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Performance improvement of Ga N-based light-emitting diodes transferred from Si(111) substrate onto electroplating Cu submount with embedded wide p-electrodes
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作者 柳铭岗 王云茜 +11 位作者 杨亿斌 林秀其 向鹏 陈伟杰 韩小标 臧文杰 廖强 林佳利 罗慧 吴志盛 刘扬 张佰君 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第3期428-433,共6页
Crack-free Ga N/In Ga N multiple quantum wells(MQWs) light-emitting diodes(LEDs) are transferred from Si substrate onto electroplating Cu submount with embedded wide p-electrodes. The vertical-conducting n-side-up... Crack-free Ga N/In Ga N multiple quantum wells(MQWs) light-emitting diodes(LEDs) are transferred from Si substrate onto electroplating Cu submount with embedded wide p-electrodes. The vertical-conducting n-side-up configuration of the LED is achieved by using the through-hole structure. The widened embedded p-electrode covers almost the whole transparent conductive layer(TCL), which could not be applied in the conventional p-side-up LEDs due to the electrodeshading effect. Therefore, the widened p-electrode improves the current spreading property and the uniformity of luminescence. The working voltage and series resistance are thereby reduced. The light output of embedded wide p-electrode LEDs on Cu is enhanced by 147% at a driving current of 350 m A, in comparison to conventional LEDs on Si. 展开更多
关键词 light-emitting diodes embedded wide p-electrodes Si substrate electroplating Cu submount
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Substrate Effect on Plasmon Resonance of a Gold Nanoparticle Embedded Amorphous BaTiO<sub>3</sub>Film
2
作者 S. Ramakanth K. C. James Raju 《Soft Nanoscience Letters》 2013年第4期32-35,共4页
Two sets of gold nanoparticles (NP) embedded in amorphous BaTiO3 films were prepared by sol-gel method using spin coating. Sample (1) is having BaTiO3 sol with 0.025 gm of Chloroauric acid dissolved in 10 ml of propan... Two sets of gold nanoparticles (NP) embedded in amorphous BaTiO3 films were prepared by sol-gel method using spin coating. Sample (1) is having BaTiO3 sol with 0.025 gm of Chloroauric acid dissolved in 10 ml of propan-2-ol, while sample (2) is having 0.086 gm of Chloroauric acid in the same amount of propan-2-ol. The films have been deposited on various substrates like borosilicate glass and fused silica. TEM images show that the particles are of 5 and 10 nm in size for the two set of samples, and some are having elongated morphology. Optical absorption properties of these films reveal the substrate and size effect on localised surface plasmon resonance (SPR). It shows a marginal red shift in the plasmon resonance peak from 414 nm to 420 nm in the case of sample (1) and 566 nm to 568 nm for sample (2) as the substrate changed from borosilicate glass to fused silica. It also shows red shift in Plasmon peak as the size increases from 5 to 10 nm and coincides with Mie explanation for the shift with size. 展开更多
关键词 GOLD Nanoparticles GOLD NP embedded Dielectrics substrate and Size Effect on PLASMON Resonance
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改进肖特基二极管高频电路模型的微波整流电路效率预测
3
作者 卢伟国 王晓桐 +2 位作者 李滨彬 王轲 张淮清 《电工技术学报》 北大核心 2025年第17期5379-5388,共10页
目前肖特基二极管在ADS软件自带的模型及数据表的等效模型中均没有考虑高频环境下衬底结构引起的寄生效应影响,模型不准确会导致整流电路效率预测存在偏差,不能有效地支持整流电路的优化设计。为此,该文提出了考虑衬底寄生效应影响的改... 目前肖特基二极管在ADS软件自带的模型及数据表的等效模型中均没有考虑高频环境下衬底结构引起的寄生效应影响,模型不准确会导致整流电路效率预测存在偏差,不能有效地支持整流电路的优化设计。为此,该文提出了考虑衬底寄生效应影响的改进肖特基二极管高频电路模型,以准确地表征肖特基二极管的高频特性,实现微波整流电路的效率预测和优化设计。首先,采用π型CLC网络表征衬底效应的影响,通过实测I-V和C-V特性曲线测取肖特基二极管非线性SPICE模型参数;其次,自制肖特基二极管测试支架及TRL校准件测取散射参数(S参数)并完成去嵌,进一步提取改进肖特基二极管高频电路模型中的线性寄生参数;最后,在所得改进肖特基二极管高频电路模型基础上优化设计了工作频率为2.45 GHz的整流电路,并进行整流电路的效率预测。仿真与实验数据表明,应用改进肖特基二极管高频电路模型的整流电路仿真得到的S11参数与应用实际二极管的整流电路实测得到的S11参数两者的闭合曲线面积差仅为0.90。在输入功率为30 dBm时,应用改进肖特基二极管高频电路模型的整流电路效率为73.48%,与实测效率72.29%相比,最大误差仅为1.65%。 展开更多
关键词 微波整流电路 改进高频电路模型 肖特基二极管 效率预测 衬底 去嵌
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封装基板关键技术进展及展望 被引量:1
4
作者 杨宏强 方建敏 李光耀 《微纳电子技术》 2025年第5期1-14,共14页
封装基板是半导体封装过程中广泛使用的基础材料之一。首先阐述了基板的起源、种类(单块和单元基板)、应用和组成;之后从先进基板制造工艺角度,详细分析了线路图形工艺(减成法、改进半加成法和半加成法)、芯板结构(有芯、无芯)、内置元... 封装基板是半导体封装过程中广泛使用的基础材料之一。首先阐述了基板的起源、种类(单块和单元基板)、应用和组成;之后从先进基板制造工艺角度,详细分析了线路图形工艺(减成法、改进半加成法和半加成法)、芯板结构(有芯、无芯)、内置元器件(有源、无源)以及最近兴起的玻璃芯基板、多层布线芯板基板的应用场景、制作方法和工艺能力;最后从基板类型和应用角度,展望了先进基板关键技术的未来趋势。 展开更多
关键词 线路图形工艺 无芯基板 内置元器件基板 玻璃芯基板 多层布线芯板基板 关键技术趋势
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嵌入硅桥芯片的高密度有机基板制备与性能
5
作者 姚昕 张爱兵 李轶楠 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期730-739,共10页
基于硅桥芯片互连的异构集成技术可以有效提升芯粒间局域互连密度,满足高性能计算对芯粒间高密度互连日益增长的需求。针对亿门级现场可编程门阵列(FPGA)电路多芯粒间短距离的互连传输需求,通过生长超高铜柱与嵌入硅桥芯片的有机基板实... 基于硅桥芯片互连的异构集成技术可以有效提升芯粒间局域互连密度,满足高性能计算对芯粒间高密度互连日益增长的需求。针对亿门级现场可编程门阵列(FPGA)电路多芯粒间短距离的互连传输需求,通过生长超高铜柱与嵌入硅桥芯片的有机基板实现芯粒间高密度互连,规避了传统硅桥芯片嵌埋基板中深腔嵌埋的工艺风险,满足多芯粒高速互连需求的同时提高了系统集成的互连可靠性。深入研究了嵌入硅桥芯片的高密度有机基板的制备与集成技术。测试结果表明,亿门级FPGA电路性能及参数指标满足要求,参照GJB 548C、GB/T 4937等标准进行环境考核试验,电路无分层、失效等异常,验证了该嵌入式基板具备良好的电气及机械性能。该技术可显著提升高密度封装系统的集成度与可靠性,为其在5G通信、高性能计算等领域的应用提供参考。 展开更多
关键词 硅桥芯片 局域互连 高密度有机基板 嵌入式基板 芯粒 异构集成
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硅桥芯片嵌入式高密度有机基板制备技术
6
作者 袁渊 孟德喜 +2 位作者 田爽 刘书利 王刚 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期194-200,共7页
基于硅桥芯片互连的异构集成技术可以有效提高芯粒间局域互连密度,满足高性能计算对芯粒间高密度互连日益增长的需求。提出了一种硅桥芯片嵌入式高密度有机基板的制备技术,介绍了嵌入式基板封装结构设计和关键工艺,并建立了嵌入式基板... 基于硅桥芯片互连的异构集成技术可以有效提高芯粒间局域互连密度,满足高性能计算对芯粒间高密度互连日益增长的需求。提出了一种硅桥芯片嵌入式高密度有机基板的制备技术,介绍了嵌入式基板封装结构设计和关键工艺,并建立了嵌入式基板结构仿真模型,对不同温度下应力分布进行了分析,通过可靠性试验重点检测了内嵌芯片边角。结果表明嵌入式基板制备工艺具有较好的可行性,可为硅桥芯片嵌入式高密度有机基板技术在国内的研究提供参考。 展开更多
关键词 芯粒 异构集成 局域互连 硅桥 嵌入式基板
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有机封装基板标准化工作现状及发展思考 被引量:1
7
作者 李锟 曹易 +1 位作者 田欣 薛超 《电子与封装》 2024年第2期49-54,共6页
随着我国集成电路产业的发展,作为集成电路封装重要零部件的一种特殊印制电路板(PCB)——有机封装基板呈现出高速增长的态势,相应的标准化需求日渐显现。回顾了过去我国PCB领域标准化的方针,分析了工作方针调整的必要性。在梳理和总结... 随着我国集成电路产业的发展,作为集成电路封装重要零部件的一种特殊印制电路板(PCB)——有机封装基板呈现出高速增长的态势,相应的标准化需求日渐显现。回顾了过去我国PCB领域标准化的方针,分析了工作方针调整的必要性。在梳理和总结有机封装基板产业发展关键点的基础上,提出了有机封装基板标准化工作新的发展思路,指出了基于客户联系、产品良率控制和原材料研制等方面的标准化工作重点任务。针对其发展趋势,聚焦嵌入式基板这个未来可能给整个有机封装基板产业链带来重组的着力点,提出了我国在这一产业变革中未来标准化工作的思路和任务。 展开更多
关键词 封装基板 标准化 嵌入式基板 印制电路板
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封装基板技术在微电子产品中的应用 被引量:1
8
作者 张凤 《集成电路应用》 2024年第6期8-9,共2页
阐述封装基板的特点,刚性基板和柔性基板在材料、性能方面的区别,并选取FCBGA基板、无芯基板以及埋嵌芯片技术作为分析对象,详细分析封装基板技术在微电子产品中的实际应用。
关键词 封装基板技术 刚性基板 柔性基板 FCBGA基板 无芯基板 埋嵌芯片技术
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有机封装基板的芯片埋置技术研究进展 被引量:2
9
作者 杨昆 朱家昌 +2 位作者 吉勇 李轶楠 李杨 《电子与封装》 2024年第2期9-19,共11页
有机封装基板为IC提供支持、保护和电互联,是IC封装最关键的材料之一。系统级、微型化和低成本是IC封装的趋势,将有源、无源元件埋入封装基板,可以充分利用基板内部空间,释放更多表面空间,是减小系统封装体积的重要途径,因此有机封装基... 有机封装基板为IC提供支持、保护和电互联,是IC封装最关键的材料之一。系统级、微型化和低成本是IC封装的趋势,将有源、无源元件埋入封装基板,可以充分利用基板内部空间,释放更多表面空间,是减小系统封装体积的重要途径,因此有机封装基板的芯片埋置技术发展迅速。主要介绍有机封装基板的埋置技术发展过程,归纳了有机基板芯片埋置工艺路线类型,着重介绍了近十年不同的芯片埋置技术方案及其应用领域。在此基础上,对有机封装基板的埋置技术研究前景进行了展望。 展开更多
关键词 有机封装基板 芯片埋置技术 系统级封装 异质集成
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立方氮化硼超硬磨料与45钢钎焊接头残余应力有限元分析 被引量:8
10
作者 丁文锋 徐九华 +3 位作者 周来水 傅玉灿 肖冰 苏宏华 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期133-137,共5页
针对立方氮化硼(CBN)超硬磨料高温钎焊冷却过程中可能产生较大热应力而导致磨粒破碎和接头断裂的问题,利用弹塑性有限元法对Ag-Cu-Ti合金钎焊CBN磨粒与45钢基体时接头的残余应力进行模拟分析。结果表明;磨粒球体内部中心轴线、中心平面... 针对立方氮化硼(CBN)超硬磨料高温钎焊冷却过程中可能产生较大热应力而导致磨粒破碎和接头断裂的问题,利用弹塑性有限元法对Ag-Cu-Ti合金钎焊CBN磨粒与45钢基体时接头的残余应力进行模拟分析。结果表明;磨粒球体内部中心轴线、中心平面半径方向以及磨粒与钎料顶层圆形断面半径方向是磨粒内部残余应力变化最显著的区域,而圆形断面边缘部分为磨粒内部最大残余拉应力的存在区域。试验验证有限元分析结果与测试结果基本一致。基于磨粒内部的最大残余拉应力,为确保焊后磨粒强度和钎焊砂轮容屑空间,CBN磨粒在钎料层中的包埋深度宜控制在30%~40%之间。 展开更多
关键词 CBN磨粒 45钢基体 钎焊接头 残余应力 包埋深度
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基于埋置式基板的3D-MCM封装结构的研制 被引量:5
11
作者 徐高卫 吴燕红 +1 位作者 周健 罗乐 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1837-1842,共6页
研制一种用于无线传感网的多芯片组件(3D-MCM).采用层压、开槽等工艺获得埋置式高密度多层有机(FR-4)基板,通过板上芯片(COB)、板上倒装芯片(FCOB)、球栅阵列(BGA)等技术,并通过引线键合、倒装焊等多种互连方式将不同类型的半导体芯片... 研制一种用于无线传感网的多芯片组件(3D-MCM).采用层压、开槽等工艺获得埋置式高密度多层有机(FR-4)基板,通过板上芯片(COB)、板上倒装芯片(FCOB)、球栅阵列(BGA)等技术,并通过引线键合、倒装焊等多种互连方式将不同类型的半导体芯片三维封装于一种由叠层模块所形成的立体封装结构中;通过封装表层的植球工艺形成与表面组装技术(SMT)兼容的BGA器件输出端子;利用不同熔点焊球实现了工艺兼容的封装体内各级BGA的垂直互连,形成了融合多种互连方式3D-MCM封装结构.埋置式基板的应用解决了BGA与引线键合芯片同面组装情况下芯片封装面高出焊球高度的关键问题.对封装结构的散热特性进行了数值模拟和测试,结果表明组件具有高的热机械可靠性.电学测试结果表明组件实现了电功能,从而满足了无线传感网小型化、高可靠性和低成本的设计要求. 展开更多
关键词 3D-MCM 嵌入式基板 多种互连融合 焊球熔融兼容性 热机械可靠性
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SRSC垄宽和垄高对日光温室甜椒生长及产量的影响 被引量:5
12
作者 傅国海 杨其长 +1 位作者 刘文科 闫文凯 《西北农业学报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第9期1344-1348,共5页
为了探究不同宽度(基质或土壤体积)和高度的SRSC垄对甜椒生长及产量的影响,进而确定最优的SRSC栽培垄参数。以甜椒为试验材料,并以土壤栽培垄为对照(CK),分别设置10cm(W10)、35cm(W35)和40cm(W40/H15)不同宽度及0cm(H0)、10cm(H10)和15c... 为了探究不同宽度(基质或土壤体积)和高度的SRSC垄对甜椒生长及产量的影响,进而确定最优的SRSC栽培垄参数。以甜椒为试验材料,并以土壤栽培垄为对照(CK),分别设置10cm(W10)、35cm(W35)和40cm(W40/H15)不同宽度及0cm(H0)、10cm(H10)和15cm(W40/H15)不同高度的SRSC栽培垄,测定采收时甜椒的生长及产量指标。结果表明:不同宽度的SRSC垄中,CK与W35和W40/H15的甜椒的各项生长指标没有显著差异,而W10的甜椒的株高、茎粗和地上干鲜质量低于其他处理,生长最差,但其产量高于CK;W40/H15的甜椒产量最高,比CK高34.2%;不同高度的SRSC栽培垄中,H10甜椒的株高、茎粗及地上干鲜质量显著低于CK,生长最差,而H0和W40/H15甜椒的株高、茎粗、地上及地下干鲜质量没有显著差异,且二者的甜椒生长优于H10。H0的产量最低,而W40/H15的产量最高,比H0高60.4%,同时比CK高34.2%。综上,W40/H15对甜椒生长的影响相对较优,并且对其产量的提升效果最好,即SRSC垄宽为40cm,垄高为15cm时,生产性能最优。 展开更多
关键词 SRSC垄 垄宽 垄高 甜椒 产量
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固体基质室温燐光法中微晶包埋刚性化机理的研究 被引量:7
13
作者 董川 刘长松 冯克聪 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第7期750-754,共5页
本文利用扫描电镜对不同的固体基质表面进行了观察。发现它们的表面都存在一个容易使样斑形成微晶微粒的粗糙表面环境。燐光体——硫鸟嘌呤包埋刚性化的实验进一步证实了微晶包埋刚性化也能诱导出强的RTP发射信号。本文提出了另一条新... 本文利用扫描电镜对不同的固体基质表面进行了观察。发现它们的表面都存在一个容易使样斑形成微晶微粒的粗糙表面环境。燐光体——硫鸟嘌呤包埋刚性化的实验进一步证实了微晶包埋刚性化也能诱导出强的RTP发射信号。本文提出了另一条新的诱导RTP发射的途径——微晶包埋刚性化机理。 展开更多
关键词 微晶 包埋 刚性化 SS-RTP
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LED补光和根区加温对日光温室起垄内嵌式基质栽培甜椒生长及产量的影响 被引量:13
14
作者 傅国海 杨其长 刘文科 《中国生态农业学报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期230-238,共9页
田间条件下采用起垄内嵌式基质栽培(soil ridged substrate-embedded cultivation,SRSC)方法,研究了日光温室LED冠层补光和电热线根区加温对甜椒生长和产量的影响。该试验设不加温不补光对照(CK)、根区加温15℃处理(T15)、根区加温18℃... 田间条件下采用起垄内嵌式基质栽培(soil ridged substrate-embedded cultivation,SRSC)方法,研究了日光温室LED冠层补光和电热线根区加温对甜椒生长和产量的影响。该试验设不加温不补光对照(CK)、根区加温15℃处理(T15)、根区加温18℃处理(T18)、单一补光处理(L)、根区加温15℃+补光处理(T15+L)、根区加温18℃+补光处理(T18+L),共6个处理。结果表明,与对照相比,根区加温均能提高SRSC甜椒根区的温度,但根区温度仍呈现出随环境温度变化而变化的趋势,T18的根区全天保持较高温度。根区热通量的变化与根区温度变化相对应,T15和T18处理的根区热通量昼夜变化较CK剧烈,其根区侧面白天向内传热滞后,晚间侧面向外传热提前,传递量增加;根区垂直方向白天向内传热滞后,传递量减少,晚间垂直向外传热提前,但传递量增加。T15和T18均显著提高了甜椒的株高、冠层厚度和冠层直径,且T18比T15效果更明显。T15对甜椒的地上及地下干鲜重没有显著的提升作用,而T18的提升效果显著。根区加温补光处理的甜椒生物量普遍高于单一根区加温或补光处理,其中T18+L处理提升效果显著优于T15+L处理。T15、T18和L相对CK均提高了甜椒单产,单产分别提高30.74%、53.0%和14.81%。而根区加温和LED补光协同作用比单一的根区加温或冠层补光都能表现更好的增产效果,T15+L和T18+L分别比T15和T18的产量分别提升32.86%和15.50%,分别比L产量提升51.29%和53.87%。总之,根区加温与LED补光是日光温室甜椒增产有效的调控措施,两者在增加单株产量上存在显著的协同效应,二者共同作用比单一作用效果更加明显,且根区加温对甜椒生长和产量的促进效果比冠层补光更加显著,在实际生产中具有重要的指导意义。 展开更多
关键词 起垄内嵌式基质栽培 日光温室 根区加温 LED补光 甜椒 产量
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基于埋置式基板的三维多芯片组件的翘曲研究 被引量:2
15
作者 徐高卫 罗乐 +2 位作者 耿菲 黄秋平 周健 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1006-1012,共7页
采用粘塑性有限元焊球模型以及大形变理论研究了三维多芯片组件(3D-MCM)的翘曲形态特征及其成因,结果表明基板腔室的存在使埋置式基板形成了双弓形翘曲形态,焊球的粘塑性使组件在温度循环中出现了翘曲回滞现象.基板中心空腔能改变基板... 采用粘塑性有限元焊球模型以及大形变理论研究了三维多芯片组件(3D-MCM)的翘曲形态特征及其成因,结果表明基板腔室的存在使埋置式基板形成了双弓形翘曲形态,焊球的粘塑性使组件在温度循环中出现了翘曲回滞现象.基板中心空腔能改变基板翘曲形态,有利于减小基板翘曲,并有利于提高倒扣焊器件的热机械可靠性.底充胶能够增强3D-MCM的互连强度,并且能够有效降低3D-MCM温度循环后的残留翘曲度.底充胶的热膨胀系数(CTE)过高可能引发3D-MCM新的失效模式.3D-MCM的云纹干涉实验结果与数值分析结果相符较好. 展开更多
关键词 三维多芯片组件 埋置式基板 翘曲 有限元模拟 热机械可靠性 云纹干涉
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日光温室甜椒起垄内嵌式基质栽培根区温度日变化特征 被引量:30
16
作者 傅国海 刘文科 《中国生态农业学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期47-55,共9页
针对我国北方地区日光温室冬春季低温胁迫、土壤连作障碍、单产低和水肥资源利用率低等问题,本文设计了一种新型的栽培方法——起垄内嵌式基质栽培方法(soil ridge substrate-embedded cultivation,SRSC),并在早春季节,研究了两种模式的... 针对我国北方地区日光温室冬春季低温胁迫、土壤连作障碍、单产低和水肥资源利用率低等问题,本文设计了一种新型的栽培方法——起垄内嵌式基质栽培方法(soil ridge substrate-embedded cultivation,SRSC),并在早春季节,研究了两种模式的SRSC[嵌槽式垄(SRSC-P)和嵌膜(铁丝网槽支撑)式垄(SRSC-W)]及土垄(SR)和单一基质槽垄(NPG)栽培下的甜椒幼苗根区温度的日变化特征。结果表明,日光温室内栽培垄根区温度与温室内、外的气温变化呈显著正相关,室内和栽培垄根区的平均温度分别比室外提高8.07℃和10.93℃,夜间分别提升9.90℃和14.81℃。在夜间低温阶段,SRSC-W维持根区较高温度的能力相对优于SR和SRSC-P,其根区平均温度分别比SR和SRSC-P高1.34℃和0.52℃;在白天高温阶段,SR、SRSC-P、NPG、SRSC-W最高温度平均值分别为28.06℃、27.21℃、29.93℃、26.05℃,SRSC-W抗高温效果最佳,NPG抗高温效果最差。阴天条件下,栽培垄的蓄热保温性能比晴天条件下差。SR白天和夜间的中心根区平均温度皆高于外侧,但SRSC-P和SRSC-W白天外侧温度高,夜间中心根区温度高。栽培垄北部根区温度高于南部根区温度,具有空间差异性,其中SRSC-W栽培模式的南部中心根区温度和北部中心根区温度差异相对于其他处理最小。此外,SRSC-W中心根区温度变化滞后时间最长,温度缓冲能力强。总之,SRSC-W栽培方法维持早春季节夜间甜椒根区温度能力和对低温及高温胁迫的缓冲性最强,且成本低,在日光温室抗低温生产中具有较好的应用前景。 展开更多
关键词 日光温室 起垄内嵌式基质栽培 蓄热保温 根区温度 昼夜温度
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基于MCM-D工艺的3D-MCM工艺技术研究 被引量:2
17
作者 刘欣 谢廷明 +2 位作者 罗驰 刘建华 唐哲 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期291-294,299,共5页
基于MCM-D薄膜工艺,开展了3D-MCM相关的无源元件内埋置、芯片减薄、芯片叠层组装、低弧度金丝键合、芯片凸点,以及板级叠层互连装配等工艺技术研究。通过埋置型基板、叠层芯片组装、板级叠层互连,实现了3D-MCM结构,制作出薄膜3D-MCM样品... 基于MCM-D薄膜工艺,开展了3D-MCM相关的无源元件内埋置、芯片减薄、芯片叠层组装、低弧度金丝键合、芯片凸点,以及板级叠层互连装配等工艺技术研究。通过埋置型基板、叠层芯片组装、板级叠层互连,实现了3D-MCM结构,制作出薄膜3D-MCM样品;探索出主要的工艺流程及关键工序控制方法,实现了薄膜3D-MCM封装。 展开更多
关键词 3D-MCM 内埋置基板 叠层型结构 三维叠层互连
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内嵌陶瓷电路板的PCB基板制备及其LED封装性能 被引量:7
18
作者 王哲 王永通 +3 位作者 刘佳欣 牟运 彭洋 陈明祥 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第7期1139-1146,共8页
普通印刷电路板(PCB)材料热导率低,散热性能不佳,难以用于封装大功率器件。本文提出并制备了一种直接电镀铜陶瓷基板(DPC)的PCB基板(以下简称“内嵌基板”),利用陶瓷材料高热导率强化基板局部散热,并将其应用于大功率LED封装。使用胶粘... 普通印刷电路板(PCB)材料热导率低,散热性能不佳,难以用于封装大功率器件。本文提出并制备了一种直接电镀铜陶瓷基板(DPC)的PCB基板(以下简称“内嵌基板”),利用陶瓷材料高热导率强化基板局部散热,并将其应用于大功率LED封装。使用胶粘剂将DPC基板固定在开窗的PCB基板中,电互连后得到内嵌基板。相较于普通PCB基板,相同电流下内嵌基板表面温度低,温升趋势放缓,当电流从200 mA增加到400 mA时,内嵌基板温升比普通PCB基板低约42.1℃。当电流为350 mA时,内嵌基板封装的LED样品热阻和结温变化分别为15.55 K/W和9.36℃,其光功率随电流增加而增大,并始终高于同电流下普通PCB基板封装LED;在400 mA时,两者光功率相差约16.7%。实验表明,内嵌基板是一种高性能、低成本的封装基板,可有效提高大功率LED散热性能,满足功率器件封装应用需求。 展开更多
关键词 发光二极管(LED) 内嵌PCB 直接电镀铜陶瓷基板(DPC) 散热 光热性能
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土垄内嵌基质栽培方式对日光温室春甜椒的降温增产效应 被引量:17
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作者 傅国海 刘文科 《中国农业气象》 CSCD 北大核心 2016年第2期199-205,共7页
本文提出土垄内嵌基质的栽培方式以缓解日光温室春甜椒生长季遭受的高温影响。通过设置土垄栽培(S处理)、土垄嵌PE槽基质栽培(P处理)、土垄嵌铁丝网槽基质栽培(W处理)3种处理,以单纯PE槽基质栽培(CK)为对照,在春甜椒果实成熟采摘期(5-6... 本文提出土垄内嵌基质的栽培方式以缓解日光温室春甜椒生长季遭受的高温影响。通过设置土垄栽培(S处理)、土垄嵌PE槽基质栽培(P处理)、土垄嵌铁丝网槽基质栽培(W处理)3种处理,以单纯PE槽基质栽培(CK)为对照,在春甜椒果实成熟采摘期(5-6月)每日气温较高时段(12:00-16:00)观测各处理根区环境温度,在甜椒不同生育时期观测各处理植株的生长指标及产量并进行比较。结果表明:S、P和W处理的根区温度分别比CK低1.50、2.17和1.47℃,说明P和W处理能够有效缓冲高温时甜椒根区环境温度的升高,且P处理的温度缓冲效果略优于W处理。S、P和W处理甜椒的株高、茎粗、叶绿素含量和地上干鲜重均显著高于CK,能显著促进甜椒生长发育,其中W处理对甜椒生长的促进作用最明显。基质栽培根系鲜重较大,但CK根区高温减少了甜椒地上部和根系干物质积累。此外,第一次采摘时土垄栽培的结实数显著低于其它3个处理,说明基质栽培相对土壤栽培能促进甜椒开花坐果,缩短生育期。W处理结实数、单果重、单株产量、果实大小及单产均显著高于其它处理,其产量为3.78kg·m^(-2),分别比S、P和CK处理提高80.9%、31.3%和51.8%。总之,土垄嵌铁丝网槽基质栽培能够在有效增强根区温度缓冲能力的前提下,明显提高甜椒产量,在日光温室高温环境生产中具有重要的应用价值。 展开更多
关键词 日光温室 土垄内嵌基质栽培方式 甜椒 根区温度 温度缓冲能力
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内嵌弹性区和结合力模型在薄膜/基底界面断裂中的应用 被引量:1
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作者 李然 余寿文 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期98-104,共7页
薄膜 /基底结构是微电子学和材料科学中广泛应用的典型结构。由于加工工艺中材料力学、热学性能失配等原因导致的薄膜中出现的残余应力 ,是界面裂纹的萌生和扩展的重要原因。采用三参数 (Γ0 ,σ/ σy,t)的修正的断裂过程区结合力模... 薄膜 /基底结构是微电子学和材料科学中广泛应用的典型结构。由于加工工艺中材料力学、热学性能失配等原因导致的薄膜中出现的残余应力 ,是界面裂纹的萌生和扩展的重要原因。采用三参数 (Γ0 ,σ/ σy,t)的修正的断裂过程区结合力模型 ,讨论了在塑性氛围下裂尖解理断裂的过程 ,裂尖应力分布 ,裂尖形貌和表征裂纹尖端断裂过程区特征参数对断裂过程的影响 ,并应用到均质金属薄膜 展开更多
关键词 内嵌弹性区 结合力模型 薄膜/基底结构 界面继裂 材料科学 复合材料 残余应力
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