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Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe/Si薄膜厚度测试方法的研究 被引量：6
1
作者 折伟林 田璐 +3 位作者 晋舜国 许秀娟 沈宝玉 王文燕 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1351-1354,共4页
在分子束外延生长高质量的CdTe/Si复合衬底上,分别通过MBE和LPE技术成功地研制出Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外探测器所需的重要红外半导体材料。利用傅里叶变换红外光谱仪对Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外半导体材料的红外透射光谱进行测试分析且计... 在分子束外延生长高质量的CdTe/Si复合衬底上,分别通过MBE和LPE技术成功地研制出Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外探测器所需的重要红外半导体材料。利用傅里叶变换红外光谱仪对Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外半导体材料的红外透射光谱进行测试分析且计算薄膜厚度,并配合扫描电子显微镜对其厚度计算分析进行校正,最终获得一种无破坏、无污染、快捷方便的多层膜厚度测试方法。 展开更多
关键词 碲镉汞/碲化镉/硅 傅里叶变换红外光谱仪 扫描电子显微镜 分子束外延 液相外延
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