一种新的铁电电容模型及其在1T/1C FeRAM中的应用 被引量：1

1

作者 程旭 汤庭鳌 +2 位作者 王晓光 钟宇 康晓旭 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期123-129,共7页

随着集成铁电工艺的迅速发展和铁电电容的广泛应用 ,铁电电容模型的缺乏已成为制约基于铁电电容电路设计和优化的瓶颈。文中提出的非线性双电容铁电电容模型是线性双电容铁电电容模型的改进 ,它不仅与线性双电容模型一样易于用宏模型实... 随着集成铁电工艺的迅速发展和铁电电容的广泛应用 ,铁电电容模型的缺乏已成为制约基于铁电电容电路设计和优化的瓶颈。文中提出的非线性双电容铁电电容模型是线性双电容铁电电容模型的改进 ,它不仅与线性双电容模型一样易于用宏模型实现 ,而且比后者具有更高的精度和更简单的控制方式。以 1 T/1 C单元作为基于铁电电容电路设计优化的实例 ,定性分析了位线寄生电容对读出窗口的影响 ,并在 HSPICE中用非线性双电容模型进行了仿真 ,得到位线寄生电容与 1 T/1 C单元铁电电容比例 (CBL/CF E)对读出窗口的最优值 :CBL/CF E=2 . 展开更多

关键词 铁电电容 宏模型 稳态模型 feram 读出容限

在线阅读 下载PDF 职称材料

走向实用化的FeRAM 被引量：2

2

作者 岳云 《今日电子》 2002年第10期57-58,共2页

FeRAM(Ferro-electric RandomAccess Memory,铁电随机存取存储器)是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器.不仅如此,与以往的非易失性存储器相比,它还能够在比较低的电压条件下实现1000倍以上的高速信息改写.

关键词 铁电随机存储器 feram 可靠性 大容量化 铁电体

在线阅读 下载PDF 职称材料

ROHM旗下LAPISS emiconductor开发出搭载超高速串行总线的铁电存储器“FeRAM MR44V064B/MR45V064B”

3

《微型机与应用》 2016年第4期84-84,共1页

ROHM集团旗下的LAPIS Semiconductor公司（蓝碧石半导体）面向需要高频日志数据采集和紧急时的高速数据备份的智能仪表、医疗保健设备、汽车导航系统等,开发出搭载串行总线的64 kbit铁电存储器注1（以下称＂FeRAM＂）＂MR44V064B/MR45V0... ROHM集团旗下的LAPIS Semiconductor公司（蓝碧石半导体）面向需要高频日志数据采集和紧急时的高速数据备份的智能仪表、医疗保健设备、汽车导航系统等,开发出搭载串行总线的64 kbit铁电存储器注1（以下称＂FeRAM＂）＂MR44V064B/MR45V064B＂。 展开更多

关键词 高速串行总线 铁电存储器 feram Semiconductor 搭载 开发 医疗保健设备 汽车导航系统

在线阅读 下载PDF 职称材料

FeRAM和MRAM被英飞凌视为替代DRAM和闪存的首选

4

《电子工程师》 2004年第10期65-65,共1页

关键词 feram MRAM 英飞凌公司 发展策略

在线阅读 下载PDF 职称材料

65nm技术开发的FeRAM材料存储能力高达256Mb

5

作者 Jim Harrison 《今日电子》 2006年第10期37-37,共1页

关键词 feram 技术开发 256Mb 存储能力 铁电随机存储器 数据存储容量 RANDOM ACCESS

在线阅读 下载PDF 职称材料

252FeRAM保持测试中单个单元的测量方法

6

《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第6期62-62,共1页

关键词 feram芯片 保持时间 单个单元 测量方法

在线阅读 下载PDF 职称材料

FeRAM用强介电体材料

7

作者 张忱 《电子材料快报》 1999年第10期4-4,共1页

关键词 内存 feram 强介电体

在线阅读 下载PDF 职称材料

工作于宽电源范围下的FeRAM

8

《今日电子》 2017年第12期65-65,共1页

“MR45V100A／MR44V100A”1Mb铁电存储器（FeRAM）面向需要高速高频率的日志数据获取和紧急时高速数据备份的智能仪表／计量设备／医疗设备／金融终端等应用。

关键词 feram 宽电源 铁电存储器 医疗设备 计量设备 智能仪表 数据备份 数据获取

在线阅读 下载PDF 职称材料

富士通和东京工业大学开发256Mbit FeRAM新材料

9

《中国集成电路》 2006年第9期4-4,共1页

富士通微电子（上海）有限公司日前宣布，东京工业大学、富士通实验室和富士通有限公司已经联合开发出一种用于新一代非易失铁电随机存储器（FeRAM）的新型材料。这种铋、铁、氧元素的合成材料（BiFe03或BFO），能使数据存储容量达到目... 富士通微电子（上海）有限公司日前宣布，东京工业大学、富士通实验室和富士通有限公司已经联合开发出一种用于新一代非易失铁电随机存储器（FeRAM）的新型材料。这种铋、铁、氧元素的合成材料（BiFe03或BFO），能使数据存储容量达到目前FeRAM生产中使用的材料的五倍。 展开更多

关键词 东京工业大学 feram 富士通 铁电随机存储器 数据存储容量 合成材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

富士通和东京工业大学宣布采用65nm技术开发256Mbit FeRAM新材料

10

《电子与电脑》 2006年第9期131-131,共1页

富士通微电子（上海）有限公司日前宣布，东京工业大学（Tokyo-Tech），富士通实验室（Fujitsu Laboratories Ltd）和富士通有限公司已经联合开发出一种用于新一代非易失铁电随机存储器（Ferroelectric Random Access Memery FeRAM）的... 富士通微电子（上海）有限公司日前宣布，东京工业大学（Tokyo-Tech），富士通实验室（Fujitsu Laboratories Ltd）和富士通有限公司已经联合开发出一种用于新一代非易失铁电随机存储器（Ferroelectric Random Access Memery FeRAM）的新型材料这种铋铁,氧元素的合成材料（BiFeO3或BFO），能使数据存储容量达到目前FeRAM生产中使用的材料的5倍。 展开更多

关键词 东京工业大学 feram 富士通 材料 技术开发 铁电随机存储器

在线阅读 下载PDF 职称材料

富士通联合开发出FeRAM新材料

11

《世界电子元器件》 2006年第9期14-14,共1页

东京工业大学、富士通实验室和富士通有限公司已经联合开发出一种用于新一代非易失铁电随机存储器（FeRAM）的新型材料。这种铋、铁、氧元素的合成材料（BiFeO3或BFO），能使数据存储容量达到目前FeRAM生产中使用材料的五倍。

关键词 feram 富士通 铁电随机存储器 新材料 东京工业大学 数据存储容量

在线阅读 下载PDF 职称材料

FeRAM：商用MB铁电RAM

12

《世界电子元器件》 2003年第5期7-7,共1页

关键词 Hynix半导体公司 铁电随机存储器 feram 0.25微米工艺

在线阅读 下载PDF 职称材料

德日两企业首次试制成功立体电客器FeRAM

13

《变频器世界》 2004年第8期17-17,共1页

关键词 铁电存储器 存储单元 feram 存储阵列 铁电材料 德国英飞凌科技公司 日本东芝公司

在线阅读 下载PDF 职称材料

富士通面向新一代FeRAM开发出可擦写1000亿次的存储材料

14

《家电科技》 2008年第13期51-51,共1页

富士通研究所与东京工业大学联合开发出了面向新一代FeRAM（铁电随机存储器）的存储材料。该材料置换了部分BiFeO3（BFO）成分，与180nm工艺产品采用的物质属同一构造，也可用于90nm工艺以后的FeRAM，因此可实际应用于大容量FeRAM。

关键词 feram 富士通研究所 存储材料 铁电随机存储器 东京工业大学 90nm工艺

在线阅读 下载PDF 职称材料

FeRAM混合IC卡

15

《微电子技术》 1999年第4期12-12,共1页

关键词 feram 混合IC 强介质 微型计算机芯片 研究开发 IC卡 金属氧化物 半导体存储器 电极材料 制作工艺

在线阅读 下载PDF 职称材料

蓄电量提升5倍的下一代半导体内存—FeRAM

16

《现代材料动态》 2006年第8期22-23,共2页

东京工业大学与富士通共同开发出下一代半导体内存FeRAM用的新材料。FeRAM为在强介电体的结晶施加电压，使内部的原子位置变化以记录资料的内存，即使切断电源，原子的位置也不会变化，读写资料时间比目前主流的Flash Memory快且耗电量少。

关键词 feram 半导体 耗电量 内存 东京工业大学 强介电体 记录资料

原文传递

制备FeRAM的新材料

17

作者 邓志杰（摘译） 《现代材料动态》 2007年第1期5-5,共1页

东京理工学院和富士通公司联合开发成功一种制备新一代非易失铁电随机存取存储器（FeRAM）用的新材料。该材料是经调整组分的铁氧体铋化合物（BiFeO3，BFO），它的数据存储密度比现在FeRAM产品中的所用材料增加5倍。

关键词 feram 新材料 铁电随机存取存储器 富士通公司 铋化合物 数据存储 铁氧体

原文传递

向新一代FeRAM开发出可擦写1000亿次的存储材料

18

《现代材料动态》 2008年第6期28-28,共1页

富士通研究所与东京工业大学联合开发出了面向新一代FeRAM（铁电随机存储器）的存储材料。该材料为置换了部分BiFeO3（BFO）成分而成。新材料与180nm工艺产品采用的物质属同一构造，也可用于90nm工艺以后的FeRAM，因此可实际应用于大容... 富士通研究所与东京工业大学联合开发出了面向新一代FeRAM（铁电随机存储器）的存储材料。该材料为置换了部分BiFeO3（BFO）成分而成。新材料与180nm工艺产品采用的物质属同一构造，也可用于90nm工艺以后的FeRAM，因此可实际应用于大容量FeRAM。 展开更多

关键词 feram 存储材料 铁电随机存储器 东京工业大学 富士通研究所 90nm工艺

原文传递

富士通和东京工业大学宣布采用65nm技术开发256Mbit FeRAM新材料

19

作者 章从福 《半导体信息》 2007年第1期35-35,共1页

关键词 东京工业大学 bit feram nm 技术开发 数据存储容量 FUJITSU 随机存储器 技术制造 氧元素 富士通微电子

原文传递

ITO用作铁电薄膜电极的研究 被引量：6

20

作者 李金华 陈汉松 +2 位作者 李坤 汤国英 陈王丽华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期64-66,共3页

研究了sol -gel掺锡氧化铟 (ITO)溶胶在SiO2 /Si衬底和光学玻璃衬底上的成膜及结晶性能 ,并与CVD法生长的ITO薄膜作了对比。结论是 ,sol -gelITO膜 ,虽然具有与CVDITO膜相似的结晶性能和较高的导电性 ,但以sol -gelITO膜作下电极 ,无法... 研究了sol -gel掺锡氧化铟 (ITO)溶胶在SiO2 /Si衬底和光学玻璃衬底上的成膜及结晶性能 ,并与CVD法生长的ITO薄膜作了对比。结论是 ,sol -gelITO膜 ,虽然具有与CVDITO膜相似的结晶性能和较高的导电性 ,但以sol -gelITO膜作下电极 ,无法使PLT、PZT的sol -gel膜具有明显的结晶取向。因漏电太大 ,sol -gelITO也无法作sol -gel铁电膜 (如PLT ,PZT)的上电极。但在CVDITO膜上 ,sol -gel铁电膜能很好结晶 ,且Au/PLT/ITO电容 ,具有良好的电学性能。 展开更多

关键词 ITO薄膜 铁电电容电极 SOL-GEL法 feram 随机存

在线阅读 下载PDF 职称材料