GaN单晶中Mg含量的SIMS定量分析方法

1

作者 何友琴 马农农 +2 位作者 陈潇 张鑫 刘立娜 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第7期571-575,共5页

GaN材料是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,在其单晶材料的研制过程中,掺杂剂Mg的含量对生长p型GaN有重要影响,所以对Mg浓度的精确测定至关重要。采用相对灵敏度因子法,以离子注入样品为参考样品,对GaN单晶中Mg元素含量的... GaN材料是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,在其单晶材料的研制过程中,掺杂剂Mg的含量对生长p型GaN有重要影响,所以对Mg浓度的精确测定至关重要。采用相对灵敏度因子法,以离子注入样品为参考样品,对GaN单晶中Mg元素含量的二次离子质谱(SIMS)定量分析方法进行了研究,并通过改变扫描面积,使GaN单晶中Mg元素浓度的检测限达到5.0×1015 cm-3。该方法具有高稳定性(精密度小于10%)和可靠性,在没有可溯源参考样品的情况下,可自制参考样品实现对GaN晶体中Mg含量的SIMS定量分析。该方法成为GaN单晶中Mg杂质含量的可行的检测方法之一。 展开更多

关键词 氮化镓 镁 相对灵敏度因子 二次离子质谱(sims) 定量分析

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气体团簇离子束技术的发展与挑战 被引量：1

2

作者 谢媛 解克各 邓辉 《中国表面工程》 北大核心 2025年第2期217-232,共16页

随着科技的不断进步,先进光学与集成电路等领域对光学元件的加工精度要求日益严苛,已经由纳米级材料去除提升至亚纳米级精度。然而,当前主流的传统加工技术,如化学机械抛光(CMP)、液体射流抛光(FJP)、磁流变抛光(MRF)以及离子束抛光(IBP... 随着科技的不断进步,先进光学与集成电路等领域对光学元件的加工精度要求日益严苛,已经由纳米级材料去除提升至亚纳米级精度。然而,当前主流的传统加工技术,如化学机械抛光(CMP)、液体射流抛光(FJP)、磁流变抛光(MRF)以及离子束抛光(IBP)等,均存在各自的局限性,难以实现原子级光滑表面的制造目标。因此,如何制造出具有亚纳米级表面粗糙度且低亚表面损伤的光学元件,已成为当前亟待解决的技术难题。在不断探索新技术的过程中,气体团簇离子束(GCIB)技术作为传统离子束技术的革新升级,展现出在超精密加工领域的巨大潜力,有必要对气体团簇离子束技术的原理、辐照特性以及可能的应用展开探讨。说明气体团簇离子束技术的原理;阐述气体团簇离子束技术所具有的独特辐照特征,包括低每原子能量、高溅射产率、横向溅射效应以及能量密集沉积等。这些特征使其与传统离子束的辐照效应截然不同;探讨气体团簇离子束技术在抛光、刻蚀、薄膜沉积以及二次离子质谱(SIMS)等领域的应用;总结气体团簇离子束技术现有的优势与不足,为气体团簇离子束技术的进一步发展奠定坚实基础,推动其在超精密加工领域实现更广泛的应用与突破。 展开更多

关键词 气体团簇离子束 超精密制造 抛光 刻蚀 薄膜制备 二次离子质谱(sims)

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单细胞水平小分子质谱成像分析技术研究进展

3

作者 梅翔 尤穆英楠 +1 位作者 许国旺 刘心昱 《质谱学报》 北大核心 2025年第6期680-693,I0001,共15页

质谱成像(MSI)技术通过结合质谱分析与空间分辨能力,实现了生物组织中分子分布的无标记可视化。本文系统综述了MSI技术,如基质辅助激光解吸电离质谱成像(MALDI-MSI)、二次离子质谱成像(SIMS-MSI)及解吸电喷雾电离质谱成像(DESI-MSI)的... 质谱成像(MSI)技术通过结合质谱分析与空间分辨能力,实现了生物组织中分子分布的无标记可视化。本文系统综述了MSI技术,如基质辅助激光解吸电离质谱成像(MALDI-MSI)、二次离子质谱成像(SIMS-MSI)及解吸电喷雾电离质谱成像(DESI-MSI)的基本原理和技术进展,并阐述了单细胞分析中样品制备及单细胞分辨率下的空间代谢组学研究进展。近年来,MALDI-MSI通过透射模式基质辅助激光解吸/电离源与激光后电离技术实现了亚细胞分辨率与更广的分子覆盖范围;SIMS-MSI结合气体团簇离子束显著提升了低丰度代谢物的检测能力,且分辨率可达25 nm;DESI-MSI在微流控探针与敲击模式扫描的辅助下,空间分辨率可达6μm,可在常温常压条件下适用于活细胞分析与快速组织诊断。尽管MSI在灵敏度与分辨率间存在权衡挑战、低丰度化合物检测困难,但其无需标记与多重检测的优势使其成为生命科学领域的重要工具。未来的技术优化将聚焦于提升检测通量、提高灵敏度及开发标准化数据分析方法。 展开更多

关键词 质谱成像(MSI) 单细胞分析 基质辅助激光解吸电离(MALDI) 二次离子质谱(sims) 解吸电喷雾电离(DESI)

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SiC MOS电容氧化层界面缺陷钝化效果分析方法

4

作者 胡灿博 刘俊哲 +3 位作者 刘起蕊 尹志鹏 崔鹏飞 王德君 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期581-588,共8页

SiC MOS器件的栅氧界面缺陷严重影响其性能。采用X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)技术,识别了SiC MOS电容中的SiO_(x)C_(y)和C—C缺陷及其元素分布,并结合文献数据确定了这些缺陷的能级位置,同时计算了其相应的时间常数。研... SiC MOS器件的栅氧界面缺陷严重影响其性能。采用X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)技术,识别了SiC MOS电容中的SiO_(x)C_(y)和C—C缺陷及其元素分布,并结合文献数据确定了这些缺陷的能级位置,同时计算了其相应的时间常数。研究结果表明,这些缺陷的形成与氧元素缺乏密切相关,氧原子或离子因具有较强的穿透性,可有效消除这些缺陷。为优化样品性能,提出了电子回旋共振(ECR)臭氧等离子体二次氧化工艺。电学测试结果表明,优化后样品的界面态密度降低了约一个数量级,平带电压漂移量在300 K和150 K下分别减小约89.31%和71.10%。这种基于理化分析识别缺陷,并确定缺陷能级位置及计算相应时间常数的方法,为分析栅氧界面缺陷提供了一种精确的测量手段。 展开更多

关键词 SiC MOS电容 栅氧界面缺陷 X射线光电子能谱(XPS) 二次离子质谱(sims) 缺陷能级 时间常数

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电感耦合等离子体质谱、热电离质谱和二次离子质谱技术在核工业中的新进展 被引量：16

5

作者 李金英 郭冬发 +4 位作者 吉燕琴 赵永刚 李力力 崔建勇 石磊 《质谱学报》 EI CAS CSCD 2010年第5期257-263,共7页

结合实例,回顾并展望了电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)、热电离质谱(TIMS)和二次离子质谱(SIMS)技术的应用进展,特别是在核工业领域中的进展。讨论了未来相关质谱技术的发展方向,并指出目前存在的主要问题,探讨了可能的解决方案。

关键词 电感耦合等离子体质谱(ICP-MS) 热电离质谱(TIMS) 二次离子质谱(sims) 核燃料循环 铀资源勘查 核保障监督

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核保障的微粒分析与二次离子质谱仪 被引量：14

6

作者 李安利 赵永刚 +1 位作者 李静 王林博 《质谱学报》 EI CAS CSCD 2006年第3期173-177,共5页

环境监测是加强核保障体系的重要监测手段,微粒分析是环境监测中最重要的分析技术之一。与整体分析相比,微粒分析能获得更多信息,因而已发展成为核保障环境监测中的常规分析方法。动态型二次离子质谱仪(SIMS)是进行微粒同位素分析最适... 环境监测是加强核保障体系的重要监测手段,微粒分析是环境监测中最重要的分析技术之一。与整体分析相比,微粒分析能获得更多信息,因而已发展成为核保障环境监测中的常规分析方法。动态型二次离子质谱仪(SIMS)是进行微粒同位素分析最适用的测量仪器之一。在用SIMS分析各种性质的环境样品和擦拭样品时,样品制备是关键性的技术。 展开更多

关键词 核保障 微粒分析 二次离子质谱仪(sims) 制样技术

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天台乌药的组织培养与快速繁殖 被引量：7

7

作者 陈珍 孙骏威 +2 位作者 许海丹 钱宝英 鲍思伟 《浙江农业学报》 CSCD 北大核心 2012年第2期243-246,共4页

以药用植物天台乌药当年生嫩茎为外植体,新芽萌动后取材,研究不同培养基对其组织培养和植株再生的影响。结果表明,最适的不定芽增殖培养基为MS+6-BA 2.0～3.5 mg.L-1+NAA 0.2 mg.L-1+Na2S2O31.25%(蔗糖3%),最佳的生根培养基为1/4 MS+IBA... 以药用植物天台乌药当年生嫩茎为外植体,新芽萌动后取材,研究不同培养基对其组织培养和植株再生的影响。结果表明,最适的不定芽增殖培养基为MS+6-BA 2.0～3.5 mg.L-1+NAA 0.2 mg.L-1+Na2S2O31.25%(蔗糖3%),最佳的生根培养基为1/4 MS+IBA 1.0 mg.L-1(不加肌醇,蔗糖2%)。 展开更多

关键词 乌药(Lindera AGGREGATE (sims) Kosterm) 组织培养 快速繁殖

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邻近铀微粒的二次离子质谱测量干扰研究 被引量：2

8

作者 张燕 赵永刚 +3 位作者 王同兴 沈彦 王凡 鹿捷 《质谱学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期326-333,I0005,共9页

二次离子质谱(SIMS)测定铀微粒同位素比时,邻近微粒间可能产生干扰。在IMS-6f型SIMS上开展U350和U0002铀微粒在不同间距、不同测量顺序下铀同位素比测量研究,结果表明,微粒间距超过22μm(U350)和35μm(U0002)时,微粒的^(234)U/^(238)U、... 二次离子质谱(SIMS)测定铀微粒同位素比时,邻近微粒间可能产生干扰。在IMS-6f型SIMS上开展U350和U0002铀微粒在不同间距、不同测量顺序下铀同位素比测量研究,结果表明,微粒间距超过22μm(U350)和35μm(U0002)时,微粒的^(234)U/^(238)U、^(235)U/^(238)U、^(236)U/^(238)U测定结果与标称值相符;相同间距时,丰度低的微粒比丰度高的微粒受到的干扰严重,安全距离也更大;同一距离下,后测量的微粒比先测量的微粒受到的干扰严重,形貌疏松、尺寸小的微粒比密实、尺寸大的微粒受到的干扰严重。由已知两种丰度微粒计算得出的线性组合系数K_(4)(^(234)U/^(238)U)、K_(5)(^(235)U/^(238)U)和K_(6)(^(236)U/^(238)U)是否相近可以作为可疑混合微粒的判断准则。采用微操作进行单微粒剥离是消除相邻微粒干扰的有效方法。该工作为SIMS分析过程中有邻近微粒干扰时,发现、处理和排除可疑混合微粒数据,准确测量铀微粒同位素提供了参考。 展开更多

关键词 二次离子质谱(sims) 微粒分析 微操作 核保障

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基于4H-SiC压敏电阻的同质外延工艺 被引量：2

9

作者 孙亚楠 石云波 +2 位作者 冯恒振 王华 韩兴宇 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第2期131-135,共5页

提出了SiC基MEMS压敏电阻的制造工艺,在4英寸(1英寸=2.54 cm)偏向<1120>的4H-SiC晶片同质外延生长了高质量的n型和p型外延层,并且利用激光喇曼光谱、X射线衍射(XRD)和二次离子质谱(SIMS)三种测试方法对样品的结晶质量、掺杂浓度... 提出了SiC基MEMS压敏电阻的制造工艺,在4英寸(1英寸=2.54 cm)偏向<1120>的4H-SiC晶片同质外延生长了高质量的n型和p型外延层,并且利用激光喇曼光谱、X射线衍射(XRD)和二次离子质谱(SIMS)三种测试方法对样品的结晶质量、掺杂浓度及外延厚度进行了分析测试。在同质外延2μm的n型外延层后,通过对比衬底与外延膜的喇曼光谱图可知,外延膜很好地延续了衬底的晶型。用二次离子质谱对最外层的n型外延层的掺杂元素N元素的浓度进行了测试,结果表明N元素在掺杂范围内分布均匀,达到中等浓度的水平,并且测出掺杂厚度为1.98μm。掺杂浓度的喇曼测试结果与二次离子质谱的实验数据一致。最后,通过四探针测量方块电阻的方法得出其最大电阻率与最小电阻率,径向不均匀度为26.27%,表现出良好的电学特性。 展开更多

关键词 同质外延 4H—SiC 喇曼光谱 X射线衍射(XRD) 二次离子质谱(sims)

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氢化物发生原子荧光法测定银鱼中的砷、汞、硒、镉 被引量：2

10

作者 刘霞 李伟 +1 位作者 丁冶春 范小娜 《湖北农业科学》 北大核心 2013年第5期1149-1150,1153,共3页

采用微波消解法处理银鱼(Lindera aggregate(Sims)Kosterm)样品,然后用氢化物发生-原子荧光法测定样品中的砷、汞、硒和镉的含量。结果表明,该方法的加标回收率为95.8%～104.6%,相对标准偏差均小于4%,具有良好的精密度和准确度。4种元... 采用微波消解法处理银鱼(Lindera aggregate(Sims)Kosterm)样品,然后用氢化物发生-原子荧光法测定样品中的砷、汞、硒和镉的含量。结果表明,该方法的加标回收率为95.8%～104.6%,相对标准偏差均小于4%,具有良好的精密度和准确度。4种元素的检出限为0.04～0.13 ng/mL,能满足水产品中金属元素的测定要求。银鱼中砷、汞、硒和镉的含量均未超出限量值。该方法简便、快速、灵敏,在实际样品的测定中得到了满意的结果。 展开更多

关键词 原子荧光法 银鱼(Lindera aggregate(sims) Kosterm) 砷 汞 硒 镉

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乌药总生物碱抗炎镇痛效果研究 被引量：4

11

作者 张剑 罗人仕 +1 位作者 杨瑜 刘冰晶 《湖北农业科学》 2016年第19期5101-5103,共3页

用索氏法氨水-氯仿提取得到乌药[Lindera aggregata(Sims)Kosterm]总生物碱,采用p-二甲苯致小鼠耳廓肿胀法和角叉菜胶致后足跖肿胀法、小鼠热板法和乙酸致小鼠扭体法等方法来评估乌药总生物碱的抗炎镇痛效果。结果表明,乌药总生物碱有缓... 用索氏法氨水-氯仿提取得到乌药[Lindera aggregata(Sims)Kosterm]总生物碱,采用p-二甲苯致小鼠耳廓肿胀法和角叉菜胶致后足跖肿胀法、小鼠热板法和乙酸致小鼠扭体法等方法来评估乌药总生物碱的抗炎镇痛效果。结果表明,乌药总生物碱有缓解p-二甲苯致小鼠耳廓肿胀及角叉菜胶致后足跖肿胀的效果,能显著减少小鼠在热板上舔后足的次数和减少乙酸致小鼠扭体的次数,镇痛效果显著。 展开更多

关键词 乌药[Lindera aggregata(sims)Kosterm] 总生物碱 抗炎 镇痛

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二次离子质谱分析技术及应用研究 被引量：7

12

作者 尹会听 王洁 《光谱实验室》 CAS CSCD 2008年第2期180-184,共5页

二次离子质谱(SIMS)是离子质谱学的一个分支,也是表面分析的有利工具。该方法能检测出微小区域内的微量成分,绝对检出限10-13—10-19g、相对检出限ppm—ppb;具有能进行杂质深度剖析和各种元素在微区范围内同位素丰度比的测量。结合IMS-6... 二次离子质谱(SIMS)是离子质谱学的一个分支,也是表面分析的有利工具。该方法能检测出微小区域内的微量成分,绝对检出限10-13—10-19g、相对检出限ppm—ppb;具有能进行杂质深度剖析和各种元素在微区范围内同位素丰度比的测量。结合IMS-6f型二次离子质谱仪器,本文对SIMS仪器和技术应用进行了综述。 展开更多

关键词 二次离子质谱(sims) IMS-6f型

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氢化物发生-原子荧光法测定乌药中的砷、汞、硒、镉 被引量：1

13

作者 刘霞 李伟 +1 位作者 丁冶春 范小娜 《湖北农业科学》 北大核心 2013年第15期3663-3665,共3页

采用微波消解法处理样品,然后用氢化物发生-原子荧光法测定乌药[Lindera aggregate(Sims)Kosterm]中的砷、汞、硒和镉含量。结果表明,加标回收率为96.8%～103.9%,相对标准偏差均小于4%,具有良好的精密度和准确度。各元素的检出限为0.05... 采用微波消解法处理样品,然后用氢化物发生-原子荧光法测定乌药[Lindera aggregate(Sims)Kosterm]中的砷、汞、硒和镉含量。结果表明,加标回收率为96.8%～103.9%,相对标准偏差均小于4%,具有良好的精密度和准确度。各元素的检出限为0.05～0.36 ng/mL,能满足中草药中无机元素的测试要求。乌药中的砷、汞、硒和镉含量均未超出限量范围。该方法简便、快速、灵敏,对于实际样品的测定得到了满意的结果,便于推广应用。 展开更多

关键词 原子荧光法 乌药[Lindera aggregate(sims) Kosterm] 砷 汞 硒 镉

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6英寸高纯半绝缘SiC生长技术 被引量：1

14

作者 吴会旺 赵丽霞 +1 位作者 刘英斌 李胜华 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第7期581-585,593,共6页

利用自蔓延法进行SiC粉料合成、物理气相传输法进行6英寸(1英寸=2.54 cm)高纯半绝缘(HPSI)SiC晶体生长。采用高温下通入HCl和H2的方法,对SiC粉料合成及晶体生长所使用的石墨件和石墨粉进行前处理,该方法可有效降低系统中N、B和Al等杂质... 利用自蔓延法进行SiC粉料合成、物理气相传输法进行6英寸(1英寸=2.54 cm)高纯半绝缘(HPSI)SiC晶体生长。采用高温下通入HCl和H2的方法,对SiC粉料合成及晶体生长所使用的石墨件和石墨粉进行前处理,该方法可有效降低系统中N、B和Al等杂质的背景浓度,提高SiC晶体的电阻率。使用二次离子质谱(SIMS)法对获得的晶体进行杂质浓度检测。检测结果表明,N和Al的浓度均小于检测极限(分别为1×10^16和1×10^14 cm^-3),B的浓度为4.24×10^14 cm^-3。对晶体进行切片和抛光后得到的晶片进行测试。测试结果表明,整个晶片所有测试点的电阻率均在1×10^8Ω·cm以上,微管密度小于0.2 cm^-2,X射线摇摆曲线半高宽为28 arcsec。使用该方法成功制备了6英寸高纯半绝缘4H-SiC晶体。 展开更多

关键词 杂质控制 高纯半绝缘(HPSI) 碳化硅(SiC) 物理气相传输(PVT)法 二次离子质谱(sims)

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二次离子质谱仪中二次中性粒子空间分布研究

15

作者 王培智 田地 +4 位作者 龙涛 王利 包泽民 邱春玲 刘敦一 《质谱学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期222-228,共7页

为提高二次离子质谱仪(secondary ion mass spectrometer,SIMS)的灵敏度,引入了飞秒激光电离一次离子轰击溅射产生的二次中性粒子。实验以纯银、纯铜为目标样品,利用自主研制的飞行时间质谱仪分析二次后电离的离子,研究二次中性粒子的... 为提高二次离子质谱仪(secondary ion mass spectrometer,SIMS)的灵敏度,引入了飞秒激光电离一次离子轰击溅射产生的二次中性粒子。实验以纯银、纯铜为目标样品,利用自主研制的飞行时间质谱仪分析二次后电离的离子,研究二次中性粒子的后电离效率和空间分布。结果表明:飞秒激光电离技术可将仪器的灵敏度提高70倍以上;飞秒激光电离出的107 Ag+和109 Ag+的同位素丰度比值误差为0.8%;二次中性粒子的空间分布符合Maxwell-Boltzmann模型。该结果可为在设计方法上提高SIMS仪器灵敏度提供依据。 展开更多

关键词 二次离子质谱(sims) 飞秒激光后电离 中性粒子

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一种SiC MOSFET栅氧界面缺陷的POA优化工艺

16

作者 付兴中 刘俊哲 +4 位作者 薛建红 尹志鹏 谭永亮 王德君 张力江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第12期1144-1152,共9页

栅氧界面缺陷严重影响SiC MOSFET性能。开发了一种NO氧化后退火(POA)优化工艺,采用氮、氢、氧、氯四种元素组合钝化工艺,实现对SiC MOSFET栅氧界面缺陷的抑制。通过X射线光电子能谱(XPS)、二次离子质谱(SIMS)和电学测试,对工艺优化前后... 栅氧界面缺陷严重影响SiC MOSFET性能。开发了一种NO氧化后退火(POA)优化工艺,采用氮、氢、氧、氯四种元素组合钝化工艺,实现对SiC MOSFET栅氧界面缺陷的抑制。通过X射线光电子能谱(XPS)、二次离子质谱(SIMS)和电学测试,对工艺优化前后的SiC MOSFET栅氧界面缺陷类型及器件电学特性进行了分析。测试结果表明,采用传统NO POA工艺的SiC MOSFET退火后在栅氧化层和栅氧界面中存在大量缺陷,尤其是C相关缺陷,影响器件栅氧的绝缘特性。POA优化工艺对SiC MOSFET栅氧界面缺陷具有明显的抑制作用,可极大地提高N元素对栅氧界面缺陷的钝化效果,并且抑制了O空位的形成,进而提升了器件的可靠性和迁移率,降低了界面态密度,对器件性能起到了较好的优化效果。 展开更多

关键词 SiC MOSFET X射线光电子能谱(XPS) 二次离子质谱(sims) 界面缺陷 氧化后退火(POA)

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高纯半绝缘SiC电阻率影响因素

17

作者 吴会旺 赵丽霞 +1 位作者 刘英斌 李胜华 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第4期320-323,338,共5页

采用物理气相传输(PVT)法进行高纯半绝缘SiC晶体生长,利用高温真空解吸附以及在系统中通入HCl和H2的方法,有效降低了系统中N、B和Al等杂质的背景浓度。使用二次离子质谱(SIMS)对晶体中杂质浓度测试,N、B和Al浓度分别小于1×1016、1&... 采用物理气相传输(PVT)法进行高纯半绝缘SiC晶体生长,利用高温真空解吸附以及在系统中通入HCl和H2的方法,有效降低了系统中N、B和Al等杂质的背景浓度。使用二次离子质谱(SIMS)对晶体中杂质浓度测试,N、B和Al浓度分别小于1×1016、1×1015和2×1014 cm-3。对加工得到的晶片进行测试,全片的电阻率均在1×1010Ω·cm以上,微管密度小于0.02 cm-2,(004)衍射面的X射线摇摆曲线半高宽为34″。结果表明,该方法可以有效降低SiC晶体中N、B和Al等杂质浓度,提升SiC晶片的电阻率。使用该方法成功制备了4英寸(1英寸=2.54 cm)高纯半绝缘4H-SiC晶体。 展开更多

关键词 高纯半绝缘 碳化硅(SiC) 电阻率 物理气相传输(PVT)法 二次离子质谱(sims)

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毛发中铀的二次离子质谱分析研究 被引量：2

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作者 胡睿轩 沈彦 +3 位作者 李力力 黄声慧 赵立飞 赵永刚 《同位素》 CAS 2021年第1期30-37,I0002,共9页

毛发对人体微量元素有一定的蓄积效应,且作为一种无创生物检材,在核取证、环境监测、职业暴露检测、医学等领域逐渐受到重视。目前,大多采用整体分析技术测量毛发中元素的平均含量,毛发微区分析相关研究较少。为拓展毛发分析方法应用,... 毛发对人体微量元素有一定的蓄积效应,且作为一种无创生物检材,在核取证、环境监测、职业暴露检测、医学等领域逐渐受到重视。目前,大多采用整体分析技术测量毛发中元素的平均含量,毛发微区分析相关研究较少。为拓展毛发分析方法应用,本研究通过喂养大鼠硝酸铀酰溶液的方式获得含铀量较高的鼠毛样品,对毛发样品预处理方法、毛发中铀的二次离子质谱(SIMS)测量方法开展研究。结果表明,使用SIMS测量毛发时,样品靶表面刻槽能有效提升信号强度稳定性;样品表面镀铜能有效降低表面电荷积累并减少多原子离子对铀离子信号干扰。使用多接收电感耦合等离子体质谱仪(MC-ICP-MS)和SIMS对鼠毛中铀分布、平均铀含量及同位素比进行测量。结果表明,该方法能有效判断大鼠是否摄铀,分辨大鼠摄铀类型。本研究可为毛发样品溯源分析提供技术支持,对毛发中微量元素的分析研究具有重要意义。 展开更多

关键词 毛发 铀 同位素比 二次离子质谱(sims) 多接收电感耦合等离子体质谱仪(MC-ICP-MS)

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二次离子质谱测定珊瑚氧同位素的制靶技术评价 被引量：1

19

作者 邹洁琼 韦刚健 +4 位作者 邓文峰 陈雪霏 杨晴 张彦强 夏小平 《质谱学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期697-704,共8页

二次离子质谱是目前测定高精度珊瑚微区原位氧同位素组成的唯一技术手段。本实验从取样的厚度和深度两方面探讨了制靶技术对珊瑚氧同位素测定的影响。研究发现,切取珊瑚片的厚度从3mm变化到5mm时,珊瑚基体效应(IMF_(coral))变化幅度为1... 二次离子质谱是目前测定高精度珊瑚微区原位氧同位素组成的唯一技术手段。本实验从取样的厚度和深度两方面探讨了制靶技术对珊瑚氧同位素测定的影响。研究发现,切取珊瑚片的厚度从3mm变化到5mm时,珊瑚基体效应(IMF_(coral))变化幅度为1.02‰;分析面距离传统方法(IRMS)取样面的深度从0mm变化到3mm时,IMF_(coral)变化幅度为0.7‰。实验表明,过厚的取样厚度会造成靶面较多气泡,影响珊瑚氧同位素测试;而取样深度的差异会导致时间效应和生命效应相互叠加,使珊瑚基体效应偏离正常值,对研究珊瑚基体效应的一般性规律造成明显的干扰。当取样厚度小于3mm,取样深度与IRMS取样面保持一致时,IMF_(coral)为-2.75‰,该数值与前人的估算值(IMF_(coral)=-2.8‰)在误差范围内一致。因此,在制靶过程中,取样厚度不宜超过3mm,取样深度应与IRMS取样面保持一致,可将制靶的影响降至最小,从而获得准确的珊瑚氧同位素分析的基体效应值,该结论可为推广二次离子质谱在珊瑚研究中的应用提供技术保障。 展开更多

关键词 珊瑚 二次离子质谱(sims) 基体效应 氧同位素 取样厚度 取样深度

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宋代黑釉茶盏油滴的飞行时间二次离子质谱表征 被引量：3

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作者 徐子琪 赵煊赫 +2 位作者 梁汉东 李展平 铁偲 《质谱学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期25-33,共9页

本研究利用飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)表征典型黑釉茶盏釉面上银色反光斑纹,即华北油滴。高分辨质谱测定油滴的主要成分是氧化铁,由显微拉曼光谱确定其矿物形式是赤铁矿(α-Fe_(2)O_(3))。二次离子质谱(SIMS)离子成像进一步揭示:... 本研究利用飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)表征典型黑釉茶盏釉面上银色反光斑纹,即华北油滴。高分辨质谱测定油滴的主要成分是氧化铁,由显微拉曼光谱确定其矿物形式是赤铁矿(α-Fe_(2)O_(3))。二次离子质谱(SIMS)离子成像进一步揭示:该赤铁矿呈六方柱晶体(约2~10μm);近百余枚这样的晶体自组织分散排列构成类似雨滴状的斑纹(约120μm);与其形貌互补的是含硅、铝、钙、钠等元素的碱性石灰质釉质。SIMS深度剖析发现,α-Fe_(2)O_(3)晶体的连续深度不小于5μm。基于SIMS表征结果,还探讨了赤铁矿沉积薄膜状镜铁矿(α-Fe_(2)O_(3))引起华北油滴呈银色与镜面反射现象的原理,以及TOF-SIMS在表征和研究古瓷方面的潜力和局限。 展开更多

关键词 华北油滴 赤铁矿 镜铁矿 离子成像 二次离子质谱(sims)

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