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Challenges of 22 nm and beyond CMOS technology 被引量:8
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作者 HUANG Ru WU HanMing +8 位作者 KANG JinFeng XIAO DeYuan SHI XueLong AN Xia TIAN Yu WANG RunSheng ZHANG LiangLiang ZHANG Xing WANG YangYuan 《Science in China(Series F)》 2009年第9期1491-1533,共43页
It is predicted that CMOS technology will probably enter into 22 nm node around 2012. Scaling of CMOS logic technology from 32 to 22 nm node meets more critical issues and needs some significant changes of the technol... It is predicted that CMOS technology will probably enter into 22 nm node around 2012. Scaling of CMOS logic technology from 32 to 22 nm node meets more critical issues and needs some significant changes of the technology, as well as integration of the advanced processes. This paper will review the key processing technologies which can be potentially integrated into 22 nm and beyond technology nodes, including double patterning technology with high NA water immersion lithography and EUV lithography, new device architectures, high K/metal gate (HK/MG) stack and integration technology, mobility enhancement technologies, source/drain engineering and advanced copper interconnect technology with ultra-low-k process. 展开更多
关键词 CMOS technology 22 nm technology node device architectures metal gate^high K dielectrics ultra low K dielectrics
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EUV光刻技术的发展 被引量:1
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作者 本刊编辑部 《电子工业专用设备》 2008年第10期20-27,共8页
介绍了半导体产业在制造极限的技术路线选择方面,下一代光刻技术—极紫外光刻设备面临的挑战及其开发和技术应用的进展现状,指出了在未来的22nm技术节点极紫外光刻进入量产的可能性。
关键词 极紫外光刻 现状 光学系统 掩模 抗蚀剂 22 nm技术节点
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向商业化迈进的极紫外(EUV)光刻技术
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作者 本刊编辑部 《电子工业专用设备》 2009年第4期1-7,43,共8页
在介绍EUV光刻原理和EUV光源基本概念的基础上,讨论了目前研究得最多、技术最成熟的激光产生的等离子体LPP光源,着重对EUV光源的初步应用和EUV光刻设备的开发进展情况进行了详细介绍与讨论。目前的研究进展表明,随着激光产生的等离子体... 在介绍EUV光刻原理和EUV光源基本概念的基础上,讨论了目前研究得最多、技术最成熟的激光产生的等离子体LPP光源,着重对EUV光源的初步应用和EUV光刻设备的开发进展情况进行了详细介绍与讨论。目前的研究进展表明,随着激光产生的等离子体EUV光源(LPP)功率的不断提高和EUV光刻设备的逐步成熟,极紫外(EUV)光刻技术将在2012年步入半导体产业的商业化生产。 展开更多
关键词 极紫外光刻 激光等离子体光源 光刻设备 22 nm技术节点 商业化生产
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