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铜、银、金铟硒半导体薄膜光电化学振荡行为比较 被引量：1
1
作者 徐群杰 汪知恩 +1 位作者 云大陆 曹为民 《上海电力学院学报》 CAS 1997年第4期17-24,共8页
对用电沉积方法制备的铜铟硒、银铟硒和金铟硒半导体薄膜在阴极还原H2O2时产生的（光）电化学振荡现象进行了对比性的分析与研究．特别是对它们的振荡形式、起振条件、外界影响因素及光电调制等进行了归纳，较系统地总结了IB族元素与In... 对用电沉积方法制备的铜铟硒、银铟硒和金铟硒半导体薄膜在阴极还原H2O2时产生的（光）电化学振荡现象进行了对比性的分析与研究．特别是对它们的振荡形式、起振条件、外界影响因素及光电调制等进行了归纳，较系统地总结了IB族元素与In，Se构成的三元半导体化合物薄膜的电化学振荡的基本特点． 展开更多
关键词 铜铟硒 银铟硒 金铟硒 半导体薄膜 光电化学振荡
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