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化学气相渗(CVI)C/SiC复合材料性能控制 被引量:1
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作者 魏永良 刘文川 邓景屹 《炭素》 1996年第3期12-17,共6页
本研究用化学气相渗技术制备了四种C/SiC复合材料:在CH3SiCl3+H2(普通)+Ar(高纯)系统中制各了两种材料:材料A为1K炭布层叠无热解炭界面层,材料B为1K炭布层叠有热解炭界面层;在CH3SiCl3+H2... 本研究用化学气相渗技术制备了四种C/SiC复合材料:在CH3SiCl3+H2(普通)+Ar(高纯)系统中制各了两种材料:材料A为1K炭布层叠无热解炭界面层,材料B为1K炭布层叠有热解炭界面层;在CH3SiCl3+H2(高纯)+Ar(高纯)系统中制备了另两种材料:材料C和材料D分别为1K、T300炭布层叠有热解炭界面层.分别对其中每两种材料进行了相互比较,研究了骨架纤维、界面层及基体对整个复合材料性能的影响;通过控制上述三方面因素可以对C/SiC复合材料的总体结构进行设计从而控制其材料最终性能。 展开更多
关键词 复合材料 性能 碳化碳 气相渗透
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碳化硅及制品化学分析(一)——碳量差减间接法测定碳化硅量
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作者 陈长洪 徐开树 +1 位作者 李建波 詹智玲 《重钢技术》 2003年第2期38-40,共3页
本文研究了间接法测定碳化硅的条件,适应范围,实践证明:本法适应与碳化硅及制品中大于35%碳化硅的测定(向制品中添加了金属粉末及除硅铁外的铁合金粉末除外),较好的解决了碳化硅的快速分析,经论证:本法具有简捷、快速、稳定的优... 本文研究了间接法测定碳化硅的条件,适应范围,实践证明:本法适应与碳化硅及制品中大于35%碳化硅的测定(向制品中添加了金属粉末及除硅铁外的铁合金粉末除外),较好的解决了碳化硅的快速分析,经论证:本法具有简捷、快速、稳定的优点,同时具有一定的准确性及灵敏度,完全适应于生产的需要,也便于推广应用。 展开更多
关键词 碳化硅 制品 化学分析 重量法 重量差减法
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