NiFe/Co/Cu/Co结构自旋阀GMR效应及Co夹层的影响研究 被引量：4

1

作者 邱进军 卢志红 +6 位作者 梁建 郑远开 彭子龙 吴丹丹 林更琪 沈德芳 李佐宜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期258-260,共3页

用射频磁控溅射发射法成功制备ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ自旋阀多层膜材料，改变Ｃｕ层的厚度，研究材料的ＧＭＲ效应与Ｃｕ层厚度的关系，结果表明Ｃｕ为２．５ｎｍ时样品的ＭＲ值最大，其磁电阻效应ＭＲ可达１．６％。在ＮｉＦｅ和Ｃｕ之... 用射频磁控溅射发射法成功制备ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ自旋阀多层膜材料，改变Ｃｕ层的厚度，研究材料的ＧＭＲ效应与Ｃｕ层厚度的关系，结果表明Ｃｕ为２．５ｎｍ时样品的ＭＲ值最大，其磁电阻效应ＭＲ可达１．６％。在ＮｉＦｅ和Ｃｕ之间插入一Ｃｏ薄夹层，通过对不同厚度Ｃｏ夹层的样品的ＭＲ曲线及磁滞回线的研究，讨论了Ｃｏ夹层对样品磁电阻的影响并分析了原因。结果表明插入适当的Ｃｏ层将提高材料的磁电阻效应，可达２．５％。 展开更多

关键词 巨磁电阻效应 矫顽力 自旋阀 钴夹层

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基于自旋阀GMR传感器的金属磁记忆检测 被引量：3

2

作者 黄海鸿 汪燕 +1 位作者 张曦 刘儒军 《自动化仪表》 CAS 北大核心 2014年第2期77-80,共4页

针对铁磁性构件疲劳损伤部位产生的磁记忆信号,设计出一种基于自旋阀巨磁阻抗效应传感器的金属磁记忆检测装置。该装置采用基于自旋阀巨磁阻抗效应的传感器构成检测探头,以TI公司的DSP2407芯片为处理器核心。检测探头获取的磁记忆信号... 针对铁磁性构件疲劳损伤部位产生的磁记忆信号,设计出一种基于自旋阀巨磁阻抗效应传感器的金属磁记忆检测装置。该装置采用基于自旋阀巨磁阻抗效应的传感器构成检测探头,以TI公司的DSP2407芯片为处理器核心。检测探头获取的磁记忆信号经过放大、调理和数模转换电路之后,由处理器对获取的信号进行背景去噪和自适应滤波,并通过串行口与计算机进行通信。对预制暗伤的510L板材试样进行检测与验证,结果表明,该装置能够精确地检测出疲劳试样的疲劳损伤部位。 展开更多

关键词 磁记忆检测 自旋阀 巨磁阻抗效应 无损检测 磁传感器 DSP2407

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Co-C颗粒膜的结构、磁性能和GMR效应研究

3

作者 马垒 刘仲武 +2 位作者 曾德长 钟夏平 成钢 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1659-1663,共5页

采用直流磁控溅射技术,在n-Si(100)衬底上制备了Cox C100-x(x=2.5～50,at%)颗粒膜,并对薄膜的结构、形貌、磁性能和巨磁电阻(GMR)效应做了系统的研究。结果表明:制备态的Co-C薄膜为非晶结构,且表面光滑、颗粒尺寸及膜厚度均匀;随热处理... 采用直流磁控溅射技术,在n-Si(100)衬底上制备了Cox C100-x(x=2.5～50,at%)颗粒膜,并对薄膜的结构、形貌、磁性能和巨磁电阻(GMR)效应做了系统的研究。结果表明:制备态的Co-C薄膜为非晶结构,且表面光滑、颗粒尺寸及膜厚度均匀;随热处理温度的增加,Co成分在300℃逐渐开始晶化,400℃基本晶化完全,500℃度的时候膜层开始出现裂纹;拉曼光谱显示制备态薄膜为类金刚石(DLC)薄膜;X射线光电子能谱(XPS)分析表明,包埋在碳基薄膜中的Co掺杂纳米颗粒以单质形态存在,没有Co的碳化物出现,且Co掺杂没有促进碳膜的石墨化,Co-C纳米复合薄膜组成了一个互不相溶的金属/绝缘体体系;磁性能测试显示薄膜的饱和磁化强度(Ms)和矫顽力(Hc)与Co的含量和颗粒的晶化程度有密切关系;磁电阻测量结果表明Co2.5C97.5薄膜具有高达36%的正GMR效应,GMR效应遵循输运通道的转变机制。 展开更多

关键词 颗粒膜 DLC膜 gmr效应 磁控溅射

原文传递

基于LabVIEW平台和GPIB接口的GMR效应测量系统 被引量：2

4

作者 胡宇 张怀武 钟智勇 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2005年第5期39-43,共5页

介绍了薄膜磁电阻率的自动测试方法。试验中采用了带GPIB接口的电源提供通过薄膜的稳恒电流,用带GPIB接口的纳伏表测量薄膜上的电压降,而作用于薄膜的磁场则通过带GPIB接口的可编程直流电源提供给亥姆霍兹线圈的电流大小来控制。通过Lab... 介绍了薄膜磁电阻率的自动测试方法。试验中采用了带GPIB接口的电源提供通过薄膜的稳恒电流,用带GPIB接口的纳伏表测量薄膜上的电压降,而作用于薄膜的磁场则通过带GPIB接口的可编程直流电源提供给亥姆霍兹线圈的电流大小来控制。通过LabVIEW平台控制可编程直流源可以控制磁场的变化快慢和幅度,同时利用该平台中的X-Y波形记录控件实时地显示磁场与电阻率变化的曲线。通过对一个已知磁电阻率的样品进行测量,表明结果正确,具有较好的重复性,较高的精度,符合测量要求。 展开更多

关键词 LABVIEW GPIB gmr效应 测量

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Co/Cu非连续多层膜的制备和GMR性能的研究 被引量：1

5

作者 耿胜董 顾正飞 +1 位作者 杜玉松 曾志斌 《电工材料》 CAS 2012年第4期10-12,共3页

采用磁控溅射法制备了系列[Co0.55nm/Cut]30(t=0.6,0.9,1.2,1.5,1.8,2.1,2.4,2.7,3.0)非连续多层膜样品,并利用四探针法研究了Cu层厚度、退火温度以及周期数对薄膜巨磁阻(GMR)效应的影响。磁电阻测量表明,随着非铁磁层Cu层厚度的增加,... 采用磁控溅射法制备了系列[Co0.55nm/Cut]30(t=0.6,0.9,1.2,1.5,1.8,2.1,2.4,2.7,3.0)非连续多层膜样品,并利用四探针法研究了Cu层厚度、退火温度以及周期数对薄膜巨磁阻(GMR)效应的影响。磁电阻测量表明,随着非铁磁层Cu层厚度的增加,薄膜样品的GMR效应总体呈下降趋势,并出现了振荡现象;经退火处理后,薄膜的GMR效应呈先增大后减小的趋势,在350℃达到最大,为-5.1%;薄膜的GMR效应随着周期数的增加而增大,当周期数为50时趋于恒定。 展开更多

关键词 磁控溅射 非连续多层膜 gmr效应

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基于巨磁电阻效应的电流传感器技术及在智能电网中的应用前景 被引量：40

6

作者 何金良 嵇士杰 +2 位作者 刘俊 胡军 王善祥 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2011年第5期8-14,共7页

介绍智能电网中电流的传感和量测技术发展的要求和新趋势,阐述智能电网中各种电流传感器的原理和特点,比较了传统电磁式电流传感器(如CT,罗氏线圈,霍尔)和几种新型的电流传感器(如光纤,巨磁电阻)的优缺点。在分析智能电网的电流测量需... 介绍智能电网中电流的传感和量测技术发展的要求和新趋势,阐述智能电网中各种电流传感器的原理和特点,比较了传统电磁式电流传感器(如CT,罗氏线圈,霍尔)和几种新型的电流传感器(如光纤,巨磁电阻)的优缺点。在分析智能电网的电流测量需求的基础上,结合巨磁电阻(giant magneto resistive,GMR)电流传感器的研究内容着重展望了GMR电流传感器在智能电网中的应用前景。最后总结了GMR传感器在智能电网测量应用中的优势和不足,并针对这些不足,指出了后续研究的方向。 展开更多

关键词 电流传感器 分布式测量 巨磁电阻效应 智能电网

原文传递

导模共振效应光子晶体滤波器光谱检测稳定性的研究 被引量：4

7

作者 陶春先 王琦 +3 位作者 李业 王振云 卢忠荣 张大伟 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1173-1176,共4页

由于光子晶体滤波器带宽窄和高灵敏度的特点,检测抗体含量极限可以达到ng·mL-1。可以应用于生物传感器监测生物大分子内部反应过程。一维光子晶体滤波器作为生物传感器换能元件将生物信息转化为可检测的光电信号信息,主要反应在光... 由于光子晶体滤波器带宽窄和高灵敏度的特点,检测抗体含量极限可以达到ng·mL-1。可以应用于生物传感器监测生物大分子内部反应过程。一维光子晶体滤波器作为生物传感器换能元件将生物信息转化为可检测的光电信号信息,主要反应在光谱仪测得共振波峰所在波长的变化。精确测试时,检测传感系统的稳定性是首要考虑的关键因素。稳定性决定实验数据的有效性。该工作对所制备的基于导模共振效应的一维光子晶体滤波器结构进行形貌和光谱测试,介绍了实验室所搭建的实时检测传感系统。由于系统集成度、耦合损耗等因素的影响,光谱信息出现一定的噪声信号。因此,重点提出利用Lab VIEW编程实时监控光子晶体滤波器共振波峰值随时间的变化,由光谱变化情况来反应本套检测系统的稳定性和测试数据的有效性。同时这种实时监控程序也可用来监控其他基于导模共振生物传感系统的稳定度。该检测系统由于震动,光源抖动等问题产生的共振峰值漂移为0.25nm,通过与模拟计算结果比较可以判定系统稳定性可以达到试剂检测的要求。 展开更多

关键词 光子晶体滤波器 导模共振效应 实时传感 光谱分析 稳定性

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可满足性问题的巨磁电阻型DNA计算模型 被引量：8

8

作者 肖建华 许进 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第4期829-835,共7页

DNA计算是一种新的计算模式,因其海量的信息存储能力、高度的并行性及低能耗等优点而被广泛地应用于求解各类NP完全问题.文中利用免疫磁标记和巨磁电阻(GMR)效应,对生物特异性反应进行检测,构建了可满足性问题的巨磁电阻型DNA计算模型,... DNA计算是一种新的计算模式,因其海量的信息存储能力、高度的并行性及低能耗等优点而被广泛地应用于求解各类NP完全问题.文中利用免疫磁标记和巨磁电阻(GMR)效应,对生物特异性反应进行检测,构建了可满足性问题的巨磁电阻型DNA计算模型,并用实例说明了模型的有效性和可行性.与传统的荧光标记法DNA计算模型相比,巨磁电阻型DNA计算模型的输出结果是电信号形式,因而具有检测信号易处理、检测时间短、解可靠性高、无需标记和读解简单等优点. 展开更多

关键词 可满足性问题 DNA计算模型 巨磁电阻效应 DNA计算机

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磁控溅射法制备IrMn底钉扎自旋阀研究 被引量：3

9

作者 欧阳可青 任天令 +3 位作者 刘华瑞 曲炳郡 刘理天 李伟 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期143-148,共6页

采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/bufferlayer/IrMn/CoFe/Cu/CoFe/NiFe/Ta的IrMn底钉扎自旋阀。研究了NiFe和Cu作为缓冲层对自旋阀磁性能的影响,并对缓冲层厚度进行了参数优化,当缓冲层厚度为2nm时自旋阀各项... 采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/bufferlayer/IrMn/CoFe/Cu/CoFe/NiFe/Ta的IrMn底钉扎自旋阀。研究了NiFe和Cu作为缓冲层对自旋阀磁性能的影响,并对缓冲层厚度进行了参数优化,当缓冲层厚度为2nm时自旋阀各项性能达到最佳。研究了退火制度对底钉扎自旋阀性能的影响,得到了3000Oe强磁场下200℃保温1h为最佳处理条件。通过结构的改善和工艺的优化,得到的底钉扎自旋阀的磁电阻率8.51%,矫顽场为0.5Oe,交换偏置场超过800Oe。最后对自旋阀的底钉扎和顶钉扎结构进行了比较。 展开更多

关键词 自旋阀 底钉扎 巨磁电阻 退火效应

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磁电阻材料及其应用的研究进展 被引量：5

10

作者 任清褒 朱维婷 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2002年第2期302-305,共4页

本文综述了磁电阻 (MR)材料的研究进展 ,并对目前研究热点的四类巨磁电阻 (GMR)材料进行了概括评述 ,侧重论述MR材料在信息存储等领域的应用 。

关键词 磁电阻材料 应用 MR材料 各向异性磁电阻 gmr效应 磁电阻随机存储器 gmr传感器

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(La_(2/3)Ca_(1/3))(Mn_((3-x)/3)Fe_(x/3))O_3体系磁电阻行为的研究 被引量：3

11

作者 徐明祥 焦正宽 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期307-311,共5页

通过系统地测量（La2/3Ca1/3）（Mn（3-x）／3Fex／3）O3（x＝0、0.1、0．2、0．3的体系样品的电阻率-温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系，发现随x的变化其磁电阻率峰和电阻率峰均发生位移，磁电阻率峰值增大，并伴生磁电阻... 通过系统地测量（La2/3Ca1/3）（Mn（3-x）／3Fex／3）O3（x＝0、0.1、0．2、0．3的体系样品的电阻率-温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系，发现随x的变化其磁电阻率峰和电阻率峰均发生位移，磁电阻率峰值增大，并伴生磁电阻率峰展宽效应．作者认为由于Fe的替代，引起体系中Mn3+／Mn4+比率及磁矩的变化，加之外场对磁有序结构的调制作用，从而影响了Mn3+－O－Mn4+的双交换作用，最终导致磁电阻行为发生变化． 展开更多

关键词 磁电阻效应 磁电阻率 锰氧化物 钙钛矿结构

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Ti对(La_(2/3)Ca_(1/3))(Mn_(1-y)Ti_y)O_3体系巨磁电阻效应和电特性的影响 被引量：2

12

作者 徐明祥 焦正宽 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期270-275,共6页

通过测量（Ｌａ２／３Ｃａ１／３）（Ｍｎ１－ｙＴｉｙ）Ｏ３（ｙ＝０．０，０．１／３，０．２／３，０．１）体系样品的电阻率－温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系，发现随ｙ的增加其磁电阻率峰和电阻率峰均向低温位移，磁... 通过测量（Ｌａ２／３Ｃａ１／３）（Ｍｎ１－ｙＴｉｙ）Ｏ３（ｙ＝０．０，０．１／３，０．２／３，０．１）体系样品的电阻率－温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系，发现随ｙ的增加其磁电阻率峰和电阻率峰均向低温位移，磁电阻率峰值增大，并伴生磁电阻率峰展宽效应．可以认为由于Ｔｉ的替代，引起体系中Ｍｎ３＋／Ｍｎ４＋摩尔比及磁矩的变化，加之外场对磁有序结构的调制作用，从而影响了Ｍｎ３＋—Ｏ—Ｍｎ４＋的双交换作用。 展开更多

关键词 巨磁电阻效应 磁电阻率 钛 薄膜 三氧化钛

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磁电阻材料的发展及应用 被引量：2

13

作者 杨永安 张鹏翔 虞澜 《云南冶金》 2004年第5期34-39,共6页

主要介绍了现阶段在磁电阻薄膜材料方面取得的新进展,对其基本原理进行了论述,以及对该薄膜材料特别是CMR和EMR材料的应用范围和应用前景进行了分析。

关键词 gmr效应 CMR效应 EMR效应

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退火温度对Fe-Cu颗粒膜巨磁阻以及磁性能的影响 被引量：1

14

作者 汪元亮 成刚 +2 位作者 顾正飞 成均 江民红 《电工材料》 CAS 2006年第4期43-46,共4页

利用直流磁控溅射法制备Fe28Cu72(体积分数比)颗粒膜,在不同温度下进行高真空退火,用X射线衍射仪(XRD)对样品进行结构分析,用四探针测量样品的巨磁阻效应,对测量结果进行分析,探讨了不同热处理温度对Fe_Cu颗粒膜巨磁阻的影响。结果表明... 利用直流磁控溅射法制备Fe28Cu72(体积分数比)颗粒膜,在不同温度下进行高真空退火,用X射线衍射仪(XRD)对样品进行结构分析,用四探针测量样品的巨磁阻效应,对测量结果进行分析,探讨了不同热处理温度对Fe_Cu颗粒膜巨磁阻的影响。结果表明:退火温度对Fe_Cu颗粒膜的影响至关重要,Fe_Cu颗粒膜经不同温度相同时间热处理后,Fe、Cu分离越来越明显,且磁电阻效应随着温度的升高而增强,Fe_Cu颗粒膜的磁性为硬磁性。 展开更多

关键词 Fe—Cu颗粒膜 巨磁阻 gmr 磁控溅射 硬磁

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NiFe/Cu多层膜的巨磁电阻效应

15

作者 王艾玲 郑鹉 陈金昌 《首都师范大学学报（自然科学版）》 1997年第1期41-44,共4页

采用磁控溅射方法在玻璃基片上沉积NiFe/Cu多层膜.在室温下测量到其巨磁电阻随Cu层厚度振荡的第一峰和第二峰,相应的峰值分别为19%和11%.研究了巨磁电阻随NiFe层厚度及多层膜总周期数N的变化规律.

关键词 多层膜 巨磁电阻效应 周期 玻璃基片 磁控溅射 室温 沉积 层厚 厚度 研究

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Co-Fe-Cu合金颗粒膜的穆斯堡尔谱研究

16

作者 周文利 王耘波 +1 位作者 刘涛 魏龙 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 2000年第11期9-10,共2页

对利用熔甩法制备的Co10 Fe5Cu85样品在室温至 80 0℃范围进行了一系列的等时退火 .采用室温穆斯堡尔谱测量 ,研究了制备态和不同温度退火样品的结构和相分布变化 .研究表明 ,随着退火温度的升高 ,合金的超顺磁相先增加而后又减少 ,并在... 对利用熔甩法制备的Co10 Fe5Cu85样品在室温至 80 0℃范围进行了一系列的等时退火 .采用室温穆斯堡尔谱测量 ,研究了制备态和不同温度退火样品的结构和相分布变化 .研究表明 ,随着退火温度的升高 ,合金的超顺磁相先增加而后又减少 ,并在 4 50℃达到峰值 。 展开更多

关键词 巨磁阻效应 穆斯堡尔谱 钴铁铜合金颗粒膜

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快淬Co/Fe/Cu金属条带的巨磁电阻效应

17

作者 王锋 张志东 《福建师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2002年第2期48-50,共3页

研究了用快淬制备的铸态和退火处理后非均匀相合金 Co15-x Fex Cu85金属条带的磁电阻、微观结构、磁性能 . x的范围是 0～ 1 5 at% .条带的磁电阻幅度很微弱 ,与同成分的溅射样品有明显不同 .这是由条带的微观结构决定的 。

关键词 巨磁电阻效应 快淬法 Co/Fe/Cu金属条带 非均匀相合金 纳米尺寸效应 微观结构 磁性能

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巨磁电阻效应简述及其应用

18

作者 韩振华 张建 刘楚湘 《新疆师范大学学报（自然科学版）》 2008年第2期71-75,共5页

巨磁电阻效应是近年来磁电阻领域的一项重要的发现,发展了将近二十多年。许多新型的磁电子器件因此应运而生,并对产业和经济产生了巨大的影响。文章简单介绍了巨磁电阻效应的发展和基本原理,并重点介绍了巨磁电阻效应在四个方面的主要... 巨磁电阻效应是近年来磁电阻领域的一项重要的发现,发展了将近二十多年。许多新型的磁电子器件因此应运而生,并对产业和经济产生了巨大的影响。文章简单介绍了巨磁电阻效应的发展和基本原理,并重点介绍了巨磁电阻效应在四个方面的主要应用。 展开更多

关键词 磁电阻效应 巨磁电阻效应 高密度硬盘 薄膜感应式读出磁头 随机存储器 巨磁电阻传感器

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巨磁电阻电流传感器空间位置特性调控与校正 被引量：8

19

作者 王兴隆 刘瑞敏 +3 位作者 仝杰 杨志勇 杨燕平 刘静 《传感器与微系统》 CSCD 2018年第1期25-28,共4页

通过分析巨磁电阻(GMR)效应,研究了空间位置对传感器精度的影响,针对实际应用中出现的角度偏转与位置偏移对传感器精度造成的影响提出了通过提高磁场增益提高传感器测量精度的方法。通过仿真验证:方法可有效减小测量误差,极大程度地提... 通过分析巨磁电阻(GMR)效应,研究了空间位置对传感器精度的影响,针对实际应用中出现的角度偏转与位置偏移对传感器精度造成的影响提出了通过提高磁场增益提高传感器测量精度的方法。通过仿真验证:方法可有效减小测量误差,极大程度地提高了传感器精度,并简化了测量程序。 展开更多

关键词 巨磁电阻效应 电流传感器 角度偏转 位置偏移 高磁导率材料

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磁电子器件及其应用

20

作者 马昌贵 《电子元器件应用》 2003年第1期6-8,共3页

介绍磁电子器件的研制及应用动向。具体说明自旋阀——巨磁电阻磁头、磁传感器、磁随机存取存储器和量子化磁盘等器件的结构、工作原理及其应用,展望磁电子器件未来的发展。

关键词 磁随机存储器 MRAM 量子化磁盘 QD 纳米制造技术 自旋电子 巨磁电阻 gmr 磁头 磁传感器

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