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利用Raman散射光谱研究铜铟镓硒薄膜表面的掺杂调节作用 被引量：1
1
作者 刘玮 孙云 +3 位作者 李凤岩 何青 李长健 田建国 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期716-719,共4页
主要研究了采用溅射后硒化方法制备CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳电池的吸收体材料中的表面层掺杂调节问题。并利用Raman散射谱分析研究了样品表面层特征峰的移用,研究结果表明:CIGS薄膜表面层由富In表面层调节为富CuGa表面层后,Raman特征峰... 主要研究了采用溅射后硒化方法制备CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳电池的吸收体材料中的表面层掺杂调节问题。并利用Raman散射谱分析研究了样品表面层特征峰的移用,研究结果表明:CIGS薄膜表面层由富In表面层调节为富CuGa表面层后,Raman特征峰位向高波数移动,表明薄膜表面的Ga含量随之变化,并导致表面能带的相应改变,经计算证实了富CuGa表面层样品较之富In表面层样品具有更高的表面能带,从而改善了以此材料为吸收层的太阳电池器件性能,Voc提高了74mV,填充因子上升8%,最终使器件转换效率η相应提高了约2%。提高了Voc与FF。同时表明Raman散射谱作为一种灵敏的表面表征手段,在研究太阳电池吸收层表面状态时十分有力。 展开更多
关键词 RAMAN谱 CIGS薄膜材料 表面能带
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