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CuXSe_2(X=Al,Ga,In)中电子与晶体结构关系的研究 被引量:1
1
作者 董玉静 高延利 《云南师范大学学报(自然科学版)》 2016年第5期14-17,共4页
利用第一性原理研究对太阳能材料ZnSe和CuXSe2(X=Al,Ga,In)的结构进行优化并计算.重点分析电子在二元和三元半导体材料中对形变参数、键长等的影响.发现在二元半导体不会发生形变是由于电荷只在Zn与Se之间转移,整体显示电中性,而三元半... 利用第一性原理研究对太阳能材料ZnSe和CuXSe2(X=Al,Ga,In)的结构进行优化并计算.重点分析电子在二元和三元半导体材料中对形变参数、键长等的影响.发现在二元半导体不会发生形变是由于电荷只在Zn与Se之间转移,整体显示电中性,而三元半导体中电荷不仅在分子内部转移,而且在分子间也有相互作用,造成整个分子带有一定的电荷,导致了结构的形变,且随着X原子序数的增加u值减小. 展开更多
关键词 ZNSE cuxse2 结构 电荷 性质
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化学水浴法制备CuxS薄膜
2
作者 汤会香 严密 +2 位作者 张辉 王志浩 杨德仁 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第Z1期70-72,共3页
CuInS2薄膜是最有前途的多晶薄膜太阳电池材料.为了用化学水浴法制备CuIn岛薄膜,该文研究了化学水浴法制备CuxS薄膜,用SEM、XRD、EDX分别研究了薄膜的形貌、结构和组分,并且对薄膜的光学性质进行了讨论.
关键词 化学水浴法 cuxs薄膜
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六边形非化学计量比Cu_xS纳米片:合成、表征及电化学性质(英文) 被引量:1
3
作者 蒋家兴 郑远辉 赵剑曦 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第6期986-990,共5页
分别采用乙二醇(EG)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为溶剂和模板剂,用简单的回流方法合成六角型非化学计量比CuxS纳米片。并用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、紫外可见近红外光谱仪(UV-Vis)、循环伏安法(CV)对产物进行表征。TEM研究表明... 分别采用乙二醇(EG)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为溶剂和模板剂,用简单的回流方法合成六角型非化学计量比CuxS纳米片。并用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、紫外可见近红外光谱仪(UV-Vis)、循环伏安法(CV)对产物进行表征。TEM研究表明样品形貌为纳米六角片。XRD结果表明,随着Cu/S物质的量比的逐渐增加,样品物相从靛铜矿(covellite)CuS逐渐转变为蓝辉铜矿(digenite)Cu1.8S。此外,随着样品组分的变化,其光学和电化学性质均发生显著变化。 展开更多
关键词 cuxs 纳米片 电化学性质
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二次蒸发制备的Cu_xS薄膜结构与特性研究 被引量:1
4
作者 屈晓声 吴洪才 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期33-35,共3页
在玻璃基底上通过两次蒸发的新技术制备CuxS薄膜。硫在衬底温度160℃~200℃时与淀积在衬底上的铜直接发生反应,生成CuxS薄膜。实验发现,生成的CuxS薄膜与衬底温度有很大关系,160℃时生成的CuxS呈黄绿色,而在190℃左右生成的多晶状... 在玻璃基底上通过两次蒸发的新技术制备CuxS薄膜。硫在衬底温度160℃~200℃时与淀积在衬底上的铜直接发生反应,生成CuxS薄膜。实验发现,生成的CuxS薄膜与衬底温度有很大关系,160℃时生成的CuxS呈黄绿色,而在190℃左右生成的多晶状的CuxS薄膜,颜色为深绿色。通过XRD、SEM、TS等方法对样品的组织结构进行了研究和探讨。 展开更多
关键词 cuxs薄膜 光电性 二次蒸发 组织结构 光电半导体
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热注射法合成Cu_xS及光降解亚甲基蓝溶液 被引量:1
5
作者 赵卿飞 张华 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第4期221-225,共5页
利用简单有效的热注射法、调节制备反应条件合成不同形貌的硫化铜(CuxS)纳米复合物。通过透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)和紫外可见(UV-Vis)吸收光谱表征手段对产物的结构和性能进行分析。结果表明,以硫代乙酰胺为硫源、反应温... 利用简单有效的热注射法、调节制备反应条件合成不同形貌的硫化铜(CuxS)纳米复合物。通过透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)和紫外可见(UV-Vis)吸收光谱表征手段对产物的结构和性能进行分析。结果表明,以硫代乙酰胺为硫源、反应温度为423 K、反应时间10 min、油胺和油酸体积比为3∶1时,制备的CuxS纳米颗粒形貌均匀且呈球形,以Cu1.97S分子结构存在。利用光降解亚甲基蓝溶液反应,考察所制备的Cu1.97S纳米复合物的光催化活性。实验结果表明,在可见光照射条件下,亚甲基蓝溶液降解率约为85%,说明Cu1.97S纳米复合物的形貌和结构有利于电子-空穴对的产生和转移,具有良好的光催化活性。 展开更多
关键词 热注射法 油胺/油酸 cuxs 亚甲基蓝 光催化
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低能离子注入对Cu_xS薄膜组分的影响
6
作者 郑建邦 刘效增 +3 位作者 李成全 曹猛 李宁 吴洪才 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期199-202,共4页
采用N^+离子注入的方法 ,对气—固化学反应生成的CuxS薄膜进行了掺杂 ,研究了N+离子注入能量和剂量对Cu_xS薄膜组分的影响。结果表明 ,离子注入改变了CuxS薄膜铜与硫的比例 ,使薄膜组分更接近于富铜型 ,样品的X射线衍射图谱和透射光谱... 采用N^+离子注入的方法 ,对气—固化学反应生成的CuxS薄膜进行了掺杂 ,研究了N+离子注入能量和剂量对Cu_xS薄膜组分的影响。结果表明 ,离子注入改变了CuxS薄膜铜与硫的比例 ,使薄膜组分更接近于富铜型 ,样品的X射线衍射图谱和透射光谱研究进一步证实了这种结构转变的存在。 展开更多
关键词 离子注入 cuxs薄膜 富铜型薄膜 组分 光电半导体
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电沉积法制备Cu_xS薄膜及其性质研究
7
作者 张辉 汤会香 +2 位作者 马向阳 杨尚炯 杨德仁 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期444-447,共4页
利用电沉积的方法制备CuxS薄膜,研究了不同的络合剂,不同的硫源及不同的热处理温度对电沉积制备CuxS薄膜性质的影响。研究发现:不同的络合剂可以制备得到不同相的CuxS薄膜,用EDTA作为络合剂的时候得到是六方相的Cu2S其主要晶面是(102),... 利用电沉积的方法制备CuxS薄膜,研究了不同的络合剂,不同的硫源及不同的热处理温度对电沉积制备CuxS薄膜性质的影响。研究发现:不同的络合剂可以制备得到不同相的CuxS薄膜,用EDTA作为络合剂的时候得到是六方相的Cu2S其主要晶面是(102),当用柠檬酸钠作为络合剂的时候得到的是单斜的Cu31S16其主要晶面是(842)。当用Na2S2O3作为硫源的时候得到的是单斜的Cu31S16其主要晶面是(842),当用硫脲作为硫源的时候得到是六方相的Cu2S其主要晶面是(102)。随着热处理温度的提高,薄膜的结晶程度有了很大的提高,晶粒有了明显的长大,不同温度的热处理证实了CuxS薄膜的生长是沿着[102]方向定向生长的。 展开更多
关键词 电沉积 cuxs薄膜 相结构
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离子注入对Cu_xS薄膜的影响
8
作者 屈晓声 李德杰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期556-557,共2页
讨论了CuxS薄膜经氮离子注入后对薄膜的特性影响 ,铜硫化合物薄膜是经两次蒸发制备在玻璃上。实验发现氮离子束注入引起了CuxS薄膜中的铜与硫成分的改变 ,明显观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大。经过透射光谱的... 讨论了CuxS薄膜经氮离子注入后对薄膜的特性影响 ,铜硫化合物薄膜是经两次蒸发制备在玻璃上。实验发现氮离子束注入引起了CuxS薄膜中的铜与硫成分的改变 ,明显观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大。经过透射光谱的分析对比证实了确有新的CuxS状态出现。 展开更多
关键词 cuxs薄膜 离子注入 相变 透射率
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由离子注入引起的Cu_xS薄膜的状态变化
9
作者 屈晓声 李德杰 姚保纶 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期285-287,共3页
讨论了 Cux S薄膜注入氮离子对薄膜特性的影响。铜硫化合物薄膜经两次蒸发制备在玻璃上。实验发现 ,氮离子束注入引起了 Cux S薄膜中铜与硫成分的改变 ,明显观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大。透射光谱分析对比... 讨论了 Cux S薄膜注入氮离子对薄膜特性的影响。铜硫化合物薄膜经两次蒸发制备在玻璃上。实验发现 ,氮离子束注入引起了 Cux S薄膜中铜与硫成分的改变 ,明显观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大。透射光谱分析对比证实确有新的 Cux S状态出现。 展开更多
关键词 cuxs薄膜 离子注入 透射率 状态变化
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N-(邻氯苯基)苯甲酰胺在CuX(X=I,Br)催化下的分子内O-芳基化反应机理 被引量:6
10
作者 蔡皖飞 汪晓慧 +1 位作者 李来才 田安民 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第10期2101-2106,共6页
采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法,在6-31+G*基组水平上研究了N-(邻氯苯基)苯甲酰胺在CuX(X=I,Br)催化下发生分子内O-芳基化的反应机理.优化了反应过程中的反应物、中间体、过渡态和产物,通过能量和振动分析证实了中间体和过渡态的... 采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法,在6-31+G*基组水平上研究了N-(邻氯苯基)苯甲酰胺在CuX(X=I,Br)催化下发生分子内O-芳基化的反应机理.优化了反应过程中的反应物、中间体、过渡态和产物,通过能量和振动分析证实了中间体和过渡态的真实性.并且在相同基组水平上应用自然键轨道(NBO)理论和分子中的原子(AIM)理论分析了这些化合物的成键特征和轨道间的相互作用.比较了两种不同铜盐催化剂的催化活性,计算结果表明两种催化剂的反应路径和反应的控制步骤完全相同,在CuBr催化下标题化合物控制步骤的活化能比在CuI催化下的低,证明了CuBr的催化活性要比CuI的高一些,与实验结果一致. 展开更多
关键词 反应机理 CuX 活化能 分子中的原子理论 自然键轨道理论
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CuX/bpy催化体系中聚氧乙烯大单体与甲基丙烯酸甲酯接枝共聚物的合成与表征 被引量:3
11
作者 冯松 李庆海 +2 位作者 杜宝辉 沈良骏 韩冬林 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期98-100,104,共4页
以正丁基溴为引发剂 ,卤化亚铜 /联吡啶 (bpy)为催化剂 ,研究了甲基丙烯酸甲酯 (MMA)与末端为丙烯酰胺基的聚氧化乙烯 (PEO)大单体的原子转移自由基聚合 (ATRP)反应 ,得到的实测分子量与理论分子量相近 ,分子量分布较窄 ,有预期结构的... 以正丁基溴为引发剂 ,卤化亚铜 /联吡啶 (bpy)为催化剂 ,研究了甲基丙烯酸甲酯 (MMA)与末端为丙烯酰胺基的聚氧化乙烯 (PEO)大单体的原子转移自由基聚合 (ATRP)反应 ,得到的实测分子量与理论分子量相近 ,分子量分布较窄 ,有预期结构的接枝共聚物 ,用 IR、1H- NMR、VPO、GPC、DSC等进行表征 ,并对单体总浓度、投料比、引发剂及反应时间对共聚物的组成和分子量的影响进行了讨论。 展开更多
关键词 CuX/bpy催化体系 聚氧乙烯 大单体 甲基丙烯酸甲酯 接枝共聚物 合成 表征 转移自由基共聚
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Cu_x(x=1-4)团簇在CeO_2(111)表面的吸附(英文) 被引量:5
12
作者 杨宗献 谢罗刚 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第4期851-857,共7页
用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Cu团簇(Cux,x=1-4)在CeO2(111)表面的吸附.研究发现当团簇比较小时(x=2,3),倾向于平铺表面;当x=4时,Cu团簇在CeO2(111)表面以三维的四面体结构吸附较为稳定,从Cu 3d到Ce 4f的电荷转移使Cu团簇... 用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Cu团簇(Cux,x=1-4)在CeO2(111)表面的吸附.研究发现当团簇比较小时(x=2,3),倾向于平铺表面;当x=4时,Cu团簇在CeO2(111)表面以三维的四面体结构吸附较为稳定,从Cu 3d到Ce 4f的电荷转移使Cu团簇带正电荷.由二维的菱形结构到三维的四面体结构的转变势垒为1.05 eV,并且其中一个Cu原子直接迁移到另外三个Cu原子的空位顶部的转变路径比较有利.在Cu团簇与CeO2的相互作用过程中,Cu-O和Cu-Cu相互作用的竞争最终决定了Cu团簇在CeO2上的形貌.这种CeO2(111)负载的带正电的三维Cu团簇将对水分解,进而对水煤气反应具有高的催化活性. 展开更多
关键词 密度泛函理论 Cu团簇 吸附 Cux/CeO2(111)
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RF磁控溅射工艺对TiNi_(1-x)Cu_x合金薄膜组织形貌的影响 被引量:3
13
作者 李亚东 崔大奎 骆苏华 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2002年第3期295-298,共4页
采用RF磁控溅射技术制备了TiNi(1-x)Cux合金薄膜,利用扫描电镜、电子能谱仪和XRD技术分析研究了RF磁控溅射工艺对TiNi(1-x)Cux合金薄膜组织形貌的影响规律.结果表明:在基片不加热的条件下溅射薄膜组织结构为非晶,并呈柱状形貌垂直于基... 采用RF磁控溅射技术制备了TiNi(1-x)Cux合金薄膜,利用扫描电镜、电子能谱仪和XRD技术分析研究了RF磁控溅射工艺对TiNi(1-x)Cux合金薄膜组织形貌的影响规律.结果表明:在基片不加热的条件下溅射薄膜组织结构为非晶,并呈柱状形貌垂直于基片生长;经650~720℃,3 min退火处理后,薄膜均发生晶化转变;在他它条件相同的情况下,溅射功率和工作气压对薄膜组织形貌有很大影响;薄膜的柱状单胞直径、薄膜厚度和生长速度均随溅射功率的增长而增长,但当溅射功率一定时,工作气压增加使柱状单胞直径、薄膜厚度和薄膜的生长速率显著减小;RF磁控溅射过程中,沉积原子的活性及其沉积速率是影响薄膜组织形貌的主要原因. 展开更多
关键词 RF磁控溅射工艺 TiNi(1-x)Cux合金薄膜 组织形貌 钛镍铜合金
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Cu(I)卤化物催化合成烷基芳基醚的研究 被引量:2
14
作者 陈杨英 赵德丰 《化学工程师》 CAS 2001年第1期5-6,共2页
本文简要地介绍了未被活化芳烃的烷氧基化反应 ,对其反应机理、应用范围。
关键词 烷氧化 CuX 催化合成 烷基芳基醚 铜卤化物
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二次蒸发制备的CU_xS薄膜特性研究 被引量:1
15
作者 田宏 《大连铁道学院学报》 2001年第2期87-89,101,共4页
在玻璃基底上通过两次蒸发的新技术制备CuxS薄膜.硫在衬底温度为l60℃~200℃时与淀积在衬底上的铜直接发生反应,生成CuxS薄膜.实验发现,生成的CuxS薄膜与衬底温度有很大关系,160℃时生成的CuxS呈黄绿色... 在玻璃基底上通过两次蒸发的新技术制备CuxS薄膜.硫在衬底温度为l60℃~200℃时与淀积在衬底上的铜直接发生反应,生成CuxS薄膜.实验发现,生成的CuxS薄膜与衬底温度有很大关系,160℃时生成的CuxS呈黄绿色,而在190℃左右生成的多晶状的CuxS膜,颜色为深绿色.通过XRD、SEM、TS等方法对样品的组织结构进行了研究和讨论. 展开更多
关键词 cuxs薄膜 两次蒸发 光电性 制备
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Silica gel-assisted solvothermal production of CdS,Cu_xS(x=1,2)and ZnS with different morphologies 被引量:1
16
作者 Titipun THONGTEM Chalermchai PILAPONG Somchai THONGTEM 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2009年第B09期105-109,共5页
CdS,CuxS(x=1,2)and ZnS with different morphologies were produced by the solvothermal reactions of M(CH3COO)2·2H2O(M=Cd,Cu and Zn)and NH2CSNH2 in hexane with and without silica gel as a hard template at 200℃for 2... CdS,CuxS(x=1,2)and ZnS with different morphologies were produced by the solvothermal reactions of M(CH3COO)2·2H2O(M=Cd,Cu and Zn)and NH2CSNH2 in hexane with and without silica gel as a hard template at 200℃for 24 h.The product phases were detected using X-ray diffraction(XRD).Different morphologies were characterized using a scanning electron microscope(SEM).The existence of silica gel in modeling morphologies of the sulfides was characterized using Fourier transform infrared(FTIR)spectrometer.Raman spectra of different products show the vibrations at the same wavenumbers,although they are composed of different morphologies.Photoluminescence(PL)emissions of the corresponding phases with different morphologies are at the same values,but their intensities are increased by template adding. 展开更多
关键词 solvothermal reaction silica gel CDS cuxs ZNS
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Cu_x(Al_2O_3)_(1-x)颗粒膜的巨霍耳效应研究
17
作者 高俊 蒋晓龙 +3 位作者 倪刚 王飞 张凤鸣 都有为 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期638-640,共3页
在由磁性金属颗粒镶嵌在非磁金属或绝缘基体中而形成的两相非均匀颗粒系统中 ,当磁性金属的体积百分含量处于临界值时 ,体系的输运行为有许多奇异的现象。相继在在磁性金属 非磁金属和磁性金属 绝缘体系统中发现了巨磁电阻效应和隧道... 在由磁性金属颗粒镶嵌在非磁金属或绝缘基体中而形成的两相非均匀颗粒系统中 ,当磁性金属的体积百分含量处于临界值时 ,体系的输运行为有许多奇异的现象。相继在在磁性金属 非磁金属和磁性金属 绝缘体系统中发现了巨磁电阻效应和隧道磁电阻效应 ;特别的在磁性金属 绝缘体系统中发现了反常霍耳效应的极大增强 ,称为巨霍耳效应。为了探讨颗粒体系的巨霍耳效应的机制 ,本文用离子束共溅射的方法制备了大约 1.5× 10 - 7m厚度的Cux(Al2 O3) 1 -x颗粒薄膜 ,研究了非磁金属 绝缘体体系 :Cu Al2 O3颗粒系统的巨霍耳效应 ,发现在量子渗流阈值时 ,霍耳电阻比正常金属高 2个数量级。 展开更多
关键词 霍耳效应 颗粒系统 Cux(Al2O3)1-x薄膜
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离子注入对Cu_xS薄膜特性的影响
18
作者 田宏 屈晓声 《大连铁道学院学报》 2000年第4期73-75,共3页
讨论了CuxS薄膜经氮离子注入后对薄膜的特性影响,铜硫化合物薄膜是经两次蒸发制备在玻璃上.实验发现氮离子束注入引起了CuxS薄膜中的铜与硫成分的改变,很明显的观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大.
关键词 cuxs薄膜 离子注入 相变 半导体薄膜 氮离子束 改性
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Ni-Mn杂化对Mn_(50)Ni_(41-x)Sn_9Cu_x合金中马氏体相变温度和马氏体相磁性的影响 被引量:1
19
作者 申建雷 李萌萌 +4 位作者 赵瑞斌 李国科 马丽 甄聪棉 候登录 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第24期170-176,共7页
研究了Ni-Mn杂化对Mn_(50)Ni_(41-x)Sn_9Cu_x合金马氏体相变温度和马氏体相磁性的影响.研究表明:在Mn_(50)Ni_(41-x)Sn_9Cu_x(x=0,1,3,5)合金中,随着Cu含量增加,马氏体相变温度和居里温度均降低;自发交换偏置场也随着Cu含量的增加从1182... 研究了Ni-Mn杂化对Mn_(50)Ni_(41-x)Sn_9Cu_x合金马氏体相变温度和马氏体相磁性的影响.研究表明:在Mn_(50)Ni_(41-x)Sn_9Cu_x(x=0,1,3,5)合金中,随着Cu含量增加,马氏体相变温度和居里温度均降低;自发交换偏置场也随着Cu含量的增加从1182 Oe(1 Oe=79.5775 A/m)降低到0 Oe.马氏体相变温度和马氏体相磁性的变化归因于掺杂Cu削弱了体系中Ni 3d eg与Mn 3d之间的杂化. 展开更多
关键词 Mn50Ni41-xSn9Cux合金 Ni-Mn杂化 马氏体相变 交换偏置
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