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TACE联合恩度对肝癌患者CD4^(+)/CD8^(+)T细胞、ALAS1及HIPPO-YAP信号通路的作用
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作者 蒋莎莎 王蒙 +3 位作者 张军 何春容 王轩可 杨玲蓉 《中国免疫学杂志》 北大核心 2025年第7期1559-1565,共7页
目的:探讨经肝动脉化疗栓塞术(TACE)联合恩度对肝癌(HCC)患者CD4^(+)/CD8^(+)T细胞、5-氨基酮戊酸合酶1(ALAS1)及HIPPO-YAP信号通路的作用。方法:纳入2018年1月至2021年12月成都市第三人民医院收治的60例HCC患者,随机将其分为TACE治疗(A... 目的:探讨经肝动脉化疗栓塞术(TACE)联合恩度对肝癌(HCC)患者CD4^(+)/CD8^(+)T细胞、5-氨基酮戊酸合酶1(ALAS1)及HIPPO-YAP信号通路的作用。方法:纳入2018年1月至2021年12月成都市第三人民医院收治的60例HCC患者,随机将其分为TACE治疗(A)组,TACE联合恩度治疗(B)组,每组30例,观察两组T淋巴细胞、ALAS1及HIPPO-YAP信号通路相关指标等。结果:A组完全缓解1例,部分缓解2例,稳定2例,进展4例,B组完全缓解2例,部分缓解4例,稳定4例,进展1例,总有效率B组(33.33%)明显高于A组(10.00%),组间有差异有统计学意义(P=0.028);治疗前两组CD4^(+)T细胞、CD8^(+)T细胞及CD4^(+)/CD8^(+)T细胞无明显差异(P=0.972,0.995,0.917),治疗后两组CD4^(+)T细胞水平均显著升高(P<0.001),CD8^(+)T细胞水平均显著降低(P<0.001),CD4^(+)/CD8^(+)T细胞均显著升高(P<0.001),且B组较A组变化显著(均P<0.001);治疗前两组ALAS1含量无明显差异(P=0.975),治疗后两组肝癌组织中ALAS1含量均显著升高(P<0.001),且B组较A组升高显著(P<0.05);治疗前两组哺乳动物STE20样蛋白激酶2(MST2)、大肿瘤抑制因子1(LATS1)、Yes相关蛋白(YAP)无明显差异(P=0.134,0.134,0.134),治疗后两组MST2、LATS1 mRNA相对表达均显著升高(均P<0.001),YAP mRNA相对表达均显著降低(P<0.001),且B组较A组变化显著(均P<0.001);与A组比较,治疗后B组的无不良反应情况较A组多5例,不良反应总发生率(16.67%)明显低于A组(43.33%),差异有统计学意义(P=0.024)。结论:TACE联合恩度对HCC患者具有显著疗效,可有效调控CD4^(+)/CD8^(+)T细胞、促进ALAS1分泌,并激活HIPPO-YAP信号通路。 展开更多
关键词 TACE 恩度 肝癌 CD4^(+)/CD8^(+)T细胞 alas1 HIPPO-YAP信号通路
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Characterization of zebrafish alas2 reporter for study on erythropoiesis,blood flow,and erythroid disease
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作者 Wenjuan Zhang Shuang Wu +6 位作者 Yaxin Li Mengye Cao Biao Cao Dantong Li Kai Chen Jian Zhao Weijun Pan 《Journal of Genetics and Genomics》 2025年第7期958-961,共4页
Erythroid cells, the predominant circulating blood cells, are essential for oxygen and carbon dioxide transport (Obeagu, 2024).Their production, erythropoiesis, involves the coordinated synthesis of globin chains and ... Erythroid cells, the predominant circulating blood cells, are essential for oxygen and carbon dioxide transport (Obeagu, 2024).Their production, erythropoiesis, involves the coordinated synthesis of globin chains and heme molecules to assemble hemoglobin(Zhang et al., 2021). The erythroid-specific enzyme δ-aminolevulinate synthase 2 (ALAS2) is a key rate-limiting factor in heme biosynthesis,with its expression increasing in late-stage erythropoiesis to meet heme demands (Sadlon et al., 1999). Zebrafish (Danio rerio) is a well-established model for studying erythropoiesis due to its genetic tractability and optical transparency (Zhang and Hamza, 2019;Zhang et al., 2021). The Tol2-mediated Gal4-UAS system has been widely applied for gene and enhancer trapping in zebrafish (Asakawa and Kawakami, 2009). However, reliable Gal4 enhancer-trap lines for erythropoiesis remain limited. Here, we report a transgenic zebrafish line with erythroid-specific Gal4FF expression under the control of the endogenous alas2 promoter, offering a more precise erythroblast labeling than the gata1a reporter line. This model provides a valuable tool for erythroid-specific investigations of blood flow dynamics and gene function. 展开更多
关键词 carbon dioxide heme molecules blood flow alas reporter circulating blood cellsare erythroid cellsthe ZEBRAFISH ERYTHROPOIESIS
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ALAS2 mRNA:一种潜在的兴奋剂检测生物标志物
3
作者 闫田田 卢璇 吴嵽 《中国运动医学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期323-330,共8页
氨基乙酰丙酸合成酶2(ALAS2)是一种蛋白编码基因,作为m RNA在血红蛋白的生物合成过程中较为活跃。在兴奋剂领域,促红细胞生成素(EPO)是一种可以促进红细胞生成从而提高机体携氧能力的糖蛋白。随着对EPO研究的不断深入,以及检测技术和方... 氨基乙酰丙酸合成酶2(ALAS2)是一种蛋白编码基因,作为m RNA在血红蛋白的生物合成过程中较为活跃。在兴奋剂领域,促红细胞生成素(EPO)是一种可以促进红细胞生成从而提高机体携氧能力的糖蛋白。随着对EPO研究的不断深入,以及检测技术和方法的不断更新,对包含ALAS2在内的更多特定生物标志物进行跟踪检测,可逐渐形成对EPO间接检测方法的补充。本文综述了ALAS2的生物学功能以及与EPO的相关性,探讨了ALAS2作为血液生物标志物在兴奋剂检测领域中应用的可能性。 展开更多
关键词 alas2 生物标志物 兴奋剂检测
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Peril in the north:Alaska's new pox
4
作者 Kiran Kavatagi Niranjan Kamble Darshan Rajatadri Rangaswamy 《Journal of Acute Disease》 2024年第4期165-166,共2页
The Alaskapox virus(AKPV)is a new Orthopoxvirus first identified in 2015 on a woman near Fairbanks,Alaska^([1]).This double-stranded DNA virus,part of the Poxviridae family,shares its genus with notable viruses like s... The Alaskapox virus(AKPV)is a new Orthopoxvirus first identified in 2015 on a woman near Fairbanks,Alaska^([1]).This double-stranded DNA virus,part of the Poxviridae family,shares its genus with notable viruses like smallpox,monkeypox,and cowpox.Despite these genetic ties,AKPV is distinct and potentially represents a new species within the Orthopoxvirus genus,as suggested by its sequenced genome^([2]). 展开更多
关键词 ALA NEW
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GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究 被引量:2
5
作者 李永平 田强 +3 位作者 牛智川 杨锡震 吴正龙 王亚非 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期474-477,共4页
用MBE生长设备制备了GaAs/Si/AlAs异质结 ,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对 0 .5分子层Si夹层的影响 。
关键词 GaAs/Si/alas异质结 生长温度 Si夹层 CV测量 实验研究 导带带阶 异质结器件 热扩散 半导体 空间分布
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遗传性铁粒幼细胞贫血致病的ALAS2基因表达载体的构建 被引量:2
6
作者 王逸群 朱平 +4 位作者 石永进 顾江英 卜定方 刘辉 张英 《中国实验血液学杂志》 CAS CSCD 2004年第5期687-693,共7页
X连锁遗传性铁粒幼细胞贫血 (XLSA)是红系特异性δ 氨基 γ酮戊酸合酶 (δ amionlevulinicacidsyntase 2 ,ALAS2 )基因突变造成的 ,本研究构建ALAS2基因的真核表达载体 ,观察表达载体转染真核细胞后蛋白表达的情况。将获自人胎肝的ALAS... X连锁遗传性铁粒幼细胞贫血 (XLSA)是红系特异性δ 氨基 γ酮戊酸合酶 (δ amionlevulinicacidsyntase 2 ,ALAS2 )基因突变造成的 ,本研究构建ALAS2基因的真核表达载体 ,观察表达载体转染真核细胞后蛋白表达的情况。将获自人胎肝的ALAS2基因插入到红色荧光蛋白质粒 pDs red2 N1中 ,命名为pDs red2 N1 ALAS2 ;采用电穿孔方法将质粒转染K5 6 2细胞 ;转染后 4 8小时提取细胞总RNA ,进行RT PCR检测ALAS2基因表达 ;流式细胞术检测红色荧光蛋白表达。再采用脂质体方法将质粒转染COS7细胞 ,转染后 72小时提取细胞总RNA ,RT PCR检测ALAS2基因表达 ,荧光显微镜观察COS7细胞红色荧光蛋白表达情况。结果表明 :构建了一种 pDs red2 N1 ALAS2真核表达载体 ,提取质粒DNA经酶切、电泳可以看到在 4 70 0bp和176 4bp处存在两条电泳条带 ;全长测序证实构建的载体序列正确 ;质粒转染K5 6 2和COS7细胞后均出现阳性ALAS2基因转录产物 ;流式细胞术检测转染后K5 6 2细胞红色荧光蛋白表达的阳性细胞百分率为 19.2 % ;荧光显微镜显示转染后COS7细胞红色荧光蛋白 ,表达高峰出现在转染后第 3天 ,阳性细胞百分率为 10 .7% ,并可持续表达 10天左右。红色荧光蛋白的表达可以间接说明ALAS2基因的表达。结论 展开更多
关键词 遗传性铁粒幼细胞贫血 alas2基因 载体构建 基因转染 基因治疗
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GaAs/AlAs量子阱中受主束缚能和光致发光 被引量:2
7
作者 郑卫民 吕英波 +2 位作者 宋淑梅 王爱芳 陶琳 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期156-160,共5页
从实验和理论上,研究了量子限制效应对GaAs/AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响。实验中所用的样品是通过分子束外延生长的一系列GaAs/AlAs多量子阱,量子阱宽度为3—20nm,并且在量子阱中央进行了浅受主Be原子的δ-掺杂。在4... 从实验和理论上,研究了量子限制效应对GaAs/AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响。实验中所用的样品是通过分子束外延生长的一系列GaAs/AlAs多量子阱,量子阱宽度为3—20nm,并且在量子阱中央进行了浅受主Be原子的δ-掺杂。在4,20,40,80,120K不同温度下,分别对上述样品进行了光致发光谱测量,观察到了受主束缚激子从基态到激发态的两空穴跃迁,并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能。理论上应用量子力学中的变分原理,数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系,比较发现,理论计算和实验结果符合地较好。 展开更多
关键词 量子限制效应 δ-掺杂 GaAs/alas多量子阱 光致发光谱
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用静压光致发光研究GaAs/AlAs短周期超晶格的Ⅰ一Ⅱ类超晶格转变点 被引量:2
8
作者 李国华 江德生 +2 位作者 韩和相 汪兆平 K.Ploog 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期36-36,共1页
近年来,GaAs/AlAs短周期超晶格的研究受到越来越多的重视。
关键词 光致发光 GAAS/alas 晶格 转变点
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GaAs/Si/AlAs异质结的DLTS实验研究 被引量:2
9
作者 李永平 田强 牛智川 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期923-926,共4页
利用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs/AlAs异质结晶体 品质的影响。发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷,而不同温度下生长的GaAs/Si/AlAs异质结随着 温度的降低,深能级缺陷明显增加,并进行了分... 利用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs/AlAs异质结晶体 品质的影响。发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷,而不同温度下生长的GaAs/Si/AlAs异质结随着 温度的降低,深能级缺陷明显增加,并进行了分析,得到深能级是由Ga空位引起的,在600℃时生长的晶体 质量最佳。 展开更多
关键词 光电子学 深能级瞬态谱 深能级缺陷 Si夹层 GaAs/alas异质结
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温度对Al_(0.5)Ga_(0.5)As/AlAs分布布喇格反射器的反射谱影响 被引量:1
10
作者 郑树文 范广涵 +2 位作者 李述体 章勇 孙惠卿 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期869-872,共4页
采用光学传输矩阵理论对Al0.5Ga0.5As/AlAs材料分布布喇格反射器(DBR)进行理论研究,分析了-10℃到100℃的范围内,温度变化对不同DBR结构的反射光谱影响.结果表明:随着温度的升高,传统20周期DBR的反射光谱向长波长方向移动,速率约0.05 nm... 采用光学传输矩阵理论对Al0.5Ga0.5As/AlAs材料分布布喇格反射器(DBR)进行理论研究,分析了-10℃到100℃的范围内,温度变化对不同DBR结构的反射光谱影响.结果表明:随着温度的升高,传统20周期DBR的反射光谱向长波长方向移动,速率约0.05 nm/℃,其中由线热膨胀系数带来的影响小于0.001 nm/℃.当传统DBR的周期数增大时,温度对DBR光谱反射率的影响在减小,同时DBR的反射谱峰值波长发生红移.为了降低温度对DBR反射光谱的影响,提出一种新型的复式DBR结构.分析指出:该复式DBR比传统DBR有更大的反射光谱半峰宽,基本能覆盖同温度的AlGaInP LED电致发光光谱,这对提高LED的出光效率有现实意义. 展开更多
关键词 光电子学 布喇格反射器 光学传输矩阵理论 Al0.5Ga0.5As/alas 温度
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基于GaAs/AlAs腐蚀自停止的新型水听器工艺 被引量:1
11
作者 仝召民 薛晨阳 +1 位作者 张斌珍 王勇 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2007年第3期230-234,共5页
针对感应耦合等离子(ICP)刻蚀气室气体分布不均匀性所导致的被刻蚀台面中间厚、边缘薄及干法刻蚀后残余应力大等缺点,进行了GaAs/AlAs的选择性湿法腐蚀工艺研究.腐蚀液为50%一水柠檬酸(C6H8O7.H2O)溶液与30%双氧水(H2O2)的混合物,当二... 针对感应耦合等离子(ICP)刻蚀气室气体分布不均匀性所导致的被刻蚀台面中间厚、边缘薄及干法刻蚀后残余应力大等缺点,进行了GaAs/AlAs的选择性湿法腐蚀工艺研究.腐蚀液为50%一水柠檬酸(C6H8O7.H2O)溶液与30%双氧水(H2O2)的混合物,当二者体积比为3∶1时,GaAs/AlAs的选择比达到79以上.用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对腐蚀后的试验片测试后发现,该体积比腐蚀液腐蚀的试验片具有表面粗糙度低、刻蚀各向异性好、选择比高等优点,能够满足传感器加工的需要;结合试验结果,设计了一种待加工梁厚3μm的外延材料结构,并对传感器的加工工艺进行了优化;最后,采用ANSYS对所设计的结构进行了仿真分析,仿真结果表明,该结构具有可行性,可实现水平面内的声学探测. 展开更多
关键词 GAAS/alas 选择性湿法腐蚀 一水柠檬酸 ANSYS
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Si夹层对GaAs/AlAs异质结的影响 被引量:1
12
作者 李永平 刘杰 +1 位作者 姜永超 田强 《山东大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期40-42,48,共4页
用MBE生长了GaAs/Si/AlAs异质结及其对比样,通过深能级瞬态谱技术(DLTS)和X射线光电子谱测量(XPS)研究了Si夹层的引入对异质结的影响,研究发现Si夹层的引入不会引起明显的深能级缺陷,异质结仍保持较好的质量,但使GaAs/AlAs的带阶发生了... 用MBE生长了GaAs/Si/AlAs异质结及其对比样,通过深能级瞬态谱技术(DLTS)和X射线光电子谱测量(XPS)研究了Si夹层的引入对异质结的影响,研究发现Si夹层的引入不会引起明显的深能级缺陷,异质结仍保持较好的质量,但使GaAs/AlAs的带阶发生了改变。 展开更多
关键词 GaAs/alas异质结 Si夹层 X射线光电子谱测量 深能级瞬态谱测量
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短周期(AlAs)_n/(GaAs)_n(n≤10)超晶格表面、界面和体内的电子结构 被引量:1
13
作者 王恩哥 章立源 王怀玉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期252-261,共10页
在紧束缚近似下,本文首次采用Recursion方法,对(AlAs)_n/(GaAs)_n(n≤10)短周期超晶格的表面、界面和体内电子结构进行了详细计算.给出了它的总态密度(TDOS)、局部态密度(LDOS)和分波态密度(PDOS).由此证明了界面的影响,并得到了Al,Ga... 在紧束缚近似下,本文首次采用Recursion方法,对(AlAs)_n/(GaAs)_n(n≤10)短周期超晶格的表面、界面和体内电子结构进行了详细计算.给出了它的总态密度(TDOS)、局部态密度(LDOS)和分波态密度(PDOS).由此证明了界面的影响,并得到了Al,Ga和As原子的原子价.超晶格有序势使(AIAs)_n/(GaAs)_n的直接带隙变窄,这表明了它与无序合金Al_xGa_(1-x)As之间物理性质的差别.同时直接证实了(001)表面原子的成键方式将引起退杂化SP_2+P_γ-P_y发生.本文结论优于已有的理论报道,并与最近的实验数据符合很好. 展开更多
关键词 alas/GaAs 超晶格 表面 电子结构
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CTCF通过ALAS2调控K562细胞红系分化 被引量:2
14
作者 亓合媛 李艳明 +3 位作者 熊倩 谢兵兵 张昭军 方向东 《发育医学电子杂志》 2017年第1期1-6,共6页
目的研究CTCF对红系分化的影响及相应调控机制。方法敲低K562细胞中的CTCF,通过Hemin诱导和荧光实时定量聚合酶链反应(quantitative real-time polymerase chain reaction,qRT-PCR)技术,分析Hemin诱导0到4天的对照和CTCF敲低细胞的珠蛋... 目的研究CTCF对红系分化的影响及相应调控机制。方法敲低K562细胞中的CTCF,通过Hemin诱导和荧光实时定量聚合酶链反应(quantitative real-time polymerase chain reaction,qRT-PCR)技术,分析Hemin诱导0到4天的对照和CTCF敲低细胞的珠蛋白基因表达水平,研究CTCF敲低对红系分化的影响。利用基因表达芯片全基因组范围分析CTCF敲低造成的影响。根据公共数据分析推测CTCF调控红系分化的潜在机制,通过染色质免疫共沉淀(chromatin immunoprecipitation,ChIP)验证。结果随着诱导的进行,对照和敲低细胞中的珠蛋白基因HBE和HBG表达均逐渐升高,但CTCF敲低细胞中HBE和HBG基因水平均低于对照细胞,提示CTCF敲低能够抑制K562细胞分化过程中珠蛋白基因的表达。通过检测全基因组范围的基因表达水平,共筛选到1 128个差异表达基因,其中616个基因在CTCF敲低样本中表达上调,512个基因表达下调。利用IPA软件进行功能富集分析,显示主要相关的生理系统发育与功能包括血液系统的发育与功能。公共数据显示存在CTCF-GATA1-ALAS2作用关系,ALAS2基因上存在GATA1结合;对照和CTCF敲低细胞的ChIP-qPCR结果表明,敲低CTCF能够降低GATA1在ALAS2基因区的结合。结论 CTCF可能通过影响GATA1在ALAS2基因区的结合来调控K562细胞红系分化。 展开更多
关键词 CTCF alas2 GATA1 红系分化
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三元GaAS/ALAS准周期超晶格系统的电子隧穿透射谱 被引量:1
15
作者 姚源卫 蔡敏 屈晔 《广东工业大学学报》 CAS 2002年第3期14-17,共4页
用紧束缚的方法研究了一种多层低维半导体系统———三元准周期超晶格系统的电子隧穿 结果表明:大代数的情况下,电子出现共振隧穿透射的能量区域则集中在某一小的能量范围内。
关键词 GAAS/alas 电子隧穿 透射谱 三元准周期超晶格 紧束缚 透射率 多层低维半导体 砷化镓 砷化铝
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GaAs/AlAs异质结构隧道电流的计算和异质结限累管初探 被引量:4
16
作者 薛舫时 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第2期44-49,共6页
本文从单带双谷模型出发计算了GaAs/AlAs异质结量子阱中的隧道电流同外加电压之间的关系。研究了隧道电流同量子阱结构和电场间的关系以及隧道过程中的状态转换效应。在此基础上提出了利用异质结中的状态转换特性来制作X谷电子发生器的... 本文从单带双谷模型出发计算了GaAs/AlAs异质结量子阱中的隧道电流同外加电压之间的关系。研究了隧道电流同量子阱结构和电场间的关系以及隧道过程中的状态转换效应。在此基础上提出了利用异质结中的状态转换特性来制作X谷电子发生器的可能性。讨论了这种发生器在器件设计中的应用以及异质结限累管的初步设计。 展开更多
关键词 GAAS/alas 异质结构 隧道电流 计算
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X连锁性铁粒幼细胞贫血家系新发现ALAS2基因G514A突变 被引量:1
17
作者 许蔚林 朱平 《中国优生与遗传杂志》 2009年第1期16-17,26,共3页
目的明确2例患有铁粒幼细胞贫血同胞兄弟系X连锁性铁粒幼细胞贫血,并鉴定其家系的ALAS2基因。方法利用PCR-SSCP技术分析该家系先证者,外祖父母,父母及其患病兄弟6人的ALAS2基因,确定存在基因突变,之后通过测序分析明确具体突变的位点及... 目的明确2例患有铁粒幼细胞贫血同胞兄弟系X连锁性铁粒幼细胞贫血,并鉴定其家系的ALAS2基因。方法利用PCR-SSCP技术分析该家系先证者,外祖父母,父母及其患病兄弟6人的ALAS2基因,确定存在基因突变,之后通过测序分析明确具体突变的位点及碱基。结果该两例患儿在ALAS2基因第5外显子都存在突变,该突变来自于母系家族,其母亲和外祖母为携带者;通过测序分析进一步明确具体的突变为ALAS2基因G514A突变,导致甲硫氨酸被异亮氨酸所替代。结论该家系患者为ALAS2基因突变所致的X连锁性铁粒幼细胞贫血,存在一种新的突变基因-ALAS2基因第5外显子G514A突变。 展开更多
关键词 铁粒幼细胞贫血 基因突变 alas2 PCR-SSCP
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GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAs生长温度的影响
18
作者 李永平 澜清 +6 位作者 吴正龙 周大勇 孔云川 牛智川 田强 杨锡震 王亚非 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期168-172,共5页
用分子束外延 (MBE)设备制备了 Ga As/ Al As和 Ga As/ Si/ Al As异质结 ,通过 XPS分别研究了异质结界面处 Si层厚度为 0 .5 ML 和 1ML 对异质结带阶的调节 ,得到最大调节量为 0 .2 e V;通过 C- V法研究了异质结的Ga As层在不同温度下... 用分子束外延 (MBE)设备制备了 Ga As/ Al As和 Ga As/ Si/ Al As异质结 ,通过 XPS分别研究了异质结界面处 Si层厚度为 0 .5 ML 和 1ML 对异质结带阶的调节 ,得到最大调节量为 0 .2 e V;通过 C- V法研究了异质结的Ga As层在不同温度下生长对 0 .5 ML Si夹层的影响 ,得到 Si夹层的空间分布随 Ga As层生长温度的升高而扩散增强的温度效应 ,通过深能级瞬态谱 (DL TS)研究了在上述不同温度下生长的 Ga As层的晶体质量 . 展开更多
关键词 GaAs/Si/alas异质结 生长温度 Si夹层 XPS测量 DLTS测量 带阶调节 分子束外延
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GaAs/AlAs短周期超晶格的静压光致发光研究
19
作者 李国华 江德生 +2 位作者 韩和相 汪兆平 K.Ploog 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第2期88-96,共9页
在室温和液氮温度下对不同层厚的GaAs/AlAs短周期超晶格在0—50kbar范围内进行了静压光致发光研究。在导带最低能级为类Γ态能级(Ⅰ类超晶格)和类X态能级(Ⅱ类超晶格)两种情况下都得到了类Γ态能级与类X态能级差随层厚的变化。首次直接... 在室温和液氮温度下对不同层厚的GaAs/AlAs短周期超晶格在0—50kbar范围内进行了静压光致发光研究。在导带最低能级为类Γ态能级(Ⅰ类超晶格)和类X态能级(Ⅱ类超晶格)两种情况下都得到了类Γ态能级与类X态能级差随层厚的变化。首次直接观察到室温、常压下(GaAs)_(11)(AlAs)_(11)超晶格中类Γ态能级与类X态能级发生交叉。从发光峰的强度随压力的变化求得室温下在类Γ态能级与类X态能级恰好交叉的压力下类X态电子和类Γ态电子到价带空穴的跃迁几率之比从(GaAs)_(17)(AlAs)_(17)的1.4×10^(-4)逐渐增加到(GaAs)_6(AlAs)_6的4.6×10^(-3)。表明类Γ态和类X态间的混合较弱。对实验结果进行了简短的讨论。 展开更多
关键词 GAAS/alas 超晶格 光致发光 静压
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GaAs/AlAs超短周期超晶格中的纵光学声子模
20
作者 汪兆平 韩和相 +1 位作者 李国华 江德生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第6期381-386,共6页
在室温和非共振条件下,测量了超短周期(1—3个单层)GaAs/AlAs超晶格的 Raman散射光谱.样品用分子束外延方法生长在(001)晶向的半绝缘 CaAs衬底上.实验结果表明,在这种超短周期超晶格中存在两种作用:一种是光学声子的限制效应,另一种是... 在室温和非共振条件下,测量了超短周期(1—3个单层)GaAs/AlAs超晶格的 Raman散射光谱.样品用分子束外延方法生长在(001)晶向的半绝缘 CaAs衬底上.实验结果表明,在这种超短周期超晶格中存在两种作用:一种是光学声子的限制效应,另一种是混晶化效应.对于单层超晶格,在各种散射配置下的 Raman光谱都与Al(0.5)Ga_(0.5)As三元混晶的Raman光谱十分相似.而对于4个单层或者更厚的超晶格样品,混晶化效应基本可以忽略,仅仅表现为界面效应,光学声子的限制效应起主导作用. 展开更多
关键词 GAAS/alas 超晶体 光学声子模 光谱
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