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超深亚微米工艺下模拟IC仿真的MOSFET模型
被引量：
2
1
作者
段成华
柳美莲
《微纳电子技术》
CAS
2006年第4期203-208,共6页
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的...
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的,而EKV模型在模拟集成电路的低功耗设计中具有一定的优势。
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关键词
模拟IC
MOSFET建模
BSIM3模型
ekv
模型
反型系数
短沟道效应
中间反型区
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职称材料
模拟集成电路仿真中的UDSM MOSFET建模
2
作者
段成华
柳美莲
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期320-325,共6页
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,重点分析了在模拟集成电路设计中较为流行的几种模型:BSIM3、EKV和SP2001模型,对其各自的优缺点进行了比较。结果表明,获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的;...
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,重点分析了在模拟集成电路设计中较为流行的几种模型:BSIM3、EKV和SP2001模型,对其各自的优缺点进行了比较。结果表明,获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的;几种模型中,EKV模型在模拟集成电路的低功耗设计中具有一定的优势。
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关键词
模拟集成电路
MOSFET建模
BSIM3模型
SP2001模型
ekv
模型
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职称材料
基于模型参考自适应的大气层外杀伤拦截器姿态控制系统设计
被引量：
5
3
作者
仲秦
闫杰
+1 位作者
张晓峰
武文斌
《固体火箭技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期115-119,共5页
大气层杀伤拦截器制导控制系统采用矢量喷管进行姿态与惯导控制,系统输出的开关特性具有强非线性,同时,姿态角指令进行突变时会相应地带来控制力矩指令突变,要求能够实现对姿态角指令的快速调节,且考虑姿控发动机喷气量。针对上述问题,...
大气层杀伤拦截器制导控制系统采用矢量喷管进行姿态与惯导控制,系统输出的开关特性具有强非线性,同时,姿态角指令进行突变时会相应地带来控制力矩指令突变,要求能够实现对姿态角指令的快速调节,且考虑姿控发动机喷气量。针对上述问题,设计了一种姿态角跟踪控制器,使用带有超前校正的死区迟滞继电控制律进行开关控制,并使用变结构模型参考自适应方法进行连续控制律设计,以提高开关控制器的工作效率,减少工作能耗。仿真结果表明,所设计的方法相较对比方法在快速性和精确性上均有提升,蒙特卡洛仿真结果显示,设计方法拦截精度为0.44 m,较对比拦截方法有较大提升。综上,设计方法能够以更快速的响应、更小的超调实现指令姿态角度的跟踪,且姿控发动机喷气用量有效减少,对工程实践有一定指导作用。
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关键词
大气层外动能拦截器
姿态控制系统
模型参考自适应
滑模控制
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职称材料
基于深亚微米CMOS工艺改进的电荷放大器的噪声模型
被引量：
3
4
作者
李翔宇
张琦
孙义和
《清华大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第11期1776-1780,1784,共6页
基于深亚微米CMOS工艺对粒子探测器读出电荷灵敏放大器电路的噪声进行了优化,计算了输入管的所有有关的噪声并考虑了非输入管噪声及稳定性影响输入的因素,提出了一种更精确的电路噪声模型,可在现有的EKV模型应用基础上,对MOS管的各个工...
基于深亚微米CMOS工艺对粒子探测器读出电荷灵敏放大器电路的噪声进行了优化,计算了输入管的所有有关的噪声并考虑了非输入管噪声及稳定性影响输入的因素,提出了一种更精确的电路噪声模型,可在现有的EKV模型应用基础上,对MOS管的各个工作区完成解析计算且是连续的,用以优化输入管的尺寸和工作点,给出输入管的栅极电容的优值的匹配条件,方便于分析和设计。在0.18μm CMOS工艺下对模型进行比较实验验证,表明计算精度比用传统方法有较明显优势。
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关键词
粒子探测器系统
电荷灵敏放大器
深亚微米工艺
噪声优化
ekv
模型
原文传递
题名
超深亚微米工艺下模拟IC仿真的MOSFET模型
被引量：
2
1
作者
段成华
柳美莲
机构
中国科学院研究生院系统集成中心
中国科学院研究生院电子学研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2006年第4期203-208,共6页
基金
国家863计划项目(2002AA141041)
文摘
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的,而EKV模型在模拟集成电路的低功耗设计中具有一定的优势。
关键词
模拟IC
MOSFET建模
BSIM3模型
ekv
模型
反型系数
短沟道效应
中间反型区
Keywords
analog IC
MOSFET
model
ing
BSIM3
model
s
ekv model
s
inversion coefficient
short channel effects
moderate inversion region
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
模拟集成电路仿真中的UDSM MOSFET建模
2
作者
段成华
柳美莲
机构
中国科学院研究生院信息科学与工程学院中国科学院研究生院电子学研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期320-325,共6页
基金
国家高技术研究发展(863)计划资助项目(2002AA141041)
文摘
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,重点分析了在模拟集成电路设计中较为流行的几种模型:BSIM3、EKV和SP2001模型,对其各自的优缺点进行了比较。结果表明,获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的;几种模型中,EKV模型在模拟集成电路的低功耗设计中具有一定的优势。
关键词
模拟集成电路
MOSFET建模
BSIM3模型
SP2001模型
ekv
模型
Keywords
Analog IC
MOSFET
model
ing, BSIM3
model
SP2001
model
ekv model
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于模型参考自适应的大气层外杀伤拦截器姿态控制系统设计
被引量：
5
3
作者
仲秦
闫杰
张晓峰
武文斌
机构
西北工业大学航天学院
西北工业大学无人系统技术研究院
西安现代控制技术研究所
出处
《固体火箭技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期115-119,共5页
基金
国家自然科学基金面上项目(61503302)
文摘
大气层杀伤拦截器制导控制系统采用矢量喷管进行姿态与惯导控制,系统输出的开关特性具有强非线性,同时,姿态角指令进行突变时会相应地带来控制力矩指令突变,要求能够实现对姿态角指令的快速调节,且考虑姿控发动机喷气量。针对上述问题,设计了一种姿态角跟踪控制器,使用带有超前校正的死区迟滞继电控制律进行开关控制,并使用变结构模型参考自适应方法进行连续控制律设计,以提高开关控制器的工作效率,减少工作能耗。仿真结果表明,所设计的方法相较对比方法在快速性和精确性上均有提升,蒙特卡洛仿真结果显示,设计方法拦截精度为0.44 m,较对比拦截方法有较大提升。综上,设计方法能够以更快速的响应、更小的超调实现指令姿态角度的跟踪,且姿控发动机喷气用量有效减少,对工程实践有一定指导作用。
关键词
大气层外动能拦截器
姿态控制系统
模型参考自适应
滑模控制
Keywords
exoatmosphere killvehicle(
ekv
)
attitude control system
model
reference control
sliding mode control
分类号
V435 [航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程]
在线阅读
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职称材料
题名
基于深亚微米CMOS工艺改进的电荷放大器的噪声模型
被引量：
3
4
作者
李翔宇
张琦
孙义和
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《清华大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第11期1776-1780,1784,共6页
文摘
基于深亚微米CMOS工艺对粒子探测器读出电荷灵敏放大器电路的噪声进行了优化,计算了输入管的所有有关的噪声并考虑了非输入管噪声及稳定性影响输入的因素,提出了一种更精确的电路噪声模型,可在现有的EKV模型应用基础上,对MOS管的各个工作区完成解析计算且是连续的,用以优化输入管的尺寸和工作点,给出输入管的栅极电容的优值的匹配条件,方便于分析和设计。在0.18μm CMOS工艺下对模型进行比较实验验证,表明计算精度比用传统方法有较明显优势。
关键词
粒子探测器系统
电荷灵敏放大器
深亚微米工艺
噪声优化
ekv
模型
Keywords
particle detection system
charge sensitive amplifier
deep submicron technology
noise optimization
ekv model
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超深亚微米工艺下模拟IC仿真的MOSFET模型
段成华
柳美莲
《微纳电子技术》
CAS
2006
2
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职称材料
2
模拟集成电路仿真中的UDSM MOSFET建模
段成华
柳美莲
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
基于模型参考自适应的大气层外杀伤拦截器姿态控制系统设计
仲秦
闫杰
张晓峰
武文斌
《固体火箭技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
基于深亚微米CMOS工艺改进的电荷放大器的噪声模型
李翔宇
张琦
孙义和
《清华大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
3
原文传递
已选择
0
条
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参考文献
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