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B′缺位下B″位非化学计量比对BCZN陶瓷性能的影响
1
作者
张晓
唐斌
+1 位作者
杨成韬
张树人
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第B11期193-196,201,共5页
通过固相烧结方法,研究了B″位原子非化学计量比对Ba(Co0.56Y0.04Zn0.35)1/3Nb2/3+xO3-δ(x=-0.004~0.008)体系陶瓷晶体结构及微波介电性能的影响。XRD分析发现陶瓷主晶相为Ba(Zn0.33Nb0.67)O3、Ba3CoNb2O9(BCZN晶相),当x为0.008时具有...
通过固相烧结方法,研究了B″位原子非化学计量比对Ba(Co0.56Y0.04Zn0.35)1/3Nb2/3+xO3-δ(x=-0.004~0.008)体系陶瓷晶体结构及微波介电性能的影响。XRD分析发现陶瓷主晶相为Ba(Zn0.33Nb0.67)O3、Ba3CoNb2O9(BCZN晶相),当x为0.008时具有Ba5Nb4O15第二相。随着x值的增加,在-0.004≤x≤0.004小幅度变化时陶瓷第二相较少,陶瓷介电常数εr逐渐减小,陶瓷的Q×f值从51631GHz逐渐上升到76469GHz;当x进一步增大至x=0.008时,Q×f值减小到61688GHz。当x=0.004时,BCZN体系陶瓷具有较高的微波介电性能,εr=34.8,Q×f=76469GHz,τf≈2.6×10-6/℃。
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关键词
bczn
Ba/Nb比
微波介质陶瓷
Ba5Nb4O15
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职称材料
Zn缺位对Ba(Co_(0.6)Zn_(0.4))_(1/3)Nb_(2/3)O_3陶瓷性能的影响
被引量:
1
2
作者
张玉芹
周晓华
+2 位作者
杨新石
孙成礼
张树人
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期130-133,共4页
采用传统固相反应法制备了Ba(Co0.58Y0.02Zn0.4-x)1/3Nb2/3O3(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.06)陶瓷,系统研究了Zn缺位对陶瓷的物相组成、微观结构和微波介电性能的影响。X线衍射(XRD)结果表明所有配方陶瓷的主晶相均为BaZn0.33Nb0.67O3-B...
采用传统固相反应法制备了Ba(Co0.58Y0.02Zn0.4-x)1/3Nb2/3O3(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.06)陶瓷,系统研究了Zn缺位对陶瓷的物相组成、微观结构和微波介电性能的影响。X线衍射(XRD)结果表明所有配方陶瓷的主晶相均为BaZn0.33Nb0.67O3-Ba3CoNb2O9(BCZN),并存在不同量的第二相Ba8CoNb6O24,适量的Zn缺位可提高BCZN体系的有序度,x=0.02时,其有序度最大。电镜扫描(SEM)结果表明适量的Zn缺位可促进烧结致密化,但Zn缺位过多,会使第二相增多,陶瓷的致密度恶化。随着x的增加,陶瓷的介电常数(εr)基本不变,但品质因数与频率的乘积(Q×f)得到了有效的改善,谐振频率温度系数(τf)先减小后增大。当x=0.02时,BCZN体系陶瓷的εr=35.12,Q×f=52 678GHz,τf=3.28×10-6/℃。
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关键词
微波介质陶瓷
BaZn0.33Nb0.67O3-Ba3CoNb2O9(
bczn
)
Zn缺位
Ba8CoNb6O24
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职称材料
题名
B′缺位下B″位非化学计量比对BCZN陶瓷性能的影响
1
作者
张晓
唐斌
杨成韬
张树人
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第B11期193-196,201,共5页
基金
总装十二五预研资助项目(51312050401)
文摘
通过固相烧结方法,研究了B″位原子非化学计量比对Ba(Co0.56Y0.04Zn0.35)1/3Nb2/3+xO3-δ(x=-0.004~0.008)体系陶瓷晶体结构及微波介电性能的影响。XRD分析发现陶瓷主晶相为Ba(Zn0.33Nb0.67)O3、Ba3CoNb2O9(BCZN晶相),当x为0.008时具有Ba5Nb4O15第二相。随着x值的增加,在-0.004≤x≤0.004小幅度变化时陶瓷第二相较少,陶瓷介电常数εr逐渐减小,陶瓷的Q×f值从51631GHz逐渐上升到76469GHz;当x进一步增大至x=0.008时,Q×f值减小到61688GHz。当x=0.004时,BCZN体系陶瓷具有较高的微波介电性能,εr=34.8,Q×f=76469GHz,τf≈2.6×10-6/℃。
关键词
bczn
Ba/Nb比
微波介质陶瓷
Ba5Nb4O15
Keywords
bczn
Ba/Nb ratio
microwave dielectric ceramics
Ba5Nb4O15
分类号
TQ174 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
Zn缺位对Ba(Co_(0.6)Zn_(0.4))_(1/3)Nb_(2/3)O_3陶瓷性能的影响
被引量:
1
2
作者
张玉芹
周晓华
杨新石
孙成礼
张树人
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室
出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期130-133,共4页
基金
中央高校基本科研业务费专项基金资助项目(ZYGX2012J035)
文摘
采用传统固相反应法制备了Ba(Co0.58Y0.02Zn0.4-x)1/3Nb2/3O3(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.06)陶瓷,系统研究了Zn缺位对陶瓷的物相组成、微观结构和微波介电性能的影响。X线衍射(XRD)结果表明所有配方陶瓷的主晶相均为BaZn0.33Nb0.67O3-Ba3CoNb2O9(BCZN),并存在不同量的第二相Ba8CoNb6O24,适量的Zn缺位可提高BCZN体系的有序度,x=0.02时,其有序度最大。电镜扫描(SEM)结果表明适量的Zn缺位可促进烧结致密化,但Zn缺位过多,会使第二相增多,陶瓷的致密度恶化。随着x的增加,陶瓷的介电常数(εr)基本不变,但品质因数与频率的乘积(Q×f)得到了有效的改善,谐振频率温度系数(τf)先减小后增大。当x=0.02时,BCZN体系陶瓷的εr=35.12,Q×f=52 678GHz,τf=3.28×10-6/℃。
关键词
微波介质陶瓷
BaZn0.33Nb0.67O3-Ba3CoNb2O9(
bczn
)
Zn缺位
Ba8CoNb6O24
Keywords
microwave dielectric ceramics
bczn
Zn deficiency
Ba8CoNb6O24
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
TM28 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
B′缺位下B″位非化学计量比对BCZN陶瓷性能的影响
张晓
唐斌
杨成韬
张树人
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
在线阅读
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职称材料
2
Zn缺位对Ba(Co_(0.6)Zn_(0.4))_(1/3)Nb_(2/3)O_3陶瓷性能的影响
张玉芹
周晓华
杨新石
孙成礼
张树人
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
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职称材料
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