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SOI嵌入式DRAM技术动态钳制电位DTMOS器件性能的优化设计(英文)
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作者 Kim C S Burke F +3 位作者 Rambhatla A 赵阳 Zahurak J Parke S A 《南京师范大学学报(工程技术版)》 CAS 2003年第4期59-62,共4页
描述了n 沟道动态电位DTMOS半导体器件的直流和高频特性 ,该器件制造采用了低功耗CMOSSOC工艺 ,同时也包含了高密度嵌入式DRAM技术 .在本工作中的DTMOS器件在较早时候就发现性能优于本体接地 (GB)和本体浮地 (FB)的MOSFET器件 .本器件... 描述了n 沟道动态电位DTMOS半导体器件的直流和高频特性 ,该器件制造采用了低功耗CMOSSOC工艺 ,同时也包含了高密度嵌入式DRAM技术 .在本工作中的DTMOS器件在较早时候就发现性能优于本体接地 (GB)和本体浮地 (FB)的MOSFET器件 .本器件具有无特性曲线缠绕、gm=93 6μS/ μm ,gout=3 6μS/ μm ,Ion/Ioff=2 10 μA/ 0 .1pA ,在Vdd=1V时fmax=3 2GHz的良好特性 ,特别适用于低电压嵌入式基频电路并具有对射频RF前端电路的极佳性能 ,因此可以使嵌入式DRAM、数字电路、模拟电路和RF射频电路混合于一体 ,用在超低功耗、低成本的SOC(系统集成 ) 展开更多
关键词 动态钳制电位dtmos器件 系统集成芯片 嵌入式DRAM技术
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基于0.15微米SOI嵌入式DRAM技术的动态钳制电位DTMOS器件源极与漏极的优化设计(英文)
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作者 Burke F Rambhatla A +1 位作者 Zahurak J Parke S A 《南京师范大学学报(工程技术版)》 CAS 2003年第4期63-65,共3页
描述了用以进行n 沟道动态电位DTMOS半导体器件源极 /漏极载流子注入优化设计的实验结果 ,该器件制造采用了低成本 0 .15微米SOI和SOC(system on chip ,系统集成芯片 )技术 ,同时也包含了高密度嵌入式DRAM技术 .实验结果表明 ,本器件可... 描述了用以进行n 沟道动态电位DTMOS半导体器件源极 /漏极载流子注入优化设计的实验结果 ,该器件制造采用了低成本 0 .15微米SOI和SOC(system on chip ,系统集成芯片 )技术 ,同时也包含了高密度嵌入式DRAM技术 .实验结果表明 ,本器件可用来作为嵌入式超低压模拟电路和射频前端电路的混合电路芯片 ,并与嵌入式DRAM核心技术一起 ,作为超低压、低成本SOC(系统集成芯片 ) 展开更多
关键词 动态钳制电位dtmos器件 嵌入式DRAM技术 系统集成芯片
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SOI动态阈值MOS研究进展 被引量:7
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作者 毕津顺 海潮和 韩郑生 《电子器件》 EI CAS 2005年第3期551-555,558,共6页
随着器件尺寸的不断缩小,传统MOS器件遇到工作电压和阈值电压难以等比例缩小的难题,以至于降低电路性能,而工作在低压低功耗领域的SOIDTMOS可以有效地解决这个问题。本文介绍了四种类型的SOIDTMOS器件,其中着重论述了栅体直接连接DTMOS... 随着器件尺寸的不断缩小,传统MOS器件遇到工作电压和阈值电压难以等比例缩小的难题,以至于降低电路性能,而工作在低压低功耗领域的SOIDTMOS可以有效地解决这个问题。本文介绍了四种类型的SOIDTMOS器件,其中着重论述了栅体直接连接DTMOS、双栅DTMOS和栅体肖特基接触DTMOS的工作原理和性能,具体分析了优化器件性能的五种方案,探讨了SOIDTMOS存在的优势和不足。最后指出,具有出色性能的SOIDTMOS必将在未来的移动通讯和SOC等低压低功耗电路中占有一席之地。 展开更多
关键词 SOI 低压低功耗 dtmos 超大规模集成电路
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Leakage Reduction Using DTSCL and Current Mirror SCL Logic Structures for LP-LV Circuits
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作者 Sanjeev Rai Ram Awadh Mishra Sudarshan Tiwari 《Circuits and Systems》 2013年第1期20-28,共9页
This paper presents a novel approach to design robust Source Coupled Logic (SCL) for implementing ultra low power circuits. In this paper, we propose two different source coupled logic structures and analyze the perfo... This paper presents a novel approach to design robust Source Coupled Logic (SCL) for implementing ultra low power circuits. In this paper, we propose two different source coupled logic structures and analyze the performance of these structures with STSCL (Sub-threshold SCL). The first design under consideration is DTPMOS as load device which analyses the performance of Dynamic Threshold SCL (DTSCL) Logic with previous source coupled logic for ultra low power operation. DTSCL circuits exhibit a better power-delay Performance compared with the STSCL Logic. It can be seen that the proposed circuit provides 56% reduction in power delay product. The second design under consideration uses basic current mirror active load device to provide required voltage swing. Current mirror source coupled logic (CMSCL) can be used for high speed operation. The advantage of this design is that it provides 54% reduction in power delay product over conventional STSCL. The main drawback of this design is that it provides a higher power dissipation compared to other source coupled logic structures. The proposed circuit provides lower sensitivity to temperature and power supply variation, with a superior control over power dissipation. Measurements of test structures simulated in 0.18 μm CMOS technology shows that the proposed DTSCL logic concept can be utilized successfully for bias currents as low as 1 pA. Measurements show that existing standard cell libraries offer a good solution for ultra low power SCL circuits. Cadence Virtuoso schematic editor and Spectre Simulation tools have been used. 展开更多
关键词 CMOS Integrated CIRCUITS CMOS LOGIC Circuit Dynamic Threshold MOS (dtmos) Power-Delay Product Source-Coupled LOGIC (SCL) SUB-THRESHOLD CMOS SUB-THRESHOLD SCL Ultra-Low-Power CIRCUITS Weak Inversion LP-LV(Low Power-Low Voltage)
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深亚微米SOI横向非均匀掺杂推进型栅控混合管的准二维亚阈电流模型
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作者 黄如 卜伟海 +1 位作者 张兴 王阳元 《中国科学(E辑)》 CSCD 北大核心 2001年第5期423-430,共8页
采用两管模型分析了新型深亚微米SOI推进型栅控混合管的工作机制 ,该器件有效地改善了传统MOS器件中提高速度和降低功耗之间的矛盾 ,并且大大提高了输出电阻 .在此基础上提出了该器件的亚阈电流模型 .模型中考虑了横向非均匀掺杂对体效... 采用两管模型分析了新型深亚微米SOI推进型栅控混合管的工作机制 ,该器件有效地改善了传统MOS器件中提高速度和降低功耗之间的矛盾 ,并且大大提高了输出电阻 .在此基础上提出了该器件的亚阈电流模型 .模型中考虑了横向非均匀掺杂对体效应、短沟效应及迁移率的影响 .在考虑可动电荷影响的情况下进行准二维分析 ,求解表面势 ,进而求出包括扩散分量和漂移分量的亚阈电流 .模型计算结果得到良好的验证 ,正确反映了SOI推进型栅控混合管的电流特性 .该模型同时对POCKET注入深亚微米MOSFET的电流模拟有重要参考意义 . 展开更多
关键词 SOI 动态阈值 栅控混合管 深亚微米 二维亚阈 微电子技术 dtmos 横向非均匀掺杂
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An ultra-low-voltage rectifier for PE energy harvesting applications 被引量:2
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作者 王静敏 杨正 +1 位作者 朱樟明 杨银堂 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2016年第2期126-130,共5页
An ultra low voltage rectifier with high power conversion efficiency (PCE) for PE energy harvesting ap- plications is presented in this paper. This is achieved by utilizing the DTMOS which the body terminal is conne... An ultra low voltage rectifier with high power conversion efficiency (PCE) for PE energy harvesting ap- plications is presented in this paper. This is achieved by utilizing the DTMOS which the body terminal is connected to the gate terminal in a diode connected transistor. This implementation facilitates the rectifier with dynamic con- trol over the threshold voltage. Moreover, we use input powered to take the place of output powered to reduce the power loss and thereby increasing the power conversion efficiency. Based on standard SMIC 0.18 μm CMOS tech- nology, the simulation results show that the voltage conversion efficiency and the power conversion efficiency can reach up to 90.5% and 95.5% respectively, when the input voltage equals to 0.2 V @ 100 Hz with load resistance 50 kW. Input voltages with frequencies in the range of 10 Hz-1 kHz can be rectified. 展开更多
关键词 PE energy harvesting dtmos input powered active rectifier
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