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基于NMR与CMP实验的致密砂岩孔喉结构表征方法
1
作者 李浩 樊志强 +5 位作者 谢雨芯 巩肖可 郝博斐 孙龙 雷小兰 闫健 《地质科技通报》 北大核心 2025年第1期25-35,共11页
致密砂岩储层孔隙结构复杂、纳米孔隙发育,需集成多种技术对孔隙结构进行综合表征,以更好地认识储层。在优选6块延长组长71储层代表性岩心基础上,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、恒速压汞(CMP)和核磁共振(NMR)等方法,研究了岩心样品... 致密砂岩储层孔隙结构复杂、纳米孔隙发育,需集成多种技术对孔隙结构进行综合表征,以更好地认识储层。在优选6块延长组长71储层代表性岩心基础上,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、恒速压汞(CMP)和核磁共振(NMR)等方法,研究了岩心样品的孔隙类型及结构特征。采用CMP数据对NMR孔隙分布进行了修正,识别了喉道半径与孔隙半径的分布范围,建立了适用于致密砂岩的孔隙半径分类方法。研究结果表明,目标储层可动水与不可动水孔隙度之比仅为0.14~0.47,渗流能力差。将NMR与CMP数据相结合可精确识别出目标储层喉道半径中值为0.151~0.525μm,孔隙半径中值为4.38~9.76μm。孔隙内赋存水类型分为可动水、束缚水和黏土结合水,对应的饱和度平均值分别为23.4%、14.8%和9.4%。微小孔(T_(2)<T_(2c1))、中孔(T_(2c1)<T_(2)<T_(2c2))和大孔(T_(2c2)<T_(2))的平均孔隙度分别为3.12%、3.42%和1.35%。孔喉半径r_(2c1)可作为储层渗流能力划分的评价指标,r_(2c1)的降低会导致微小孔(即吸附孔)孔隙度的降低,以及中孔和大孔(即渗流孔)孔隙度的增加。研究成果为优选致密砂岩优质储层,提高致密油采收率提供了参考和借鉴。 展开更多
关键词 致密砂岩 孔隙结构 孔径分布 喉道 恒速压汞(cmp) 核磁共振(NMP)
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磨料对集成电路CMP工艺质量的影响
2
作者 张海磊 谢亚伟 《时代汽车》 2025年第21期130-132,共3页
CMP技术通过化学腐蚀与机械研磨协同作用实现晶圆表面纳米级平坦化,广泛应用于集成电路制造及先进封装领域。抛光设备、抛光垫和抛光液是决定抛光质量的三大关键要素。磨料为抛光液的核心成分之一,直接影响抛光速率和质量。文章阐述了... CMP技术通过化学腐蚀与机械研磨协同作用实现晶圆表面纳米级平坦化,广泛应用于集成电路制造及先进封装领域。抛光设备、抛光垫和抛光液是决定抛光质量的三大关键要素。磨料为抛光液的核心成分之一,直接影响抛光速率和质量。文章阐述了集成电路CMP工艺中磨料的作用,生产中常用的磨料种类、典型案例,分析了选择磨料的原则,通过案例,深入讨论了磨料对于CMP质量的影响。 展开更多
关键词 集成电路 cmp 磨料
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半导体芯片CMP终点检测技术发展态势与我国发展对策研究
3
作者 汪娅骅 张浩 +1 位作者 马晓迪 张曼丽 《中国发明与专利》 2025年第S1期6-15,共10页
[目的/意义]本文分析半导体芯片CMP终点检测技术专利申请态势、创新主体的竞争状况以及该领域技术开发方向,有助于为国内创新主体技术发展和专利布局提供参考。[方法/过程]本文通过CMP终点检测技术相关中英文关键词结合国际专利分类号... [目的/意义]本文分析半导体芯片CMP终点检测技术专利申请态势、创新主体的竞争状况以及该领域技术开发方向,有助于为国内创新主体技术发展和专利布局提供参考。[方法/过程]本文通过CMP终点检测技术相关中英文关键词结合国际专利分类号进行全球专利检索,对检索结果进行研究分析。[结果/结论]结果显示,CMP终点检测技术近年处于快速发展时期,尤其是中国专利申请保持持续增长的势头,有很好的发展潜力,我国创新主体需要加强海外专利布局,不断开展技术的创新和研发。 展开更多
关键词 cmp 专利申请 专利布局 技术路线
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集成电路CMP中金属腐蚀复配缓蚀剂的研究进展
4
作者 武峥 牛新环 +4 位作者 何潮 董常鑫 李鑫杰 胡槟 李佳辉 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期1-9,共9页
在化学机械抛光(CMP)过程中,集成电路金属多层布线因受抛光液中化学试剂的腐蚀而经常导致表面缺陷的出现。将两种及以上能够产生协同缓蚀效果的化学试剂复配可以得到较单一试剂更强的缓蚀性能。介绍了多试剂协同腐蚀抑制的机理,总结了... 在化学机械抛光(CMP)过程中,集成电路金属多层布线因受抛光液中化学试剂的腐蚀而经常导致表面缺陷的出现。将两种及以上能够产生协同缓蚀效果的化学试剂复配可以得到较单一试剂更强的缓蚀性能。介绍了多试剂协同腐蚀抑制的机理,总结了国内外多试剂协同中两种缓蚀剂、表面活性剂与缓蚀剂、两种表面活性剂的复配协同在集成电路CMP金属腐蚀抑制应用中的研究进展,并延伸到碳钢金属等防腐领域,最后对CMP领域中多试剂协同抑制的发展进行了展望。 展开更多
关键词 缓蚀剂 表面活性剂 化学机械抛光(cmp) 协同作用 金属腐蚀抑制
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TAZ与LS-97对铜CMP协同缓蚀效应
5
作者 贺斌 高宝红 +3 位作者 霍金向 李雯浩宇 贺越 王建树 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期473-480,共8页
极大规模集成电路(GLSI)中多层铜互连的化学机械抛光(CMP)是推动微电子技术发展的关键工艺之一。抑制剂是实现铜晶圆表面平坦化的重要因素,而表面活性剂可以改善铜晶圆的表面质量,因此抑制剂和表面活性剂的复配使用是研究的热点。通过... 极大规模集成电路(GLSI)中多层铜互连的化学机械抛光(CMP)是推动微电子技术发展的关键工艺之一。抑制剂是实现铜晶圆表面平坦化的重要因素,而表面活性剂可以改善铜晶圆的表面质量,因此抑制剂和表面活性剂的复配使用是研究的热点。通过抛光实验、电化学实验、接触角实验和表面表征测试,深入分析了LS-97和TAZ复配使用对铜表面的影响。研究结果表明,500 mg/L LS-97和2 mmol/L TAZ复配使用可以降低铜的抛光速率、改善润湿性、减少表面缺陷和降低表面粗糙度。LS-97和TAZ复配使用时,吸附层更致密、更稳定,铜晶圆表面质量更好。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 铜 缓蚀剂 表面活性剂 复配
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嘧啶提高多晶硅CMP去除速率的机理研究
6
作者 张潇 周建伟 +4 位作者 杨云点 罗翀 栾晓东 邵祥清 李瑾 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第1期103-109,共7页
为了提高多晶硅去除速率,从化学作用和机械作用两个方面揭示嘧啶在多晶硅表面的影响机理。一方面,X射线光电子能谱实验表明嘧啶的加入在多晶硅表面产生吸附,促进了Si-Si键的极化断裂以及Si-O键的形成,加速了多晶硅表面软质层的形成以及... 为了提高多晶硅去除速率,从化学作用和机械作用两个方面揭示嘧啶在多晶硅表面的影响机理。一方面,X射线光电子能谱实验表明嘧啶的加入在多晶硅表面产生吸附,促进了Si-Si键的极化断裂以及Si-O键的形成,加速了多晶硅表面软质层的形成以及机械作用对其的去除。另一方面,Zeta电位、摩擦力、温度数据表明嘧啶水解产生的嘧啶阳离子降低了SiO2磨料之间的静电斥力,导致表面间的摩擦力增大,加强了机械作用;同时温度升高加快了CMP过程中化学反应的速率,从而促进了化学反应的进行。因此,嘧啶的加入既提高了化学作用,也加强了机械作用,使多晶硅去除速率提高了约2.8倍。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 多晶硅 嘧啶 去除速率
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H_(2)O_(2)/Fe^(Ⅲ)-NTA体系下Ru无磨料CMP作用机理研究
7
作者 尤羽菲 周建伟 罗翀 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第6期728-734,共7页
随着集成电路的工艺尺寸不断缩小,传统的Cu互连层材料面临着电迁移效应及可靠性降低等越来越严峻的挑战,而Ru凭借其平均电子自由程短及稳定性高等特性,有望成为下一代集成电路互连层材料。为了提升Ru互联层在化学机械抛光(CMP)过程中的... 随着集成电路的工艺尺寸不断缩小,传统的Cu互连层材料面临着电迁移效应及可靠性降低等越来越严峻的挑战,而Ru凭借其平均电子自由程短及稳定性高等特性,有望成为下一代集成电路互连层材料。为了提升Ru互联层在化学机械抛光(CMP)过程中的去除速率及表面质量,基于无磨料CMP技术,探究了H_(2)O_(2)/Fe^(Ⅲ)-NTA体系对Ru去除速率及表面质量的影响。CMP及AFM实验表明,在无磨料的条件下,H_(2)O_(2)/Fe^(Ⅲ)-NTA体系能够显著提升Ru的去除速率及表面质量。ESR实验表明该体系能够产生自由基HO^(·)和O_(2)^(·-)。XPS、电化学及SEM实验表明,H_(2)O_(2)和自由基对Ru具有氧化和腐蚀的作用,且自由基的氧化能力更加优异,能够使抛光液的氧化能力和机械去除能力达到平衡状态。最终,Ru去除速率达到70.8 nm/min,表面粗糙度(S_(q))仅为1.11 nm。 展开更多
关键词 RU 化学机械抛光(cmp) 表面粗糙度(Sq) 自由基 Ru去除速率 类芬顿反应
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制备皱纹状介孔C-mSiO_(2)/CeO_(2)复合磨料及其SiO_(2)CMP的应用
8
作者 王东伟 王胜利 +4 位作者 杨云点 罗翀 栾晓东 邵祥清 李瑾 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第2期231-236,共6页
为了提高集成电路层间介质化学机械抛光(CMP)的去除速率并改善表面质量,先采用微乳液法制备皱纹状介孔SiO_(2),之后用化学沉积法包覆CeO_(2),成功制得皱纹状C-mSiO_(2)/CeO_(2)芯/壳复合磨料,并以此配置抛光液,对SiO_(2)层间介质进行CM... 为了提高集成电路层间介质化学机械抛光(CMP)的去除速率并改善表面质量,先采用微乳液法制备皱纹状介孔SiO_(2),之后用化学沉积法包覆CeO_(2),成功制得皱纹状C-mSiO_(2)/CeO_(2)芯/壳复合磨料,并以此配置抛光液,对SiO_(2)层间介质进行CMP实验。采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对C-mSiO_(2)/CeO_(2)芯/壳复合磨料的结构、形貌进行表征,证明其具有完整包覆的壳核结构。利用粒径分析仪测量其平均粒径为241.4nm,Zeta电位为-29.93mV。CMP实验表明,采用质量分数1%、粒径约200nm的C-mSiO_(2)/CeO_(2)复合磨料对氧化硅镀膜片进行抛光,其去除速率达到112.1nm/min,比同样条件下CeO_(2)磨料的CMP速率提高128%。通过AFM表征可知,抛光后的氧化硅镀膜片表面粗糙度约为0.0514nm。因此,相较于传统CeO_(2)磨料,皱纹状C-mSiO_(2)/CeO_(2)芯/壳复合磨料在SiO_(2)层间介质的CMP过程中,表现出优越的CMP效果。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 皱纹状 介孔SiO_(2) 复合材料 去除速率
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多层互连结构CMP后清洗中SiO_(2)颗粒去除的研究进展
9
作者 张力飞 路新春 +1 位作者 闫妹 赵德文 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期101-116,共16页
SiO_(2)磨料因其化学性质稳定及抛光后良好的表面平整度,作为关键磨料被广泛应用于化学机械抛光(CMP)。CMP后晶圆表面残留的颗粒物易引发划伤、击穿及短路等缺陷问题,严重削弱芯片的可靠性。基于SiO_(2)颗粒在Cu、Co和介质材料表面的吸... SiO_(2)磨料因其化学性质稳定及抛光后良好的表面平整度,作为关键磨料被广泛应用于化学机械抛光(CMP)。CMP后晶圆表面残留的颗粒物易引发划伤、击穿及短路等缺陷问题,严重削弱芯片的可靠性。基于SiO_(2)颗粒在Cu、Co和介质材料表面的吸附特性,综述了互连结构CMP后清洗技术和清洗液体系的原理、特点及研究现状。从颗粒清洗效率、表面质量、环境影响控制等多个维度对比了干法清洗和湿法清洗技术,分析了各类清洗技术的优势与局限性。此外,系统地探讨了pH调节剂、络合剂和表面活性剂等关键清洗液组分对颗粒去除的影响,从理论机制层面揭示了SiO_(2)磨料颗粒清洗所面临的核心挑战与解决方案;同时对未来互连结构CMP后清洗工艺的发展方向进行了前瞻性展望,旨在为后续研究提供有力的理论支撑与指导方向。 展开更多
关键词 互连结构 化学机械抛光(cmp)后清洗 SiO_(2)颗粒 清洗技术 清洗液化学组分
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CMP体系下基于历史文脉传承的淮安城市遗产价值评估
10
作者 单超 杨芮 冯靖茹 《华中建筑》 2025年第1期12-17,共6页
淮安,中国大运河线上最重要的水利枢纽城市之一。自元明清三朝定都北京,大运河重新疏浚、改线、贯通后,北方巨量的物资需求促使漕运兴盛,时值淮安城扼漕运、盐运、河工、榷关、邮驿之机杼,风光一时无两。现下,运河城市遗产的保护传承利... 淮安,中国大运河线上最重要的水利枢纽城市之一。自元明清三朝定都北京,大运河重新疏浚、改线、贯通后,北方巨量的物资需求促使漕运兴盛,时值淮安城扼漕运、盐运、河工、榷关、邮驿之机杼,风光一时无两。现下,运河城市遗产的保护传承利用逐渐成为城市发展中的重要部分,淮安城市遗产反映着其城市文化特征,也是城市职能的直接体现。该文利用CMP(保护规划管理)从场所意义出发,对淮安城市遗产进行价值评估,并试图以此构建基于历史文脉保护利用传承导则,助推大运河文化带建设。 展开更多
关键词 历史文脉 淮安 cmp 城市遗产 价值评估
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哌嗪对硅衬底CMP速率影响的机理
11
作者 刘文博 罗翀 +4 位作者 王辰伟 岳泽昊 栾晓东 邵祥清 李瑾 《微纳电子技术》 2025年第2期165-174,共10页
为了在硅衬底化学机械抛光(CMP)过程中提高对硅片的去除速率,利用实验与密度泛函理论(DFT)计算相结合的方式研究了绿色环保添加剂哌嗪对硅片表面的作用机理。Zeta电位测试结果表明哌嗪的加入使磨料与抛光硅片表面的Zeta电位降低,二者间... 为了在硅衬底化学机械抛光(CMP)过程中提高对硅片的去除速率,利用实验与密度泛函理论(DFT)计算相结合的方式研究了绿色环保添加剂哌嗪对硅片表面的作用机理。Zeta电位测试结果表明哌嗪的加入使磨料与抛光硅片表面的Zeta电位降低,二者间静电排斥力减小,吸附程度增加,增大了机械作用。接触角测试结果发现哌嗪的加入使抛光液在硅片表面的接触角更小,具有良好的润湿性能。抛光液可以更好地与晶圆表面接触,使去除速率加快。同时通过摩擦系数测试进一步证明了哌嗪提高了抛光过程中的摩擦力,从而提升了抛光速率。X射线光电子能谱(XPS)分析显示,哌嗪与硅片表面发生了化学反应,生成了新的Si—N键,对临近的Si—Si键产生极化,使其在磨料作用下更容易被去除。采用DFT的量子化学计算和分子动力学模拟更深入地表明了哌嗪和硅在分子水平上产生了化学吸附。结果显示,当磨料质量分数为0.5%、哌嗪质量分数为0.5%时,去除速率可达580 nm/min。此外,哌嗪作为一种相对绿色环保的添加剂,更适合实际生产应用。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 硅衬底 哌嗪 去除速率 密度泛函理论(DFT)计算
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水溶性聚合物提高多晶硅CMP表面质量的机理
12
作者 张潇 周建伟 +4 位作者 杨云点 罗翀 栾晓东 邵祥清 李瑾 《微纳电子技术》 2025年第4期99-107,共9页
通过实验探究了在抛光液中加入羟丙基甲基纤维素(HPMC)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)两种水溶性聚合物对多晶硅表面的影响机理。HPMC的加入在多晶硅表面形成氢键,并形成一层保护层,改变多晶硅表面的润湿性,减少抛光液中碱性物质和多晶硅的化学... 通过实验探究了在抛光液中加入羟丙基甲基纤维素(HPMC)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)两种水溶性聚合物对多晶硅表面的影响机理。HPMC的加入在多晶硅表面形成氢键,并形成一层保护层,改变多晶硅表面的润湿性,减少抛光液中碱性物质和多晶硅的化学反应,减少磨料与多晶硅表面/抛光垫的直接接触,减小了摩擦。加入的PVP与SiO_(2)颗粒之间通过氢键吸附形成软磨料,提高了抛光液的分散性,减少了SiO_(2)颗粒与多晶硅表面/抛光垫的摩擦。两种水溶性聚合物的协同作用,使得表面缺陷数量减少了94.5%,粗糙度降低至0.2 nm,提高了多晶硅表面质量。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 多晶硅 羟丙基甲基纤维素(HPMC) 聚乙烯吡咯烷酮(PVP) 表面质量
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面波CMP法和跨孔弹性波CT技术在岩溶探测中的应用
13
作者 王荣东 张成杰 +4 位作者 马锦国 李伟科 周明文 宋明艺 章志勇 《工程地球物理学报》 2025年第1期83-90,共8页
在广州白云区某工程建设场地,岩溶发育,过大的钻探密度不仅会带来勘探成本的急剧上升,且施工过程中会带来地面塌陷风险。本文针对场地条件采用面波CMP(Common Middle Point)法和跨孔弹性波层析成像技术相结合的综合物探技术手段,在CMP... 在广州白云区某工程建设场地,岩溶发育,过大的钻探密度不仅会带来勘探成本的急剧上升,且施工过程中会带来地面塌陷风险。本文针对场地条件采用面波CMP(Common Middle Point)法和跨孔弹性波层析成像技术相结合的综合物探技术手段,在CMP面波法进行地面物探普查的基础上,再在物探异常位置布置钻孔验证,并在验证孔中实施跨孔弹性波层析成像(Computed Tomography,CT),物探成果与钻孔资料吻合。本文所采用的面波CMP法和跨孔弹性波CT综合应用技术可有效、快速地解决城区复杂条件场地的岩溶分布问题,为工程设计、处理提供可靠的地质资料;同时可在宏观上更精细地把控建设场地的岩溶空间位置和连通性情况,有效地避免不必要的施工风险,对其他城区岩溶勘察项目具有参考意义。 展开更多
关键词 岩溶探测 面波cmp法 跨孔弹性波层析成像
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铜CMP后清洗中表面活性剂去除颗粒的研究进展 被引量：2
14
作者 曲里京 高宝红 +2 位作者 王玄石 檀柏梅 刘玉岭 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第10期775-781,795,共8页
在集成电路制造过程中,利用化学机械抛光(CMP)去除多余的Cu以实现全局及局部平坦化。而CMP后会在晶圆表面残留大量颗粒等污染物,抛光后残留的颗粒等污染物需要通过CMP后清洗工艺将其去除。综述了清洗液中的表面活性剂对颗粒去除的作用... 在集成电路制造过程中,利用化学机械抛光(CMP)去除多余的Cu以实现全局及局部平坦化。而CMP后会在晶圆表面残留大量颗粒等污染物,抛光后残留的颗粒等污染物需要通过CMP后清洗工艺将其去除。综述了清洗液中的表面活性剂对颗粒去除的作用机理及清洗效果。重点探讨了在清洗液中加入单一表面活性剂的作用机理和对颗粒的去除效果。对加入不同类型的表面活性剂复配后对颗粒的去除及其作用机理进行了分析和预测。相比于在清洗液中加入单一的表面活性剂,使用不同类型的表面活性剂按合适比例复配后会产生协同效应,因此能获得更好的颗粒去除效果。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 表面活性剂 cmp后清洗 颗粒去除 表面活性剂复配
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65nm技术节点的CMP技术
15
作者 童志义 《电子工业专用设备》 2006年第10期8-13,共6页
概述了全球CMP设备市场和65nm技术节点CMP技术面临的挑战,给出了65nm技术节点铜工艺的解决方案及CMP后清洗技术。
关键词 cmp设备市场 65nm节点 铜互连 电化学机械抛光 无应力抛光 后cmp清洗
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分散剂对铜CMP材料去除率和表面粗糙度影响的实验研究 被引量：9
16
作者 李庆忠 金洙吉 +2 位作者 张然 康仁科 郭东明 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期70-72,109,共4页
使用5种分散剂,SiO2水溶胶为磨料、H2O2为氧化剂,分别进行抛光实验。结果表明:二乙烯三胺和吡啶2种分散剂相对较好,二乙烯三胺(质量分数0.05%)对铜的材料去除率达到570.20nm/min,表面粗糙度为Ra1.0760nm,吡啶(质量分数0.75%)的材料去除... 使用5种分散剂,SiO2水溶胶为磨料、H2O2为氧化剂,分别进行抛光实验。结果表明:二乙烯三胺和吡啶2种分散剂相对较好,二乙烯三胺(质量分数0.05%)对铜的材料去除率达到570.20nm/min,表面粗糙度为Ra1.0760nm,吡啶(质量分数0.75%)的材料去除率为373.69nm/min,表面粗糙度为Ra1.5776nm;二乙烯三胺提高了抛光液的碱性并增强了对铜金属的腐蚀作用是材料去除率提高的主要原因,其多胺基的极性吸附和与胶体分子羟基的化学键作用提高了抛光液磨粒胶体表面的zeta电位,较大的分子链有效地提高了磨料粒子间的空间排斥力,故较好的纳米磨料粒子分散性使抛光表面粗糙度降低。 展开更多
关键词 cmp 分散剂 铜 去除率 粗糙度
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利用叠前CMP资料估计介质品质因子 被引量：12
17
作者 赵静 高静怀 +1 位作者 王大兴 汪玲玲 《地球物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期2413-2428,共16页
本文提出了一种利用叠前CMP道集资料估计介质品质因子的方法,同时提出利用地震道间有效信号的相干性估计层位信息的方法.首先采用具有4个待定系数的函数去逼近震源子波,利用黏弹介质中单程波传播理论推导出地震子波包络峰值处的瞬时频率... 本文提出了一种利用叠前CMP道集资料估计介质品质因子的方法,同时提出利用地震道间有效信号的相干性估计层位信息的方法.首先采用具有4个待定系数的函数去逼近震源子波,利用黏弹介质中单程波传播理论推导出地震子波包络峰值处的瞬时频率(EPIF)与不同偏移距处走时的关系;其次利用该关系,外推出该同相轴零偏移距处的EPIF,用小波域包络峰值处瞬时频率法(WEPIF)结合层位信息估计Q值.合成数据的结果表明,EPIFVO法(子波包络峰值瞬时频率随偏移距变化)无边界效应,计算精度相对较高;将该方法用于实际资料算例,结果表明,衰减强弱与储层的吸收有较好的对应关系. 展开更多
关键词 品质因子Q 衰减 WEPIF法 叠前cmp资料
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pH值和表面活性剂对硅溶胶CMP抛光液的影响 被引量：8
18
作者 张琳琪 夏琳 +1 位作者 彭进 邹文俊 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期24-26,36,共4页
目的研究pH值以及表面活性剂种类对CMP抛光液稳定性及抛光性能的影响。方法向硅溶胶中加入酸性或碱性pH值调节剂,配制不同pH值的CMP抛光液;通过添加不同类型的表面活性剂,研究表面活性剂对抛光液的稳定机理。结果硅溶胶CMP抛光液pH值为... 目的研究pH值以及表面活性剂种类对CMP抛光液稳定性及抛光性能的影响。方法向硅溶胶中加入酸性或碱性pH值调节剂,配制不同pH值的CMP抛光液;通过添加不同类型的表面活性剂,研究表面活性剂对抛光液的稳定机理。结果硅溶胶CMP抛光液pH值为9.5时,加入非离子表面活性剂,抛光90 min后,铝合金表面粗糙度降低了55.4%,光亮度增加了131%,抛光质量较好。结论弱碱环境下,抛光液的稳定性和抛光性能优良,非离子表面活性剂有利于CMP抛光液的稳定性。 展开更多
关键词 硅溶胶 cmp 抛光液 PH 值 表面活性剂
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抛光压力与表面活性剂对铜CMP均匀性的影响 被引量：10
19
作者 赵亚东 刘玉岭 +2 位作者 栾晓东 牛新环 王仲杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期119-123,152,共6页
研究了铜化学机械抛光(CMP)过程中,不同压力和非离子型表面活性剂对片内非均匀性(WIWNU)的影响。通过改变抛光压力大小和非离子型表面活性剂浓度,得出WIWNU的变化规律。实验表明,在不同抛光压力下,铜去除速率有明显的变化。当抛光压力为... 研究了铜化学机械抛光(CMP)过程中,不同压力和非离子型表面活性剂对片内非均匀性(WIWNU)的影响。通过改变抛光压力大小和非离子型表面活性剂浓度,得出WIWNU的变化规律。实验表明,在不同抛光压力下,铜去除速率有明显的变化。当抛光压力为0 psi(1 psi=6.89×103Pa)时,去除速率呈中间高边缘低。当压力为0.5 psi时,边缘处去除速率较高,且随着压力的增大,晶圆边缘处去除速率与晶圆中心处去除速率差将更明显,导致片内非一致性增大。通过添加非离子型表面活性剂,可以改善WIWNU。当压力为1.5 psi时,非离子型表面活性剂体积分数为5%,WIWNU可降低到3.01%,并且得到良好的平坦化结果。同时,非离子型表面活性剂对晶圆表面残留颗粒具有良好的去除作用。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 片内非均匀性(WIWNU) 抛光压力 非离子型表面活性剂 铜去除速率
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用于超精密硅晶片表面的化学机械抛光(CMP)技术研究 被引量：17
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作者 梅燕 韩业斌 聂祚仁 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期206-212,共7页
化学机械抛光(CMP)技术作为目前唯一的可以提供在整个圆硅晶片上全面平坦化的工艺技术,已被越来越广泛地应用到了半导体领域。重点叙述了CMP技术背景、设备、抛光原理、发展现状、存在的问题以及未来的发展趋势。
关键词 化学机械抛光(cmp)技术 浆料 硅片
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