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ULSI Cu互连CoSiN扩散阻挡薄膜的研究
1
作者
张在玉
陈秀华
韩永强
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012年第1期33-38,共6页
CoSiN薄膜可以作为超大规模集成电路Cu布线互连材料使用。利用磁控溅射技术制备了CoSiN/Cu/CoSiN/SiO2/Si薄膜,利用四探针测试仪、薄膜测厚仪、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪等来检测多层膜电阻率、薄膜厚度、表面形貌、元素含量及...
CoSiN薄膜可以作为超大规模集成电路Cu布线互连材料使用。利用磁控溅射技术制备了CoSiN/Cu/CoSiN/SiO2/Si薄膜,利用四探针测试仪、薄膜测厚仪、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪等来检测多层膜电阻率、薄膜厚度、表面形貌、元素含量及价态等。考察亚45 nm级工艺条件下CoSiN薄膜对Cu的扩散阻挡性能。实验结果表明,在氩气气氛条件下经500℃,30 min热退火处理后多层膜的电阻率和成分没有发生明显变化,CoSiN薄膜能够保持良好的铜扩散阻挡性能;经600℃,30 min热退火处理后,Cu大量出现在表面,CoSiN薄膜对Cu失去扩散阻挡性能。
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关键词
cosin
磁控溅射
热退火:互连阻挡层
cosin/cu/cosin/sio2/si
原文传递
Cu在CoN和CoSiN薄膜中的扩散研究
被引量：
1
2
作者
张在玉
陈秀华
《怀化学院学报》
2013年第5期27-32,共6页
利用磁控溅射的方法在n型硅基底制备了Cu／CoN／Si（100）和Cu／CoSiN／Si（100）薄膜，并对它们进行了不同温度的退火．用原子力显微镜观察了它们的表面形貌．用扫描透射电镜能谱分析法得到了在不同退火温度下铜在上面两种薄膜中浓度...
利用磁控溅射的方法在n型硅基底制备了Cu／CoN／Si（100）和Cu／CoSiN／Si（100）薄膜，并对它们进行了不同温度的退火．用原子力显微镜观察了它们的表面形貌．用扫描透射电镜能谱分析法得到了在不同退火温度下铜在上面两种薄膜中浓度与表面距离的分布，然后利用菲克第二定律对Cu／CoN／Si和Cu／CoSiN／Si体系中cu的扩散进行了计算和分析，得出中温条件（300℃-700℃）下Cu在CoN和CoSiN两种薄膜中的扩散系数表达式分别为8．98×10^-13exp（-0．45eV／kT）cHf／s和5．39×10^-11exp（-0．49eV／kT）Cm2／s．
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关键词
磁控溅射
热退火
cu
CON
si
(100)和
cu
cosin
si
(100)薄膜
扩散系数
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职称材料
Cu/Ta/SiO2/Si多层膜纳米压痕与压痕下微观结构的研究
3
作者
卢茜
吴子景
+2 位作者
吴晓京
Weidian Shen
蒋宾
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2008年第4期282-286,共5页
Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构是目前集成电路制造工艺中的常见结构,其硬度与弹性模量通过纳米压入技术测得。为了表征纳米压痕下的形变微观区域,采用聚焦离子束加工出压痕截面,同时进行扫描电子、扫描离子显微观察,发现样品衬底发生开裂,多...
Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构是目前集成电路制造工艺中的常见结构,其硬度与弹性模量通过纳米压入技术测得。为了表征纳米压痕下的形变微观区域,采用聚焦离子束加工出压痕截面,同时进行扫描电子、扫描离子显微观察,发现样品衬底发生开裂,多层膜结构出现分层现象。TEM分析表明分层出现在Ta/SiO2界面,说明这是该结构的一个薄弱环节。
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关键词
cu/
Ta
/sio
2
/si
多层膜结构
纳米压入技术
压痕下微观结构
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职称材料
TiN/Ti/SiO_2/Si基板的分电极酸性化学镀铜
4
作者
温锦生
刘超
+1 位作者
钟声
杨志刚
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期324-328,共5页
讨论了对TiNi/Ti/SiO2/Si基板在HF+CuSO4中采用分离双电极方法的化学酸性镀铜。Si基板和TiNi/Ti/SiO2/Si基板分别作为化学镀的阳极和阴极,在开路条件下进行化学镀。最佳化学镀反应条件为电极相距0.5mm,[HF]和[CuSO4]大于8%(质量分数)和0...
讨论了对TiNi/Ti/SiO2/Si基板在HF+CuSO4中采用分离双电极方法的化学酸性镀铜。Si基板和TiNi/Ti/SiO2/Si基板分别作为化学镀的阳极和阴极,在开路条件下进行化学镀。最佳化学镀反应条件为电极相距0.5mm,[HF]和[CuSO4]大于8%(质量分数)和0.045mol/L。最后得到覆盖率高、晶粒大小均一、结构致密、具有<111>择优取向的Cu膜,且Cu膜中不含Cu2O,降低了电阻率。
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关键词
分电极酸性化学镀
cu
基板
TiN/Ti
/sio
2
/si
基板
集成电路
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职称材料
题名
ULSI Cu互连CoSiN扩散阻挡薄膜的研究
1
作者
张在玉
陈秀华
韩永强
机构
云南大学物理科学技术学院材料科学与工程系
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012年第1期33-38,共6页
基金
云南省自然科学基金资助项目(2007E002M)
文摘
CoSiN薄膜可以作为超大规模集成电路Cu布线互连材料使用。利用磁控溅射技术制备了CoSiN/Cu/CoSiN/SiO2/Si薄膜,利用四探针测试仪、薄膜测厚仪、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪等来检测多层膜电阻率、薄膜厚度、表面形貌、元素含量及价态等。考察亚45 nm级工艺条件下CoSiN薄膜对Cu的扩散阻挡性能。实验结果表明,在氩气气氛条件下经500℃,30 min热退火处理后多层膜的电阻率和成分没有发生明显变化,CoSiN薄膜能够保持良好的铜扩散阻挡性能;经600℃,30 min热退火处理后,Cu大量出现在表面,CoSiN薄膜对Cu失去扩散阻挡性能。
关键词
cosin
磁控溅射
热退火:互连阻挡层
cosin/cu/cosin/sio2/si
Keywords
cosin
magnetic sputtering
thermal annealing
interconnection barrier layer
cosin/cu/cosin/sio2/si
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
Cu在CoN和CoSiN薄膜中的扩散研究
被引量：
1
2
作者
张在玉
陈秀华
机构
安顺学院物理与电子科学系
云南大学材料科学与工程系
出处
《怀化学院学报》
2013年第5期27-32,共6页
文摘
利用磁控溅射的方法在n型硅基底制备了Cu／CoN／Si（100）和Cu／CoSiN／Si（100）薄膜，并对它们进行了不同温度的退火．用原子力显微镜观察了它们的表面形貌．用扫描透射电镜能谱分析法得到了在不同退火温度下铜在上面两种薄膜中浓度与表面距离的分布，然后利用菲克第二定律对Cu／CoN／Si和Cu／CoSiN／Si体系中cu的扩散进行了计算和分析，得出中温条件（300℃-700℃）下Cu在CoN和CoSiN两种薄膜中的扩散系数表达式分别为8．98×10^-13exp（-0．45eV／kT）cHf／s和5．39×10^-11exp（-0．49eV／kT）Cm2／s．
关键词
磁控溅射
热退火
cu
CON
si
(100)和
cu
cosin
si
(100)薄膜
扩散系数
Keywords
magnetic sputtering
thermal annealing
thin films of
cu/
CoN
/si
and
cu/
cosin/
si
diffu
sio
n coefficient
分类号
TG14 [金属学及工艺—金属材料]
在线阅读
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职称材料
题名
Cu/Ta/SiO2/Si多层膜纳米压痕与压痕下微观结构的研究
3
作者
卢茜
吴子景
吴晓京
Weidian Shen
蒋宾
机构
复旦大学材料科学系
复旦大学微纳米电子平台
东密歇根州大学天文物理系
上海集成电路R&D中心
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2008年第4期282-286,共5页
基金
上海市科委资助项目(No.0552nm049)
上海市重点学科建设项目资助(No.:B113)
文摘
Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构是目前集成电路制造工艺中的常见结构,其硬度与弹性模量通过纳米压入技术测得。为了表征纳米压痕下的形变微观区域,采用聚焦离子束加工出压痕截面,同时进行扫描电子、扫描离子显微观察,发现样品衬底发生开裂,多层膜结构出现分层现象。TEM分析表明分层出现在Ta/SiO2界面,说明这是该结构的一个薄弱环节。
关键词
cu/
Ta
/sio
2
/si
多层膜结构
纳米压入技术
压痕下微观结构
Keywords
cu/
Ta
/sio
2
/si
multilayer
nanoindentation
microstructure of the indent
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
TiN/Ti/SiO_2/Si基板的分电极酸性化学镀铜
4
作者
温锦生
刘超
钟声
杨志刚
机构
清华大学
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期324-328,共5页
文摘
讨论了对TiNi/Ti/SiO2/Si基板在HF+CuSO4中采用分离双电极方法的化学酸性镀铜。Si基板和TiNi/Ti/SiO2/Si基板分别作为化学镀的阳极和阴极,在开路条件下进行化学镀。最佳化学镀反应条件为电极相距0.5mm,[HF]和[CuSO4]大于8%(质量分数)和0.045mol/L。最后得到覆盖率高、晶粒大小均一、结构致密、具有<111>择优取向的Cu膜,且Cu膜中不含Cu2O,降低了电阻率。
关键词
分电极酸性化学镀
cu
基板
TiN/Ti
/sio
2
/si
基板
集成电路
Keywords
acid-based chemical plating
cu
substrate
TiNi/Ti
/sio
2
/si
substrate
IC
分类号
TG174.4 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ULSI Cu互连CoSiN扩散阻挡薄膜的研究
张在玉
陈秀华
韩永强
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012
0
原文传递
2
Cu在CoN和CoSiN薄膜中的扩散研究
张在玉
陈秀华
《怀化学院学报》
2013
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
Cu/Ta/SiO2/Si多层膜纳米压痕与压痕下微观结构的研究
卢茜
吴子景
吴晓京
Weidian Shen
蒋宾
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2008
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
TiN/Ti/SiO_2/Si基板的分电极酸性化学镀铜
温锦生
刘超
钟声
杨志刚
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
在线阅读
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职称材料
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