基于GST薄膜的弯曲波导相变光学器件光学仿真与分析

1

作者 罗明馨 张东亮 +1 位作者 鹿利单 祝连庆 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第2期228-233,共6页

研究了相变光学器件的光传输性能,使用时域有限差分法建立覆盖Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)(GST)薄膜的弯曲波导模型,得到了在晶态和非晶态两种情况下GST的面积、厚度和在弯曲波导中的位置对光传输效率及损耗的影响规律。结果表明:GST的最优覆盖... 研究了相变光学器件的光传输性能,使用时域有限差分法建立覆盖Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)(GST)薄膜的弯曲波导模型,得到了在晶态和非晶态两种情况下GST的面积、厚度和在弯曲波导中的位置对光传输效率及损耗的影响规律。结果表明:GST的最优覆盖面积为0.415μm^(2),厚度为17nm,器件光传输不受GST覆盖位置影响,光传输对比度最佳达到90.8%,插入损耗低至0.321dB,在1500~1670nm波长范围内能够实现宽光谱并行传输。该器件尺寸小,消光比大,理论上满足提高光计算准确率的需求。研究结果对于非易失性、并行集成光子矩阵计算单元器件的研制具有一定的参考意义。 展开更多

关键词 光子计算 相变光学器件 Ge2Sb2Te2 弯曲波导 覆盖型

原文传递

硫系化合物随机存储器研究进展 被引量：16

2

作者 封松林 宋志棠 +1 位作者 刘波 刘卫丽 《微纳电子技术》 CAS 2004年第4期1-7,39,共8页

系统地介绍了硫系化合物随机存储器(C-RAM)的原理、相关材料、研究现状、特点及今后的发展趋势以及中科院上海微系统与信息技术研究所在C-RAM方面的研究进展。C-RAM由于具有高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低和成... 系统地介绍了硫系化合物随机存储器(C-RAM)的原理、相关材料、研究现状、特点及今后的发展趋势以及中科院上海微系统与信息技术研究所在C-RAM方面的研究进展。C-RAM由于具有高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低和成本低等优点,被认为是最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器的主流产品。 展开更多

关键词 硫系化合物随机存储器 Ge2Sb2Te5 纳电子器件 C—RAM 工作原理

在线阅读 下载PDF 职称材料

溅射功率对Ge_2Sb_2Te_5薄膜光学常数的影响 被引量：2

3

作者 谢泉 侯立松 +3 位作者 干福熹 阮昊 李晶 李进延 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期501-504,共4页

研究了溅射功率对 Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５ 薄膜的光学常数与波长关系的影响，结果表明，在波长小于 ５００ｎｍ的情况下，随溅射功率的增加非晶态薄膜的折射率ｎ先增加然后减小，消光系数Ｋ则逐渐减小； 在波长大于 ５００ｎｍ的情况下，... 研究了溅射功率对 Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５ 薄膜的光学常数与波长关系的影响，结果表明，在波长小于 ５００ｎｍ的情况下，随溅射功率的增加非晶态薄膜的折射率ｎ先增加然后减小，消光系数Ｋ则逐渐减小； 在波长大于 ５００ｎｍ的情况下，随溅射功率的增加折射率 ｎ逐渐减少，消光系数ｋ先减小后增加．对于晶 态薄膜样品，在整个波长范围折射率ｎ随溅射功率的增加先减小后增加，消光系数ｋ则逐渐减少．薄膜样 品的光学常数，在长波长范围随波长变化较大，在短波长范围变化较小．讨论了溅射功率对 Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５ 薄膜的光学常数影响的机理． 展开更多

关键词 溅射功率 GE2SB2TE5薄膜 光学常数 波长

在线阅读 下载PDF 职称材料

Ge_2Sb_2Te_5相变薄膜光学及擦除性能研究 被引量：3

4

作者 张广军 顾冬红 干福熹 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期577-581,共5页

利用蓝绿激光对非晶态Ge2Sb2Te5相变薄膜进行擦除性能的研究,分别用1000ns, 500ns,100ns, 60ns脉宽的蓝绿激光进行实验.结果表明,一定脉宽下,反射率对比度随擦除功率的增加而增大 并且,在1000ns, 500ns, 100ns, 60ns的激光作用时间范围... 利用蓝绿激光对非晶态Ge2Sb2Te5相变薄膜进行擦除性能的研究,分别用1000ns, 500ns,100ns, 60ns脉宽的蓝绿激光进行实验.结果表明,一定脉宽下,反射率对比度随擦除功率的增加而增大 并且,在1000ns, 500ns, 100ns, 60ns的激光作用时间范围内,非晶态薄膜均可转变成晶态 对于脉宽为60ns的蓝绿激光,擦除功率大于4. 49mW以后,薄膜的反射率对比度高于15%,这表明Ge2Sb2Te5 相变薄膜在短脉宽、低擦除功率条件下,可具有较高的晶化速度 同时,分析了非晶态和晶态Ge2Sb2Te5 相变薄膜的光谱特性,对比研究了780nm, 650nm, 514nm和405nm波长处的反射率和反射率对比度。 展开更多

关键词 相变薄膜 蓝绿激光 Ge2Sb2Te5 擦除 反射率对比度 光盘

在线阅读 下载PDF 职称材料

硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响 被引量：3

5

作者 刘波 宋志棠 +2 位作者 封松林 Chen Bomy 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期158-160,共3页

采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂... 采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂硅后,Ge2Sb2Te5薄膜的电阻有较大变化,晶态电阻的提高有利于降低非晶化相变过程的操作电流,薄膜电阻-温度稳定性的改善可保证有较宽的操作电流波动范围. 展开更多

关键词 Ge2Sb2Te5 硅离子注入掺杂 方块电阻

在线阅读 下载PDF 职称材料

激光致溅射沉积Ge_2Sb_2Te_5薄膜的结晶行为研究 被引量：2

6

作者 刘波 阮昊 干福熹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期637-640,共4页

利用ＸＲＤ研究了激光致溅射沉积Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的结晶行为;研究发现,与热致相变不同的是,激光致相变只发生从非晶态到ＦＣＣ晶态结构的转变,从ＦＣＣ到ＨＣＰ的结构转变不再发生,这有利于提高相变光盘的信噪比．Ｇｅ２Ｓｂ２... 利用ＸＲＤ研究了激光致溅射沉积Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的结晶行为;研究发现,与热致相变不同的是,激光致相变只发生从非晶态到ＦＣＣ晶态结构的转变,从ＦＣＣ到ＨＣＰ的结构转变不再发生,这有利于提高相变光盘的信噪比．Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的结晶程度受初始化功率和转速的影响． 展开更多

关键词 激光致溅射沉积 GE2SB2TE5薄膜 结晶行为 激光致相变 X射线衍射 面心立方 光盘 相变光存储材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于相变存储器的相变存储材料的研究进展 被引量：3

7

作者 汪昌州 翟继卫 姚熹 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第15期96-102,共7页

相变存储器具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、多级存储、与现有集成电路工艺相兼容等诸多优点,被认为是最具潜力的下一代存储器。简要介绍了相变存储材料的工作原理和对相变存储材料的性能要求,综述了近年来国内外在相变... 相变存储器具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、多级存储、与现有集成电路工艺相兼容等诸多优点,被认为是最具潜力的下一代存储器。简要介绍了相变存储材料的工作原理和对相变存储材料的性能要求,综述了近年来国内外在相变材料存储性能的优化、存储机理以及面临的关键问题等方面的最新研究成果,最后展望了相变存储材料的研究和发展趋势。 展开更多

关键词 相变存储器 相变存储材料 Ge2Sb2Te5

在线阅读 下载PDF 职称材料

生长温度对Ge_2Sb_2Te_5薄膜的相变行为以及微观结构的影响 被引量：2

8

作者 都健 潘石 +1 位作者 吴世法 张庆瑜 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第4期328-332,共5页

采用射频磁控溅射方法，分别在玻璃和具有本征氧化层的Si（100）基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、紫外分光光度计等对薄膜进行了表征，研究了不同生长温度（室温～300℃）的Ge2... 采用射频磁控溅射方法，分别在玻璃和具有本征氧化层的Si（100）基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、紫外分光光度计等对薄膜进行了表征，研究了不同生长温度（室温～300℃）的Ge2Sb2Te5薄膜的表面形貌和结晶特性。分析结果表明：室温沉积的薄膜为非晶态；沉积温度为100℃～250℃时，薄膜转变为晶粒尺度约14nm的面心立方结构；300℃～350℃沉积的薄膜有少量的六方相出现。薄膜表面粗糙度随着沉积温度的升高逐渐递增，且薄膜的反射率变化与表面粗糙度有直接的关系。 展开更多

关键词 GE2SB2TE5薄膜 射频磁控溅射 表面形貌 薄膜反射率

在线阅读 下载PDF 职称材料

Ge_2Sb_2Te_5不同晶相对相变存储单元RESET电流影响 被引量：2

9

作者 王玉婵 康杰虎 王玉菡 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第1期61-63,共3页

相变存储器(Phase Change Memory,PCM)的RESET电流是决定其功耗的最重要参数。基于相变材料Ge_2Sb_2Te_5(GST)的PCM单元,不同的SET条件下晶粒表现出两种不同的晶态结构,分别为立方晶相和六方晶相。针对这两种不同晶态结构的晶粒,应用数... 相变存储器(Phase Change Memory,PCM)的RESET电流是决定其功耗的最重要参数。基于相变材料Ge_2Sb_2Te_5(GST)的PCM单元,不同的SET条件下晶粒表现出两种不同的晶态结构,分别为立方晶相和六方晶相。针对这两种不同晶态结构的晶粒,应用数值模拟计算,对PCM单元的RESET电流进行研究,并将模拟结果与实际测试结果对比验证。结果表明:基于立方晶粒GST的PCM单元需要的RESET电流更小。 展开更多

关键词 相变存储器 Ge2Sb2Te5 RESET 数值计算 立方晶相 六方晶相

在线阅读 下载PDF 职称材料

溅射参数对Ge_2Sb_2Te_5薄膜光学常数的影响 被引量：1

10

作者 谢泉 侯立松 +2 位作者 阮昊 干福熹 李晶 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期187-192,共6页

研究了溅射参数对 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的光学常数随波长变化关系的影响 ,结果表明 :(1)当溅射功率一定时 ,随溅射氩气气压的增加 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的折射率先增大后减小 ,而消光系数先减小后增大 .(2 )当溅射氩气气压一定时 ,对于非晶态... 研究了溅射参数对 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的光学常数随波长变化关系的影响 ,结果表明 :(1)当溅射功率一定时 ,随溅射氩气气压的增加 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的折射率先增大后减小 ,而消光系数先减小后增大 .(2 )当溅射氩气气压一定时 ,对于非晶态薄膜样品 ,在 5 0 0 nm波长以下 ,折射率随溅射功率的增加先增加后减小 ,消光系数则逐渐减小 ;在 5 0 0 nm以上 ,折射率随溅射功率的增加逐渐减少 ,消光系数先减小后增加 .对于晶态薄膜样品 ,在整个波长范围折射率随溅射功率的增加先减小后增加 ,消光系数则逐渐减少 .(3)薄膜样品的光学常数都随波长的变化而变化 ,在长波长范围变化较大 ,短波长范围变化较小 .探讨了影响 Ge2 Sb2 Te5 展开更多

关键词 光学常数 GE2SB2TE5薄膜 溅射参数 三元化合物半导体

在线阅读 下载PDF 职称材料

N-Ge_2Sb_2Te_5薄膜的相变特性研究 被引量：2

11

作者 刘巧丽 刘军伟 +2 位作者 李春波 李廷取 路大勇 《吉林化工学院学报》 CAS 2016年第3期80-82,共3页

采用射频磁控溅射法在室温下沉积了N-GST相变薄膜,利用原位XRD研究了其相变过程.结果表明：室温下沉积薄膜均为非晶态,且在室温～375℃温度范围内,纯GST薄膜发生了非晶态→立方晶态→六方晶态相转变;然而,当N2流量为12.8 sccm时,N掺杂GS... 采用射频磁控溅射法在室温下沉积了N-GST相变薄膜,利用原位XRD研究了其相变过程.结果表明：室温下沉积薄膜均为非晶态,且在室温～375℃温度范围内,纯GST薄膜发生了非晶态→立方晶态→六方晶态相转变;然而,当N2流量为12.8 sccm时,N掺杂GST薄膜则发生了非晶态→六方晶态直接相转变.此外,通过原位XRD确定结晶温度,表明N引入能够显著提高GST薄膜的结晶温度,这有利于提高相变薄膜的非晶热稳定性. 展开更多

关键词 相变特性 Ge2Sb2Te5 N掺杂 原位XRD 结晶温度

在线阅读 下载PDF 职称材料

激光致晶态Ge_2Sb_2Te_5相变介质的光学常数 被引量：1

12

作者 刘波 阮昊 干福熹 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期479-483,共5页

利用椭偏仪和光谱仪研究了结晶程度对 Ge2 Sb2 Te5相变薄膜光学常数的影响 .当初始化仪转速固定时 ,随激光功率的增加 ,折射率基本随之减小 ,消光系数逐渐增大 ,透过率逐渐减小 ;当激光功率固定时 ,随转速的增大 ,折射率也随之增大 ,消... 利用椭偏仪和光谱仪研究了结晶程度对 Ge2 Sb2 Te5相变薄膜光学常数的影响 .当初始化仪转速固定时 ,随激光功率的增加 ,折射率基本随之减小 ,消光系数逐渐增大 ,透过率逐渐减小 ;当激光功率固定时 ,随转速的增大 ,折射率也随之增大 ,消光系数随之减小 ,透过率逐渐增加 .非晶态与晶态间的变换、薄膜微结构的变化 (包括原子间键合状态的变化 )以及薄膜内残余应力是影响 Ge2 Sb2 Te5相变薄膜复数折射率的主要原因 .测量了 CD- RW(可擦重写光盘 )中 Ge2 Sb2 展开更多

关键词 Ge2Sb2Te5 光学常数 相变薄膜 折射率 消光系数 光存储介质

在线阅读 下载PDF 职称材料

Sn掺杂Ge-Sb-Te相变薄膜的晶化特性 被引量：1

13

作者 顾四朋 侯立松 赵启涛 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期181-186,共6页

用磁控溅射法制备了掺杂Sn的Ge_2Sb_2Te_5相变材料薄膜,研究了Sn含量对结晶性能的影响.薄膜的X射线衍射(XRD)表明,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变,并出现Sn-Te相.通过示差扫描量热(DSC)实验测出在不同加热速率下非晶态薄膜粉... 用磁控溅射法制备了掺杂Sn的Ge_2Sb_2Te_5相变材料薄膜,研究了Sn含量对结晶性能的影响.薄膜的X射线衍射(XRD)表明,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变,并出现Sn-Te相.通过示差扫描量热(DSC)实验测出在不同加热速率下非晶态薄膜粉末的结晶峰温度,计算了材料的结晶活化能.根据结晶动力学分析和结晶活化能数据,掺杂Sn后的Ge-Sb-Te具有更高的结晶速率,用于光存储时将具有更高的擦除速度. 展开更多

关键词 无机非金属材料 Ge2Sb2Te5 Sn掺杂 热致相变 结晶活化能

在线阅读 下载PDF 职称材料

钛掺杂对Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变特性的改善（英文）

14

作者 张颖 魏慎金 +5 位作者 易歆雨 程帅 陈坤 朱焕锋 李晶 吕磊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期658-662,共5页

利用椭偏光谱术与XRD对钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜中钛元素对体系的光学性质及其微结构的影响进行了实验研究.进而对该薄膜进行变温阻抗实验表明,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜与未掺杂的薄膜相比具有更好的热稳定性.基于对薄膜样品的数据保持能... 利用椭偏光谱术与XRD对钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜中钛元素对体系的光学性质及其微结构的影响进行了实验研究.进而对该薄膜进行变温阻抗实验表明,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜与未掺杂的薄膜相比具有更好的热稳定性.基于对薄膜样品的数据保持能力测试的实验数据,经阿伦纽斯外推处理可知,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜样品的10年数据保持温度要高于未掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜样品.本文的实验结果均证实,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜更适合应用于相变随机存取存储器中. 展开更多

关键词 钛掺杂Ge2Sb2Te5薄膜 相变特性 热稳定性 数据保持能力

在线阅读 下载PDF 职称材料

Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变行为及其对光存储特性影响

15

作者 张庆瑜 都健 +1 位作者 潘石 吴世法 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期781-785,共5页

采用射频磁控溅射方法,在石英玻璃基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.X射线衍射分析表明:室温沉积的薄膜为非晶态;170℃真空退火后,薄膜转变为晶粒尺度约为17nm的面心立方结构;250℃退火导致晶粒尺度约为40nm的密排六方相出现.研究了室温至... 采用射频磁控溅射方法,在石英玻璃基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.X射线衍射分析表明:室温沉积的薄膜为非晶态;170℃真空退火后,薄膜转变为晶粒尺度约为17nm的面心立方结构;250℃退火导致晶粒尺度约为40nm的密排六方相出现.研究了室温至450℃下薄膜相变的热力学性能.差热分析显示:薄膜的非晶相向fcc相转变的相变活化能为(2.03±0.15)eV;fcc相向hex相转变的相变活化能为(1.58±0.24)eV.薄膜反射率测量表明:面心相与非晶相的反射率对比度随着波长从400nm增加到1000nm在15%～30%变化,六方相与非晶相的反射率对比度在30%～40%.不同脉冲宽度的激光对非晶态薄膜的烧蚀结果显示:激光的能量密度对薄膜的记录效果有显著影响,在5mW、50ns的脉冲激光作用下,Ge2Sb2Te5薄膜具有最好的光存储效果. 展开更多

关键词 GE2SB2TE5薄膜 射频磁控溅射 相变 光学特性 激光辐照

在线阅读 下载PDF 职称材料

聚焦脉冲激光作用下Ge_2Sb_2Te_5薄膜晶化过程及机理

16

作者 魏劲松 阮昊 干福熹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1245-1252,共8页

采用聚焦脉冲激光研究了Ge2Sb2Te5薄膜在沉积和激光淬火两种非晶态下反射率与激光脉冲宽度变化的关系,发现沉积态的Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而减小,经过激光淬火的非晶态Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段... 采用聚焦脉冲激光研究了Ge2Sb2Te5薄膜在沉积和激光淬火两种非晶态下反射率与激光脉冲宽度变化的关系,发现沉积态的Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而减小,经过激光淬火的非晶态Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而变化平缓.本文借用气-液体系中过饱和度分析液滴形成的原理,从统计物理学角度详细研究了两种非晶态Ge2Sb2Te5薄膜在脉冲激光作用下的晶化过程及机理,结果表明,当Ge2Sb2Te5的非晶态程度处于未饱和或饱和状态时不形成晶核;当Ge2Sb2Te5的非晶态程度处于过饱和状态时,此时的Ge2Sb2Te5为亚稳态,可能形成大小不等的晶核,但只有半径大于临界晶核尺寸时才可能长大成晶粒.而应力降低晶化能垒,增加非晶态Ge2Sb2Te5的过饱和度是导致沉积态与激光淬火态的Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内反射率随激光脉冲宽度变化规律不一致的根本原因,并据此解释了Ge2Sb2Te5薄膜在这两种状态下的反射率随激光脉冲宽度的变化特点及规律. 展开更多

关键词 聚焦脉冲激光 晶化过程 GE2SB2TE5薄膜 过饱和度 晶化机理 相变光储存

在线阅读 下载PDF 职称材料

Ge_2Sb_2Te_5相变存储单元瞬态结晶过程研究

17

作者 王玉菡 康杰虎 +1 位作者 王玉婵 徐霞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期253-256,共4页

研究了基于Ge2Sb2Te5的相变存储器单元的瞬态结晶过程,并通过高频示波器捕捉了瞬态结晶过程的电压波形,发现了在结晶过程中瞬态波形存在振荡现象,且振荡频率随时间和脉高变化具有一定规律。结晶完成后振荡现象消失,单元电阻转变为稳定... 研究了基于Ge2Sb2Te5的相变存储器单元的瞬态结晶过程,并通过高频示波器捕捉了瞬态结晶过程的电压波形,发现了在结晶过程中瞬态波形存在振荡现象,且振荡频率随时间和脉高变化具有一定规律。结晶完成后振荡现象消失,单元电阻转变为稳定的低阻,通过相变存储器的场致导电通道结晶模型很好地解释了该瞬态结晶现象。 展开更多

关键词 Ge2Sb2Te5 相变存储器 结晶 振荡

在线阅读 下载PDF 职称材料

Ge_2Sb_2Te_5薄膜光学性能和短波长静态记录特性的研究

18

作者 方铭 李青会 干福熹 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期978-981,共4页

利用直流磁控溅射制备了单层Ge2 Sb2 Te5薄膜 ,研究了薄膜在 4 0 0～ 80 0nm区域的反射、透过光谱 ,计算了它的吸收系数 ,发现薄膜在 4 0 0～ 80 0nm波长范围内具有较强的吸收 随着薄膜厚度的增加 ,相应的禁带宽度Eg 也随之增加 对Ge2... 利用直流磁控溅射制备了单层Ge2 Sb2 Te5薄膜 ,研究了薄膜在 4 0 0～ 80 0nm区域的反射、透过光谱 ,计算了它的吸收系数 ,发现薄膜在 4 0 0～ 80 0nm波长范围内具有较强的吸收 随着薄膜厚度的增加 ,相应的禁带宽度Eg 也随之增加 对Ge2 Sb2 Te5薄膜光存储记录特性的研究发现 ,在5 14 .5nm波长激光辐照样品时 ,薄膜具有良好的写入对比度 ,擦除前后的反射率对比度在 6 %～18%范围内 展开更多

关键词 GE2SB2TE5薄膜 光存储 反射率对比度 光学性能

在线阅读 下载PDF 职称材料

Ge2Sb2Te5相变薄膜的结构及结晶温度研究

19

作者 刘巧丽 刘军伟 +2 位作者 孟繁强 王璐 李廷取 《吉林化工学院学报》 CAS 2016年第9期41-44,共4页

利用射频磁控溅射法在室温下沉积了GST相变薄膜,利用XRD、AFM对其结构进行表征,原位XRD及DSC测试确定其结晶温度.（原位）XRD测试表明,室温下沉积的GST薄膜为非晶态,且在室温-375℃温度范围内,样品经历了非晶态→立方晶态→六方晶态相转... 利用射频磁控溅射法在室温下沉积了GST相变薄膜,利用XRD、AFM对其结构进行表征,原位XRD及DSC测试确定其结晶温度.（原位）XRD测试表明,室温下沉积的GST薄膜为非晶态,且在室温-375℃温度范围内,样品经历了非晶态→立方晶态→六方晶态相转变;通过原位XRD和DSC测试确定的GST薄膜的结晶温度一致,为-150℃. 展开更多

关键词 相变材料 Ge2Sb2Te5 结构 DSC 结晶温度

在线阅读 下载PDF 职称材料

自主新型SiSbTe相变材料与全功能PCRAM实验芯片

20

作者 宋志棠 《中国材料进展》 CAS CSCD 2012年第8期39-39,共1页

中科院上海微系统与信息技术研究所经过多年努力，发现了自主SiSbTe体系相变材料，验证了SiSbTe具有低于传统Ge2Sb2Te5的功耗、更高的数据保持力和更快的相变速度。

关键词 相变材料 全功能 Ge2Sb2Te5 芯片 实验 信息技术 研究所 微系统

在线阅读 下载PDF 职称材料