杂三氧化二铟(ITO)前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。研究了不同Sn掺杂量5%~20%(质量分数,下同)对ITO薄膜光电性能的影响。用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜,样品的光电性能,并对其进行X射线衍射分析。结果表明:当Sn掺杂量为10%时薄膜的方电阻最小,为153Ω/□,不同Sn掺杂的ITO膜均为单一的立方铁锰矿结构;薄膜在可见光区平均透过率≥82%。基于对不同Sn掺杂量的ITO薄膜XRD数据分析,研究了ITO薄膜的结构特性,并讨论了薄膜的导电机制。结果表明:胶体法制备的ITO薄膜的自由载流子主要来源于氧缺位提供的导电电子。通过对ITO薄膜吸收系数的线性拟合表明,薄膜中自由电子由价带至导带的跃迁属于直接跃迁,且光学能隙值随Sn掺杂量的增加呈先增加后减小的趋势,在Sn掺杂量为15%时为最大值3.65eV。 展开更多
关键词 ito薄膜 胶体法 掺杂 导电机制 光学能隙
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ITO靶材的研究与发展 被引量:10
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作者 阮进 陈敬超 +1 位作者 于杰 杜晔平 《电工材料》 CAS 2008年第2期35-37,42,共4页
简要介绍了铟(In)的用途及国内铟产业的现状。重点介绍了国内外ITO(铟锡氧化物)靶材的研究现状、主要制备方法(热等静压法、热压法和烧结法)及发展趋势。
关键词 铟(In) ito(铟锡氧化物)靶材 制备方法
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