在具有蓝宝石衬底的AlN模板上外延生长了近紫外In 0.01 Ga 0.99 N/Al 0.15 Ga 0.85 N多量子阱结构,对其荧光(PL)特性进行了测量。结果显示,该结构的PL峰位能量和线宽的温度行为分别呈“S”形(降低-增加-降低)和“W”形(变窄-变宽-变窄-...在具有蓝宝石衬底的AlN模板上外延生长了近紫外In 0.01 Ga 0.99 N/Al 0.15 Ga 0.85 N多量子阱结构,对其荧光(PL)特性进行了测量。结果显示,该结构的PL峰位能量和线宽的温度行为分别呈“S”形(降低-增加-降低)和“W”形(变窄-变宽-变窄-变宽),而其激发功率行为则分别呈“N”形(增加-降低-增加)和“V”形(变窄-变宽)。这些行为表明了该量子阱结构中载流子复合发光的局域特征和量子限制斯塔克效应的库伦屏蔽效应。前者被归因于阱厚起伏所导致的阱层内的势起伏,而后者则被归因于阱/垒晶格失配所诱发的极化电场。此外,该结构的积分PL强度的温度行为也证实了其阱层内局域深度的非均一性。展开更多
研究了热退火对InGaN/GaN多量子阱LED的Ni/Au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象。Ni/Au p GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的N2中的热退火后会使...研究了热退火对InGaN/GaN多量子阱LED的Ni/Au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象。Ni/Au p GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的N2中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复。同时对Ni/Au p GaN接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论。展开更多
文摘在具有蓝宝石衬底的AlN模板上外延生长了近紫外In 0.01 Ga 0.99 N/Al 0.15 Ga 0.85 N多量子阱结构,对其荧光(PL)特性进行了测量。结果显示,该结构的PL峰位能量和线宽的温度行为分别呈“S”形(降低-增加-降低)和“W”形(变窄-变宽-变窄-变宽),而其激发功率行为则分别呈“N”形(增加-降低-增加)和“V”形(变窄-变宽)。这些行为表明了该量子阱结构中载流子复合发光的局域特征和量子限制斯塔克效应的库伦屏蔽效应。前者被归因于阱厚起伏所导致的阱层内的势起伏,而后者则被归因于阱/垒晶格失配所诱发的极化电场。此外,该结构的积分PL强度的温度行为也证实了其阱层内局域深度的非均一性。
文摘研究了热退火对InGaN/GaN多量子阱LED的Ni/Au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象。Ni/Au p GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的N2中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复。同时对Ni/Au p GaN接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论。
