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多孔硅及其分形特性研究
1
作者
刘刚
介晓瑞
+1 位作者
谢基凡
陈萍丽
《华中理工大学学报》
CSCD
北大核心
1996年第6期66-69,共4页
利用阳极氧化技术制备了多种多孔硅(PS)样品,测出其结构参数,并摄得相应的SEM微观形貌图片.针对多孔硅的结构特点,确立相应的离散分形布朗随机增量(DFBIR)场模型,应用图像处理方法,求出不同PS微观图像的分形参数...
利用阳极氧化技术制备了多种多孔硅(PS)样品,测出其结构参数,并摄得相应的SEM微观形貌图片.针对多孔硅的结构特点,确立相应的离散分形布朗随机增量(DFBIR)场模型,应用图像处理方法,求出不同PS微观图像的分形参数.发现了PS结构参数和分形参数的内在联系与规律性。
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关键词
多孔硅
分形特性
dfbir
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职称材料
题名
多孔硅及其分形特性研究
1
作者
刘刚
介晓瑞
谢基凡
陈萍丽
机构
固体电子学系
出处
《华中理工大学学报》
CSCD
北大核心
1996年第6期66-69,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
利用阳极氧化技术制备了多种多孔硅(PS)样品,测出其结构参数,并摄得相应的SEM微观形貌图片.针对多孔硅的结构特点,确立相应的离散分形布朗随机增量(DFBIR)场模型,应用图像处理方法,求出不同PS微观图像的分形参数.发现了PS结构参数和分形参数的内在联系与规律性。
关键词
多孔硅
分形特性
dfbir
Keywords
porous silicon
fractal characteristic
dfbir model
分类号
TN204 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多孔硅及其分形特性研究
刘刚
介晓瑞
谢基凡
陈萍丽
《华中理工大学学报》
CSCD
北大核心
1996
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