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基于NMR与CMP实验的致密砂岩孔喉结构表征方法
1
作者 李浩 樊志强 +5 位作者 谢雨芯 巩肖可 郝博斐 孙龙 雷小兰 闫健 《地质科技通报》 北大核心 2025年第1期25-35,共11页
致密砂岩储层孔隙结构复杂、纳米孔隙发育,需集成多种技术对孔隙结构进行综合表征,以更好地认识储层。在优选6块延长组长71储层代表性岩心基础上,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、恒速压汞(CMP)和核磁共振(NMR)等方法,研究了岩心样品... 致密砂岩储层孔隙结构复杂、纳米孔隙发育,需集成多种技术对孔隙结构进行综合表征,以更好地认识储层。在优选6块延长组长71储层代表性岩心基础上,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、恒速压汞(CMP)和核磁共振(NMR)等方法,研究了岩心样品的孔隙类型及结构特征。采用CMP数据对NMR孔隙分布进行了修正,识别了喉道半径与孔隙半径的分布范围,建立了适用于致密砂岩的孔隙半径分类方法。研究结果表明,目标储层可动水与不可动水孔隙度之比仅为0.14~0.47,渗流能力差。将NMR与CMP数据相结合可精确识别出目标储层喉道半径中值为0.151~0.525μm,孔隙半径中值为4.38~9.76μm。孔隙内赋存水类型分为可动水、束缚水和黏土结合水,对应的饱和度平均值分别为23.4%、14.8%和9.4%。微小孔(T_(2)<T_(2c1))、中孔(T_(2c1)<T_(2)<T_(2c2))和大孔(T_(2c2)<T_(2))的平均孔隙度分别为3.12%、3.42%和1.35%。孔喉半径r_(2c1)可作为储层渗流能力划分的评价指标,r_(2c1)的降低会导致微小孔(即吸附孔)孔隙度的降低,以及中孔和大孔(即渗流孔)孔隙度的增加。研究成果为优选致密砂岩优质储层,提高致密油采收率提供了参考和借鉴。 展开更多
关键词 致密砂岩 孔隙结构 孔径分布 喉道 恒速压汞(CMP) 核磁共振(NMP)
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研磨和抛光参数对(001)面β-Ga_(2)O_(3)单晶衬底表面质量的影响
2
作者 高飞 王英民 +3 位作者 程红娟 张嵩 董增印 辛倩 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期915-921,共7页
衬底的表面质量对卤化物气相外延(HVPE)法生长的同质外延薄膜的质量至关重要。研究了(001)面β-Ga_(2)O_(3)单晶衬底研磨和抛光工艺中研磨盘材质、研磨压力、抛光垫种类等参数对材料去除速率(v_(R))、表面粗糙度(R_(a))和表面质量的影... 衬底的表面质量对卤化物气相外延(HVPE)法生长的同质外延薄膜的质量至关重要。研究了(001)面β-Ga_(2)O_(3)单晶衬底研磨和抛光工艺中研磨盘材质、研磨压力、抛光垫种类等参数对材料去除速率(v_(R))、表面粗糙度(R_(a))和表面质量的影响。实验结果表明,采用树脂铜盘、树脂锡盘和SUBA800抛光垫配合3μm粒径的多晶金刚石液研磨,均可以实现塑性域去除,v_(R)分别为3.13、1.23、0.25μm/min,R_(a)分别为16.2、13.2和7.81 nm。在化学机械抛光(CMP)过程中,抛光垫的物性参数直接影响v_(R)和表面质量,采用阻尼布可以实现R_(a)小于0.2 nm、无亚表面损伤的原子级平整表面。采用此衬底进行HVPE法生长的同质外延薄膜形貌均匀,未发现加工相关的缺陷。 展开更多
关键词 (001)面β-Ga_(2)O_(3) 原子级平整 表面粗糙度 材料去除速率 化学机械抛光(CMP)
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磨料对集成电路CMP工艺质量的影响
3
作者 张海磊 谢亚伟 《时代汽车》 2025年第21期130-132,共3页
CMP技术通过化学腐蚀与机械研磨协同作用实现晶圆表面纳米级平坦化,广泛应用于集成电路制造及先进封装领域。抛光设备、抛光垫和抛光液是决定抛光质量的三大关键要素。磨料为抛光液的核心成分之一,直接影响抛光速率和质量。文章阐述了... CMP技术通过化学腐蚀与机械研磨协同作用实现晶圆表面纳米级平坦化,广泛应用于集成电路制造及先进封装领域。抛光设备、抛光垫和抛光液是决定抛光质量的三大关键要素。磨料为抛光液的核心成分之一,直接影响抛光速率和质量。文章阐述了集成电路CMP工艺中磨料的作用,生产中常用的磨料种类、典型案例,分析了选择磨料的原则,通过案例,深入讨论了磨料对于CMP质量的影响。 展开更多
关键词 集成电路 CMP 磨料
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交易特性、农户销售渠道选择与增收效应 被引量：3
4
作者 冷伯阳 韩一军 陈景帅 《中国流通经济》 北大核心 2025年第4期30-41,共12页
深化多渠道产销协作是促进农户增收的关键,探讨农户销售渠道选择的驱动因素及其增收效应,对畅通农产品流通渠道、保障农户种植收益具有重要意义。基于黄淮海5个小麦主产省的微观调研数据,运用Oprobit模型、条件混合处理(CMP)模型和中介... 深化多渠道产销协作是促进农户增收的关键,探讨农户销售渠道选择的驱动因素及其增收效应,对畅通农产品流通渠道、保障农户种植收益具有重要意义。基于黄淮海5个小麦主产省的微观调研数据,运用Oprobit模型、条件混合处理(CMP)模型和中介效应模型,分析交易特性对小麦种植户销售渠道选择的影响及由此导致的农户种植收益差异。研究发现,交易特性对农户销售渠道选择具有显著影响,资产专用性提高、交易频率及生产不确定性增加促使农户选择组织化程度及利益联结程度较高的销售渠道;在考虑内生性问题后,与粮食经纪人销售渠道相比,收储点、合作社和加工企业销售渠道均能提高农户种植收益,且加工企业销售渠道的增收作用最大;从农户禀赋来看,收储点、加工企业销售渠道的增收作用在农地经营规模较大、受教育程度较高农户中更加明显。收储点销售渠道通过提高销售价格、合作社销售渠道通过统一提供生产资料来提高农户种植收益,而加工企业销售渠道可以通过上述两种途径促进农户增收。因此,应提高专用性资产和人力资本水平,促进农户规模化、专业化经营,以提升农户的市场交易能力和交易地位;着力提高销售渠道关系稳定性,充分发挥合作社、加工企业的联农带农作用,进一步拓宽和优化农产品销售渠道,保障农户获取更多的产业增值收益。 展开更多
关键词 交易特性 销售渠道选择 种植收益 多元有序Probit模型 CMP估计法
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基于QbD理念优化胶束毛细管电泳检测肺炎球菌多糖结合物原液中游离载体蛋白含量的方法
5
作者 何静 张涛 +2 位作者 陈思 刘威 蔡峰 《药物分析杂志》 北大核心 2025年第11期1929-1939,共11页
目的:基于质量源于设计(quality by design,QbD)理念,优化检测肺炎球菌多糖结合物原液中游离载体蛋白破伤风类毒素(tetanus toxoid,TT)含量的胶束毛细管电泳法(MEKC法)。方法:以33 cm(有效长度24.5 cm)×50µm未涂渍熔融石英毛... 目的:基于质量源于设计(quality by design,QbD)理念,优化检测肺炎球菌多糖结合物原液中游离载体蛋白破伤风类毒素(tetanus toxoid,TT)含量的胶束毛细管电泳法(MEKC法)。方法:以33 cm(有效长度24.5 cm)×50µm未涂渍熔融石英毛细管为分离柱,于200 nm波长下检测。采用线性模型(linear models)筛选关键方法参数(CMPs),再用中心复合表面设计模型(central composite design,CCD)对4个CMPs(分离电压、进样时间、硼酸盐浓度、缓冲液的pH)进行优化,以分离度、TT的峰面积和峰高为分析方法目标,建立CMPs的设计空间。结果:确定了CMPs的最优检测条件:以50×10^(-3)mol·L^(-1)硼酸盐-SDS缓冲液(pH 9.0)为电泳介质,UV检测波长200 nm,进样时间为5 s,电泳电压为8.5 kV。方法验证结果显示,该方法专属性、精密度、准确度良好,TT质量浓度在5~100 mg·L^(-1)范围内与峰面积呈良好的线性关系,相关系数为0.9999;TT的定量限为5 mg·L^(-1),检测限为2 mg·L^(-1);加样回收率在90%~110%内;重复性RSD≤10%,精密度RSD≤10%。结论:本文将QbD理念运用于疫苗制品的质量研究中,获得了稳健可靠的游离TT含量测定方法,为科学制定疫苗产品质量标准奠定基础。 展开更多
关键词 QbD理念 胶束毛细管电泳法(MEKC法) 破伤风类毒素(TT) 游离蛋白 关键方法参数(cmps)
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砷化镓化学机械抛光中的摩擦化学去除机理研究
6
作者 高健 任兴云 +5 位作者 梁德旭 张宏林 周怀诚 江亮 余丙军 钱林茂 《中国表面工程》 北大核心 2025年第5期99-106,共8页
化学机械抛光是实现砷化镓原子级精度表面加工的关键技术,其对材料去除的过程由摩擦化学作用主导。因此深入研究化学机械抛光中摩擦化学去除机理,有助于其加工表面质量的提升。借助原子力显微镜分别在酸性环境(pH值约为4)、中性环境(pH... 化学机械抛光是实现砷化镓原子级精度表面加工的关键技术,其对材料去除的过程由摩擦化学作用主导。因此深入研究化学机械抛光中摩擦化学去除机理,有助于其加工表面质量的提升。借助原子力显微镜分别在酸性环境(pH值约为4)、中性环境(pH值约为7)、碱性环境(pH值约为10)下利用二氧化硅微球针尖对砷化镓表面在进行纳米磨损试验。采用透射电子显微镜对材料去除区域进行表征,同时结合密度泛函理论计算阐明化学机械抛光中的原子去除机制。试验结果表明,碱性环境下,砷化镓表面材料去除最为严重。透射电子显微镜分析结果显示材料去除区域晶格结构完整,表明摩擦化学反应占主导地位。密度泛函理论计算表明,碱性环境中的界面电荷转移最为明显,也表明OH-通过促进Si-O-Ga键桥形成和削弱Ga-As键的强度导致材料发生去除。研究结论还可为优化其他二元材料的化学机械抛光工艺提供指导。 展开更多
关键词 摩擦化学 砷化镓(GaAs) 化学机械抛光(CMP) 密度泛函理论(DFT) 原子力显微镜(AFM) pH
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数字素养对农户种植结构的影响
7
作者 张超振 刘新仪 +1 位作者 赵凯 白雯月 《中国农机化学报》 北大核心 2025年第11期344-351,共8页
随着数字化对乡村地区的渗透,探究数字素养如何影响农户种植结构,对于实现国家粮食安全战略具有重要意义。基于中国土地经济调查的1 223份农户数据,通过基准回归模型、IV—OLS模型、CMP模型等方法分析数字素养对农户种植结构的影响及作... 随着数字化对乡村地区的渗透,探究数字素养如何影响农户种植结构,对于实现国家粮食安全战略具有重要意义。基于中国土地经济调查的1 223份农户数据,通过基准回归模型、IV—OLS模型、CMP模型等方法分析数字素养对农户种植结构的影响及作用机理。整体上看,数字素养对农户非粮化种植结构调整有显著促进作用。异质性分析表明,相比于高经济资源禀赋农户,数字信息获取素养和数字社交沟通素养抑制低经济资源禀赋农户非粮化种植结构调整,数字资源利用素养推动低经济资源禀赋农户非粮化种植结构调整;相比于低文化资源禀赋农户,数字信息获取素养和数字社交沟通素养抑制高文化资源禀赋农户非粮化种植结构调整;相比于低社会资源禀赋农户,数字信息获取素养和数字农业技术素养抑制高社会资源禀赋农户非粮化种植结构调整。最后,提出加强农户数字素养培训、提高农户数字农技应用能力和充分认识数字素养对农户种植结构调整的影响等建议。 展开更多
关键词 农户 数字素养 种植结构 CMP模型 资源禀赋
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4H-SiC外延层高密度Σ形基平面位错成因研究
8
作者 尹浩田 薛宏伟 +2 位作者 吴会旺 李召永 杜国杰 《微纳电子技术》 2025年第7期38-44,共7页
在4°斜切的6英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC衬底上生长了约12μm厚的同质外延层,利用化学机械抛光(CMP)的方法对外延层进行逐层剥离。通过光致发光(PL)测试观察Σ形基平面位错(BPD)在外延层中的位置及深度分布。对同晶体临近衬底进行KO... 在4°斜切的6英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC衬底上生长了约12μm厚的同质外延层,利用化学机械抛光(CMP)的方法对外延层进行逐层剥离。通过光致发光(PL)测试观察Σ形基平面位错(BPD)在外延层中的位置及深度分布。对同晶体临近衬底进行KOH腐蚀,使用光学显微镜观察并统计了衬底中BPD密度。结合衬底平整度测试,分析了外延层中高密度BPD的形成原因。最后,在CMP后残留了2.53μm厚外延层的晶圆上进行了相同掺杂浓度的二次外延,并对晶圆进行PL测试并观察BPD的变化情况。结果表明,BPD在衬底上方接近3μm的位置滑移成核,衬底中BPD的密度是影响外延层中Σ形BPD数量的主要因素。晶圆翘曲度会在一定程度上影响温度梯度,从而对BPD的形成产生影响。因此,控制衬底中心区域的BPD密度和晶圆翘曲度有助于减少Σ形BPD的形成,进而有助于提高SiC器件的性能和可靠性。 展开更多
关键词 4H-SIC 基平面位错(BPD) 半环阵列(HLA) 同质外延 化学机械抛光(CMP)
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半导体芯片CMP终点检测技术发展态势与我国发展对策研究
9
作者 汪娅骅 张浩 +1 位作者 马晓迪 张曼丽 《中国发明与专利》 2025年第S1期6-15,共10页
[目的/意义]本文分析半导体芯片CMP终点检测技术专利申请态势、创新主体的竞争状况以及该领域技术开发方向,有助于为国内创新主体技术发展和专利布局提供参考。[方法/过程]本文通过CMP终点检测技术相关中英文关键词结合国际专利分类号... [目的/意义]本文分析半导体芯片CMP终点检测技术专利申请态势、创新主体的竞争状况以及该领域技术开发方向,有助于为国内创新主体技术发展和专利布局提供参考。[方法/过程]本文通过CMP终点检测技术相关中英文关键词结合国际专利分类号进行全球专利检索,对检索结果进行研究分析。[结果/结论]结果显示,CMP终点检测技术近年处于快速发展时期,尤其是中国专利申请保持持续增长的势头,有很好的发展潜力,我国创新主体需要加强海外专利布局,不断开展技术的创新和研发。 展开更多
关键词 CMP 专利申请 专利布局 技术路线
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单晶金刚石抛光工艺研究进展
10
作者 王青青 佘丁顺 鲁占灵 《超硬材料工程》 2025年第4期37-43,共7页
单晶金刚石以其优异的硬度、热导率和光学透过性,在众多科技领域中具有重要应用。要充分利用这些性能优势,对金刚石表面质量的要求极为严格,这使得金刚石的抛光工艺成为研究热点。本文综述了单晶金刚石抛光工艺的研究进展,重点讨论了化... 单晶金刚石以其优异的硬度、热导率和光学透过性,在众多科技领域中具有重要应用。要充分利用这些性能优势,对金刚石表面质量的要求极为严格,这使得金刚石的抛光工艺成为研究热点。本文综述了单晶金刚石抛光工艺的研究进展,重点讨论了化学机械抛光(CMP)、热力学抛光和超声波抛光等主要技术的原理、方法及其优化策略。探讨了新型抛光材料和技术的研究进展,指出了当前研究中存在的挑战,并对未来研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 单晶金刚石 抛光工艺 化学机械抛光(CMP) 热力学抛光 超声波抛光
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集成电路CMP中金属腐蚀复配缓蚀剂的研究进展
11
作者 武峥 牛新环 +4 位作者 何潮 董常鑫 李鑫杰 胡槟 李佳辉 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期1-9,共9页
在化学机械抛光(CMP)过程中,集成电路金属多层布线因受抛光液中化学试剂的腐蚀而经常导致表面缺陷的出现。将两种及以上能够产生协同缓蚀效果的化学试剂复配可以得到较单一试剂更强的缓蚀性能。介绍了多试剂协同腐蚀抑制的机理,总结了... 在化学机械抛光(CMP)过程中,集成电路金属多层布线因受抛光液中化学试剂的腐蚀而经常导致表面缺陷的出现。将两种及以上能够产生协同缓蚀效果的化学试剂复配可以得到较单一试剂更强的缓蚀性能。介绍了多试剂协同腐蚀抑制的机理,总结了国内外多试剂协同中两种缓蚀剂、表面活性剂与缓蚀剂、两种表面活性剂的复配协同在集成电路CMP金属腐蚀抑制应用中的研究进展,并延伸到碳钢金属等防腐领域,最后对CMP领域中多试剂协同抑制的发展进行了展望。 展开更多
关键词 缓蚀剂 表面活性剂 化学机械抛光(CMP) 协同作用 金属腐蚀抑制
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嘧啶提高多晶硅CMP去除速率的机理研究
12
作者 张潇 周建伟 +4 位作者 杨云点 罗翀 栾晓东 邵祥清 李瑾 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第1期103-109,共7页
为了提高多晶硅去除速率,从化学作用和机械作用两个方面揭示嘧啶在多晶硅表面的影响机理。一方面,X射线光电子能谱实验表明嘧啶的加入在多晶硅表面产生吸附,促进了Si-Si键的极化断裂以及Si-O键的形成,加速了多晶硅表面软质层的形成以及... 为了提高多晶硅去除速率,从化学作用和机械作用两个方面揭示嘧啶在多晶硅表面的影响机理。一方面,X射线光电子能谱实验表明嘧啶的加入在多晶硅表面产生吸附,促进了Si-Si键的极化断裂以及Si-O键的形成,加速了多晶硅表面软质层的形成以及机械作用对其的去除。另一方面,Zeta电位、摩擦力、温度数据表明嘧啶水解产生的嘧啶阳离子降低了SiO2磨料之间的静电斥力,导致表面间的摩擦力增大,加强了机械作用;同时温度升高加快了CMP过程中化学反应的速率,从而促进了化学反应的进行。因此,嘧啶的加入既提高了化学作用,也加强了机械作用,使多晶硅去除速率提高了约2.8倍。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 多晶硅 嘧啶 去除速率
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芯片化学机械抛光中磨料技术研究进展
13
作者 马家辉 程洁 +1 位作者 陈金池 简雷铸 《中国表面工程》 北大核心 2025年第5期34-59,共26页
芯片作为数字经济的基石,朝着集成化、低功耗化、智能化、功能化方向发展。化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)是实现芯片表面超光滑、无缺陷的全局和局部平坦化制造的关键使能技术。抛光液中的磨料是化学和机械作用协同... 芯片作为数字经济的基石,朝着集成化、低功耗化、智能化、功能化方向发展。化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)是实现芯片表面超光滑、无缺陷的全局和局部平坦化制造的关键使能技术。抛光液中的磨料是化学和机械作用协同实施的“桥梁”,是CMP实现多种材料高效率、原子级光滑制造的关键,成为抛光液研究的重要一环。人们致力于开发用于芯片制造的高性能磨料,并取得了长足的进步。首先介绍了磨料在CMP材料去除中的作用机理和对抛光性能的影响,总结了典型磨料如SiO_(2)、Al_(2)O_(3)、CeO_(2)和金刚石在芯片CMP中的相关研究进展,重点介绍了不同种类磨料在CMP中的应用和改性策略。此外,还讨论了新型磨料与能场辅助抛光技术的结合和纳米尺度下磨料的CMP行为的研究新热点。同时对磨料在芯片CMP中的应用进行了前瞻性展望,旨在为后续研究提供有力的理论支撑与指导方向。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 磨料 芯片 辅助抛光 抛光机理
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新型抑制剂AMT对Cu/Ru/TEOS去除速率选择性的影响
14
作者 尤羽菲 马慧萍 +1 位作者 周建伟 罗翀 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第3期331-337,共7页
Ru阻挡层化学机械抛光主要面临着Ru去除速率较低和难以实现较好的Cu/Ru/TEOS去除速率选择比两项问题。为了解决上述问题,基于KIO_(4)-K_(2)S_(2)O_(8)双氧化剂体系,通过引入新型抑制剂AMT进一步提升Ru去除速率及表面质量,并改善Cu/Ru/T... Ru阻挡层化学机械抛光主要面临着Ru去除速率较低和难以实现较好的Cu/Ru/TEOS去除速率选择比两项问题。为了解决上述问题,基于KIO_(4)-K_(2)S_(2)O_(8)双氧化剂体系,通过引入新型抑制剂AMT进一步提升Ru去除速率及表面质量,并改善Cu/Ru/TEOS选择比。抛光实验验证了在KIO_(4)-K_(2)S_(2)O_(8)体系中引入AMT后可以调节Cu/Ru/TEOS的去除速率选择比。通过AFM测试将引入AMT前后Ru的表面质量进行对比,表明在KIO_(4)-K_(2)S_(2)O_(8)体系中引入AMT能够改善Cu/Ru的表面粗糙度。碟形坑、蚀坑测试实验验证了AMT的引入对碟形坑、蚀坑具有修正作用并揭示了AMT在Ru阻挡层CMP过程中的作用机理。最终Cu/Ru/TEOS速率选择比达到1∶1.3∶1.7,并且此时碟形坑、蚀坑的修正效果较好,修正值分别为54.4nm和49.4nm。 展开更多
关键词 RU 化学机械抛光(CMP) AMT 去除速率选择比 碟形坑 蚀坑
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TAZ与LS-97对铜CMP协同缓蚀效应
15
作者 贺斌 高宝红 +3 位作者 霍金向 李雯浩宇 贺越 王建树 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期473-480,共8页
极大规模集成电路(GLSI)中多层铜互连的化学机械抛光(CMP)是推动微电子技术发展的关键工艺之一。抑制剂是实现铜晶圆表面平坦化的重要因素,而表面活性剂可以改善铜晶圆的表面质量,因此抑制剂和表面活性剂的复配使用是研究的热点。通过... 极大规模集成电路(GLSI)中多层铜互连的化学机械抛光(CMP)是推动微电子技术发展的关键工艺之一。抑制剂是实现铜晶圆表面平坦化的重要因素,而表面活性剂可以改善铜晶圆的表面质量,因此抑制剂和表面活性剂的复配使用是研究的热点。通过抛光实验、电化学实验、接触角实验和表面表征测试,深入分析了LS-97和TAZ复配使用对铜表面的影响。研究结果表明,500 mg/L LS-97和2 mmol/L TAZ复配使用可以降低铜的抛光速率、改善润湿性、减少表面缺陷和降低表面粗糙度。LS-97和TAZ复配使用时,吸附层更致密、更稳定,铜晶圆表面质量更好。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 铜 缓蚀剂 表面活性剂 复配
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H_(2)O_(2)/Fe^(Ⅲ)-NTA体系下Ru无磨料CMP作用机理研究
16
作者 尤羽菲 周建伟 罗翀 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第6期728-734,共7页
随着集成电路的工艺尺寸不断缩小,传统的Cu互连层材料面临着电迁移效应及可靠性降低等越来越严峻的挑战,而Ru凭借其平均电子自由程短及稳定性高等特性,有望成为下一代集成电路互连层材料。为了提升Ru互联层在化学机械抛光(CMP)过程中的... 随着集成电路的工艺尺寸不断缩小,传统的Cu互连层材料面临着电迁移效应及可靠性降低等越来越严峻的挑战,而Ru凭借其平均电子自由程短及稳定性高等特性,有望成为下一代集成电路互连层材料。为了提升Ru互联层在化学机械抛光(CMP)过程中的去除速率及表面质量,基于无磨料CMP技术,探究了H_(2)O_(2)/Fe^(Ⅲ)-NTA体系对Ru去除速率及表面质量的影响。CMP及AFM实验表明,在无磨料的条件下,H_(2)O_(2)/Fe^(Ⅲ)-NTA体系能够显著提升Ru的去除速率及表面质量。ESR实验表明该体系能够产生自由基HO^(·)和O_(2)^(·-)。XPS、电化学及SEM实验表明,H_(2)O_(2)和自由基对Ru具有氧化和腐蚀的作用,且自由基的氧化能力更加优异,能够使抛光液的氧化能力和机械去除能力达到平衡状态。最终,Ru去除速率达到70.8 nm/min,表面粗糙度(S_(q))仅为1.11 nm。 展开更多
关键词 RU 化学机械抛光(CMP) 表面粗糙度(Sq) 自由基 Ru去除速率 类芬顿反应
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制备皱纹状介孔C-mSiO_(2)/CeO_(2)复合磨料及其SiO_(2)CMP的应用
17
作者 王东伟 王胜利 +4 位作者 杨云点 罗翀 栾晓东 邵祥清 李瑾 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第2期231-236,共6页
为了提高集成电路层间介质化学机械抛光(CMP)的去除速率并改善表面质量,先采用微乳液法制备皱纹状介孔SiO_(2),之后用化学沉积法包覆CeO_(2),成功制得皱纹状C-mSiO_(2)/CeO_(2)芯/壳复合磨料,并以此配置抛光液,对SiO_(2)层间介质进行CM... 为了提高集成电路层间介质化学机械抛光(CMP)的去除速率并改善表面质量,先采用微乳液法制备皱纹状介孔SiO_(2),之后用化学沉积法包覆CeO_(2),成功制得皱纹状C-mSiO_(2)/CeO_(2)芯/壳复合磨料,并以此配置抛光液,对SiO_(2)层间介质进行CMP实验。采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对C-mSiO_(2)/CeO_(2)芯/壳复合磨料的结构、形貌进行表征,证明其具有完整包覆的壳核结构。利用粒径分析仪测量其平均粒径为241.4nm,Zeta电位为-29.93mV。CMP实验表明,采用质量分数1%、粒径约200nm的C-mSiO_(2)/CeO_(2)复合磨料对氧化硅镀膜片进行抛光,其去除速率达到112.1nm/min,比同样条件下CeO_(2)磨料的CMP速率提高128%。通过AFM表征可知,抛光后的氧化硅镀膜片表面粗糙度约为0.0514nm。因此,相较于传统CeO_(2)磨料,皱纹状C-mSiO_(2)/CeO_(2)芯/壳复合磨料在SiO_(2)层间介质的CMP过程中,表现出优越的CMP效果。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 皱纹状 介孔SiO_(2) 复合材料 去除速率
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多层互连结构CMP后清洗中SiO_(2)颗粒去除的研究进展
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作者 张力飞 路新春 +1 位作者 闫妹 赵德文 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期101-116,共16页
SiO_(2)磨料因其化学性质稳定及抛光后良好的表面平整度,作为关键磨料被广泛应用于化学机械抛光(CMP)。CMP后晶圆表面残留的颗粒物易引发划伤、击穿及短路等缺陷问题,严重削弱芯片的可靠性。基于SiO_(2)颗粒在Cu、Co和介质材料表面的吸... SiO_(2)磨料因其化学性质稳定及抛光后良好的表面平整度,作为关键磨料被广泛应用于化学机械抛光(CMP)。CMP后晶圆表面残留的颗粒物易引发划伤、击穿及短路等缺陷问题,严重削弱芯片的可靠性。基于SiO_(2)颗粒在Cu、Co和介质材料表面的吸附特性,综述了互连结构CMP后清洗技术和清洗液体系的原理、特点及研究现状。从颗粒清洗效率、表面质量、环境影响控制等多个维度对比了干法清洗和湿法清洗技术,分析了各类清洗技术的优势与局限性。此外,系统地探讨了pH调节剂、络合剂和表面活性剂等关键清洗液组分对颗粒去除的影响,从理论机制层面揭示了SiO_(2)磨料颗粒清洗所面临的核心挑战与解决方案;同时对未来互连结构CMP后清洗工艺的发展方向进行了前瞻性展望,旨在为后续研究提供有力的理论支撑与指导方向。 展开更多
关键词 互连结构 化学机械抛光(CMP)后清洗 SiO_(2)颗粒 清洗技术 清洗液化学组分
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CMP体系下基于历史文脉传承的淮安城市遗产价值评估
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作者 单超 杨芮 冯靖茹 《华中建筑》 2025年第1期12-17,共6页
淮安,中国大运河线上最重要的水利枢纽城市之一。自元明清三朝定都北京,大运河重新疏浚、改线、贯通后,北方巨量的物资需求促使漕运兴盛,时值淮安城扼漕运、盐运、河工、榷关、邮驿之机杼,风光一时无两。现下,运河城市遗产的保护传承利... 淮安,中国大运河线上最重要的水利枢纽城市之一。自元明清三朝定都北京,大运河重新疏浚、改线、贯通后,北方巨量的物资需求促使漕运兴盛,时值淮安城扼漕运、盐运、河工、榷关、邮驿之机杼,风光一时无两。现下,运河城市遗产的保护传承利用逐渐成为城市发展中的重要部分,淮安城市遗产反映着其城市文化特征,也是城市职能的直接体现。该文利用CMP(保护规划管理)从场所意义出发,对淮安城市遗产进行价值评估,并试图以此构建基于历史文脉保护利用传承导则,助推大运河文化带建设。 展开更多
关键词 历史文脉 淮安 CMP 城市遗产 价值评估
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化学机械抛光用磨料研究进展
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作者 宋维东 《中国粉体工业》 2025年第5期34-35,26,共3页
化学机械抛光(CMP)是集成电路制造中的关键工艺,用于实现晶圆表面介质层的平坦化。其中,抛光液中的磨料种类、硬度、形貌、浓度等都会影响抛光效率及材料抛光后的表面质量。本文介绍了几种不同的抛光磨料,并对其研究进展进行了分析。
关键词 集成电路 CMP 抛光液 磨料
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