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Effect of alkali metal oxides R_2O (R=Na,K) on 1.53 μm luminescence of Er^(3+)-doped Ga_2O_3-GeO_2 glasses for optical amplification 被引量:3
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作者 赵营刚 石冬梅 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第9期857-863,共7页
This paper reported the thermal stability and spectroscopic properties of Ga2O3-GeO2-Na2O-K2O (GGNK) glasses doped with Er3+. The GGNK glasses were characterized by differential scanning calorimetry (DSC), Raman ... This paper reported the thermal stability and spectroscopic properties of Ga2O3-GeO2-Na2O-K2O (GGNK) glasses doped with Er3+. The GGNK glasses were characterized by differential scanning calorimetry (DSC), Raman spectra, absorption and infra- red-visible fluorescence spectra. Measured DSC result showed that these glasses possessed an excellent stability (AT=188.6 ℃). The relationship between glass composition and Judd-Ofelt intensity parameters and other optical properties of Er3+, such as the absorption and stimulated emission cross-sections, were clarified. Meanwhile an intense broadband 1.53μm emission with a full width at half- maximum of 51 nm and peak emission cross-section of 9.32×10^-21 cm2 of Er3+-doped GGNK glass was obtained upon 980 nm di- ode-laser excitation. Effects of K2O replacing Na2O on the thermal stability and spectroscopic properties were investigated. It was found that the incorporation of K2O into Er3+-doped Ga2O3-GeO2-Na2O glass could effectively improve the 1.53 μm emission luminescence. The results showed that GGNK glass might be more attractive host material for their application in C-band optical fiber amplifiers. 展开更多
关键词 alkali metal ion Er3 ions spectroscopic properties ga2o3-geo2 glass thermal stability rare earths
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Spectroscopic properties and energy transfer of Nd^(3+)/Ho^(3+)-doped Ga_2O_3-GeO_2 glass by codoping Yb^(3+) ion 被引量:7
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作者 石冬梅 赵营刚 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第4期368-373,共6页
This study presented the luminescence properties of Nd^3+/Yb^3+/Ho^3+ dopant ions inside a host based on Ga_2O_3-GeO_2-Li_2O(GGL) glass. The measured differential scanning calorimetry result showed that GGL glass... This study presented the luminescence properties of Nd^3+/Yb^3+/Ho^3+ dopant ions inside a host based on Ga_2O_3-GeO_2-Li_2O(GGL) glass. The measured differential scanning calorimetry result showed that GGL glass exhibited excellent stability against devitrification with ?T=135 oC. Obvious 543 and 657 nm emissions were observed in Nd^3+/Ho^3+-codoped sample. The incorporation of Yb^3+ into Nd^3+/Ho^3+-codoped glass system had resulted in enhanced upconversion emission intensity under the excitation of 808 nm and/or 980 nm laser diode(LD). The possible mechanisms and related discussions on this phenomenon were presented. It was noted that the presence of Yb^3+ yielded an enhancement about 7 and 11 times in the 543 and 657 nm emission intensities respectively under 808 nm excitation due to the energy transfer from Nd^3+ to Ho^3+ via Yb^3+ ion. Here Yb^3+ played a major role as a bridging ion. While enhanced 543 and 657 nm emission intensities under the excitation of 980 nm LD originated from the sensitization effect of Yb^3+. Our results showed that Nd^3+/Ho^3+/Yb^3+ triply doped GGL glass might be a promising candidate for the development of visible-laser materials. 展开更多
关键词 upconversion luminescence Nd^3+/Yb^3+/Ho^3 ga2o3-geo2 glass energy transfer rare earths
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Tm3+/Ho3+/Yb3+掺杂Ga2O3-GeO2-Li2O玻璃的上转换发光性能研究 被引量:3
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作者 石冬梅 赵营刚 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期6-10,共5页
采用熔融淬冷法制备了Tm^3+/Ho^3+/Yb^3+掺杂的Ga2O3-GeO2-Li2O玻璃。测试了样品的拉曼光谱、吸收光谱、980 nm和808 nm泵浦下的上转换发射光谱。详细调查了在980 nm和808 nm激发下不同的Yb2O3掺杂含量对Tm^3+/Ho^3+掺杂的镓锗锂... 采用熔融淬冷法制备了Tm^3+/Ho^3+/Yb^3+掺杂的Ga2O3-GeO2-Li2O玻璃。测试了样品的拉曼光谱、吸收光谱、980 nm和808 nm泵浦下的上转换发射光谱。详细调查了在980 nm和808 nm激发下不同的Yb2O3掺杂含量对Tm^3+/Ho^3+掺杂的镓锗锂玻璃的上转换发射光谱的影响,分析了稀土离子间的能量传递。研究发现:980 nm泵浦下样品观察到明显的545 nm和657 nm发射和微弱的476 nm发射峰。随着Yb^3+浓度的增大,由于Yb^3+对Tm^3+和Ho^3+的有效的能量传递增强了红光和绿光发射强度,红光的增长率是快于绿光的,Yb2O3的掺杂量为0.7 mol%时I657/I545强度比率达到最高。808 nm激发下可以观察到弱的476 nm的蓝光和545 nm的绿光及强烈693 nm发射。 展开更多
关键词 ga2o3-geo2-Li2o玻璃 光谱特性 Tm^3+/Ho^3+/Yb^3+ 能量传递
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Microstructural Probing of (1-x) GeS_(2-x)Ga_2S_3 System Glasses By Raman Scattering 被引量:4
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作者 陶海征 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2005年第3期8-10,共3页
Roman scattering measurement of ( 1 - x ) GeS2-x Ga2S3 system glasses was conducted in order to understand the microstructural change caused by the addition of Ga2S3 . According to the change of Raman spectra with t... Roman scattering measurement of ( 1 - x ) GeS2-x Ga2S3 system glasses was conducted in order to understand the microstructural change caused by the addition of Ga2S3 . According to the change of Raman spectra with the addition of Ga2S3, two main structural transformations were deduced : the gradual enhancement of ethane- like structural units S3 Ge- GeS3 ( 250 cm ^- 1) and S3 Ga- GaS3 (270 cm ^- 1 ) and the appearance of charge imbalanced units [ Ga2 S2 ( S1/2 )4 ]^2- and [Ga( S1/2 )4 ]^- . And this change of structural aspect seems to give as a clue to understanding the cause of the increased rare-earth solubility. 展开更多
关键词 1 - x GeS2-x ga2S3 system glasses Raman microstructure
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Effect of Fe_2O_3 on non-isothermal crystallization of CaO-MgO-Al_2O_3-SiO_2 glass 被引量:6
5
作者 郁青春 燕春培 +3 位作者 邓勇 冯月斌 刘大春 杨斌 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第7期2279-2284,共6页
The crystallization behavior and kinetics of CaO-MgO-Al2O3 SiO2(CMAS) glass with the Fe2O3 content ranging from zero to 5%were investigated by differential scanning calorimetry(DSC).The structure and phase analyse... The crystallization behavior and kinetics of CaO-MgO-Al2O3 SiO2(CMAS) glass with the Fe2O3 content ranging from zero to 5%were investigated by differential scanning calorimetry(DSC).The structure and phase analyses were made by Fourier transform infrared spectroscopy(FT-IR) and X-ray diffraction(XRD).The experiment results show that the endothermic peak temperature about 760℃ is associated with transition and the exothermic peak temperature about 1000℃ is associated with crystallization.The crystallization peak temperature decreases with increasing the Fe203 content.The crystallization mechanism is changed from two-dimensional crystallization to one-dimensional growth,and the intensity of diopside peaks becomes stronger gradually.There is a saltation for the crystallization temperature with the addition of 0.5%Fe2O3 due to the decomposition of Fe2O3.Si-O-Si,O-Si-O and T-O-T(T=Si,Fe,Al) linkages are observed in Fe2O3-CaO-MgO-Al2O3-SiO2 glass. 展开更多
关键词 Cao-Mgo-Al2o3-Sio2 glass FE2o3 DIoPSIDE CRYSTALLIZATIoN kinetics
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Ga_2O_3催化剂上CO_2气氛中丙烷脱氢反应的研究 被引量:9
6
作者 郑波 华伟明 +1 位作者 乐英红 高滋 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1726-1731,共6页
考察了Ga2O3对于丙烷脱氢和CO2气氛脱氢反应的催化性能.结果表明,Ga2O3具有较高的催化活性,其性能优于传统的Cr2O3脱氢催化剂.催化反应可能经过了一个丙烷异裂的过程,其中CO2是通过逆水煤气反应和Boudouard反应来促进催化剂性能的,在高... 考察了Ga2O3对于丙烷脱氢和CO2气氛脱氢反应的催化性能.结果表明,Ga2O3具有较高的催化活性,其性能优于传统的Cr2O3脱氢催化剂.催化反应可能经过了一个丙烷异裂的过程,其中CO2是通过逆水煤气反应和Boudouard反应来促进催化剂性能的,在高于823K时该促进作用更为明显.催化剂的催化活性和其表面酸密度密切相关,在Ga2O3结构中,四配位Ga3+是其酸位的来源,并通过质子与氧化物的共同作用促进反应进行.催化剂的失活是由于表面的积碳和活性氧的消耗共同造成的.同时还对Ga2O3作为丙烷脱氢反应的催化剂的催化反应机理进行了初步探讨. 展开更多
关键词 ga2o3 丙烷 脱氢 Co2 反应机理
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氨化Si基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜 被引量:5
7
作者 魏芹芹 薛成山 +2 位作者 孙振翠 曹文田 庄惠照 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期312-315,共4页
研究了 Ga_2O_3/Al_2O_3 膜反应自组装制备 GaN 薄膜。首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备 Ga_2O_3/Al2O3膜,再将Ga_2O_3/Al_2O_3 膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到了 GaN 薄膜。用 X 射线衍射(XRD),X 光光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)... 研究了 Ga_2O_3/Al_2O_3 膜反应自组装制备 GaN 薄膜。首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备 Ga_2O_3/Al2O3膜,再将Ga_2O_3/Al_2O_3 膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到了 GaN 薄膜。用 X 射线衍射(XRD),X 光光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和 荧光光谱(PL)对样品进行结构、组分、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的 GaN 晶体膜。 展开更多
关键词 gaN ga2o3/Al2o3 氮化 磁控溅射
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Mn掺杂Ga_2O_3薄膜的结构及光吸收性能研究 被引量:9
8
作者 胡帆 晁明举 +1 位作者 梁二军 姜雅丽 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第16期16-18,21,共4页
采用磁控溅射法在Si(111)和玻璃衬底上制备出不同Mn掺杂含量的Ga2O3薄膜,使用扫描电子显微镜、电子能谱仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等对Mn掺杂Ga2O3薄膜的表面形貌、结晶特性和光吸收性能进行了研究。结果表明,适量掺杂Mn可... 采用磁控溅射法在Si(111)和玻璃衬底上制备出不同Mn掺杂含量的Ga2O3薄膜,使用扫描电子显微镜、电子能谱仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等对Mn掺杂Ga2O3薄膜的表面形貌、结晶特性和光吸收性能进行了研究。结果表明,适量掺杂Mn可抑制薄膜的晶格膨胀,促进Ga2O3薄膜晶粒的定向生长,得到尺寸分布较均匀的多面体晶粒。Mn掺杂使Ga2O3价带顶向带隙延伸,光学带隙变窄,吸收边红移,近紫外区吸收增强。 展开更多
关键词 ga2o3薄膜 MN掺杂 磁控溅射 微观结构 光吸收性能
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In:Ga_2O_3氧化物半导体晶体的生长与性能研究 被引量:5
9
作者 唐慧丽 吴庆辉 +2 位作者 罗平 王庆国 徐军 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期621-624,共4页
β-Ga_2O_3晶体是一种新型宽禁带氧化物半导体材料,本征导电性差。为了在调控导电性能的同时兼顾高的透过率和结晶性能,离子掺杂是一种有效的途径。采用光学浮区法生长出f8 mm×50 mm蓝色透明In:Ga_2O_3晶体,晶体具有较高的结晶完... β-Ga_2O_3晶体是一种新型宽禁带氧化物半导体材料,本征导电性差。为了在调控导电性能的同时兼顾高的透过率和结晶性能,离子掺杂是一种有效的途径。采用光学浮区法生长出f8 mm×50 mm蓝色透明In:Ga_2O_3晶体,晶体具有较高的结晶完整性。In^(3+)离子掺杂后,β-Ga_2O_3晶体在红外波段出现明显的自由载流子吸收,热导率稍有减小。室温下,In:Ga_2O_3晶体的电导率和载流子浓度分别为4.94×10^(-4)S/cm和1.005×1016 cm^(-3),其值高于β-Ga_2O_3晶体约1个数量级。In:Ga_2O_3晶体电学性能对热处理敏感,1200℃空气气氛和氩气气氛退火后电导率降低。结果表明,In^(3+)离子掺杂能够调控β-Ga_2O_3晶体的导电性能。 展开更多
关键词 In:ga2o3晶体 浮区法 电导率
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Ga_2O_3对CsF-RbF-AlF_3钎剂/Zn-Al钎料在铝和钢表面润湿铺展性能的影响 被引量:3
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作者 张俊雄 薛松柏 +2 位作者 薛鹏 杨金龙 吕兆萍 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期1900-1904,共5页
研究了添加微量Ga_2O_3的CsF-RbF-AlF_3钎剂和Zn-Al钎料在6063铝合金和Q235低碳钢上的润湿、铺展性能的反应规律。结果表明,添加极微量的Ga_2O_3即能够显著促进Zn-Al钎料在6063铝合金和Q235低碳钢上的润湿、铺展,其最佳添加量应控制在0.... 研究了添加微量Ga_2O_3的CsF-RbF-AlF_3钎剂和Zn-Al钎料在6063铝合金和Q235低碳钢上的润湿、铺展性能的反应规律。结果表明,添加极微量的Ga_2O_3即能够显著促进Zn-Al钎料在6063铝合金和Q235低碳钢上的润湿、铺展,其最佳添加量应控制在0.001%~0.003%(质量分数)。对钎剂残渣的XRD分析结果和化学反应热力学计算表明,微量Ga_2O_3的添加,一方面能够促进CsF-RbF-AlF_3钎剂溶解、反应去除6063铝合金和Q235低碳钢表面的氧化膜;另一方面,在钎焊过程中,由于Ga_2O_3被还原成金属Ga,Ga元素具有"集肤效应",富集于钎料和母材的界面,大大降低了钎料与母材间的界面张力,从而促进了钎料在母材上的润湿、铺展。 展开更多
关键词 润湿 铺展 ga2o3 CsF-RbF-AlF3钎剂
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一种新型杂化单晶[Ga_3(PO_4)_3F_2]H_3O·(H_3NCH_2CH_2)_2NH_2的合成与结构表征 被引量:3
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作者 姚有为 赵永男 +3 位作者 乐善堂 徐恒连 梁宏斌 赵大庆 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1450-1452,共3页
A novel three dimensional fluorinated gallium phosphate has been hydrothermally synthesized by using diethylenetriamine as an organic structure directing agent. X ray single crystal structure analysis indicates this c... A novel three dimensional fluorinated gallium phosphate has been hydrothermally synthesized by using diethylenetriamine as an organic structure directing agent. X ray single crystal structure analysis indicates this compound crystallizes in the orthorhombic space group Pbca, a =1.605 6(7) nm, b = 1 011 4 (4) nm, c =1.854 6(5) nm, V =3.011 6(19) nm 3, Z =4. The three dimensional framework based on linkage of corner sharing polyhedron PO 4, GaO 4F and GaO 4F 2 delimit ten ring channels along b axis in which the triply protonated amines are located serving as charge compensating vips and supporters. 展开更多
关键词 磷酸镓 水热合成 二乙烯三胺 [ga3(Po4)3]H3o·(H3NCH2CH2)2NH2 结合表征 杂化单晶 空旷骨架磷酸盐化合物
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氨化硅基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜性质研究 被引量:2
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作者 魏芹芹 薛成山 +2 位作者 孙振翠 庄惠照 王书运 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期746-749,共4页
研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜。首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜。用傅里叶红外谱仪(FTIR),X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对试样进行结构、组分和... 研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜。首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜。用傅里叶红外谱仪(FTIR),X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对试样进行结构、组分和形貌分析。通过分析薄膜各方面的性质,得出了用此方法制备氮化镓薄膜的Al2O3缓冲层最佳的厚度为15nm左右,最佳氨化条件是在900℃下氨化15min。 展开更多
关键词 gaN ga2o3/Al2o3 氨化 磁控溅射
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Ga_2O_3紫外光探测器的研究进展 被引量:5
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作者 何彬 邢杰 +2 位作者 段艳廷 赵登 张瑞萍 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2013年第2期157-163,共7页
介绍了紫外光探测器的发展背景、基本工作原理,并从光导型和光伏型探测器两个方面综述了近10年来Ga2O3基探测器的研究现状。重点介绍了材料制备、掺杂等工艺参数对其紫外光探测性能的影响以及存在的问题,并对以后的研究工作进行了展望。
关键词 紫外光探测器 光导 光伏 ga2o3
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Ga_2O_3氮化法合成GaN粉体的研究 被引量:3
14
作者 殷立雄 王芬 +1 位作者 杨茂举 黄艳 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期41-44,共4页
在管式电炉中,采用Ga2O3与NH3高温常压下反应生成了GaN粉体。通过XRD和AFM对生成物进行了分析,并研究了各种工艺参数如反应温度、保温时间、NH3的流量及反应气氛等因素对生成GaN粉体的影响。结果表明用高纯Ga2O3与NH3在温度为1100℃,NH... 在管式电炉中,采用Ga2O3与NH3高温常压下反应生成了GaN粉体。通过XRD和AFM对生成物进行了分析,并研究了各种工艺参数如反应温度、保温时间、NH3的流量及反应气氛等因素对生成GaN粉体的影响。结果表明用高纯Ga2O3与NH3在温度为1100℃,NH3流量为26L/h时能够合成高纯度的六方GaN粉体。 展开更多
关键词 gaN粉体 ga2o3 氨气 管式炉
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Si基氨化ZnO/Ga_2O_3薄膜制备GaN纳米线 被引量:3
15
作者 高海永 庄惠照 +5 位作者 薛成山 王书运 何建廷 董志华 吴玉新 田德恒 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期931-935,共5页
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3 薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3 薄膜进行氨化,高温下ZnO层在氨气气氛中挥发,而Ga2O3 薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线.X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN... 利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3 薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3 薄膜进行氨化,高温下ZnO层在氨气气氛中挥发,而Ga2O3 薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线.X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN纳米线具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、傅里叶红外透射谱、能量弥散谱及选区电子衍射观测并分析了样品的形貌、成分和晶格结构.研究发现ZnO层的挥发有利于Ga2O3 和NH3 反应合成GaN纳米线. 展开更多
关键词 gaN纳米线 Zno/ga2o3薄膜 射频磁控溅射 氨化
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GaOOH和Ga_2O_3的制备及光学性能研究 被引量:2
16
作者 梁建 王晓斌 +3 位作者 张艳 董海亮 刘海瑞 许并社 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期804-809,814,共7页
采用水热法制备了不同形貌和尺寸的GaOOH前驱体。通过XRD、SEM和TEM进行表征,并探讨分析了GaOOH的生长机理。结果表明,前驱液的pH值对GaOOH的形貌有明显的调控作用并对其结晶度有一定影响。然后将制备的GaOOH前驱体分别在温度为600℃和... 采用水热法制备了不同形貌和尺寸的GaOOH前驱体。通过XRD、SEM和TEM进行表征,并探讨分析了GaOOH的生长机理。结果表明,前驱液的pH值对GaOOH的形貌有明显的调控作用并对其结晶度有一定影响。然后将制备的GaOOH前驱体分别在温度为600℃和900℃的空气中煅烧转化成了α-Ga2O3和β-Ga2O3。煅烧后的产物具有良好的形貌继承性。荧光光谱测试(λex=250 nm)结果显示,pH值为5时制备的GaOOH和Ga2O3的发射峰位于415 nm和465 nm,而在pH值为3和8时的发射峰均位于370 nm和465 nm。 展开更多
关键词 gaooH ga2o3 水热法 光致发光
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GA_3、H_2O_2处理对三种蔬菜劣变种子活力的影响 被引量:6
17
作者 于泉林 武宝悦 《种子》 CSCD 北大核心 2003年第5期72-74,共3页
用 GA3、H2 O2 不同浓度、不同时间浸泡处理花椰菜、大葱、水萝卜劣变种子。结果表明 :GA3对 3种种子有明显的促进作用 ,以低于 5 0 mg/ kg的浓度效果最佳 ,高于 5 0 mg/ kg会抑制种子萌发 ;H2 O2 处理只对水萝卜有效 ,浸泡 7min,发芽... 用 GA3、H2 O2 不同浓度、不同时间浸泡处理花椰菜、大葱、水萝卜劣变种子。结果表明 :GA3对 3种种子有明显的促进作用 ,以低于 5 0 mg/ kg的浓度效果最佳 ,高于 5 0 mg/ kg会抑制种子萌发 ;H2 O2 处理只对水萝卜有效 ,浸泡 7min,发芽势、发芽率均提高 17% ,活力指数也有所提高。测定浸出液电导率、紫外吸收表明 ,各有效处理的相对电导率比对照低 1%~19% ,紫外吸收比对照处理低 0 .0 3~ 1.8,表明化学药剂处理种子均导致无机离子和核酸、蛋白质等有机物的渗出减少 ,其机理可能为化学药剂处理种子对细胞膜系统具有一定的保护和修复作用。 展开更多
关键词 ga3 H2o2 蔬菜 劣变种子 活力 化学药剂 细胞膜系统
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扩镓Si基溅射Ga_2O_3氮化反应生长GaN薄膜 被引量:3
18
作者 王书运 孙振翠 +1 位作者 曹文田 薛成山 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期65-68,共4页
采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3 氮化反应生长GaN薄膜。用X射线衍射 (XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射 (SAED)、光电能谱 (XPS)和荧光光谱 (PL)对样品进行结构、形貌、组分和发光特性的分析。XRD、SAED和XPS分析证明 ,采用... 采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3 氮化反应生长GaN薄膜。用X射线衍射 (XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射 (SAED)、光电能谱 (XPS)和荧光光谱 (PL)对样品进行结构、形貌、组分和发光特性的分析。XRD、SAED和XPS分析证明 ,采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜。SEM显示薄膜由均匀、结合紧密的纳米微晶粒组成 ,其直径约为50~100nm。PL发光谱显示位于344nm处 ,相对于365nm明显蓝移的带边峰 。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 氧化镓薄膜 氮化镓薄膜 扩镓硅基 结构 形貌 组分分析 发光特性 自由载流子 半导体材料
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氨化温度对氨化Ga_2O_3/Al膜制备GaN纳米结构材料的影响 被引量:2
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作者 庄惠照 胡丽君 +1 位作者 薛成山 薛守斌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期331-333,共3页
采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上获得了GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对生成GaN纳米结构材料的影响。对样品进行了傅立叶红外吸收(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(S... 采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上获得了GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对生成GaN纳米结构材料的影响。对样品进行了傅立叶红外吸收(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨电镜(HR-TEM)测试,分析了不同温度对GaN样品的结构、组分和形貌等特性的影响。结果表明,用该方法在950℃的氨化温度下得到了大量的六方GaN纳米棒。 展开更多
关键词 ga2o3/Al膜 gaN纳米棒 氨化 磁控溅射
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氨化Si基Ga_2O_3/In_2O_3制备GaN薄膜 被引量:1
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作者 薛成山 王福学 +5 位作者 庄惠照 张晓凯 艾玉杰 孙丽丽 陈金华 秦丽霞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1632-1634,共3页
研究了Ga2O3/In2O3膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对样品进行结构、形貌的分析。测试结果表明,用此方法得到了... 研究了Ga2O3/In2O3膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对样品进行结构、形貌的分析。测试结果表明,用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好。 展开更多
关键词 gaN ga2o3/In2o3 氨化 磁控溅射
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