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Mid-Temperature Synthesis of CeO_2-TiO_2 Complex Compound and Its XRD Structure Study 被引量:1
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作者 陈林深 吕光烈 胡秀荣 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第2期108-111,共4页
The CeTi 2O 6, which is formed above 1300 ℃ by ceramic method, was obtained at 700 ℃ using sol gel synthesis method. XRD analysis shows that there is 8% deficient of Ce in the structure. The chemical formula is C... The CeTi 2O 6, which is formed above 1300 ℃ by ceramic method, was obtained at 700 ℃ using sol gel synthesis method. XRD analysis shows that there is 8% deficient of Ce in the structure. The chemical formula is Ce 0.92 Ti 2O 5.84 , which has a monoclinic structure with space group of C 2/ m . Its cell parameters are a =0.9811(8) nm, b =0.3726(3) nm, c =0.6831(6) nm, and β =118.84°. After being treated at 1300 ℃ for 3 h, the system keeps stable but the deficient disappears, while the chemical formula change to the normal CeTi 2O 6, and the cell parameters are a =0.9813(3) nm, b =0.3752(4) nm, c =0.6883(5) nm, β =119.05°. The key to synthesis the precursors of CeTi 2O 6 is that Ti 4+ and Ce 3+ ions must reach the atomistic distributing state and prevent the oxidation of Ce 3+ during sol gel process. 展开更多
关键词 semiconductor materials sol gel process CeO 2 TiO 2 complex compound XRD Rietveld analysis rare earths
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拓扑数据分析在晶圆图缺陷模式分类中的高效应用
2
作者 杜先君 丁家俊 董明月 《电子测量与仪器学报》 北大核心 2025年第10期185-196,共12页
晶圆图的缺陷模式分类是半导体生产制造过程中的重要环节,对提高产品良品率与生产效率有着重要意义。针对现有深度学习晶圆图缺陷模式分类方法解释性差和资源消耗高等问题,改进了一种基于拓扑数据分析(topological data analysis, TDA)... 晶圆图的缺陷模式分类是半导体生产制造过程中的重要环节,对提高产品良品率与生产效率有着重要意义。针对现有深度学习晶圆图缺陷模式分类方法解释性差和资源消耗高等问题,改进了一种基于拓扑数据分析(topological data analysis, TDA)的特征提取方法,其依托持久同调理论,通过构建Alpha复形(alpha complex)以挖掘晶圆图的拓扑结构,并将其转化为可量化的拓扑特征。实验结果表明,在基于WM-811K数据集构建的模拟晶圆图数据集上,采用Alpha复形代替原VR复形(vietoris-rips complex),平均复形构建时间降低了约82%,平均内存占用降低了约10.09%。此外,将基于TDA的方法与DenseNet121、Swin Transformer以及新兴的ConvNeXt模型进行了对比,在特征提取方面,t-SNE可视化结果显示基于TDA方法提取的特征向量取得了最佳的聚类效果,相比于次优的ConvNeXt,轮廓系数提升了17.24%,提取时间降低了约75%,而内存峰值降低了约95%;在分类性能方面,结合支持向量机(SVM)分类器的实验表明,基于TDA的模型整体分类准确率高达0.992,优于DenseNet(0.989 3)和Swin Transformer(0.982 0)。 展开更多
关键词 晶圆图缺陷模式分类 拓扑数据分析 持久同调 Alpha复形 支持向量机 半导体制造
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两个由半刚性羧酸和咪唑衍生物构建的具有螺旋和双核单元的镍基配合物
3
作者 刘晓茹 石金莲 +2 位作者 郑亚佳 莫双存 徐中轩 《无机化学学报》 北大核心 2025年第4期797-808,共12页
在水热条件下,4-(1-羧基乙氧基)苯甲酸(H_(2)cba)和Ni(Ⅱ)离子分别与咪唑衍生物1,4-二(1H-咪唑-1-基)苯(1,4-dib)和4,4'-二(1H-咪唑-1-基)-1,1'-联苯(4,4'-dib)反应得到配合物{[Ni(cba)(1,4-dib)(H_(2)O)0.5]·0.5H_(2)... 在水热条件下,4-(1-羧基乙氧基)苯甲酸(H_(2)cba)和Ni(Ⅱ)离子分别与咪唑衍生物1,4-二(1H-咪唑-1-基)苯(1,4-dib)和4,4'-二(1H-咪唑-1-基)-1,1'-联苯(4,4'-dib)反应得到配合物{[Ni(cba)(1,4-dib)(H_(2)O)0.5]·0.5H_(2)O}n(HU21)和{[Ni(cba)(4,4'-dib)(H_(2)O)0.5]·0.5H_(2)O}n(HU22)。单晶衍射结构分析表明配合物HU21和HU22都含有双核的[Ni_(2)(CO_(2))2(H_(2)O)]^(2+)单元。在HU21和HU22中,[Ni_(2)(CO_(2))2(H_(2)O)]^(2+)单元都通过cba2-离子桥接在一起形成一维[Ni_(2)(H_(2)O)(cba)_(2)]_(n)链。进一步分析发现,在配合物HU21中除[Ni_(2)(H_(2)O)(cba)2]n链外,Ni(Ⅱ)离子、水分子和1,4-dib配体还沿b轴形成直径达1.6 nm的右旋和左旋螺旋链。这些右手和左手链按照1∶1的比例连接在一起,构建出HU21所属的空旷的三维结构。[Ni_(2)(H_(2)O)(cba)_(2)]_(n)链填充到该空旷结构中,得到具有点符号为(44.611)的六连接网络框架。不同于HU21中螺旋链可直接形成三维框架,在配合物HU22中,基于Ni(Ⅱ)离子、水分子和4,4'-dib的螺旋链只能够构建出二维结构层。这些二维结构通过[Ni_(2)(H_(2)O)(cba)_(2)]_(n)链作用以ABAB模式堆叠在一起,形成最终六连接网络特征的三维框架。此外,紫外可见吸收光谱证实配合物HU21和HU22属半导体材料,在紫外和可见光区具有较强的光吸收能力。磁性测试则揭示HU21和HU22具有相似的反铁磁性行为。 展开更多
关键词 镍基配合物 双核单元 螺旋链 半导体材料 反铁磁性
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纳米二氧化钛复合半导体光催化抑制蓝藻生长 被引量:11
4
作者 尹海川 林强 +3 位作者 涂学炎 周丽娟 陈善娜 蔡晓兰 《昆明理工大学学报(理工版)》 2005年第1期52-56,共5页
利用纳米TiO2 掺杂不同比例WO3,ZnO ,Fe2 O3组成的复合半导体纳米材料在太阳光照射下进行光催化抑制蓝藻的实验研究 ,经对实验蓝藻的光合速率、呼吸速率和蓝藻叶绿素的吸光度的测定证明 ,掺杂纳米Fe2 O3/TiO2 和 1 5 %ZnO/TiO2 会促进... 利用纳米TiO2 掺杂不同比例WO3,ZnO ,Fe2 O3组成的复合半导体纳米材料在太阳光照射下进行光催化抑制蓝藻的实验研究 ,经对实验蓝藻的光合速率、呼吸速率和蓝藻叶绿素的吸光度的测定证明 ,掺杂纳米Fe2 O3/TiO2 和 1 5 %ZnO/TiO2 会促进蓝藻的生长 ,而掺杂 1 0 %和 5 %ZnO的纳米二氧化钛和WO3的纳米二氧化钛对蓝藻生长具有一定抑制作用 ,尤其掺杂 1 .5 %WO3和 5 %的ZnO的纳米TiO2 的蓝藻的光合速率和呼吸速率非常缓慢 ,蓝藻吸光度值显著降低 ,显微镜观察显示蓝藻细胞壁被破坏 ,对抑制蓝藻生长产生较好的效果 . 展开更多
关键词 纳米TIO2 复合半导体 光催化 蓝藻抑制
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CuAlS_2∶Ni^+晶体光谱和电子顺磁共振谱研究 被引量:2
5
作者 吴晓轩 郑文琛 刘虹刚 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期417-419,共3页
Ni+离子在三元化合物CuAlS2半导体中替代离子Cu+。应用晶体场理论,结合CuAlS2中Cu+位置的结构数据,计算了CuAlS2∶Ni+晶体的光谱和电子顺磁共振谱(g因子和超精细结构常数),计算结果与实验值符合得很好。
关键词 光谱 电子顺磁共振谱 晶体场理论 化合物半导体 Ni^+离子
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半导体复合氧化物气敏材料研究进展 被引量:7
6
作者 牛新书 杜卫平 蒋凯 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期737-740,共4页
综述了近几年半导体复合氧化物的发展,包括分类、气敏机理、制备方法等,对其发展趋势提出了一些看法。引用文献33篇。
关键词 半导体 复合氧化物 气敏材料
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罗丹明B合锌(Ⅱ)配合物的合成、分子结构与电性质研究 被引量:5
7
作者 张岐 王流芳 +1 位作者 林强 黄小荥 《分子科学学报》 CAS CSCD 2000年第4期193-201,共9页
合成了RB -Zn配合物 ,晶体结构分析结果表明配合物组成为 [Zn(RB) (OAc) 2 (H2 O) ] .晶体属单斜晶系、空间群为P2 1/n( #1 4) ,晶胞参数为a=1 .0 2 98( 2 )nm ,b =1 .890 1 ( 4 )nm ,c=1 .6660 ( 6)nm ;β =1 0 5.2 4 ( 3)° ;Z =4... 合成了RB -Zn配合物 ,晶体结构分析结果表明配合物组成为 [Zn(RB) (OAc) 2 (H2 O) ] .晶体属单斜晶系、空间群为P2 1/n( #1 4) ,晶胞参数为a=1 .0 2 98( 2 )nm ,b =1 .890 1 ( 4 )nm ,c=1 .6660 ( 6)nm ;β =1 0 5.2 4 ( 3)° ;Z =4 ,Dcal=1 .367g/cm3.研究了配合物的物质的量电导、IR和荧光光谱 ,同时对配体配合物的半导体行为进行了考察 . 展开更多
关键词 罗丹明B 锌配合物 晶体结构 半导体行为
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半导体复合氧化物的室温固相合成研究 被引量:1
8
作者 牛新书 刘艳丽 +1 位作者 徐甲强 蒋凯 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第10期8-9,13,共3页
以无机盐为原料 ,遵守热力学定律 ,室温下研磨 ,使反应物发生固相化学反应而合成CdSnO3 、ZnFe2 O4、CdFe2 O4等半导体复合氧化物的纳米粉体 ,用XRD、TEM测试手段对产物的物相和微观结构进行了表征和分析 ,结果表明 ,固相化学反应完全 ... 以无机盐为原料 ,遵守热力学定律 ,室温下研磨 ,使反应物发生固相化学反应而合成CdSnO3 、ZnFe2 O4、CdFe2 O4等半导体复合氧化物的纳米粉体 ,用XRD、TEM测试手段对产物的物相和微观结构进行了表征和分析 ,结果表明 ,固相化学反应完全 ,所得产物为理论产物 ,且平均粒径小于 10 0nm。 展开更多
关键词 复合氧化物 半导体 固相合成
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复合溶剂热法可控合成ZnO半导体纳米材料 被引量:2
9
作者 刘小娣 陈书阳 +1 位作者 闫家伟 李圣民 《南阳师范学院学报》 CAS 2010年第9期31-34,共4页
以无水甲醇-水为复合溶剂,以Zn(NO3)2.6H2O和NaOH为原料,采用复合溶剂热法制备出具有特殊形貌的ZnO半导体纳米材料(四脚针状、棒状和片状),利用X-射线粉末衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对产物的晶体结构和形貌进行表征.结果表明,通... 以无水甲醇-水为复合溶剂,以Zn(NO3)2.6H2O和NaOH为原料,采用复合溶剂热法制备出具有特殊形貌的ZnO半导体纳米材料(四脚针状、棒状和片状),利用X-射线粉末衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对产物的晶体结构和形貌进行表征.结果表明,通过简单地改变反应物比例和溶剂,可成功地实现ZnO纳米材料晶型和形貌的控制合成.研究了反应物比例和溶剂对ZnO形貌的影响,并对不同形貌ZnO纳米材料的形成机理进行了探讨. 展开更多
关键词 ZNO 半导体纳米材料 复合溶剂热法 可控合成
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窄线宽的外腔半导体激光器 被引量:10
10
作者 江鹏飞 赵伟瑞 +1 位作者 张静娟 谢福增 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期160-161,共2页
介绍了使用闪耀光栅作为光反馈元件 ,与原始线宽大于 12 0 0GHz的半导体激光器构成的Littrow型外腔半导体激光器 ,极大地改善了激光器的性能。实验得到了功率恒定、模式单一稳定、线宽优于 1.2MHz的激光输出 ,压窄线宽比为 10 6,并针对L... 介绍了使用闪耀光栅作为光反馈元件 ,与原始线宽大于 12 0 0GHz的半导体激光器构成的Littrow型外腔半导体激光器 ,极大地改善了激光器的性能。实验得到了功率恒定、模式单一稳定、线宽优于 1.2MHz的激光输出 ,压窄线宽比为 10 6,并针对Littrow型外腔结构提出了简洁。 展开更多
关键词 外腔半导体激光器 窄线宽 光反馈 复合腔
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MEMS、半导体和精密机械的超临界清洗技术 被引量:5
11
作者 张传杰 银建中 +1 位作者 胡大鹏 李惠荣 《清洗世界》 CAS 2007年第5期34-41,共8页
论述超临界流体清洗技术的研究现状和应用前景,结合现有的研究成果介绍超临界CO2清洗技术在微电子(MEMS)、半导体清洗、金属氧化物污染材料清洗、复杂零件清洗等方面的可行性和有效性,并对超临界CO2清洗工艺作了简要介绍。分析了当前清... 论述超临界流体清洗技术的研究现状和应用前景,结合现有的研究成果介绍超临界CO2清洗技术在微电子(MEMS)、半导体清洗、金属氧化物污染材料清洗、复杂零件清洗等方面的可行性和有效性,并对超临界CO2清洗工艺作了简要介绍。分析了当前清洗方法的问题和不足,指出了在这一领域今后进一步研究和开发急需解决的关键技术难题及可行性的解决方案。 展开更多
关键词 超临界流体清洗 微电子 半导体 金属氧化物 复杂零件 清洗工艺
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基于CPLD的半导体设备电源系统控制技术研究 被引量:1
12
作者 井海石 肖雅静 +1 位作者 田洪涛 熊朋 《电子工业专用设备》 2017年第2期47-51,共5页
研究基于CPLD的半导体设备电源系统控制技术,介绍了CPLD相关知识、电源系统控制原理、电源系统控制硬件软件设计及抗干扰技术,最后结合实际应用指出基于CPLD的电源控制技术具有广泛的应用前景。
关键词 复杂可编程逻辑器件 半导体设备 电源系统控制
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二苯羟基乙酸稀土配合物的合成表征及导电性质的研究
13
作者 杨正银 宋之刚 +3 位作者 杨生萍 王流芳 屈学敏 何凤英 《兰州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期87-94,共8页
合成了二苯羟基乙酸稀土固体配合物14种.元素分析表明配合物的组成为RE(DBA)3nH2O(DBA=Ph2C(OH)COO-,RE(Ⅲ)=La~Yb,Y,n=4~6).通过红外、紫外和核磁共振谱等对配合物的结构进行了... 合成了二苯羟基乙酸稀土固体配合物14种.元素分析表明配合物的组成为RE(DBA)3nH2O(DBA=Ph2C(OH)COO-,RE(Ⅲ)=La~Yb,Y,n=4~6).通过红外、紫外和核磁共振谱等对配合物的结构进行了表征.此外对La、Pr、Gd、Dy和Y5种配合物的导电性质进行了研究。 展开更多
关键词 二苯羟基乙酸 配合物 导电性 稀土元素
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电子级Ⅲ族金属有机化合物的制备与应用进展
14
作者 陈飞彪 谢贤清 +1 位作者 刘德永 郭晓红 《江西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2021年第4期426-431,共6页
该文介绍了Ⅱ族、Ⅲ族金属有机化合物的合成方法、性质及其应用领域,特别对当前应用广泛的电子级Ⅲ族金属有机化合物的提纯方法做了系统介绍,指出目前电子级Ⅲ族金属有机化合物在应用过程中存在的不足及需改进的方向.重点阐述了迭氮类... 该文介绍了Ⅱ族、Ⅲ族金属有机化合物的合成方法、性质及其应用领域,特别对当前应用广泛的电子级Ⅲ族金属有机化合物的提纯方法做了系统介绍,指出目前电子级Ⅲ族金属有机化合物在应用过程中存在的不足及需改进的方向.重点阐述了迭氮类Ⅲ族金属有机化合物在MOCVD技术的未来应用中的优势及其研究进展,展望了电子级Ⅲ族金属有机化合物对于促进半导体技术科技进步的重要意义和需要进一步研究发展的方向. 展开更多
关键词 电子级金属有机化合物 制备方法 化合物半导体 配合物提纯技术
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基于复杂可编程逻辑器件的高速数据采集系统
15
作者 潘志强 李演仁 《电子元器件应用》 2004年第6期8-9,41,共3页
高速数据采集广泛应用于仪器仪表和数字信号处理中,在雷达系统中也得到大量的应用。从数据采集在雷达中的应用出发,介绍一种高速数据采集系统的设计。该电路采用ALTERA 公司的复杂可编程逻辑器件(CPLD)和TI公司的高速通用模/数转换器件... 高速数据采集广泛应用于仪器仪表和数字信号处理中,在雷达系统中也得到大量的应用。从数据采集在雷达中的应用出发,介绍一种高速数据采集系统的设计。该电路采用ALTERA 公司的复杂可编程逻辑器件(CPLD)和TI公司的高速通用模/数转换器件,数据采集速率高,可达20MS/s,数据精度为8位。该系统的可靠性高、通用性强,可广泛应用在其他需要数据采集的系统中。 展开更多
关键词 数据采集 模/数转换器 复杂可编程逻辑器件 半导体器件
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窄带ASE注入分布反馈式半导体激光器产生混沌光实验研究 被引量:1
16
作者 王龙 王安帮 +3 位作者 李璞 赵彤 徐航 王云才 《中国科技论文》 CAS 北大核心 2013年第7期607-612,625,共7页
利用窄带的放大自发辐射作为外部光源扰动分布反馈式半导体激光器,使其实现混沌态输出。基于对实验数据标准化香农熵和峰峰值的计算,分析了注入强度对产生混沌信号的复杂度和幅值的影响,并与采用连续光注入分布反馈式半导体激光器生成... 利用窄带的放大自发辐射作为外部光源扰动分布反馈式半导体激光器,使其实现混沌态输出。基于对实验数据标准化香农熵和峰峰值的计算,分析了注入强度对产生混沌信号的复杂度和幅值的影响,并与采用连续光注入分布反馈式半导体激光器生成的混沌信号做对比研究。研究表明,同样条件下,采用窄带的放大自发辐射扰动激光器产生混沌信号,容许的注入参数范围更广,所生成的混沌信号的复杂度更高,幅值更大。 展开更多
关键词 激光光学 半导体激光器 混沌 复杂度 排列熵
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外推法测定半导体材料的折射率 被引量:1
17
作者 夏辰安 宣昆 +1 位作者 陆申龙 马秀芳 《物理实验》 北大核心 2004年第1期46-48,共3页
利用半导体激光器 ,根据菲涅耳公式及折射定律 。
关键词 半导体材料 外推法 复折射率 菲涅耳公式 消光系数
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Nd_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3热敏和气敏性质的研究 被引量:2
18
作者 程英芳 任玉芳 王宏 《传感技术学报》 CAS CSCD 1990年第1期26-30,共5页
本文研究了稀土复合氧化物Ln_(0.5)Sr_(0.5)CoO_8(Ln=La,Nd)敏感材料的制备.用X-射线测定了它们的晶体结构,用电子扫描显微镜测定了它们的结晶粒度、孔隙度,并制成了敏感元件.测量了它们的热敏、气敏性质,计算了活化能,还讨论了烧结时... 本文研究了稀土复合氧化物Ln_(0.5)Sr_(0.5)CoO_8(Ln=La,Nd)敏感材料的制备.用X-射线测定了它们的晶体结构,用电子扫描显微镜测定了它们的结晶粒度、孔隙度,并制成了敏感元件.测量了它们的热敏、气敏性质,计算了活化能,还讨论了烧结时间对结晶粒度和气敏性的相互影响. 展开更多
关键词 Nd0.5Sr0.5CoO3 传感器 半导体复合氧化物
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基于USB的高分辨率CMOS图像采集系统研究
19
作者 刘鹏飞 韩九强 +1 位作者 李国朝 杨燕华 《组合机床与自动化加工技术》 2007年第6期1-4,共4页
设计并实现了一种数字图像采集系统,系统采用CMOS芯片MCM20027采集图像,在CPLD的时序控制下,通过USB2.0设备接口芯片CY7C68013来传输图像,然后在上位机进行处理。论文给出了此系统的软、硬件模块具体设计方法。实践表明,此款图像采集系... 设计并实现了一种数字图像采集系统,系统采用CMOS芯片MCM20027采集图像,在CPLD的时序控制下,通过USB2.0设备接口芯片CY7C68013来传输图像,然后在上位机进行处理。论文给出了此系统的软、硬件模块具体设计方法。实践表明,此款图像采集系统即插即用、分辨率高、图像刷新频率高、图像质量好。 展开更多
关键词 CMOS 图像传感器 USB2.0 CPLD
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“技术突破创新”与“智造转型”何以兼得:基于京东方复杂产品系统的纵向案例研究 被引量:2
20
作者 赵林汐 邵云飞 +1 位作者 陈燕萍 王思梦 《中国软科学》 CSSCI CSCD 北大核心 2024年第11期161-171,共11页
我国复杂产品系统技术突破创新取得长足进展,却常受制于智造转型不足带来的问题。对京东方半导体生产线复杂产品系统进行探索性案例分析,发现数字化制造贯穿转型全过程,网络化制造后期以平台赋能为主,与智能化制造融合较深,智造转型与... 我国复杂产品系统技术突破创新取得长足进展,却常受制于智造转型不足带来的问题。对京东方半导体生产线复杂产品系统进行探索性案例分析,发现数字化制造贯穿转型全过程,网络化制造后期以平台赋能为主,与智能化制造融合较深,智造转型与技术突破创新呈现长期动态耦合状态。 展开更多
关键词 智能制造 复杂产品系统 动态能力理论 半导体生产线 技术发展路径
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